Патенти з міткою «шарів»

Номер патенту: 34995

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Петров В'ячеслав Васильович, Крючин Андрій Андрійович, Шепелявий Петро Євгенович, Бородін Юрій Олександрович, Гольцов Юрій Генадійович, Венгер Євген Федорович, Костюкевич Сергій Олександрович

МПК: G03C 1/76, C03C 15/00, C03C 23/00 ...

Мітки: резистних, селективного, спосіб, халькогенідного, негативного, приготування, шарів, скла, травника, аs2s3

Формула / Реферат:

Спосіб приготування негативного селективного травника для резистних шарів халькогенідного скла Аs2S3, який полягає в тому, що змішують основу і ацетон, який відрізняється тим, що до складу вихідної суміші додатково вводять диметилсульфоксид, а як основу беруть етилендіамін при наступному концентраційному співвідношенні компонентів, об. %: етилендіамін 8-12 ацетон 55-70 ...

Номер патенту: 59948

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Котлярчук Богдан Костянтинович, Попович Дмитро Іванович, Середницький Андрій Степанович

МПК: C30B 19/00

Мітки: напівпровідникових, матеріалів, одержання, нітридних, шарів, спосіб, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких шарів напівпровідникових нітридних матеріалів лазерно-магнетронним напиленням, який відрізняється тим, що імпульсне лазерне випаровування металічної мішені та конденсацію парів на підкладці здійснюють у високовакуумній магнетронній установці в схрещених магнітному і електричному полях у спеціальному квазізамкненому хімічно-активному об’ємі в атмосфері азоту (аміаку).

Номер патенту: 51407

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Потапов Олександр Миколайович, Мінін Геннадій Михайлович, Доронін Андрій Дмитрович

МПК: D21H 11/00

Мітки: картону, плоских, масою, гофрованого, зниженою, шарів, картон

Формула / Реферат:

1. Картон для плоских шарів гофрованого картону, що складається з поверхневого шару, який містить розмелені та проклеєні волокна целюлози небіленої сульфатної, середнього шару, що містить розмелені й проклеєні волокна макулатури, який відрізняється тим, що містить у поверхневому шарі волокна целюлози небіленої сульфатної, розмелені до ступеня млива 43-50° ШР, у середньому шарі містить волокна макулатури, розмелені до ступеня млива 43-50° ШР,...

Номер патенту: 44699

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Аулов Аркадій Валентинович, Поважний Станіслав Федорович

МПК: E21C 41/18

Мітки: шарів, копалин, спосіб, розробки, корисних

Формула / Реферат:

1.Способ разработки пластов полезных ископаемых, включающий подготовку новых диагонально расположенных к взаимно перпендикулярным выработкам очистных забоев и их работу от места пересечения этих выработок, отличающийся тем, что диагональные лавы готовят в процессе очистной выемки лавой, отрабатываемой прямым ходом, путем постепенного наращивания ее длины в месте начала работы подготавливаемых очистных забоев, а проведение выработки,...

Номер патенту: 41963

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Дюваль Ренод Жан Раймонд Роджер, Піродон Жан-Паскаль, Кюллерьє Жан-Луіс Моріс

МПК: D04H 13/00, D04H 18/00

Мітки: волокнистої, накладання, зазначеним, виготовлена, спосіб, волокнистих, способом, шляхом, виготовлення, накладка, шарів, накладки, одного

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления волокнистой накладки посредством наложения друг на друга волокнистых слоев по существу постоянной толщины, включающий наложение волокнистого слоя на предварительно уложенный на Опорную плоскость первый волокнистый слой, соединение наложенных" друг на друга слоев с помощью средства соединения, в направлении, по существу перпендикулярном плоскости наложенного слоя, перемещение на один шаг опорной плоскости...

Номер патенту: 41956

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Поважний Станіслав Федорович, Аулов Аркадій Валентинович

МПК: E21C 41/16, E21C 41/18

Мітки: шарів, спосіб, розробки, пологих

Формула / Реферат:

1. Способ разработки, пологих пластов включающий разбивку шахтного поля на ряды блоков, в частности правильной формы, проведение осевой подготовительной выработки в каждом ряду блоков, отработку их лавами, в частности с разворотом вокруг одного из концов, отличающийся тем, что осевую подготовительную выработку проводят двухэтажной с расположением одного этажа в почве пласта, а другого в пласте, второй этаж осевой подготовительной...

Номер патенту: 41636

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Коваленко Микола Йосипович, Гнап Арлен Карпович

МПК: G02F 1/29, G02F 1/35

Мітки: шарів, контролю, фаз, грунту, поверхневих, зсуву, спосіб, початкових

Формула / Реферат:

Спосіб контролю початкових фаз зсуву поверхневих шарів грунту, який включає подачу сигналу лазерного променя почергово на відзеркалюючі поверхні контрольованих точок, прийом відбитого променя світлочутливими елементами на фотолінійці, реєстрацію відхилення відбитого променя фотолінійкою, по якому судять про відхилення контрольованої точки поверхневих шарів грунту від початкового положення.

Номер патенту: 41170

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Козак Клара Гнатівна, Манюк Семен Васильович, Кукуєв Анатолій Григорович, Іваненко Володимир Іванович, Боднар Анатолій Вікторович, Мачужак Михайло Іванович

МПК: E21B 43/00, E21B 43/22, C09K 8/58 ...

Мітки: шарів, спосіб, зони, привибійної, обробки, продуктивних

Формула / Реферат:

Спосіб обробки привибійної зони продуктивних шарів, що включає послідовне нагнітання буферу із газованого конденсату, газованого розчину підкисленого метанолу, циклічного закачування газорідинної суміші поверхнево-активної речовини з діетиленгліколем та його протискуванням у пласт вуглеводневим газом високого тиску з обов'язковою витримкою суміші в пласті для адсорбції поверхнево-активної речовини, який відрізняється тим, що після буферу із...

Номер патенту: 28479

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Єгер Дмитро Олександрович, Назарук Станіслав Володимирович, Рудий Мирослав Іванович, Копчалюк Ярослав Людвигович, Гаркот Василь Степанович

МПК: E21B 43/27

Мітки: спосіб, продуктивних, обробки, шарів, кислотної

Формула / Реферат:

Спосіб кислотної обробки продуктивних шарів, що включає послідовне нагнітання у свердловину двох порцій кислотного розчину з добавками поверхнево-активних речовин, який відрізняється тим, що у першій порції як поверхнево-активна речовина використовується суміш двох поверхнево-активних речовин не іоногенного типу, один з яких має деемульгуючими властивостями при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: соляна, або...

Номер патенту: 25785

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Буджак Ярослав Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Варшава Славомир Степанович, Шепетюк Володимир Андрійович

МПК: C30B 29/46

Мітки: шарів, snте)х, спосіб, епітаксійних, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (SnTe)x(PbSe)1-x, що включає нагрів вихідної речовини до температури Tв, стінок реактора до Tс, підкладки до Tп, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а вихідною речовиною служить синтезований полікристалічний твердий розчин (SnTe)x(PbSe)1-x, для одержання шарів n-типу провідності його склад вибирають при x до 0,2, для одержання шарів p-типу провідності x = 0,2 - 1,0,...

Номер патенту: 25518

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Пилипець Іван Андрійович, Акульшин Олександр Олексійович, Ровенчак Володимир Адамович, Яцків Михайло Петрович, Петриняк Володимир Андрійович, Рудий Мирослав Іванович

МПК: E21B 43/27

Мітки: селективної, кислотної, обробки, шарів, продуктивних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб селективної кислотної обробки продуктивних шарів, що включає послідовне нагнітання у свердловину першої порції кислотного розчину, суміші соляної кислоти та полімера на основі акриламіда і другої порції кислотного розчину, який відрізняється тим, що як полімер на основі акриламіду використовують 2 - 3% розчин полімеру "Полікар" у пластовій воді, при наступному співвідношенні компонентів у суміші, мас.%: 2 - 3%...

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: спосіб, арсеніду, епітаксійних, епітаксією, галію, основах, шарів, кремнієвих, одержання, рідкофазною

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...

Номер патенту: 24815

Опубліковано: 06.10.1998

Автори: Попова Вікторія Євгенівна, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00

Мітки: нарощування, галлію, спосіб, шарів, епітаксійного, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію, включаючий приготування розчину-розплаву на основі вісмута та арсеніду галію, контактування підкладки і розчину-розплаву при температурі початку епітаксії та примусового охолодження, який відрізняється тим, що розплав вісмуту насичується миш'яком шляхом розчинювання шихти арсеніду галію та арсеніду індію в співвідношенні 0,03 £ xInAs/XGaAs £ 0,21, а процес епітаксійного...

Номер патенту: 16595

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Терейковська Ольга Федорівна, Комарь Віталій Корнійович, Карпова Ангеліна Петрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: напівпровідних, b(верхній, спосіб, поверхні, кристалів, оптичних, а(верхній, індекс, контактних, типу, створення, шарів

Формула / Реферат:

Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа АIIВVI, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20-30 мин при...

Номер патенту: 20551

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Гаркот Василь Степанович, Назарук Станіслав Володимирович, Гушул Василь Васильович, Рудий Мирослав Іванович

МПК: E21B 43/27

Мітки: продуктивних, спосіб, спиртокислотної, шарів, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб спиртокислотної обробки продуктив­них шарів, що включає послідовне нагнітання ме­танолу та розчину соляної кислоти, який відріз­няється тим, що перед метанолом у свердловину додатково нагнітають вуглеводневу рідину, а перед розчином соляної кислоти - суспензію азотнокис­лого карбаміду у вуглеводневій рідині.

Номер патенту: 20549

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Рудий Мирослав Іванович, Касянчук Василь Гервасійович, Петриняк Володимир Андрійович

МПК: E21B 43/27

Мітки: спосіб, продуктивних, шарів, обробки, кислотної

Формула / Реферат:

Спосіб кислотної обробки продуктивних шарів, що включає послідовне нагнітання у сверд­ловину суспензії на нафтовій основі та кислотного розчину, який відрізняється тим, що перед сус­пензією на нафтовій основі додатково нагнітають розчин поверхнево-активної речовини з емульгу­ючими властивостями, при цьому як суспензию на нафтовій основі використовують склад, що містить компоненти при наступному співвідношенні, мас.%:Азотнокислий...

Номер патенту: 20547

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Рудий Мирослав Іванович, Кукуєв Анатолій Григорович, Солодкий Микола Антонович, Грушко Євген Августинович, Козак Клара Гнатівна, Садов Анатолій Михайлович

МПК: E21B 43/27

Мітки: шарів, привибійної, зони, продуктивних, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки привибійпої зони продуктив­них шарів, що включає послідовне нагнітання бу­феру із газованого конденсату, газованого розчину метанолу, циклічної закачки газорідинної суміші спирту та поверхнево-активної речовини з його протискуванням у пласт вуглеводневим газом в об'ємі, рівному перовому об'єму кожної зони де­пресійної воронки, який відрізняється тим, що як розчин метанолу використовують склад, що містить компоненти при...

Номер патенту: 12534

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Петриняк Володимир Андрійович, Рудий Мирослав Іванович, Касянчук Василь Гервасійович

МПК: E21B 43/27

Мітки: продуктивних, спосіб, обробки, кислотної, шарів

Формула / Реферат:

1. Спосіб кислотної обробки продуктивнихшарів, що включає послідовне нагнітання вугле­водневого розчину поверхнево-активної речовини та солянокислотного розчину з добавкою поверх­нево-активної речовини, який відрізняється тим, що в якості вуглеводневого розчину поверхнево-активної речовини використовують інгібітори па-рафіновідкладень марки СНПХ або інгібітори ко­розії типу "НАФТОХІМ", а в якості солянокислотного розчину...

Номер патенту: 7562

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Шаповалов Віталій Павлович, Марченко Ростислав Іванович, Романюк Борис Миколайович, Думбров Володимир Іванович, Литовченко Володимир Григорович, Жолудєв Геннадій Кузьмич

МПК: H01J 37/30, H01L 21/265

Мітки: автоепітаксіальних, одержання, шарів, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения автоэпитаксиальных сло­ев кремния, включающий формирование на рабо­чей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки подложки, уда­ление маски, эпитаксиальное наращивание, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерируювдих областей в рабочие участки ав-тоэпитаксиальных слоев, имплантацию...

Номер патенту: 7124

Опубліковано: 30.06.1995

Автори: Бєлоненко Владімір Ніколаєвич, Плугін Алєксандр Ілларіоновіч, Лєонтьєв Ігор Анатольєвіч

МПК: E21B 43/24

Мітки: шарів, нафтового, спосіб, розробки, газоконденсатного

Формула / Реферат:

Способ разработки газоконденсатного и неф­тяного пластов, включающий воздействие упруги­ми колебаниями с одновременным тепловым воздействием, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности воздействия за счет повышения подвижности пластового флюида, предварительно выявляют зоны повышенного дав­ления в разрабатываемой залежи, а воздействие осуществляют на выявленные зоны, причем упру­гие колебания возбуждают инфразвукового диапа­зона...

Номер патенту: 1774

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Бабій Ігор Євгенович, Сьома Богдан Дмитрович, Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович, Александров Євген Веніамінович

МПК: H01L 21/306

Мітки: спосіб, поверхневих, напівпровідникових, обробки, пластин, шарів

Формула / Реферат:

Способ обработки поверхностных слоев полупроводниковых пластин, включающий установку рабочих полупроводниковых пластин на одинаковом расстоянии одна от другой в кассету, установку перед первой и после последней рабочими пластинами балластных пластин на том же расстоянии и последующую обработку, отличающийся тем. что в качестве балластных используют пластины, на поверхность которых нанесен обрабатываемый слой в едином цикле с рабочими...