Патенти з міткою «шарів»

Номер патенту: 88044

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Шугуров Олег Олегович, Кулік Алла Федорівна

МПК: G01N 33/24, G01N 27/00

Мітки: спосіб, грунтових, параметрів, аналізу, здійснення, пристрій, шарів, електрофізичних

Формула / Реферат:

1. Спосіб аналізу електрофізичних параметрів грунтових шарів, який полягає в тому, що вимірювальні електроди розміщують у матеріалі грунту, екранованому корпусом від змін вологості, впливу температури, електростатичного і магнітного зовнішніх полів, після чого реєструють електрофізичні параметри грунту в кожному з горизонтальних шарів грунту, який відрізняється тим, що в грунт вводять два рівнобіжних ряди з n електродів у кожному ряді,...

Номер патенту: 43134

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Круковський Семен Іванович, Михащук Юрій Сергійович, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 27/14

Мітки: спосіб, епітаксійних, шарів, виготовлення, газотранспортних, методом, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів GaAs методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - галію, а  як джерела арсену - трихлорид арсену з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (780-850 °С) до арсену, та утворення тут хлориду галію, які, транспортуючись у низькотемпературну зону (730-750 °С), кристалізуються на підкладці у вигляді GaAs, який відрізняється тим, що галієве джерело...

Номер патенту: 41422

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Павленко Максим Юрійович, Заплавський Анатолій Вікторович, Центіло Віталій Григорович, Крайнікова Емма Валеріївна

МПК: A61B 17/00

Мітки: топографічної, фасцій, порожнини, вивчання, ши, шарів, анатомії, препарату, рота, клітковинних, спосіб, трикутника, анатомічного, ділянці, язика, формування, переднього, дна, органів

Формула / Реферат:

Спосіб формування анатомічного препарату для вивчання топографічної анатомії клітковинних шарів і фасцій навколо язика, у ділянці дна порожнини рота, переднього трикутника та органів шиї, що включає виконання серединного розрізу шкіри шиї від підборіддя донизу і висічення грудини, який відрізняється тим, що відшаровують окістя з внутрішнього боку нижньої щелепи, кивальний, двочеревцевий та крилоподібний м'язи у місцях прикріплення, виконують...

Номер патенту: 41395

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Цибуленко Вадим Володимирович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/208

Мітки: спосіб, твердих, отримання, шарів, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів твердих розчинів, що полягає у створенні двох різних насичених рідинних фаз в ізотермічних умовах та їх змішуванні для росту шарів з перенасиченого розчину-розплаву, який відрізняється тим, що створюють єдиний розчин-розплав з двох різних рідинних фаз, що контактують одна з одною, а змішування здійснюють поступово протягом всього процесу вирощування за допомогою постійного електричного струму.

Номер патенту: 41317

Опубліковано: 12.05.2009

Автор: Новіков Анатолій Олександрович

МПК: C01B 33/02

Мітки: кремнію, шарів, виготовлення, нього, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнію і шарів з нього, що включає генерування газової плазми в реакторі за допомогою електродів, інжектування в нього сировини, яка містить кремнезем і відновлювач, який відрізняється тим, що генерування плазми здійснюють запалюванням між електродами високовольтного тліючого розряду, сировину, що містить кремнезем, або виріб з неї поміщають у катодну зону високовольтного тліючого розряду і опромінюють потоком іонів та...

Номер патенту: 40277

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Круковський Семен Іванович, Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/02

Мітки: омічних, n-gan, шарів, контактів, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до n-GaN, що включає послідовне напилення шарів Ті, Аl на нагріту до 150-200 °С плівку n-GaN та їх термовідпал при температурі 890-910 °С протягом 30-90 секунд і наступне напилення шарів ТіВх, Аu, який відрізняється тим, що на поверхню шару Аl перед напиленням шару ТіВх наносять шар Yb товщиною від 7 нм до 13 нм.

Номер патенту: 38628

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Баганов Євген Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Саріков Андрій Вікторович

МПК: C30B 29/00, H01L 21/02, C30B 19/00 ...

Мітки: спосіб, вирощування, шарів, багатокомпонентних, гетероепітаксійного, напівпровідникових, сполук

Формула / Реферат:

Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук, що включає первісну хімічну підготовку підкладки, нанесення на планарну поверхню захисного маскуючого шару Si3N4 або SiO2, формування за допомогою фотолітографії і хімічного або плазмохімічного травлення вікон у захисному маскуючому шарі, який відрізняється тим, що після формування вікон у захисному шарі проводять формування поруватого шару у вікнах за...

Номер патенту: 38627

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Стогній Дмитро Васильович, Буряченко Володимир Іванович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/00, H01L 21/02 ...

Мітки: сполук, спосіб, напівпровідникових, гетероепітаксійних, шарів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук, що включає формування мезаструктур на підкладці фотолітографією, травленням та гетероепітаксійне вирощування, який відрізняється тим, що мезаструктурам надають призматичної або пірамідальної форми, а гетероепітаксійне вирощування шару з відмінним значенням постійної ґратки виконують в один етап.

Номер патенту: 35900

Опубліковано: 10.10.2008

Автор: Чепелюк Олена Валеріївна

МПК: D06M 17/00

Мітки: спосіб, збільшення, зчеплення, композитного, шарів, матеріалу, міцності

Формула / Реферат:

Спосіб збільшення міцності зчеплення шарів композитного матеріалу, що включає армування композитного матеріалу декількома шарами тканини і просочення, який відрізняється тим, що як армуючі шари використовують тканини з рельєфними смугами, утвореними змінною внутрішньою шаруватістю.

Номер патенту: 84070

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Шанойло Семен Михайлович, Числов Денис Сергійович, Гранат Олег Іванович, Крючин Андрій Андрійович, Зенін Володимир Миколайович, Петров В'ячеслав Васильович, Кравець Василь Григорович

МПК: B32B 3/00, G02B 5/12

Мітки: світлогенеруючих, спосіб, шарів, люмінесцентних, використанням, виготовлення, елементів, світлоповертальних, призмових

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення люмінесцентних світлоповертальних елементів, що включає процес нанесення на поверхню полімерного матеріалу мікропризмової структури зі строго визначеними кутами при вершинах і взаємною орієнтацією граней, а також покриття такої структури люмінесцентною плівкою, який відрізняється тим, що як матеріал люмінесцентної плівки використовують світлогенеруючий неорганічний матеріал, розчинений в органічному лаці, який має...

Номер патенту: 35204

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Слєпченко Роман Юрійович, Паламарчук Микола Федорович, Мороз Валентина Миколаївна, Рибальченко Віктор Васильович

МПК: D21F 11/00

Мітки: гофрованого, плоских, картону, шарів, картон

Формула / Реферат:

Картон для плоских шарів гофрованого картону, що являє собою волокнистий матеріал, що містить макулатуру і хіміко-термомеханічну масу, який відрізняється тим, що як хіміко-термомеханічну масу волокнистий матеріал містить хіміко-термомеханічну масу зі ступенем млива 20-30°ШР, що отримана шляхом одностадійної хімічної обробки деревних трісок розчином їдкого натру з одночасною термогідролітичною обробкою в дефібраторі, а макулатуру містить зі...

Номер патенту: 83371

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Космінська Юлія Олександрівна, Корнющенко Ганна Сергіївна, Перекрестов В'ячеслав Іванович

МПК: C23C 14/34, C23C 14/35, C23C 14/22 ...

Мітки: надпоруватих, спосіб, одержання, електропровідних, шарів, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання надпоруватих шарів електропровідних матеріалів, який включає перехід речовини з конденсованого стану в стан пари і конденсацію на підкладку за умов наближення до фазової рівноваги системи пара-конденсат при відповідних підвищених температурах осадження, який відрізняється тим, що пари речовини іонізують і конденсацію проводять на підкладку, до якої підводять від'ємний потенціал, та на поверхню росту кристалу діють потоком...

Номер патенту: 32389

Опубліковано: 12.05.2008

Автори: Дурягіна Зоя Антонівна, Щербовських Наталя Валентинівна, Афанасьєва Марія Вікторівна, Алімов Валерій Іванович

МПК: B23K 26/00

Мітки: створення, пристрій, металевих, бар'єрних, лазерний, виробах, шарів

Формула / Реферат:

Лазерний пристрій для створення бар'єрних шарів на металевих виробах, що містить водоохолоджуваний корпус із трубопідводом до нього для газу, збудник, стаціонарні і знімні дзеркала, який відрізняється тим, що знімні дзеркала об'єднані в системи з можливістю регулювання кута нахилу осей кожної системи відносно одна одної.

Номер патенту: 81800

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Молчанов Олег Олександрович, Булат Анатолій Федорович, Біляков Віктор Миколайович

МПК: C02F 1/461, C01B 17/02, C01B 3/02 ...

Мітки: сірки, видобування, шарів, спосіб, водню, моря, глибинних

Формула / Реферат:

1. Спосіб видобування водню та сірки із глибинних шарів моря, що включає занурення із плаваючого засобу в насичений сірководнем шар моря добувного модуля, який складається з електролізера для розкладання сірководню на водень та сірку, куполоподібної ємності над електролізером і ємності під електролізером, з'єднаного технологічними комунікаціями із плаваючим засобом, подачу електроенергії й електроліз сірководню з виділенням водню та сірки,...

Номер патенту: 28402

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: спосіб, товстих, шарів, арсеніду, гомоепітаксійних, галію, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...

Номер патенту: 80624

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Кондратенко Максим Максимович

МПК: C30B 23/02

Мітки: pb1-xsnxte, епітаксійних, шарів, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання епітаксійних шарів , який включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколоту в кристалографічній площині (111) підкладку з фториду барію, який відрізняється тим, що для випаровування беруть матеріал хімічного складу де...

Номер патенту: 80183

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Хом'як Роман Ілліч, Осика Богдан Володимирович

МПК: E01C 23/00

Мітки: покриття, дорожнього, шарів, машина, видалення

Формула / Реферат:

Машина для видалення шарів дорожнього покриття, що містить раму, ходові колеса, двигун з приводом механізмів машини, горизонтальну холодну фрезу на привідному валу і вертикальну фрезу, змонтовану на рамі через кулісу з можливістю повороту куліси в горизонтальній площині навколо вертикального шарніра, яка відрізняється тим, що на рамі змонтована ще одна куліса з другою вертикальною фрезою з протилежно направленими зубами і з можливістю...

Номер патенту: 25412

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Іщук Наталія Володимирівна, Мутхі Собхі Яхья, Писаренко Володимир Миколайович, Кіндрачук Мирослав Васильович, Головко Леонід Федорович

МПК: C23C 8/02

Мітки: отримання, зносостійких, спосіб, шарів, дискретних, азотованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання зносостійких азотованих шарів, що включає лазерну обробку поверхні сталевих виробів з наступним азотуванням в середовищі аміаку при температурі 800-860 К із витримкою 15-20 годин, який відрізняється тим, що лазерну обробку виконують дискретно із площею обробки 15-25 % від загальної площі сталевого виробу з потужністю 103-104  Вт/см2.

Номер патенту: 23403

Опубліковано: 25.05.2007

Автор: Федін Леонід Митрофанович

МПК: E21B 47/00

Мітки: спосіб, гідропрослуховування, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб гідропрослуховування шарів, що включає вибух в збурювальній свердловині, вимірювання часу з моменту вибуху до зміни пластового тиску й розрахунок коефіцієнта п'єзопровідності, який відрізняється тим, що вимірювання проводять за допомогою сейсмоприймачів, установлених на денній поверхні, час від моменту вибуху до зміни пластового тиску в будь-яких точках шару, над якими встановлені сейсмоприймачі.

Номер патенту: 56493

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Разумов Олег Миколайович, Кравченко Вілен Йосипович, Мамілов Сергій Олександрович

МПК: G01B 11/06, G01N 21/25

Мітки: плівки, полімерної, окремих, визначення, багатошарової, спосіб, товщини, шарів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання товщини окремих шарів у багатошарових полімерних плівках, який включає опромінювання плівки монохроматичним світлом опромінювача на довжині хвилі, що відповідає відомій лінії поглинання, та на довжині хвилі, що розташована  за  межами  лінії  поглинання,  вимірювання інтенсивності випромінювання, що розсіялося або пройшло крізь плівку, у визначених спектральних діапазонах, розрахування товщини шару плівки, який має...

Номер патенту: 78394

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Хворов Михайло Михайлович, Морозов Юрій Петрович, Александров Олексій Олександрович, Олійніченко Валерій Георгійович

МПК: F03G 7/00

Мітки: шарів, підземних, води, геотермальної, проникних, установка, підйому

Формула / Реферат:

Установка для підйому геотермальної води з підземних проникних шарів, що складається зі свердловини, труби закачування робочої рідини в свердловину, бака для робочої рідини, насоса, резервуара, фільтра, візка для шламу, тельфера, трубопроводу, арматури, який відрізняється тим, що резервуар має вертикальний порожнистий циліндричний корпус зі сферичним верхнім днищем, конусним нижнім днищем, обладнаним розвантажувальним краном, у бічних...

Номер патенту: 19573

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович, Чернов Андрій Юрійович, Саріков Андрій Вікторович

МПК: H01C 17/00

Мітки: аморфний, аiii, отримання, полікристалічних, спосіб, підкладці, шарів, неорієнтуючій

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких полікристалічних шарів сполук АIII BV на неорієнтуючій аморфній підкладці, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III і V групи, нагрівання структури у градієнті температури до температури розплавлення розчину-розплаву, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що застосовується аморфна підкладка з...

Номер патенту: 76938

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Уілліамс Брус Ліо, Фіорентіно Мікєлє, Брістоу Тімоті Кріспін, Беккер Стенлей Джон, Ньютон Дейвід

МПК: F28D 13/00, B01J 8/00, B01J 8/24 ...

Мітки: підведення, шарі, матеріалу, псевдозрідженому, реакції, відбору, проведення, теплообміну, пристрій, каталізатора, псевдозріджених, шарів, тепла, спосіб

Формула / Реферат:

1. Пристрій теплообміну з псевдозрідженими шарами матеріалу, що містить корпус, у якому є: (1) засоби для утворення у певній зоні всередині корпуса псевдозрідженого шару зі зріджуваного матеріалу, і (2) розташовані в зоні утворення псевдозрідженого шару теплообмінні труби, призначені для відбору тепла з цієї зони і/або підведення тепла в цю зону, який відрізняється тим, що теплообмінні труби проходять уздовж осі зони утворення в корпусі...

Номер патенту: 17517

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Мірошніченко Геннадій Володимирович, Шихалеєв Олександр Єгорович, Калінченко Федір Володимирович

МПК: B01J 4/00

Мітки: пристрій, щільних, каталізаторних, шарів, формування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для формування щільних каталізаторних шарів у реакційному об'ємі трубчатих реакторів і печей, що складається із закріплених на основі та зв'язаних між собою технологічно бункера, дозувальної системи і троса із закріпленими на ньому гальмами з ярусним розташуванням на кожному з них променів, який відрізняється тим, що кінці променів виконані криволінійними.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що дозувальна...

Номер патенту: 17512

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Калінченко Федір Володимирович, Шихалеєв Олександр Єгорович, Мірошніченко Геннадій Володимирович

МПК: B01J 4/00

Мітки: щільних, формування, спосіб, каталізаторних, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб формування щільних каталізаторних шарів у реакційному об'ємі трубчатих реакторів і печей, що включає завантаження нижнього шару-матриці і подачу каталізаторних гранул у трубний об'єм за допомогою пристрою, який відрізняється тим, що завантаження нижнього шару-матриці здійснюють на висоту 11-25 характерних розмірів гранул каталізатора, а подачу каталізаторних гранул у трубний об'єм здійснюють пристроєм, що складається із закріплених на...

Номер патенту: 17511

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Шихалеєв Олександр Єгорович, Мірошніченко Геннадій Володимирович, Калінченко Федір Володимирович

МПК: B01J 4/00

Мітки: щільних, пристрій, формування, каталізаторних, шарів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для формування щільних каталізаторних шарів у реакційному об'ємі трубчатих реакторів і печей, що складається із закріплених на основі та зв'язаних між собою технологічно бункера, дозувальної системи і троса із закріпленими на ньому гальмами з ярусним розташуванням на кожному з них променів, який відрізняється тим, що промені в кожному ярусі направлені похило вниз до осі гальма.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється...

Номер патенту: 17004

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Мірошніченко Геннадій Володимирович, Шихалеєв Олександр Єгорович, Калінченко Федір Володимирович

МПК: B01J 4/00

Мітки: каталізаторних, щільних, формування, шарів, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для формування щільних каталізаторних шарів у реакційному об'ємі трубчатих реакторів і печей, що складається із закріплених на основі та зв'язаних між собою технологічно бункера, дозувальної системи і троса із закріпленими на ньому гальмами з ярусним розташуванням на кожному з них променів, який відрізняється тим, що яруси розташовані на відстані, меншій двох, але більшій одного характерних розмірів гранул каталізатора.2....

Номер патенту: 76331

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Ткачук Володимир Микитович, Барилович Леонід Павлович, Дмитриченко Микола Федорович

МПК: G01N 27/82, C25D 5/26, C23C 8/00 ...

Мітки: застосування, одержання, структури, дифузійному, лінійних, металів, поля, щільності, дефектів, дислокацій, зовнішнього, шарів, визначеної, боруванні, кристалічної, магнітного, поверхневих

Формула / Реферат:

Застосування зовнішнього магнітного поля напруженістю 5 кА/м - 2,5 МА/м як засобу одержання визначеної щільності лінійних дефектів (дислокацій) кристалічної структури поверхневих шарів металів при дифузійному боруванні.

Номер патенту: 14281

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208, C30B 29/40 ...

Мітки: спосіб, епітаксійних, рідкої, шарів, одержання, фазі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання епітаксійних шарів із рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт із робочою поверхнею підкладки, нагрітої до такої ж температури, охолодження підкладки за допомогою приведення поверхні підкладки, що протилежна робочій, у контакт із теплопоглиначем, проведення кристалізації та переривання контакту підкладки з розчином-розплавом, який відрізняється тим, що охолодження...

Номер патенту: 10404

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Саріков Андрій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович, Чернов Андрій Юрійович

МПК: H01C 17/00

Мітки: спосіб, шарів, ііі, отримання, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких шарів сполук АІІІВV, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III групи, нагріву структури у градієнті температури до температури початку епітаксії, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що насичення розчину-розплаву здійснюють із шару термічно напиленого елемента V групи в градієнті температури,...

Номер патенту: 9615

Опубліковано: 17.10.2005

Автори: Баганов Євген Олександрович, Андронова Олена Валеріївна, Курак Владислав Володимирович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: H01L 021/208, C30B 19/00, C30B 29/40 ...

Мітки: одержання, рідкої, спосіб, шарів, фазі, гетероепітаксійних, гомо

Формула / Реферат:

Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем при умові одержання суцільних епітаксійних шарів, приведення розчину-розплаву в контакт з робочою поверхнею підкладки, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більш ніж...

Номер патенту: 6514

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Фотій Василь Давидович

МПК: H01L 35/12

Мітки: підвищення, нікелю, твердих, антидифузійних, кристалах, розчинів, bi-te-se-sb, спосіб, міцності, шарів, адгезійної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення адгезійної міцності антидифузійних шарів нікелю на кристалах твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає температурний відпал кристала з хімічно нанесеними шарами нікелю, який відрізняється тим, що в процесі температурного відпалу кристали з хімічно нанесеними шарами нікелю піддаються одночасній дії зовнішніх постійного магнітного та імпульсного електричного полів за допомогою циліндричного гіротропного конденсатора при...

Номер патенту: 46670

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Родін Леонід Михайлович, Іванов Віктор Михайлович, Калінченко Федір Володимирович, Владіміров Валерій Валерійович

МПК: B01J 4/00, B01J 8/04

Мітки: здійснення, шарів, формування, спосіб, пристрій, щільних, каталізаторних

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування щільних каталізаторних шарів в реакційному об'ємі трубчастих реакторів і печей, який включає подачу каталізаторних гранул в трубний об'єм і завантаження нижнього шару-матриці, який відрізняється тим, що гранули каталізатора подають в трубу рівномірно по її перерізу з витратою, яку визначають із відношення площі перерізу труби, яку завантажують, до максимальної площі проекції гранули, часу і коефіцієнта, за яким обчислюють...

Номер патенту: 71260

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Осадчук Андрій Юрійович, Савуляк Валерій Іванович

МПК: B23K 9/04

Мітки: наплавлення, металевих, спосіб, вуглецю, вмістом, підвищеним, електродугового, шарів, виробів, поверхню

Формула / Реферат:

Спосіб електродугового наплавлення на поверхню металевих виробів шарів з підвищеним вмістом вуглецю, який включає попереднє нанесення на поверхню, що обробляється, вуглевмісного матеріалу і їх сумісне плавлення, який відрізняється тим, що як вуглевмісний матеріал використовують вуглецеві матеріали у вигляді волокон, тканини, стрічки чи повсті.

Номер патенту: 68523

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Дригулич Петро Григорович, Павлюк Мирослав Іванович, Гвоздевич Олег Васильович, Стефаник Юрій Васильович

МПК: E21F 17/16

Мітки: забруднення, шарів, спосіб, визначення, зон, приповерхневих, нафтопродуктами

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зон забруднення приповерхневих шарів нафтопродуктами, при якому проводять геохімічні опробування ґрунтів над потенційним джерелом забруднення для визначення вмісту газу, що мігрує, здійснюють геотермічну зйомку території, виявляють і оконтурюють ділянки з аномальними значеннями, який відрізняється тим, що при геохімічних опробуваннях визначають співвідношення вмісту метану до суми інших газів, в тому числі і метану, після...

Номер патенту: 67198

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Золкіна Людмила Вікторівна

МПК: H01L 21/20

Мітки: рідкофазною, шарів, вирощування, епітаксією, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією, у якому вирощування проводять з розчину, поміщеного в графітовий тигель, на монокристалічну пластину в циліндричній кварцовій ампулі шляхом лінійного охолодження зі швидкістю 0,5 К/хв, який відрізняється тим, що в розчин вводять ультразвукові хвилі з частотою від 0,3 до 5 МГц у напрямку, перпендикулярному поверхні пластини, а процес кристалізації здійснюють зі швидкістю від...

Номер патенту: 66046

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Ткаченко Ірина Володимирівна, Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: цинку, спосіб, селеніду, свіченням, отримання, зеленим, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням, що включає їх відпал у насиченій парі цинку, який відрізняється тим, що кристали попередньо відпалюють у парі телуру при температурі 650°С±10°С.

Номер патенту: 63548

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, сульфоселенідів, дірковою, отримання, провідністю, шарів, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів сульфоселенідів цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки та відпал кристалів, який відрізняється тим, що відпал кристалів проводять у насиченій парі індію при температурі 700-850°С.

Номер патенту: 62235

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Баганов Євген Олександрович, Марончук Ігор Євгенович, Андронова Олена Валеріївна

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00, H01L 21/208 ...

Мітки: одержання, гетероепітаксійних, фазі, спосіб, рідкої, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт з робочою поверхнею підкладки, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більше, ніж 0,25°С, переведення...

Номер патенту: 60909

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Бенько Володимир Михайлович, Губич Ігор Богданович, Омельченко Валерій Григорович, Локтєв Андрій Валентинович, Орлов Олександр Олександрович

МПК: G01V 3/00

Мітки: даними, визначення, коефіцієнтів, свердловин, шарів, глин, розрізах, нафтогазоносних, набухання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення нафтогазоносних шарів в розрізах свердловин за даними коефіцієнтів набухання глин, що включає відбір шламу при бурінні свердловин для побудови літологічного розрізу, який відрізняється тим, що в шламі досліджують коефіцієнти набухання глинистого матеріалу і по зменшенню їх величин визначають в розрізах свердловин шари і прошарки, які  перспективні щодо  нафти і газу.