Патенти з міткою «шарів»

Сторінка 2

Спосіб оцінювання електричної міцності діелектричних шарів

Завантаження...

Номер патенту: 81674

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Ольшевська Світлана Олександрівна, Підкова Василь Ярославович, Дурягіна Зоя Антонівна, Цигилик Наталя Валентинівна

МПК: G01R 31/12

Мітки: електричної, спосіб, міцності, оцінювання, шарів, діелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб оцінювання електричної міцності діелектричних шарів, що включає опромінення та порівняння властивостей еталонного та досліджуваного зразка, який відрізняється тим, що зразки опромінюють ізотопом 22Na і визначають параметри позитронів, порівнюють інтенсивності спектру та часу життя позитронів еталонного та досліджуваного зразка, за якими оцінюють електричну міцність шарів.

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією

Завантаження...

Номер патенту: 78537

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/324, H01L 31/0272, C30B 31/00 ...

Мітки: отримання, спосіб, цинку, люмінесценцією, блакитною, селеніду, шарів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією, що включає відпал кристалів селеніду цинку, який відрізняється тим, що монокристалічний селенід цинку у вигляді пластинок відпалюють у вакуумі не гірше 10-4 тор.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки бездомішкових кристалів селеніду цинку відпалюють при температурах 500-1050 °C.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки...

Інструмент для отримання наноструктурних поверхневих шарів деталей машин

Завантаження...

Номер патенту: 75804

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Гурей Володимир Ігорович, Кирилів Володимир Іванович, Гурей Ігор Володимирович

МПК: B24B 39/00

Мітки: деталей, шарів, наноструктурних, машин, отримання, поверхневих, інструмент

Формула / Реферат:

Інструмент для отримання наноструктурних поверхневих шарів деталей машин, що виконаний із титанового сплаву або нержавіючої сталі, у вигляді диска з робочою частиною на периферії та посадочним отвором у вигляді конуса Морзе, який відрізняється тим, що на робочій частині інструменту нарізані поперечні пази у кількості,де

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів inp методом газотранспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 73666

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Круковський Ростислав Семенович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 27/14

Мітки: реакцій, епітаксійних, виготовлення, спосіб, газотранспортних, методом, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів InP методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - індію, а як джерела елемента п'ятої групи - трихлорид фосфору з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (750-820 °С) до фосфору та утворення тут хлориду індію, які транспортують у низькотемпературну зону (690-710 °С), кристалізують на підкладці у вигляді InP, який відрізняється тим, що...

Спосіб вимірювання фазових томограм полікристалічних мереж оптико-анізотропних шарів біологічних тканин

Завантаження...

Номер патенту: 70756

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Шолота Владислав Васильович, Чередник Олександр Геннадійович, Заболотна Наталія Іванівна

МПК: G01N 33/00

Мітки: фазових, оптико-анізотропних, томограм, вимірювання, шарів, тканин, мереж, спосіб, полікристалічних, біологічних

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання фазових томограм полiкристалічних мереж оптико-анізотропних шарів біологічних шарів, в якому формують різнополяризовані лазерні пучки зондування зразка біологічної тканини, проектують лазерне зображення у площину цифрової камери крізь поляризаційний фільтр, вимірюють координатні розподіли різнополяризованих складових інтенсивності, який відрізняється тим, що зразок біологічної тканини зондують випромінюванням...

Матеріал для нанесення шарів з низьким показником заломлення для інтерференційних покриттів на оптичні елементи

Завантаження...

Номер патенту: 70287

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Тімухін Єгор Володимирович, Зінченко Віктор Федосійович, Мозкова Ольга Володимирівна, Горштейн Борис Аврамович

МПК: G02B 5/28

Мітки: заломлення, оптичні, інтерференційних, показником, нанесення, матеріал, покриттів, низьким, шарів, елементи

Формула / Реферат:

Матеріал для нанесення шарів з низьким показником заломлення для інтерференційних покриттів на оптичні елементи, що одержаний на основі фториду, який відрізняється тим, що як фторид використана складна комплексна сполука PbHfF6.

Спосіб вимірювання фазових мап оптико-анізотропних шарів біологічних об’єктів

Завантаження...

Номер патенту: 70125

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Ушенко Олександр Григорович, Заболотна Наталія Іванівна, Олійниченко Богдан Петрович

МПК: A61B 5/00, G01N 33/00

Мітки: шарів, спосіб, вимірювання, об'єктів, оптико-анізотропних, фазових, біологічних, мап

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання фазових мап оптико-анізотропних шарів біологічних об'єктів, що включає формування поляризованого лазерного пучка зондування біологічного об'єкта, проектування лазерного зображення у площину цифрової камери крізь поляризаційний фільтр, вимірювання координатних розподілів поляризованих складових інтенсивності, який відрізняється тим, що об'єкт зондують випромінюванням низькокогерентного напівпровідникового лазерного діода з...

Пристрій для нанесення шарів з газової фази

Завантаження...

Номер патенту: 69922

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Гавриш Валерій Іванович, Селезньов Юрій Володимирович, Завірюха Микола Володимирович, Бондаренко Олександр Володимирович

МПК: B05C 5/00

Мітки: фазі, газової, нанесення, шарів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для нанесення шарів з газової фази, що включає реактор з розташованим всередині нього підкладкотримачем, нагрівачем та виконаний у вигляді ежектора пристрій введення в реактор вихідної газової суміші, що з'єднаний із засобом виведення суміші газів з реактора, який відрізняється тим, що ежектор виконаний вихровим, а кут звуження приймальної камери на виході приймає значення з інтервалу 10-120°.

Спосіб формування каталітично активних шарів на титані та його сплавах

Завантаження...

Номер патенту: 69127

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Баніна Марина Володимирівна, Ведь Марина Віталіївна, Ярошок Тамара Петрівна, Богоявленська Олена Володимирівна, Сахненко Микола Дмитрович

МПК: C25D 11/00

Мітки: шарів, каталітичної, активних, формування, титані, сплавах, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування каталітично активних шарів на титані та його сплавах мікродуговим оксидуванням, який відрізняється тим, що процес проводять на підкладках з титану та сплавів на його основі, в тому числі поруватих, в гальваностатичному режимі при напрузі 100...150 В, густині струму 0,5...4,0 А/дм2, температурі 20... 25 °C, впродовж 30...60 хвилин з електроліту, що містить дифосфат, цитрат лужного металу та катіон і/або оксоаніон...

Спосіб визначення міри дефектності приповерхневих шарів монокристалів германію або кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 97999

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Надточій Віктор Олексійович, Уколов Олексій Іванович

МПК: G01N 27/87

Мітки: шарів, монокристалів, германію, кремнію, спосіб, дефектності, визначення, міри, приповерхневих

Формула / Реферат:

Спосіб визначення міри дефектності приповерхневих шарів монокристалів германію або кремнію полягає у встановленні точкового контакту із зразком монокристалу, через який в пропускному напрямі подають два рознесені у часі прямокутні імпульси струму, інжектований і вимірювальний, який відрізняється тим, що проводять часову затримку вимірювального імпульсу до 1t, де t - час життя нерівноважних носіїв заряду, мкс.

Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 68203

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: спосіб, кремнієвих, шарів, монокристалічних, формування, епітаксійних, підкладках, арсенід-галієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...

Спосіб поляризаційного картографування полікристалічних мереж оптико-анізотропних шарів біологічних об’єктів

Завантаження...

Номер патенту: 67821

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Олійниченко Богдан Петрович, Заболотна Наталія Іванівна, Ушенко Олександр Григорович

МПК: G01N 33/00, G01N 21/39

Мітки: картографування, поляризаційного, об'єктів, шарів, біологічних, мереж, полікристалічних, спосіб, оптико-анізотропних

Формула / Реферат:

Спосіб поляризаційного картографування полікристалічних мереж оптико-анізотропних шарів біологічних об'єктів, що включає зондування поляризованим лазерним пучком зрізу біологічної тканини, проектування лазерного зображення у площину цифрової камери крізь поляризаційний фільтр, що обертається, вимірювання координатних розподілів різнополяризованих складових інтенсивності, який відрізняється тим, що об'єкт зондують випромінюванням...

Реактор для гетерогенного синтезу хімічних сполук з системою стінок для шарів каталізатора

Завантаження...

Номер патенту: 97635

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Тароццо Мірко, Ріцці Енріко, Філіппі Ерманно

МПК: C01C 1/04, B01J 8/02, B01J 8/00 ...

Мітки: сполук, синтезу, шарів, системою, гетерогенного, хімічних, реактор, каталізатора, стінок

Формула / Реферат:

1. Реактор (1) для гетерогенного синтезу хімічних сполук, що містить оболонку (2), закриту з протилежних кінців відповідними днищами (3, 4), отвір (5) для впускання синтез-газу, отвір (6) для випускання продуктів реакції, щонайменше один шар (7) каталізатора, що має бік впускання газу або днище з впусканням газу і бік випускання газу або днище з випусканням газу, причому зазначений щонайменше один шар каталізатора є розмежованим на...

Спосіб визначення товщини нанометрових шарів засобами атомно-силової мікроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 67348

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Литвин Оксана Степанівна, Прокопенко Ігор Васильович, Литвин Петро Мар'янович

МПК: G01B 5/06, G01Q 80/00

Мітки: спосіб, нанометрових, засобами, шарів, атомно-силової, визначення, товщини, мікроскопі

Формула / Реферат:

Спосіб визначення товщини нанометрових шарів, нанесених на підкладку, який включає утворення в шарі заглиблення, яке досягає границі розділу "шар-підкладка", який відрізняється тим, що в шарі утворюють серію заглиблень дряпанням зондом атомно-силового мікроскопа із зростаючою силою навантаження на зонд, одночасно вимірюють глибину подряпин і фіксують те значення глибини, яке залишається незмінним для останніх двох або більше...

Спосіб одержання епітаксійних шарів

Завантаження...

Номер патенту: 96837

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Писаревський Володимир Костянтинович, Морозов Леонід Михайлович, Кавич Володимир Йосипович

МПК: C23C 14/24, C23C 16/00, B23K 26/06 ...

Мітки: одержання, епітаксійних, шарів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання епітаксійних шарів, в якому підігрівають підкладку та мішень, випаровують матеріал мішені, транспортують пару та конденсують на підкладку у вакуумній камері, який відрізняється тим, що попередньо підготовлені підкладку та мішень розміщують на відстані 50±5 мм у вакуумній камері з тиском 10-5-10-7 Па, після чого підкладку підігрівають до температури 180-250 °С зовнішнім нагрівачем, а мішень нагрівають імпульсним лазерним...

Стінова конструкція для шарів каталізатора у реакторах синтезу (варіанти) та спосіб її виготовлення (варіанти), реактор

Завантаження...

Номер патенту: 96645

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Філіппі Ерманно, Тароццо Мірко, Ріцці Енріко

МПК: B01J 8/02

Мітки: каталізатора, варіанти, синтезу, реакторах, конструкція, стінова, виготовлення, реактор, спосіб, шарів

Формула / Реферат:

1. Стінова конструкція (8, 9, 50) для шарів каталізатора у хімічних реакторах (1), яка відрізняється тим, що вона містить щонайменше одну огороджувальну стінку (14) для шару (7) каталізатора, дотичну з ним, і має безліч газопроникних ділянок (17) і безліч ділянок (19, 54, 55), непроникних для газу, при цьому кожна з газопроникних ділянок (17) має безліч прорізів (18, 52, 53, 60, 70), розмір яких забезпечує вільне проходження синтез-газів, але...

Спосіб осадження поганопровідних шарів (варіанти)

Завантаження...

Номер патенту: 95809

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Рамм Юрген, Вольраб Крістіан, Відріг Бено

МПК: C23C 14/08, C23C 14/32

Мітки: шарів, осадження, поганопровідних, варіанти, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання поганопровідних, зокрема електроізолюючих, шарів щонайменше на одній деталі за допомогою вакуумного нанесення покриттів, при якому між щонайменше одним анодом і катодом дугового джерела в атмосфері, що містить реактивний газ, створюють електричний дуговий розряд та здійснюють випаровування мішені, який відрізняється тим, що на поверхні електрично з'єднаної з катодом мішені створюють лише невелике, в основному,...

Матеріал для нанесення шарів з низьким показником заломлення для інтерференційних покриттів

Завантаження...

Номер патенту: 95555

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Зінченко Віктор Федосійович, Горштейн Борис Аврамович, Мозкова Ольга Володимирівна, Тімухін Єгор Володимирович

МПК: G02B 5/28

Мітки: низьким, інтерференційних, заломлення, матеріал, нанесення, покриттів, шарів, показником

Формула / Реферат:

Матеріал для нанесення шарів інтерференційного покриття на оптичні елементина основі фториду, який відрізняється тим, що як фторид використана складна комплексна сполука BaMgF4.

Плівкоутворююча композиція для формування шарів каталізаторів гетерогенних фотохімічних процесів очищення повітря від шкідливих органічних сполук

Завантаження...

Номер патенту: 61168

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Тельбіз Герман Михайлович, Манорик Петро Андрійович, Кишеня Ярослав Вікторович, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, КУЧМІЙ СТЕПАН ЯРОСЛАВОВИЧ, Швалагін Віталій Васильович

МПК: C01B 39/00, B01J 27/00, C01B 3/00 ...

Мітки: шарів, шкідливих, органічних, каталізаторів, композиція, формування, повітря, очищення, гетерогенних, плівкоутворююча, фотохімічних, процесів, сполук

Формула / Реферат:

Плівкоутворююча композиція для формування на підкладках шарів каталізаторів гетерогенних фотохімічних процесів очищення повітря від шкідливих органічних сполук, яка містить алкоксид титану як прекурсор діоксиду титану, воду й спирт як складові водно-органічного розчинника, органічний полімер як темплат, азотну кислоту як регулятор рН та прекурсор наночастинок срібла в твердому шарі каталізатора фотохімічних процесів, яка відрізняється тим,...

Спосіб вимірювання мюллер-матричних зображень оптико-анізотропних шарів біологічних об’єктів

Завантаження...

Номер патенту: 61160

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Ушенко Олександр Григорович, Заболотна Наталія Іванівна

МПК: G01N 33/48, A61B 5/00

Мітки: зображень, вимірювання, мюллер-матричних, біологічних, шарів, спосіб, оптико-анізотропних, об'єктів

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання Мюллер-матричних зображень оптико-анізотропних шарів, що включає формування різнополяризованих лазерних пучків зондування гістологічного зрізу біологічної тканини, проектування лазерного зображення у площину цифрової камери крізь блок поляризаційного аналізу, вимірювання координатних розподілів різнополяризованих складових інтенсивності, який відрізняється тим, що об'єкт зондують випромінюванням низькокогерентного...

Спосіб та пристрій для запінювання баластних шарів

Завантаження...

Номер патенту: 94815

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Павлік Вольфганг, Петерзон Андреас, Вірт Юрген

МПК: E01B 27/18, E01B 1/00

Мітки: запінювання, баластних, шарів, пристрій, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб часткового або повного запінювання порожнин в баластній структурі баластного шару, під яким знаходиться земляне полотно (7), реактивним полімером, при якомуa) реактивні компоненти дозовано подають в щонайменше одну мішалку високого тиску (1, 26) і там перемішують, іb) рідку реактивну суміш (4), яка виходить з мішалки високого тиску, наносять, у вільній течії, на поверхню баластної структури (6), який відрізняється тим,...

Спосіб формування базових шарів cdte для гнучких сонячних елементів та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 94649

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Кравець Андрій Валерійович, Харченко Микола Михайлович, Товажнянська Олена Леонідівна, Станкевич Анатолій Іванович, Хрипунов Геннадій Семенович, Росс Джон Бітті

МПК: H01L 31/18

Мітки: елементів, шарів, сонячних, пристрій, формування, базових, спосіб, реалізації, гнучких

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування базових шарів CdTe для плівкових сонячних елементів, що включає створення підкладки з оптично-прозорого матеріалу з нанесеними на неї шарами прозорого провідного оксиду (ТСО) і CdS, розміщення підкладки та джерела CdTe в частково закритому об'ємі на віддаленні один від одного, вакуумування цього об'єму до тиску не менше ніж до 10-3 Па, нагрівання підкладки до першої температури - температури підкладки, нагрівання частини...

Спосіб нанесення суцільних шарів методом трафаретного друку

Завантаження...

Номер патенту: 94561

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Осипьонок Микола Михайлович, Пекар Григорій Соломонович, Сингаївський Олександр Федорович

МПК: B41F 15/00, H01L 27/142, H01L 21/20 ...

Мітки: трафаретного, спосіб, друку, суцільних, нанесення, методом, шарів

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення суцільних шарів для створення сонячних елементів на основі напівпровідникових сполук шляхом трафаретного друку з пасти, яка містить напівпровідниковий матеріал та зв'язувальну речовину (біндер), який відрізняється тим, що пасту наносять безпосередньо на поверхню підкладки, трафарет виконують у вигляді односпрямованих дротів або волокнин, або стрічок у кількості не менше двох, які кріплять або притискають до підкладки...

Спосіб оперативного виявлення землетрусу, що насувається, за вимірюваними значеннями температури верхніх шарів атмосфери

Завантаження...

Номер патенту: 93619

Опубліковано: 25.02.2011

Автор: Ганношин Віктор Петрович

МПК: G01V 1/00

Мітки: шарів, оперативного, верхніх, спосіб, насувається, землетрусу, температури, вимірюваними, виявлення, атмосфери, значеннями

Формула / Реферат:

Спосіб оперативного виявлення землетрусу, що насувається, за вимірюваними значеннями температури верхніх шарів атмосфери, який включає вимірювання значень електронної концентрації шару F іоносфери за допомогою іонозонда, виміряні значення електронної концентрації порівнюють з фоновими значеннями, при виявленні області з підвищеним значенням електронної концентрації ухвалюють рішення про можливість майбутнього землетрусу, який відрізняється...

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю

Завантаження...

Номер патенту: 56872

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Скрипник Микола Володимирович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, C30B 31/00, C30B 25/00 ...

Мітки: провідністю, електронною, телуриду, цинку, спосіб, отримання, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnTe та їх легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок у насиченій парі олова при температурі 950±50 °С.

Спосіб визначення показників заломлення і товщин шарів прозорої плоскопаралельної структури з довільним числом шарів

Завантаження...

Номер патенту: 54392

Опубліковано: 10.11.2010

Автор: Кушнір Олег Павлович

МПК: G01N 21/00

Мітки: показників, довільним, товщин, шарів, визначення, заломлення, спосіб, структури, плоскопаралельної, прозорої, числом

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення показників заломлення і товщин шарів прозорої плоскопаралельної структури, що включає вимірювання спектральної залежності коефіцієнта відбивання світла  в слабодисперсійній ділянці спектра при нормальному падінні світла на поверхню структури та визначення показників заломлення і товщин шарів досліджуваної структури, який відрізняється тим, що на основі...

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю

Завантаження...

Номер патенту: 54018

Опубліковано: 25.10.2010

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, дірковою, шарів, отримання, селеніду, провідністю, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок ZnSe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності подрібненої шихти GaP або GaAs при температурі 850±50 °С.

Спосіб одержання фоточутливих епітаксійних шарів твердих розчинів телуридів свинцю і олова, легованих індієм

Завантаження...

Номер патенту: 92377

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Маниліч Михайло Іванович, Кондратенко Максим Максимович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: C30B 23/02, H01L 21/203

Мітки: епітаксійних, шарів, телуридів, фоточутлівих, твердих, легованих, олова, свинцю, одержання, індієм, розчинів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фоточутливих епітаксійних шарів твердих розчинів телуридів свинцю і олова, легованих індієм, який включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколотій в кристалографічній площині (111) підкладці з фториду барію, який відрізняється тим, що для випаровування беруть матеріал хімічного складу (Рb1-xSnх)1-уІnуТе1+d, де 0,34 £ х £ 0,35, 0,015 £...

Паста для товстоплівкових діелектричних ізоляційних шарів багаторівневих комутаційних плат

Завантаження...

Номер патенту: 53734

Опубліковано: 11.10.2010

Автор: Осєчкін Сергій Іванович

МПК: C04B 35/468, H05K 1/16

Мітки: плат, товстоплівкових, паста, ізоляційних, шарів, комутаційних, багаторівневих, діелектричних

Формула / Реферат:

Паста для товстоплівкових діелектричних ізоляційних шарів багаторівневих комутаційних плат, що містить дрібнодисперсний порошок склокристалічного титано-барієвого матеріалу із вмістом двоокису титану, окису барію, двоокису кремнію, окису цинку, окису бору, окису алюмінію, двоокису цирконію, окису кадмію, окису свинцю, окису вісмуту, дрібнодисперсний порошок окису металу як наповнювач і органічну зв'язку із вмістом терпінеолу і етилцелюлози,...

Паста для товстоплівкових струмопровідних шарів внутрішніх рівнів багаторівневих комутаційних плат

Завантаження...

Номер патенту: 52943

Опубліковано: 10.09.2010

Автор: Осєчкін Сергій Іванович

МПК: H01B 1/02

Мітки: товстоплівкових, комутаційних, рівнів, струмопровідних, багаторівневих, паста, плат, внутрішніх, шарів

Формула / Реферат:

Паста для товстоплівкових струмопровідних шарів внутрішніх рівнів багаторівневих комутаційних плат, яка містить суміш дрібнодисперсного порошку срібла, дрібнодисперсного порошку паладію, дрібнодисперсного порошку аморфного вісмутборосилікатного скла і органічну зв'язку, яка відрізняється тим, що вона додатково містить дрібнодисперсний порошок свинцевосилікатного склокристалічного матеріалу при наступному співвідношенні всіх компонентів,...

Паста для товстоплівкових струмопровідних шарів зовнішніх рівнів багаторівневих комутаційних плат

Завантаження...

Номер патенту: 52628

Опубліковано: 25.08.2010

Автор: Осєчкін Сергій Іванович

МПК: H01B 1/02

Мітки: багаторівневих, рівнів, паста, зовнішніх, шарів, товстоплівкових, плат, струмопровідних, комутаційних

Формула / Реферат:

Паста для товстоплівкових струмопровідних шарів зовнішніх рівнів багаторівневих комутаційних плат, що містить суміш дрібнодисперсного порошку срібла, дрібнодисперсного порошку платини, дрібнодисперсного порошку безсвинцевого скла із вмістом окису бору і окису цинку, органічну зв'язку із вмістом терпінеолу, етилцелюлози і води, яка відрізняється тим, що вона додатково містить дрібнодисперсний порошок вісмутборосилікатного скла при наступному...

Паста для формування контактів в перехідних комутаційних отворах ізоляційних шарів багаторівневих комутаційних плат

Завантаження...

Номер патенту: 52626

Опубліковано: 25.08.2010

Автор: Осєчкін Сергій Іванович

МПК: H01B 1/02

Мітки: отворах, паста, комутаційних, плат, контактів, багаторівневих, формування, шарів, ізоляційних, перехідних

Формула / Реферат:

Паста для формування контактів в перехідних комутаційних отворах ізоляційних шарів багаторівневих комутаційних плат, яка містить суміш дрібнодисперсного порошку срібла, дрібнодисперсного порошку паладію, дрібнодисперсного порошку окису алюмінію, органічної зв'язки із вмістом етилцелюлози і терпінеолу, яка відрізняється тим, що вона додатково містить дрібнодисперсний порошок цинкборосилікатного склокристалічного матеріалу при наступному...

Спосіб визначення пористості поверхневих шарів твердих тіл

Завантаження...

Номер патенту: 51613

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Компанієць Ігор Валерійович, Тихоненко Віра Вікторівна, Шкілько Анатолій Максимович

МПК: G01N 15/08

Мітки: поверхневих, шарів, твердих, пористості, визначення, тіл, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення пористості твердих тіл, що полягає у збудженні зразка, проведенні фотостимуляції і термостимуляції та реєстрації густини струму екзозлектронної емісії як вторинного випромінювання, який відрізняється тим, що поверхню еталона і зразка бомбардують пучком електронів низьких або середніх енергій (50 еВ-5 кеВ), проводять фото-, термо- або фототермостимулювання, як вторинне випромінювання реєструють інтенсивність екзоемісії...

Спосіб виготовлення чистих епітаксійних шарів inas

Завантаження...

Номер патенту: 50362

Опубліковано: 10.06.2010

Автори: Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ваків Микола Михайлович, Круковський Ростислав Семенович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 27/14

Мітки: спосіб, виготовлення, шарів, епітаксійних, чистих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення чистих епітаксійних шарів InAs методом рідиннофазної епітаксії, що включає використання індію як розчинника, введення в нього ітербію або гадолінію в кількості 0,002-0,003 мол. % та кристалізацію шару InAs в інтервалі температур 650-600 °С на підкладці InAs, який відрізняється тим, що в розчин-розплав індію додається алюміній в кількості 0,001-0,003 мол. %.

Спосіб оперативного виявлення землетрусу, що насувається, по вимірюваних значеннях температури верхніх шарів атмосфери

Завантаження...

Номер патенту: 47883

Опубліковано: 25.02.2010

Автор: Ганношин Віктор Петрович

МПК: G01V 1/00

Мітки: атмосфери, оперативного, спосіб, верхніх, шарів, землетрусу, насувається, виявлення, значеннях, температури, вимірюваних

Формула / Реферат:

Спосіб оперативного виявлення землетрусу, що насувається, по вимірюваних значеннях температури верхніх шарів атмосфери, який включає вимірювання значень електронної концентрації шару F іоносфери, виміряні значення електронної концентрації порівнюються з фоновими значеннями, при виявленні області з підвищеним значенням електронної концентрації ухвалюють рішення про майбутній землетрус, який відрізняється тим, що вимірюють значення електронної...

Вузол тертя для дослідження мастильних шарів при випробуваннях

Завантаження...

Номер патенту: 46150

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Оробченко Андрій Павлович, Швед Олексій Сергійович, Стадник Володимир Антонович

МПК: G01N 3/56

Мітки: дослідження, мастильних, тертя, випробуваннях, шарів, вузол

Формула / Реферат:

Вузол тертя для дослідження товщини мастильних шарів при випробовуваннях, що містить зразок, виконаний у вигляді ролика з зовнішньою базовою поверхнею змінюваного відносно осі обертання ролика радіуса, розділеного на ділянки пазами, і контрзразок з циліндричною робочою поверхнею, який відрізняється тим, що на зразку додатково виконаний циліндричний поясок з радіусом, не меншим від найбільшого радіуса базової поверхні, а контрзразок виконаний...

Вихрострумовий спосіб визначення параметрів поверхневих шарів металевих виробів

Завантаження...

Номер патенту: 45563

Опубліковано: 10.11.2009

Автор: Учанін Валентин Миколайович

МПК: G01N 27/00

Мітки: металевих, шарів, визначення, поверхневих, вихрострумовий, виробів, спосіб, параметрів

Формула / Реферат:

1. Вихрострумовий спосіб визначення параметрів поверхневих шарів металевих виробів, при якому вихрострумовий перетворювач включають у резонансний контур керованого автогенератора, встановлюють вихрострумовий перетворювач на поверхню зразкового виробу, встановлюють шляхом регулювання керуючої напруги автогенератора режим генерації і визначають відповідне цьому режиму значення керуючої напруги, встановлюють вихрострумовий перетворювач на...

Спосіб отримання рельєфних зносостійких азотованих шарів стальних деталей

Завантаження...

Номер патенту: 44643

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Шульга Іван Федорович, Ляшенко Борис Артемович, Марчук Володимир Єфремович, Калініченко Віталій Іванович, Рутковський Анатолій Віталійович, Цибаньов Георгій Васильович

МПК: F01L 1/20, C23C 8/02

Мітки: деталей, стальних, отримання, рельєфних, зносостійких, спосіб, шарів, азотованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання рельєфних зносостійких азотованих шарів стальних деталей, що включає механічне утворення на поверхні тертя рельєфу заглибин, що утримують мастильні матеріали та вилучені абразивні частки, який відрізняється тим, що після механічного утворення рельєфу заглибин на поверхні тертя поверхню тертя і заглибини додатково піддають іонному азотуванню.

Адгезивна рецептура та спосіб обробки зміцнюючих шарів

Завантаження...

Номер патенту: 88112

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Зенн Мануель, Курц Ґюнтер

МПК: D06M 15/00, D06M 15/693, C08J 5/04 ...

Мітки: шарів, обробки, рецептура, адгезивна, зміцнюючих, спосіб

Формула / Реферат:

1. Адгезивна рецептура у формі водної дисперсії з вмістом твердої речовини від 1 до 50 % для обробки зміцнюючих шарів при виготовленні зміцненого полімерного продукту, яка містить:a) від 0,001 до 5 моль епоксиду з молекулярною масою 50-290 у розчиненій формі на 1000 г повної рецептури,b) від 0,1 до 20 % повністю або частково блокованого ізоціанату як твердої речовини іc) від 0,1 до 40 % резорцин-формальдегідного латексу...