C30B 13/00 — Вирощування монокристалів зонної плавкою; очищення зонної плавкою

Номер патенту: 32619

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Грицюк Богдан Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Юрійчук Іван Миколайович

МПК: C30B 29/10, C30B 13/00

Мітки: затравлювання, пристрій, кристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для затравлювання кристалів при вирощуванні методом Чохральського на основі циліндричного пустотілого патрона, який відрізняється тим, що патрон між зовнішньою і внутрішньою стінками конічних наконечників містить кристалотримач у вигляді перевернутого, зрізаного, пустотілого конуса, а в центральній частині конуса містить радіаційний тепловідвід.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що кристалотримач виготовлено...

Номер патенту: 32716

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Грицюк Богдан Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Раранський Микола Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: перекристалізації, монокристалів, зонної, горизонтально, отримання, сполук, процес, методом, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації, який складається з етапів попереднього синтезу вихідних матеріалів, подальшого перезавантаження разом з монокристалічною затравкою, затравлювання та зонного вирощування при прямому та зворотному русі зонного нагрівача, який відрізняється тим, що по закінченні кожного з проходів зонний нагрівач переміщують від кінця та початку завантаження...

Номер патенту: 26470

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Пожуєв Володимир Іванович, Гасик Михайло Іванович, Тутик Валерій Анатолійович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 13/00

Мітки: зонної, напівпровідникових, плавки, стержнів, безтигельної, пристрій, матеріалів

Формула / Реферат:

Пристрій для безтигельної зонної плавки стержнів із напівпровідникових матеріалів з нагрівачем у вигляді електронної гармати, що містить порожнистий корпус, в якому концентрично розміщені кільцевий катод з увігнутою емісійною поверхнею, кільцевий анод з щілинним отвором для проходження електронного пучка і встановлені на торцевих стінках корпусу на однаковій відстані від площини симетрії кільцеві магнітні котушки, який відрізняється тим, що в...

Номер патенту: 25554

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Тутик Валерій Анатолійович, Червоний Іван Федорович, Гасик Михайло Іванович, Пожуєв Володимир Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: монокристалів, кремнію, плавкою, зонною, безтигельною, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію безтигельною зонною плавкою на затравці, що включає попередній розігрів вихідного стержня й затравки до заданої температури, натравлення кристала, утворення зони розплаву за допомогою індукційного нагрівача й переміщення зони розплаву уздовж вихідної заготівки, який відрізняється тим, що розігрів вихідного стержня й затравки здійснюють за допомогою електронного нагрівача на основі високовольтного...

Номер патенту: 25466

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Гуцул Іван Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: координатною, анізотропних, термоелектричних, пристроїв, процес, чутливістю, керування

Формула / Реферат:

1. Процес керування координатною чутливістю анізотропних термоелектричних пристроїв на основі поздовжніх та поперечних ефектів, який відрізняється тим, що величина їх чутливості керується зміною як амплітуди, так і напрямку магнітного поля відносно вибраних кристалографічних осей з мінімальним і максимальним значенням коефіцієнта термоЕРС термоелектричного матеріалу.2. Процес керування координатною чутливістю за п. 1, який...

Номер патенту: 21853

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Таланін Ігор Євгенійович, Таланін Віталій Ігорович, Сирота Анатолій Васильович

МПК: C30B 13/00, C30B 15/00

Мітки: монокристалів, спосіб, вирощування, кремнію, бездислокаційних, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування з розплаву за допомогою методів безтигельної зонної плавки і Чохральського бездислокаційних монокристалів кремнію, що включає створення розплаву, підведення до розплаву монокристалічної затравки, вирощування монокристалічної частини з попереднім створенням тонкої шийки, який відрізняється тим, що під час росту монокристал, що зростає, піддають термічній обробці в межах 1350-1250 °С, з наступним швидким охолодженням...

Номер патенту: 21535

Опубліковано: 15.03.2007

Автор: Кравченко Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів, що включає створення розплаву на верхньому торці вертикально розташованого циліндрового затравочного монокристала, підсипку первинного порошку в розплав і рух затравочного монокристала вниз, який відрізняється тим, що в монокристалі створюють принаймні одну рідку зону з неповним проплавленням.

Номер патенту: 16624

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Термена Ірина Святославівна, Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріал, термоелектричний, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі Bi-Te-Se-Sb для термоелектричних генераторів, який відрізняється тим, що має склад Sb1,5Bi0,5Se0,09Te2,9-x, де (0,005>х>0,004), що включає 0,15-0,22 вагових відсотків Pb1-yGeyTe, де (0,06у0,05).

Номер патенту: 15263

Опубліковано: 15.06.2006

Автор: Кравченко Олександр Іванович

МПК: C22B 9/02, C30B 13/00

Мітки: кристалів, очищених, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання очищених кристалів, який включає формування кристала й створення в ньому принаймні однієї розплавленої зони, що не повністю займає його поперечний переріз, який відрізняється тим, що формування кристала ведуть шляхом дистиляції речовини з конденсацією в температурному градієнті.

Номер патенту: 10479

Опубліковано: 15.11.2005

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: розчинів, процес, провідності, халькогенідів, матеріалу, основі, термоелектричного, отримання, твердих, р-типу

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Ві і Sb, який включає етапи синтезу, охолодження, вертикальну зонну перекристалізацію та подальше вимірювання розподілу значень термоелектрорушійної сили (термоЕРС) і електропровідності вздовж злитка, який відрізняється тим, що невідповідні параметрам початкові та кінцеві за напрямком росту частини злитка відрізають і повторно сплавляють...

Номер патенту: 4424

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Копил Олександр Іванович, Глущенко Володимир Федорович, Середюк Олександр Іванович, Хрульов Геннадій Володимирович, Гречка Сергій Андрійович

МПК: C30B 13/00

Мітки: летких, речовин, плавки, контейнер, зонної

Формула / Реферат:

Контейнер для зонної плавки летких речовин, що виготовлений у вигляді труби, яка має нижню частину в формі човника для розплаву, на одному кінці труби виконаний виріз, утворений перерізом повздовжнього осьового розрізу з поперечним, обмежуючим циліндричну частину труби, який відрізняється тим, що другий кінець є циліндричним і закритий графітовою пробкою в формі стакана, глибина якого дорівнює подвійній ширині зони розплаву, зовнішня...

Номер патенту: 66128

Опубліковано: 15.04.2004

Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, спосіб, твердих, перекристалізації, методом, розчинів, зонної, монокристалів, вертикальної, bi-te-se-sb

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb методом вертикальної зонної перекристалізації, що включає етапи підготовки наважки, її синтез та подальшу перекристалізацію, який відрізняється тим, що формоутворювач вкладається в контейнер з наважкою на етапі її підготовки, її синтез та застигання проводяться при фіксації формоутворювача у верхньому та нижньому положеннях контейнера відповідно, при цьому перекристалізація злитка...

Номер патенту: 61041

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич, Богданова-Борець Олександра Василівна, Ткаченко Віктор Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: зонної, пристрій, плавки

Формула / Реферат:

Пристрій для зонної плавки, який містить нагрівач та горизонтально розміщений герметичний контейнер продовгуватої форми з поперечними перегородками, установлений з можливістю повороту відносно горизонтальної осі контейнера, зонний нагрівач, механізм зворотно-поступального переміщення, який відрізняється тим, що пристрій додатково містить принаймні одну поздовжню перегородку довжиною не менше віддалі між поперечними перегородками, розміщену на...

Номер патенту: 57565

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Никируй Любомир Іванович, Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Андрій Дмитрович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/02

Мітки: кристалічного, p-типу, провідності, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного PbSe n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 57564

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Матеїк Галина Дмитрівна, Яцура Анна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Павлюк Любомир Ростиславович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/02

Мітки: кристалічного, p-типу, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного РbТе n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 51435

Опубліковано: 15.11.2002

Автор: Кравченко Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00, C30B 15/00

Мітки: спосіб, очищених, кристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання очищених кристалів, який включає витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що у витягуваному кристалі утворюють, принаймні одну розплавлену зону, яка не займає поперечний переріз кристала повністю.

Номер патенту: 36796

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Романюк Ігор Степанович

МПК: C30B 13/00

Мітки: основі, монокристалів, зонної, вертикальної, твердих, вісмуту, методом, спосіб, перекристалізації, розчинів, телуриду, отримання

Текст:

...спостерігання неможливе через заповнення простору між шайбою та контейнером розплавленим матеріалом. При співвідношенні цих діаметрів більше як 0,99 виникає заклинення шайби стінками контейнеру. Збільшення температури в зоні супроводжується передачею додаткової енергії шайбі, яка тоне у розплаві та підплавляє додаткову порцію вихідного матеріалу. Зменшення температури в зоні супроводжується відштовхуванням шайби матеріалом, що...

Номер патенту: 32979

Опубліковано: 15.02.2001

Автор: Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 13/00

Мітки: пристрій, плавки, зонної

Текст:

.... Частина теплової енергії розподіляється через ділянку перерізу труби , не перекриту канавкою 1 поглинається поверхнею наступної , більш глибокої канавки. Температура в контейнері вздовж труби по мірі від далення від нагрівача зменшується , за вийнятком ділянок поблизу ка навок, де вона більш висока, ніж фонова. На маяюн*у схематично зображена запропонована конструкція при строю для зонної плавки. Контейнер 1 з речовиною 2...

Номер патенту: 30026

Опубліковано: 15.11.2000

Автор: Лобода Петро Іванович

МПК: C30B 13/00, C30B 7/00

Мітки: очистки, матеріалів, монокристалів, домішок, вирощування, тугоплавких, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очистки від домішок та вирощування монокристалів тугоплавких матеріалів, що включає переміщення вузької зони розплаву через довгомірну, тверду, високооднорідну заготовку, якій відрізняється тим, що вирощування монокристалів проводять із пористих пресовок, сформованих із суміші порошків тугоплавкого матеріалу та розчинника домішок, з температурою плавлення більш низькою, ніж температура плавлення тугоплавкого матеріалу, а процес плавки...

Номер патенту: 15385

Опубліковано: 15.09.2000

Автор: Маслова Оксана Володимирівна

МПК: G01J 5/50, C30B 13/00, H01F 10/12 ...

Мітки: плівок, підвищеною, прозорістю, спосіб, магнітооптичних, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения магнитооптических пленок с повышенной прозрачностью, включающий нанесение на подложку феррит-гранатовой пленки, отжиг, облучение и намагничивание, отличающийся тем, что намагничивание пленки производят в диапазоне 4 × 102 - 16 × 104А/м и подвергают ее воздействию ИК-излучения в диапазоне с длиной волны 10 - 1000мкм.

Номер патенту: 21775

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Піщік Валеріан Володимирович, Добровинська Олена Рувимівна

МПК: C30B 13/00

Мітки: вирощування, профільованих, кристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство для вмращивания профилированных кристаллов, содержащее тигель, пучок капилляров й установленный на его верхнем торце капиллярнуй формообразователь, состоящий из двух злементов, отличающееся тем, что формооб­разователь выполнен из плоского злемента с капиллярным отверстием, на котором жестко закроплена резьбовая насадка, профиль резьбы которой в нижней части представляет собой резьбу с укороченной на (0,06-0,08) мм высотой зуба, а в...

Номер патенту: 18923

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Катрич Микола Петрович, Калашников Олександр Миколайович, Мірошников Юрій Петрович, Качала Володимир Юхимович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/00, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, оксиду, монокристалів, вирощування, алюмінію

Формула / Реферат:

 Способ выращивания монокристаллов оксида алюминия, включающий направленную кристаллизацию расплава в защитной газовой среде, отличающийся тем, что кристаллизацию проводят в защитной атмосфере оксида углерода при давлении от 30 до 60 Па.

Номер патенту: 16740

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Калашников Олександр Миколайович, Качала Володимир Єфімович, Катрич Микола Петрович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/00, C30B 15/00 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, оксидів, тугоплавких, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов туго­плавких оксидов, включающий направленную кристаллизацию расплава в замкнутом объеме кристаллизационной камеры в защитной атмосфе­ре, содержащей аргон и водород при давлении, пре­вышающем атмосферное, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа и увеличения выхода годных монокристаллов, перед кристаллизацией в камере создают давление 20-30 Па и проводят в ней термическую диссоциацию...

Номер патенту: 9014

Опубліковано: 30.09.1996

Автор: Федоров Роман Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідникових, матеріалів, пристрій, очищення

Формула / Реферат:

Устройство для очистки полупроводниковых материалов, содержащее кольцевые зонные нагреватели, окружающие контейнер с исходным мате­риалом и снабженные неподвижными фоновыми нагревателями сопротивления, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет исключения холостого хода зонных нагре­вателей, они выполнены в виде лент, намотанных с одинаковым шагом и совмещенных по шагу на две трубы, установленные коаксиально с...

Номер патенту: 8250

Опубліковано: 29.03.1996

Автори: Осовський Михайло Йосипович, Трубіцин Юрій Васильович, Фалькевич Едуард Семенович, Дудавський Сергій Ісаєвич, Дудченок Володимир Васильович, Сілаков Григорій Іванович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, здійснення, кремнію, методом, зонної, безтигельної, монокристалів, плавки, індукційної, пристрій, отримання, легованих

Формула / Реферат:

1. Способ получения легированных монокри­сталлов кремния методом индукционной бестигельной зонной плавки, включающий размещение исходного стержня в камере выращивания, вакууми-рование камеры выращивания, расплавление исход­ного стержня и дозированную подачу легирующего элемента соплом к зоне расплава, отличающийся тем, что в процессе вакуумирования производят до­полнительное осушивание камеры выращивания и технологической оснастки, а...

Номер патенту: 8247

Опубліковано: 29.03.1996

Автори: Дудченок Володимир Васильович, Червоний Іван Федорович, Фалькевич Едуард Семенович, Сілаков Григорій Іванович

МПК: C30B 15/20, C30B 13/00

Мітки: кремнію, монокристалів, безтигельної, спосіб, бездислокаційних, одержання, зонної, плавки, методом

Формула / Реферат:

Способ получения бездислокационных моно­кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки, включающий выращивание на затравке тонкой "шейки", разращивание конической части монокристалла до заданного диаметра и последую­щее выращивание цилиндрической части моно­кристалла диаметром D, при использовании индуктора с внутренним диаметром d, меньшим величины D, отличающийся тем, что разращива­ние конической части монокристалла до...