Патенти з міткою «кадмію»

Номер патенту: 18898

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Савченко Дмитро Анатолійович, Войтенко Лариса Владиславівна, Копілевич Володимир Абрамович

МПК: C01B 25/26

Мітки: аквааміноортофосфат, кристалічний, кадмію

Формула / Реферат:

Кристалічний аквааміноортофосфат кадмію загальної формули Cd3(PО4)2.1NH3.4H2О, що одночасно містить йони кадмію, молекули аміаку, води та ортофосфат-аніони, одержаний як твердий продукт індивідуального складу на основі використання Cd3(PО4)2.5H2О, концентрованого водного розчину аміаку та ацетону.

Номер патенту: 17438

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Воробець Олександр Іванович, Воробець Георгій Іванович

МПК: H01L 31/18

Мітки: високоомного, кадмію, телуриду, спосіб, шотткі, виготовлення, діода, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діода Шотткі на основі телуриду кадмію, який включає механічну та хімічну обробку пластин телуриду кадмію, створення бар'єра Шотткі та омічних контактів вакуумним напиленням та лазерного опромінювання, який відрізняється тим, що лазерне опромінювання з певною довжиною хвилі здійснюють в режимі модульованої добротності в квазіадіабатичних умовах при використанні серії з 20 імпульсів тривалістю

Номер патенту: 15502

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Сучова Катерина Олександрівна, Іщенко Микола Володимирович, Запорожець Ольга Антонівна

МПК: B01J 20/281

Мітки: спосіб, визначення, кадмію, сорбційно-спектроскопічного

Формула / Реферат:

Спосіб сорбційно-спектроскопічного визначення кадмію, що включає попереднє концентрування Cd (II) модифікованим бромбензтіазо сорбентом та наступне вимірювання оптичної властивості забарвленого сорбенту, який відрізняється тим, що як сорбент використовують силікагель СГ-60 фірми "Merck", при цьому модифікацію сорбенту здійснюють адсорбцією бромбензтіазо з хлороформно-гексанової суміші, а як оптичну властивість сорбенту вимірюють...

Номер патенту: 16085

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Перепелиця Олеся Орестівна, Косуба Раїса Борисівна, Гордієнко Віктор Веніамінович

МПК: A61K 35/37

Мітки: кадмію, солями, інтоксикації, спосіб, лікування

Формула / Реферат:

Спосіб лікування інтоксикації солями кадмію шляхом призначення комплексного лікування із застосуванням детоксикантів, який відрізняється тим, що як детоксикант призначають лікарський засіб Поліфітол-1 у рекомендованому виробником дозуванні.

Номер патенту: 76207

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Жиляк Іван Дмитрович, Войтенко Лариса Владиславівна, Копілевич Володимир Абрамович

МПК: C01B 25/37, C01G 11/00

Мітки: кристалічний, кадмію, дифосфат, спосіб, гідратований, аміачний, одержання

Формула / Реферат:

1. Кристалічний гідратований аміачний дифосфат кадмію загальної формули [Cd2(NH3)n(H2O)4P2O7]·mН2О, де n=2-3; m=0,5-1, що містить іони кадмію, дифосфату, аміак і воду в одній молекулі речовини.2. Спосіб одержання кристалічного гідратованого аміачного дифосфату кадмію загальної формули [Cd2(NH3)n(H2O)4P2O7]·mН2О, де n=2-3; m=0,5-1, який здійснюють шляхом розчинення Cd2P2O7·4H2O протягом 3-5 хвилин у концентрованому 23-25%-ному розчині ...

Номер патенту: 76219

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Будник Валерій Григорович, Дяченко Надія Михайлівна, Зарубицький Олег Григорович

МПК: C22B 17/00, C25C 3/34

Мітки: очистки, розплаві, кадмію, домішок, іонному, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очистки кадмію від домішок в іонному розплаві, який відрізняється тим, що очищення від домішок свинцю і міді ведуть шляхом електролізу при температурі 430-470°С, густині струму 0,2-0,4 А/см2 в тонкому шарі електроліту, який утворений пористою діафрагмою з кварцової тканини, яка просочена електролітом, що являє собою евтектичний розплав ZnCl2-KCl-NaCl, в який додатково вносять 8-12 мас.% CdCl2.

Номер патенту: 5885

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Мерзлов Сергій Віталієвич, Федоренко Андрій Юрійович, Герасименко Віктор Григорович

МПК: C30B 29/50, G21F 9/00

Мітки: природними, спосіб, показників, визначення, кадмію, адсорбції, мінералами

Формула / Реферат:

Спосіб визначення показників адсорбції кадмію природними мінералами, що включає дослідження сорбційних властивостей природних мінералів, який відрізняється тим, що проводять культивування мінералів при температурі тіла живих організмів впродовж різних проміжків часу в середовищах з регламентованою концентрацією кадмію, рН яких відповідає реакції шлунково-кишкового каналу різних видів сільськогосподарських тварин і птиці.

Номер патенту: 69980

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: гетеропереходів, цинку, спосіб, основі, виготовлення, сульфоселенідів, кадмію

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гетеропереходів на основі сульфоселенідів кадмію або цинку, що включає відпал кристалів сульфіду кадмію або сульфіду цинку в парі селену, який відрізняється тим, що відпал проводять в атомарній парі селену.2. Спосіб за п. 1, в якому перевід пари молекулярного селену в атомарний стан здійснюють ультрафіолетовим випромінюванням.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал кристалів сульфіду кадмію...

Номер патенту: 69921

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Бакланова Лариса Володимирівна, Бакланова Олена Олександрівна

МПК: G01N 29/02

Мітки: цукрі, основі, спосіб, кадмію, міді, визначення, свинцю, продуктах

Формула / Реферат:

Спосіб визначення свинцю, міді та кадмію у цукрі та продуктах на його основі, що включає розчинення продукту у воді, кип'ятіння розчину з оцтовою кислотою, екстрагування у вигляді діетилдитіокарбамінатів у хлороформ та визначення вмісту елементів атомно-абсорбційним методом, який відрізняється тим, що продукт розчиняють у воді до концентрації цукру не більше ніж 75 г/дм3, а отриманий розчин обробляють дією ультразвукових коливань частотою...

Номер патенту: 64282

Опубліковано: 16.02.2004

Автор: Луценко Вадим Григорович

МПК: C01B 19/00

Мітки: одержання, кадмію, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання телуриду кадмію шляхом взаємодії вихідних компонентів в середовищі розтоплених хлоридів лужних металів, який відрізняється тим, що процес проводять при температурі 735-755°С і концентрації діоксиду телуру 2-10 % мас.

Номер патенту: 62154

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Риган Михайло Юрієвич, Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, кристалу, тіогалату, кадмію, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалу тіогалату кадмію, який включає виготовлення і термічну обробку подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, вакуумування та герметизацію порожнини ампули, розплавлення шихти тіогалату кадмію та наступну направлену кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що термічну обробку подвійної ампули здійснюють при температурі 1000-1200°С протягом 1-3 годин в...

Номер патенту: 62129

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Риган Михайло Юрієвич, Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 29/46, C30B 28/00, C30B 29/52 ...

Мітки: цинку, селеноалюмінатів, спосіб, синтезу, кадмію, тіоалюмінатів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу тіоалюмінатів та селеноалюмінатів цинку й кадмію, який включає сплавлення елементарних компонентів, взятих у стехіометричних кількостях у вакуумованих ампулах з плавленого кварцу, який відрізняється тим, що спочатку сплавляють алюміній з цинком або кадмієм, одержаний сплав розміщують у кварцову ампулу разом з наважкою сірки або селену і нагрівають суміш до одержання розплаву алюмінату.

Номер патенту: 61300

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Писклинець Уляна Михайлівна, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: монокристалів, p-типу, отримання, кадмію, спосіб, телуриду, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності, що включає використання як вихідних речовин чистого кадмію і чистого телуру, які синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування кадмію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у...

Номер патенту: 61318

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Риган Михайло Юрієвич

МПК: C30B 9/00

Мітки: спосіб, тіогалату, кадмію, кристала, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, розплавлення шихти тіогалату кадмію та її направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1.105-3.105 Па.

Номер патенту: 58024

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна, Лопатинський Іван Євстахович, Скульський Михайло Юліанович, Українець Валентин Остапович

МПК: C30B 31/00

Мітки: легування, спосіб, телуриду, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб легування телуриду кадмію, який включає завантаження телуриду кадмію в ростовий контейнер, його відкачку, вміщення в піч і виведення на температурний режим, який відрізняється тим, що одночасно із телуридом кадмію завантажують порошкоподібний галогенід амонію.

Номер патенту: 48790

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Коломоєць Ганна Генадіївна, Дуднік Олена Федірівна

МПК: C01G 11/00, C30B 7/00

Мітки: безводного, монокристалів, кадмію, спосіб, отримання, нітрату

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів нітрату кадмію безводного, що включає використання нітрату кадмію чотириводного Cd (NО3)2 4Н2О, який відрізняється тим, що як розчинник використовують концентровану азотну кислоту, за допомогою якої готують насичений розчин Cd (NО3)2 в азотній кислоті, а вирощування проводять з цього розчину методом спонтанної кристалізації при кімнатній температурі.

Номер патенту: 34006

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Воробйова Інна Павлівна, Скляр Василь Іванович, Скоп Людмила Володимирівна, Харіков Анатолій Мусійович

МПК: C01G 11/00, C02F 1/00, G01N 30/00 ...

Мітки: концентрації, атомно-абсорбційного, стічних, водах, масової, спосіб, визначення, кадмію, природних

Текст:

...промышленных сточных вод. – М.: Химия, 1984. 2. Стандарт ИСО 8288-86. Качество воды. Определение кобальта, никеля, меди, цинка, кадмия и свинца. 1987. 3. Н.С. Полуэктов. Методы анализа по фотометрии пламени. – М.: Химия, 1967. У цьому ж стандарті ISO приведений метод визначення кадмію полум'яною атомно-абсорбційною спектрометрією після хелатирування (ГМА-ГМДК) і екстрагування (ДИПК-ксиленом). У даному методі передбачено формування комплексу...

Номер патенту: 30644

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Гомеля Микола Дмитрович, Сагайдак Ірина Степанівна, Радовенчик Вячеслав Михайлович

МПК: C01G 11/00, C02F 1/42

Мітки: спосіб, іонітних, фільтрів, кадмію, регенерації

Текст:

...(33) UA (46) 15.12.2000, Бюл. № 7, 2000 р. (72) Гомеля Микола Дмитрович, Радовенчик В'я чеслав Ми хайлович, Сагайдак Ірина Степанівна 30644 Фіг. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2002 р....

Номер патенту: 30150

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Костюк Богдана Михайлівна, Кушнір Олег Борисович, Новосад Степан Степанович, Белікович Борис Олександрович

МПК: G03C 1/72

Мітки: кадмію, бромистого, матеріал, основі, світлочутливий

Формула / Реферат:

Світлочутливий матеріал на основі бромистого кадмію з домішкою солі срібла, який відрізняється тим, що додатково містить домішку солі марганцю MnCl2 при такому співвідношенні компонентів, мол. %: AgCl 0,1-1,5 MnCl2 0,05-1,5 CdBr2 решта.

Номер патенту: 28554

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Степаненко Олег Пилипович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Мітки: зонним, пристрій, кадмію, очистки, нагрівачем, електропечі, парової, спосіб, фазі, здійснення, телуриду

Формула / Реферат:

1. Способ очистки теллурида кадмия через паровую фазу в электропечи с зонным нагревателем, включающим загрузку исходного материала, герметизацию, продувку инертным газом и направленную подачу газа-носителя в зоны испарения, отличающийся тем, что процесс ведут в течении 24-26 часа, направляя поток теза- носителя в ограниченный объем зоны испарения при расходе его 2,5-3,5 л/мин и температурном режиме в зоне испарения

Номер патенту: 28555

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Степаненко Олег Пилипович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Мітки: синтезу, спосіб, фазі, здійснення, кадмію, парової, телуриду, пристрій

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза теллурида кадмия, из паровой фазы, включающий раздельную загрузку исходных компонентов, продувку инертньм газом, подачу газа-носителя и электропитания в зону испарения исходных компонентов, в зоны синтеза и кристаллизации, отличающийся тем, что процесс проводят в тепловом поле с градиентным профилем в зоне испарения для кадмия при 630-660°С и для теллура 760-800°С при расходе газо-носителя соответственно для кадмия 2,8...

Номер патенту: 28823

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Новосад Степан Степанович, Костюк Богдана Михайлівна, Белікович Борис Олександрович

МПК: G03C 1/72

Мітки: кадмію, фоточутливий, бромистого, матеріал, основі

Формула / Реферат:

Фоточутливий матеріал на основі бромистого кадмію з домішкою срібла, який відрізняється тим, що додатково містить домішку свинцю Рв Вr2, при наступному співвідношенні компонентну вихідній шихті, мол. %:AgCl 0,05-1,5PвBr2 0,005-2,0CdBr2 –решта.

Номер патенту: 25598

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна, Українець Валентин Остапович

МПК: G01N 27/22

Мітки: товщини, залишкового, телуриду, структури, монокристалічний, порушеної, спосіб, діркового, підкладці, кадмію, шару, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання товщини залишкового шару порушеної структури на монокристалічній підкладці діркового телуриду кадмію, який включає травлення механічно обробленої поверхні діркового телуриду кадмію, який відрізняється тим, що на поверхні діркового телуриду кадмію створюють бар'єр Шотткі із металів з низькою температурою плавлення, вимірюють залежність диференціальної ємності від регульованого постійного зміщення, по якій визначають...

Номер патенту: 25699

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Белікович Борис Олександрович, Новосад Степан Степанович

МПК: H05B 33/12, H05B 33/00

Мітки: фотолюмінесцентний, бромистого, кадмію, матеріал, основі

Формула / Реферат:

Фотолюмінесцентний матеріал на основі бромистого кадмію, що має легуючу домішку хлористого марганцю, який відрізняється тим, що містить додатково легуючу домішку хлористого олова при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас.%: Хлористе олово 0,05 - 2,0 Хлористий марганець 0,5 - 1,5 Бромистий кадмій Решта

Номер патенту: 24167

Опубліковано: 07.07.1998

Автори: Шаварова Ганна Петрівна, Давидюк Георгій Евлампійович, Богданюк Микола Сергійович

МПК: C09K 11/54

Мітки: отримання, сульфідів, цинку, катодолюмінофорів, спосіб, кадмію, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання катодолюмінофорів на основі сульфідів цинку та/або кадмію, що включає змішування вихідних сульфідів з розчинами активатора і коактиватора, сушку одержаної суміші і її прокалювання, який відрізняється тим, що вихідні сульфіди легують сульфідом міді у співвідношенні 0,0001 - 0,0005ваг.% та опромінюють електронами з енергією 1,0 - 1,5МеВ, дозою (2,0 - 2,5) ´ 1017см-2.

Номер патенту: 21150

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Новосад Степан Степанович, Лискович Олексій Борисович, Белікович Борис Олександрович, Антонюк Володимир Григорович

МПК: H05B 33/00

Мітки: йодистого, основі, кадмію, матеріал, люмінесцентний

Формула / Реферат:

Люмінесцентний матеріал на основі йодистого кадмію, з домішкою марганцю МnCl2, який відрізняється тим, що додатково містить домішку олова SnCl2 при слідуючому співвідношенні компонентів у вихідній шихті, мол.%:

Номер патенту: 21111

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Лискович Олексій Борисович, Новосад Степан Степанович, Белікович Борис Олександрович

МПК: H05B 33/00, H05B 33/12

Мітки: кадмію, матеріал, люмінесцентний, йодистого, основі

Формула / Реферат:

Люмінесцентний матеріал на основі йодистого кадмію з домішкою марганцю МnСІ2, який відрізняється тим, що додатково містить домішку свинцю Рbl2 при наступному співвідношенні компонентів у вихідній шихті, мол.%:

Номер патенту: 21083

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Белікович Борис Олександрович, Новосад Степан Степанович, Глосковська Наталія Вікторівна

МПК: H05B 33/00, H05B 33/12

Мітки: бромистого, кадмію, фотолюмінофор, основі

Формула / Реферат:

Фотолюмінофор на основі бромистого кадмію з домішкою галогеніду марганцю, який відрізняється тим, що містить домішку МnСІ2 у кількості 0,5-1,5 ваг.% і додаткову домішку Cdl2 у кількості 1,5-2,5 ваг.%.

Номер патенту: 21077

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Белікович Борис Олександрович, Кравчук Олег Ярославович, Новосад Степан Степанович, Лискович Олексій Борисович

МПК: G03C 1/72

Мітки: фоточутливого, галогеніду, отримання, основі, матеріалу, спосіб, кадмію

Формула / Реферат:

Способ получения фоточувствительного материала на основе галогенида кадмия, включающий подготовку навесок галогенида кадмия и легирующей примеси меди, помещение их в ампулу, высушивание шихты в условиях вакуума, запайку ампулы, синтез соединения путем плавления шихты, кристаллизацию и охлаждение полученного материала, отличающийся тем, что фоточувствительный материал получают на основе бромида кадмия, причем в качестве примеси меди используют...

Номер патенту: 16664

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Нагорна Людмила Лаврентіївна, Вострецов Юрій Якович, Овечкін Андрій Євгенійович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: термообробки, вольфрамату, монокристалів, спосіб, кадмію

Формула / Реферат:

Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий нагрев, выдер­жку и охлаждение в кислородсодержащей атмос­фере, отличающийся тем. что, с целью увеличе­ния выхода годных и повышения светового выхода кристаллов, предварительно нагрев ведут со скоро­стью 50-100 град/ч при непрерывной откачке до 380-450°С с последующей выдержкой в течение 2-5 ч, затем откачку прекращают, вводят кисло­родсодержащую атмосферу, продолжают нагрев...

Номер патенту: 20590

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Нагорна Людмила Лаврентіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Віноград Едуард Львович, Вострецов Юрій Якович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, кадмію, вольфрамату, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов воль-фрамата кадмия, включающий наплавление ших­ты стехиометрического состава и выращивание вытягиванием из расплава на затравку в кислород­содержащей атмосфере, отличающийся тем, что в шихту, либо в расплав дополнительно вводят при­месь соединений трехвалентных металлов (Fe, Но, Bi, Eu, Gd и др.) в количестве (1 • 10-4 - 5 • 10-3) мас.%.

Номер патенту: 10565

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бороденко Юрій Афанасійович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, вольфрамату, монокристалів, кадмію, сцинтиляторів, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтилляторов из мо­нокристаллов вольфрамата кадмия, включающий ориентирование, резку, шлифовку и полировку монокристаллов, отличающийся тем, что грань сцинтиллятора, обращенную к фотоприемнику, изготавливают ориентированной по кристаллогра­фической плоскости (Т01), или (010), или (001) при разориентации не более 5 градусов.

Номер патенту: 10603

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович, Бороденко Юрій Афанасійович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: кадмію, сцинтиляційних, вирощування, спосіб, вольфрамату, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, вы­ращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что вы­ращивание ведут вдоль кристаллографического на­правления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...

Номер патенту: 10831

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович, Мартинов Валерій Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 33/00

Мітки: термообробки, кадмію, вольфрамату, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов вольфра­мата кадмия, включающий нагрев, выдержку и ох­лаждение, отличающийся тем, что нагрев проводят в кислородсодержащей атмосфере до тем­пературы 950-1230°С при выдержке 25-75 часов.

Номер патенту: 5673

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Іванов Микола Петрович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: C01G 39/00, C01G 41/00

Мітки: вольфраматів, молібдатів, кадмію, цинку, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения вольфраматов или молибдатов цинка или кадмия, включающий смешение триоксида вольфрама или молибдена с оксидом цинка или кадмия и нагрев полученной смеси, отличающийся тем, что перед смешением триоксид вольфрама или молибдена растворяют в водном растворе гидроксида аммония, оксид или гидроксид цинка или кадмия - в водном растворе нитрата аммония и, нагрев полученного после смешения раствора ведут при температуре кипения в...