H01L 21/66 — випробування або вимірювання в процесі виготовлення або обробки

Номер патенту: 70850

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Будник Оксана Петрівна, Данильченко Борис Олександрович, Будник Андрій Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: якості, сонячних, спосіб, елементів, контролю

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю якості GaAs сонячних елементів сонячних батарей, що включає вимірювання стаціонарних вольт-амперних характеристик зразка при освітленні, який відрізняється тим, що елементи попередньо опромінюють тестовим потоком електронів і контролюють зміну основних параметрів, отриманих з вольт-амперних характеристик. 2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що опромінення проводиться потоком електронів з енергією 1 МеВ,...

Номер патенту: 61515

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Стефаненко Віталій Віталійович, Стефаненко Віталій Кузьмович, Скубілін Міхаіл Дємьяновіч, Скубілін Ігорь Міхайловіч

МПК: H01L 21/66, G01J 5/58

Мітки: тіл, пристрій, поверхні, вимірювання, нагрітих, безконтактного, температури

Формула / Реферат:

Пристрій безконтактного вимірювання температури поверхні нагрітих тіл, що містить вхід із прозорого в робочому спектральному діапазоні матеріалу оптичного зв'язку і датчик випромінювання нагрітого тіла, розташований у фокальній площині і на осі входу, який відрізняється тим, що в нього введені другий датчик (приймач) випромінювання, розташований у фокальній площині і симетрично з першим датчиком на оптичній осі входу, перший і другий...

Номер патенту: 61534

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Гордієнко Юрій Омелянович, Бородін Борис Григорович, Яковлєв Дмитро Рудольфович

МПК: H01L 21/66

Мітки: перетворювач, випромінювання, дії, прямої, тонкоплівковий

Формула / Реферат:

Тонкоплівковий перетворювач випромінювання прямої дії, який виконаний у вигляді розташованої між двома скляними пластинами тонкоплівкової структури, що містить джерело змінної напруги, приймач випромінювання та електролюмінесцентний випромінювач, який відрізняється тим, що в нього введені джерела постійної напруги та опорного сигналу, а структура виконана у вигляді матриці, в кожну комірку якої введено підсилювач сигналу від фотоприймача, що...

Номер патенту: 57427

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Гордієнко Юрій Омелянович, Бабиченко Сергій Васильович, Бородін Борис Григорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: заряду, вимірювання, рекомбінації, об`ємного, поверхневої, життя, спосіб, швидкості, часу, носіїв, напівпровідниках

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного напівпровідникового зразка в НВЧ резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його гармонійно модульованим монохроматичним світлом, виділенні на виході вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності, який відрізняється тим, що здійснюють вимірювання спектрального...

Номер патенту: 55788

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Аврамєнко Анатолій Васільєвіч, Пісьмєнов Алєксандр Владіміровіч, Скубілін Міхаіл Дємьяновіч

МПК: H01L 21/66, G01J 5/58, H01L 21/00 ...

Мітки: вимірювання, пірометричного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб пірометричного вимірювання, який полягає в тому, що він передбачає прийом теплового випромінювання об'єкта і його спектральну фільтрацію, який відрізняється тим, що вимірювання інтенсивностей випромінювання здійснюють на двох фіксованих довжинах хвиль, а температуру поверхні об'єкта розраховують як частку від ділення відносної різниці інтенсивностей випромінювань на відрізних довжинах хвиль на різницю довжин цих хвиль.

Номер патенту: 55342

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Яблонівській Євгеній Іванович, Малютенко Володимир Костянтинович, Болгов Сергій Семенович

МПК: H01L 21/66

Мітки: контролю, напівпровідникових, складних, спосіб, з'єднань, складу

Формула / Реферат:

Способ контроля состава сложных полупроводниковых соединений, включающий возбуждение люминесценции в полупроводниковой пластине, регистрацию люминесценции, измерение температуры пластины и определение состава, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля для узкозонных соединений при упрощении способа, возбуждение полупроводниковой пластины производят путем помещения ее в скрещенные электрическое и магнитное поля, вектора...

Номер патенту: 53110

Опубліковано: 15.01.2003

Автор: Угрин Юрій Орестович

МПК: H01L 21/66

Мітки: носіїв, твердих, провідностей, спосіб, тілах, рухливості, визначення, основних, питомих, неосновних, відношення, заряду

Формула / Реферат:

Спосіб визначення рухливості неосновних носіїв заряду в твердих тілах і відношення питомих провідностей неосновних і основних носіїв заряду, що включає внесення зразка твердого тіла в магнітне поле перпендикулярно прикладеній напрузі, вимірювання питомого опору при виключеному магнітному полі, який відрізняється тим, що вимірюють точку перегину поперечного магнітоопору і величину магнітоопору в цій точці, а рухливість неосновних носіїв...

Номер патенту: 43935

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович, Мороженко Василій Олександрович, Омеляновській Еразм Михайлович, Морозов Володимир Олексійович, Глушков Євгеній Олександрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, контролю, напівпровідників, однорідності

Формула / Реферат:

Формула изобретения1. Способ контроля однородности полупроводников, включающий изготовление пластины полупроводника толщиной 1, определяемой соотношением a×1<<1, где a - коэффициент поглощения излучения на свободных носителях заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности при сохранении высокой точности, пластину нагревают до температуры выше фоновой, регистрируют тепловое изображение образца и по...

Номер патенту: 42481

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Біксей Михайло Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: тестова, структура

Формула / Реферат:

Тестова структура, яка містить напівпровідникову підкладку та розташовану на її поверхні ізолюючу маску з відкритими в ній отворами, які закриваються ділянками металічних шин, які контактують через отвори з підкладкою і утворюють два резистивні ланцюжки, отвори в одному з яких мають форму прямокутників, а в другому - форму кругів, діаметр кожного з яких дорівнює меншій з сторін прямокутного отвору, яка відрізняється тим, що перший резистивний...

Номер патенту: 38308

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Бородін Борис Григорович, Гордієнко Юрій Омелянович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/41

Мітки: носіїв, поверхневої, рекомбінації, часу, вимірювання, життя, напівпровідниках, швидкості, спосіб, об`ємного, заряду

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного   напівпровідникового   зразка   в   НВЧ   резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його по черзі світлом яке сильно і слабко поглинається у матеріалі напівпровідника, виділенні на виході резонаторного вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності при сильному і...

Номер патенту: 29571

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Савченко Ганна Павлівна, Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: H01L 21/66

Мітки: контролю, засіб, однорідності, пластини, напівпровідникової

Текст:

...20 ра. На пути оптического пучка у с т а навливают коротковолновый фильтр и з лучения. Регулировка длинноволнового края поглощения достигается путем 25 его перемещения в направлении, перпендикулярном оптической оси линзовой системы. Фильтр имеет метки, п о казывающие ДЛИННОЕОЛНОВЬЕЙ край поглощения в данной точке фильтра. По этим меткам можно судить -о длине волны, 30 соответствующей границе фильтрации 7чгр на уровне оптической оси линзовой...

Номер патенту: 27246

Опубліковано: 15.08.2000

Автори: Еппель Володимир Ілліч, Уколов Олексій Тихонович, Прохоров Євген Федорович, Макарова Тетяна Викторівна, Коджеспірова Іна Федорівна, Горев Микола Борисович

МПК: H01L 21/66

Мітки: центрів, незаповнених, визначення, бар'єром, глибоких, транзисторах, спосіб, концентрації, шоткі, польових

Текст:

...dy V2 = \Eydy; kT nm(0) _ A '\Eydy+\Eydy 'J nm(0) -С(у) N. NtsNot{y) 2Nls-t(y) я = \n m L In A D = B +C где ЛГС - эффективная плотность состояний в зоне проводимости полупроводника, для арсенида галлия =4,3-10 1 7 см 3 , /- длина затвора, h - толщина пленки, к - постоянная Больцмана, q - заряд электрона, є - диэлектрическая проницаемость арсенида галлия. ЕО - электрическая постоянная, п, - параметр Шокли-Рида,...

Номер патенту: 26626

Опубліковано: 11.10.1999

Автори: Горєв Микола Борисович, Макарова Тетяна Викторівна, Еппель Володимир Ілліч, Коджеспірова Іна Федорівна, Уколов Олексій Тихонович, Прохоров Євген Федорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: напівпровіднику, спосіб, легуванням, широкозонному, концентрації, прямій, глибоких, транзистора, центрів, польового, gaalas, визначення, гетероструктурі, селективним

Формула / Реферат:

Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...

Номер патенту: 18962

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Гриценко Микола Іванович, Мошель Микола Васильович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Мітки: діелектричної, спосіб, плівки, атестації

Формула / Реферат:

1. Спосіб атестації діелектричної плівки, що полягає в розміщенні плівки на провідній підкладці, нанесенні на поверхню цієї плівки металевих електродів, формуванні на електродах шару нематичного рідкого кристалу (НРК), обмеженого зверху скляною пластиною з прозорим електропровідним шаром, подачі на провідну підкладку І прозорий електропровідний шар електричної напруги, який відрізняється тим, що електроди на діелектричну плівку наносять...

Номер патенту: 18961

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Гриценко Микола Іванович, Мошель Микола Васильович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, діелектричних, контролю, товщини, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб контролю товщини діелектричних плівок, згідно якого на контрольованій плівці послідовно розміщують шар нематичного рідкого кристалу (НРК) І покривне скло з оптично прозорою електропровідною плівкою, на електропровідну плівку подають електричну напругу, фіксують момент переорієнтації НРК і визначають товщину діелектричної плівки, який відрізняється тим, що момент переорієнтації НРК визначають, змінюючи частоту напруги при фіксованій...

Номер патенту: 21228

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Власюк Віталій Анатолійович, Свєчніков Сергій Васильович, Демченко Ірина Миколаївна, Смертенко Петро Семенович, Цимбал Анатолій Йосипович, Починко Нестор Васильович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: спосіб, польового, контролю, транзистора, якості

Формула / Реферат:

Способ контроля качества полевого транзистора, включающий измерение вольт-амперной характеристики исток-сток, отличающийся тем. что измеряют величину дифференциального наклона вольт-амперной характеристики в двойном логарифмическом масштабе a =dlnl/dlnV при двух значениях напряжения: V1=Vp, соответствующего рабочему току Ір, и V2=Vр/n при n=2...5, и отбирают полевые транзисторы, сопоставляя параметры a1, a2, I1, I2 с эталонными, где a1 и a2,...

Номер патенту: 21194

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Чех Михайло Борисович, Цимбал Анатолій Йосипович, Смертенко Петро Семенович, Свєчніков Сергій Васильович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26, H01L 29/72 ...

Мітки: польового, стабільності, спосіб, транзистора, контролю

Формула / Реферат:

Способ контроля стабильности полевого транзистора, включающий измерение напряжения затвор-исток, отличающийся тем, что измеряют напряжение между затвором и истоком Uз-и при определенном напряжении между стоком и истоком Uc-м, затем пропускают прямой ток Iс через стоковый переход в течение времени t при определенном Uз-и и снова измеряют U~з-и, а о стабильности полевого транзистора судят по величине DUз-и = U~з-и – Uз-и.

Номер патенту: 12412

Опубліковано: 28.02.1997

Автор: Галенко Віктор Павлович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: дії, придатності, елементів, галенка, контролю, спосіб, дискретної

Формула / Реферат:

1. Способ контроля годности элементов диск­ретного действия, состоящий в том, что измеряют значения электрических параметров элемента и определяют их соответствие ожидаемым значени­ям, отличающийся тем, что в качестве упомяну­тых электрических параметров измеряют амплитудный и временной пороги при переключе­нии элемента из 0 в 1 и/или при переключении элемента из 1 в 0.2. Способ контроля годности элементов дискретно­го действия по п.1,...

Номер патенту: 11658

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Любченко Олексій Вікторович, Ергаков Валерій Костянтинович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Сальков Євген Андрійович, Рябіков Віктор Михайлович, Лукинський Юрій Леонідович

МПК: H01L 21/66

Мітки: параметрів, напівпровідників, контролю, спосіб, електрофізичних

Формула / Реферат:

Способ контроля электрофизических пара­метров полупроводников, основанный на измере­нии электропроводимости, коэффициента Холла в слабом магнитном поле и зависимости коэффици­ента Холла от величины магнитного поля, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения точности раздельного определения концентрации и подвиж­ности электронов и дырок в CdxHg1-xTe и InSb р-типа проводимости, дополнительно производят измерение коэффициента Холла при значении...

Номер патенту: 4059

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Остапчук Анатолій Іванович, Молчанов Костянтин Вікторович, Чекмезов Олександр Миколайович, Ілюк Ігор Євгенович, Пенцак Іван Борисович

МПК: H01L 21/66

Мітки: тестова, технологічних, параметрів, схем, інтегральних, структура, контролю

Формула / Реферат:

Тестовая структура для контроля технологических параметров интегральных схем, содержащая полупроводниковую подложку со сформированными на ней квадратным и полосчатым резисторами, а также соединенные с ними проводящие дорожки, имеющие контактные площадки на концах, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит второй квадратный резистор, а на поверхность структуры нанесен маскирующий слой с окнами, расположенными над полосчатым и одним из...

Номер патенту: 3213

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Карплюк Олександр Іванович

МПК: H01L 21/66

Мітки: доз, спосіб, малих, іонного, визначення, легування

Формула / Реферат:

Способ определения малых доз ионного легирования, включающий измерения неравновесных импульсных вольтфарадных характеристик предварительно легированной тестовой МДП-структуры, отличающийся тем, что предварительное легирование тестовой структуры осуществляют ионной имплантацией примеси, создающей тип проводимости, противоположный типу проводимости подложки, до концентрации, равной или большей концентрации примеси в подложке, вольтфарадные...

Номер патенту: 1621

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Прохоров Євген Федорович, Макарова Тетяна Вікторовна, Горев Микола Борисович, Уколов Олексій Тихонович

МПК: H01L 21/66

Мітки: структури, низькоомна, плівка-високоомна, незаповнених, концентрації, підложка, засіб, визначення, глибоких, центрів

Формула / Реферат:

Способ определения концентрации незапол­ненных глубоких центров в структурах низкоомная пленка—высокоомная подложка, включаю­щий создание контактов к пленке, измерение зависимости тока от напряжения между кон­тактами и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения информативности способа по крайней мере один из контактов выполняют в виде прижимного зонда, создающего барьер Шоттки, прикладывают к нему...