Патенти з міткою «кремнію»

Номер патенту: 99056

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Большаков Вадим Іванович, Муравйова Ірина Геннадіївна, Семенов Юрій Станіславович, Пінчук Деніс Валерійович, Шумельчик Євген Ігорович

МПК: C21B 7/24, F27B 1/00, C21B 5/00 ...

Мітки: кремнію, вмісту, прогнозування, спосіб, чавуні

Формула / Реферат:

Спосіб прогнозування вмісту кремнію у чавуні, який включає визначення технологічних параметрів доменної плавки, в процесі якої в доменну піч, обладнану засобами вимірювання відстані від технологічного нуля до поверхні засипу, порціями через колошник завантажують шихтові матеріали та здійснюють оперативний контроль хімічного складу чавуну з визначенням поточних його значень на випуску продуктів плавки, після завантаження кожної порції...

Номер патенту: 98747

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Богомолов Валерій Олексійович, Сімейко Костянтин Віталійович, Бондаренко Борис Іванович, Кожан Олексій Пантелеймонович

МПК: C01B 33/023

Мітки: спосіб, кремнію, одержання, високочистого

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого кремнію, що включає одержання монооксиду кремнію з діоксиду кремнію з подальшим відновленням монооксиду кремнію до елементарного кремнію воднем, який відрізняється тим, що монооксид кремнію одержують шляхом нагрівання у вакуумі до температури 1200-1600 °C суміші діоксиду кремнію, насиченого вуглецем, і кремнію, взятими в стехіометричному співвідношенні, потім охолоджують до температури нижче...

Номер патенту: 70448

Опубліковано: 11.06.2012

Автор: Ковальчук Мар'яна Тарасівна

МПК: G01N 21/64, G01N 33/483

Мітки: дії, мікро, кристалічного, спосіб, цитотоксичної, моделювання, наносфер, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб моделювання цитотоксичної дії мікро- і наносфер кристалічного кремнію, що включає етап інкубації клітинного біооб'єкта з мікро- і наносферами кристалічного діоксиду кремнію in vitro з наступним аналізом взаємодії інгредієнтів у полі зору поляризаційного мікроскопа, який відрізняється тим, що як біооб'єкт використовують виділеного із шкіри людини і фіксованого на адгезивній оптично прозорій плівці живого кліща з родини Demodex, якого...

Номер патенту: 70043

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Голень Юрій Володимирович, Циба Андрій Вікторович, Приходько Валерій Васильович, Рачков Олексій Миколайович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Різун Анатолій Романович, Кононов Вячеслав Юрійович

МПК: C01B 33/00, B02C 19/18

Мітки: одержання, кремнію, порошку, установка

Формула / Реферат:

Установка для одержання порошку кремнію, що містить циліндричну розрядну камеру, яка оснащена завантажувальним бункером, класифікатором і електродом, з'єднаним з генератором імпульсних струмів, та пристрій для транспортування вихідного матеріалу з розрядної камери, яка відрізняється тим, що установка оснащена каруселлю, яка встановлена з можливістю повороту у горизонтальній площині і переміщення у вертикальній площині та має встановлені...

Номер патенту: 69713

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Марчук Ігор Олексійович, Сминтина Валентин Андрійович, Яцунський Ігор Ростиславович, Кулініч Олег Анатолієвич

МПК: G02B 26/00, B82B 3/00

Мітки: наноструктурованого, спосіб, кремнію, деформацією, пластичною, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого кремнію пластичною деформацією, який полягає в окислюванні пластини монокристалічного кремнію і видаленні кремнію хімічними засобами, який відрізняється тим, що пластини монокристалічного кремнію перед окислюванням витримують у середовищі сухого кисню при температурі (1050-1150) °С протягом 15 хв., що призводить до появи пластичної деформації у пластині кремнію, внаслідок чого з'являються дислокаційні...

Номер патенту: 98161

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна

МПК: C01B 33/00, C01B 33/037, C01B 33/02 ...

Мітки: очищення, чистоти, кремнію, установка, технічної

Формула / Реферат:

1. Установка для очищення кремнію технічної чистоти у вакуумі або атмосфері інертного газу, яка містить камеру (1) для очищення кремнію, з герметично замкненими дверима, в якій розміщена піч опору (2) з електричними введеннями (3), що забезпечує нагрівання до 1200 °С, тигель (4) з розплавом легкоплавкого металу, введення для штоків для здійснення обертання і переміщення уздовж своїх осей, ємність (5) з множиною отворів для витягання...

Номер патенту: 98148

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Манчулянцев Олєг Алєксандровіч, Чуканов Андрєй Павловіч, Вахрушин Алєксандр Юрьєвіч, Смєтанкіна Стелла Валєрьєвна, Шевчєнко Руслан Алєксєєвіч

МПК: C01B 33/033

Мітки: розчину, кислоти, одержання, кременефтористоводневої, полікристалічного, пристрій, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію з розчину кременефтористоводневої кислоти, який відрізняється тим, що одержують органорозчинну сіль кременефтористоводневої кислоти з розчину кременефтористоводневої кислоти шляхом взаємодії кременефтористоводневої кислоти з органічною основою, одержану сіль кременефтористоводневої кислоти сушать повітрям або інертним газом при температурі 55-60 ºС, одержують газоподібний тетрафторид кремнію...

Номер патенту: 97999

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Надточій Віктор Олексійович, Уколов Олексій Іванович

МПК: G01N 27/87

Мітки: спосіб, міри, приповерхневих, дефектності, визначення, шарів, кремнію, германію, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення міри дефектності приповерхневих шарів монокристалів германію або кремнію полягає у встановленні точкового контакту із зразком монокристалу, через який в пропускному напрямі подають два рознесені у часі прямокутні імпульси струму, інжектований і вимірювальний, який відрізняється тим, що проводять часову затримку вимірювального імпульсу до 1t, де t - час життя нерівноважних носіїв заряду, мкс.

Номер патенту: 97774

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Севериновська Ольга Валеріївна, Покровський Валерій Олександрович, Литвиненко Олег Олександрович, Паршин Костянтин Анатолійович, Карачевцева Людмила Анатоліївна

МПК: B82B 3/00, C01B 33/00, B82B 1/00 ...

Мітки: основі, структур, підкладка, іонізаційна, макропористого, кремнію, мас-спектрометрії, лазерно-десорбційної

Формула / Реферат:

Іонізаційна підкладка для лазерно-десорбційної мас-спектрометрії, яка виготовлена з кремнієвої пластини і має шар мікропористого кремнію, яка відрізняється тим, що в кремнієвій пластині додатково сформовано шар макропористого кремнію у вигляді паралельно розташованих циліндрів глибиною 20÷300 мікрон, а шар мікропористого кремнію товщиною 0,1÷0,7 мікрона з розмірами нанокристалів 2÷3 нм та пористістю 60÷70 %...

Номер патенту: 97758

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Ковзун Ігор Григорович, Гуков Юрій Олександрович, Ульберг Зоя Рудольфівна, Ільяшов Михайло Олександрович, Панько Андрій Валентинович, Проценко Ірина Тимофіївна, Вітер Валерій Григорович

МПК: C22B 3/08, C22B 1/11, C22B 1/06 ...

Мітки: сполук, очисткою, спосіб, фосфору, домішок, концентрату, миш'яку, алюмінію, кремнію, отримання, залізного, одночасною

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання залізного концентрату з його одночасною очисткою від домішок сполук кремнію, алюмінію, фосфору, миш'яку, що включає змішування залізорудної сировини з вуглецевим відновником та неорганічними добавками, попередній випал залізорудної сировини, вилуговування із отриманого випаленого матеріалу сполук фосфору і миш'яку та відділення твердої фази від рідкої, який відрізняється тим, що як неорганічні добавки у залізорудну...

Номер патенту: 97691

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Буасвер Рене, Леблан Домінік

МПК: C01B 33/037, C01B 33/00

Мітки: кремнію, твердого, спосіб, високої, одержання, полікристалічного, чистоти

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання твердого полікристалічного кремнію високої чистоти шляхом очищення металургійного кремнію низької чистоти, що містить щонайменше одну з наступних забруднювальних домішок Аl, As, Ba, Ві, Са, Cd, Fe, Co, Cr, Cu, Fe, La, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sb, Sc, Sn, Sr, Ті, V, Zn, Zr і В, причому вказаний спосіб включає етапи, на яких:(a) витримують розплав металургійного кремнію низької чистоти у формі, причому вказана...

Номер патенту: 97666

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Шольц Маріо, Мейєр Йюрген, Елленбранд Уве, Цайцінгер Хорст

МПК: C08K 9/06, C08K 3/36, C01B 33/12 ...

Мітки: каучуку, пірогенний, спосіб, агента, кремнію, одержання, застосування, матеріал, містить, діоксид, силанізований, гідрофобний, силіконового, тиксотропного, загущувача

Формула / Реферат:

1. Гідрофобний, пірогенний силанізований діоксид кремнію, який відрізняється тим, що одержаний взаємодією пірогенних діоксидів кремнію з циклічними полісилоксанами типу -[O-SiR2]n-, де R є С1-С6-алкільною групою і n дорівнює 3-9, з наступним розмелюванням одержаних силанізованих діоксидів кремнію на повітряноструменевому млині, шарнірно-дисковому млині або млині із зубчатим диском, де одержаний діоксид кремнію має: - набивну щільність...

Номер патенту: 67586

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C01B 33/021

Мітки: мультикристалічного, індукційним, кремнію, система, автоматизована, виробництва, методом

Формула / Реферат:

1. Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом в холодному тиглі, що включає ділянку підготовки сировини, засіб доставки сировини, понад одну установку отримання зливка мультикристалічного кремнію, зв'язану з диспетчерським центром керування, кожна з яких обладнана бункером подачі сировини, засобами утримування і переміщення зливка та засобами вилучення зливка, і засіб транспортування зливка в зону...

Номер патенту: 97620

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Черпак Юрій Володимирович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Берінгов Сергій Борисович

МПК: F03G 6/00, C01B 33/00

Мітки: пристрій, мультикристалічного, індукційним, методом, зливків, кремнію, одержання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, утворюючи плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і розташоване нижче...

Номер патенту: 97576

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Марончук Ігор Ігорович, Найденкова Марія Владиміровна, Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна

МПК: C01B 33/037

Мітки: очищення, технічної, чистоти, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб очищення кремнію технічної чистоти, в якому металургійний кремній вводять в примусово переміщуваний розплав легкоплавкого металу при постійній температурі розплаву, величину якої обмежують летючістю легкоплавкого металу, потім здійснюють кристалізацію розчиненого кремнію на поверхні кристалічної затравки, опущеної в одержаний розчин-розплав, витягання отриманого зливка кристалічного кремнію з тигля та його очищення від атомів...

Номер патенту: 97493

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Мейєр Юрген, Шольц Маріо

МПК: C08K 9/00, C09C 1/00, C01B 33/18 ...

Мітки: силіконового, спосіб, поверхнею, діоксид, одержання, композиції, модифікованою, пірогенний, каучуку, містять, кремнію, рідкого

Формула / Реферат:

1. Пірогенний діоксид кремнію з модифікованою поверхнею, який відрізняється тим, що він має наступні фізико-хімічні параметри: площа поверхні БЕТ, м2/г 25-400 середній розмір первинних частинок, нм 5-50 рН 3-10 вміст вуглецю, мас. % 0,1-10 вміст калію у перерахунку на оксид калію, мас. %...

Номер патенту: 67361

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Бучовська Ірина Богданівна, Лясковський Олександр Анатолійович, Яцюк Сергій Анатолійович, Андрієнко Віктор Богданович, Власенко Тимур Вікторович

МПК: C30B 29/06, C30B 11/00

Мітки: придатного, виготовлення, кремнію, направленої, зливків, сонячних, методом, кристалізації, установка, вирощування, елементів

Формула / Реферат:

1. Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації, що включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з...

Номер патенту: 67188

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Стовбун Юрій Петрович, Лобода Петро Іванович

МПК: C01B 33/02, C30B 17/00

Мітки: спосіб, металургійного, кремнію, очищення

Формула / Реферат:

Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає з'єднання металургійного кремнію з розплавом металу-розчинника, нагрівання розплаву металу-розчинника, створення температурного градієнту в розплаві металу-розчинника, кристалізації кремнію на кристалічній затравці, який відрізняється тим, що метал-розчинник та металургійний кремній формують у вигляді порошкової заготовки, для кристалізації кремнію використовують кремнієву затравку,...

Номер патенту: 97161

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Коутрі Іоанна, Каравас Євангєлос, Стасакі Єлєні, Коутріс Ефсіміос

МПК: A61K 47/04, A61K 31/4422, A61K 9/20 ...

Мітки: діоксид, фармацевтична, кальцієвого, лерканідипін, дигідропіридиновий, каналу, композиція, колоїдний, містить, кремнію, приготування, антагоніст, спосіб

Формула / Реферат:

1. Фармацевтична композиція для перорального прийому, що включає дигідропіридиновий антагоніст кальцієвого каналу лерканідипін або фармацевтично прийнятну його сіль, похідне і поліморф, як діючий компонент, і ефективну кількість колоїдного кремнію діоксиду Aerosil™ від 5 до 25 % для збільшення біодоступності та/або поліпшення розчинності.2. Фармацевтична композиція за п. 1, де вагове відношення зазначеного дигідропіридинового...

Номер патенту: 96950

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Крьолль Міхаель, Хілль Свен, Кресс Петер, Катусік Стіпан, Ціммерманн Гвідо

МПК: C01G 9/03, C08K 9/06, C01G 9/02 ...

Мітки: одержання, цинку, частинки, кремнію, спосіб, композиція, містить, сонцезахисна, оксиду, покриті, діоксидом, дисперсія, покриття

Формула / Реферат:

1. Частинки оксиду цинку, покриті діоксидом кремнію, зі структурою ядро-оболонка, які відрізняються тим, щовони мають співвідношення Zn/Si від 2 до 75, в атом. % / атом. %,фракція Zn, Si і О становить щонайменше 99 мас. %, в перерахунку на частинки оксиду цинку, покриті діоксидом кремнію,вони маютьплощу поверхні BET від 10 до 60 м2/г,середньозважений діаметр первинних частинок від 10 до 75...

Номер патенту: 96773

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Шольц Маріо, Мейєр Юрген, Шумахер Кай

МПК: C09C 1/28, C01B 33/18, C08K 9/02 ...

Мітки: високоструктурований, одержання, модифіковану, кремнію, має, застосування, легований, діоксид, калію, спосіб, пірогенний, оксидом, поверхню

Формула / Реферат:

1. Високоструктурований, легований оксидом калію пірогенний діоксид кремнію, що має модифіковану поверхню, який відрізняється тим, що площа поверхні БЕТ, м2/г, складає: 25-400 середній розмір первинних частинок, нм, складає: 5-50 рН складає: 3-10 вміст вуглецю, мас. %, складає: 0,1-10,0 ...

Номер патенту: 96558

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Власюк Марина Сергіївна, Власенко Тимур Вікторович, Берінгов Сергій Борисович, Бучовська Ірина Богданівна

МПК: C30B 29/06, C01B 33/00, C30B 15/02 ...

Мітки: елементів, спосіб, виготовлення, кремнію, сонячних, одержання, злитка, придатного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, що включає вибір щонайменше одного легуючого елемента, одержання розплаву з вихідної сировини та вирощування злитка, який відрізняється тим, що попередньо задають діапазон питомого опору та тип електропровідності злитка, що мають одержати, додатково визначають тип електропровідності гаданого злитка з вихідної сировини, вибір легуючого елемента здійснюють з...

Номер патенту: 63926

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Нічкало Степан Ігорович, Островський Ігор Петрович

МПК: C30B 29/00, H01L 21/00

Мітки: масивів, спосіб, нанокристалів, кремнію, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію, який включає осадження на напівпровідникову кремнієву підкладку р-типу провідності шару плівки золота, вирощування за механізмом пара-рідина-кристал нанокристалів кремнію, який відрізняється тим, що перед вирощуванням нанокристалів кремнію додатково здійснюють термічний відпал напівпровідникової кремнієвої підкладки.

Номер патенту: 96268

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Лорд, Стівен М.

МПК: B01D 53/34, B01D 53/75, C01B 33/00 ...

Мітки: домішок, кремнію, установці, фосфорних, карбонових, виготовлення, способи, видалення

Формула / Реферат:

1. Спосіб видалення карбонових і/або фосфорних домішок з установки для виготовлення кремнію, в якому охолоджують потік вихідного газу реактора, який містить, головним чином, галогеносилани, гідроген і гідрогалогеніди, конденсують більше 50 % галогеносиланів, відділяють переважну частину несконденсованого газу з конденсованої рідини і пропускають частину або весь газ через мембранну систему для видалення більше 10 % будь-яких карбонових і/або...

Номер патенту: 95974

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Арвідсон Арвід Ніл, Молнар Майкл

МПК: C01B 33/03, B01J 8/18, C01B 33/035 ...

Мітки: спосіб, кремнію, одержання, варіанти

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнію, який включає: 1) забезпечення одного або декількох реакторів Сіменса, кожний з яких містить U-подібний стрижень та має температуру від 700 до 1400 °C, 2) осадження полікристалічного кремнію на U-подібний стрижень, 3) подачу потоку відхідного газу, що має концентрацію хлорсиланів в діапазоні від 20 мол. % до 50 мол. %, з одного або декількох реакторів Сіменса в один або декілька реакторів з псевдозрідженим шаром,...

Номер патенту: 95942

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Хьоне Ханс-Юрген, Ребер Штефан, Раулєдер Хартвіг, Зонненшайн Раймунд, Шиллінгер Норберт

МПК: C23C 16/24, H01L 31/052, C23C 16/22 ...

Мітки: способом, сонячного, сонячний, тонкоплівковий, кремнію, одержання, елемента, цим, елемент, спосіб, тетрахлориду, одержаний, ньому, застосування

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання сонячного елемента осадженням з парової фази кремнієвої плівки на поверхні субстрату з використанням вихідної речовини на основі кремнію та подальшою обробкою покритого субстрату для формування сонячного елемента, який відрізняється тим, що вказаною вихідною речовиною є тетрахлорид кремнію, а покритий субстрат:- очищають та текстурують,- потім дифундують з парової фази або іншого джерела легуючі добавки при...

Номер патенту: 62847

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Гасик Михайло Іванович, Новиков Микита Варфоломійович, Таран Олександр Юрійович, Запорожець Борис Олександрович, Соколов Костянтин Дмитрович, Приходько Сергій Володимирович, Фільов Олександр Сергійович, Овчарук Анатолій Миколайович, Новіков Микита Микитович, Романенко Віктор Андрійович

МПК: C22B 23/00

Мітки: спосіб, вмістом, виплавки, кремнію, оптимальним, чорнового, феронікелю

Формула / Реферат:

Спосіб виплавки чорнового феронікелю з оптимальним вмістом кремнію, що полягає у виплавці чорнового феронікелю в руднотермічній електропечі зі застосуванням як шихтових матеріалів окисленої нікелевої руди, флюсу та вуглецевого відновника марок АС (антрацит семечко), АШ (антрацит штиб), який відрізняється тим, що вуглецевий відновник використовують у співвідношенні фракцій 3-5 мм - 90-95 %, 5-13 мм - 10-5 %.

Номер патенту: 95674

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Лясковський Олександр Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович, Тьощин Володимир Вікторович, Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тімур Віктрович

МПК: F27D 3/10, C30B 35/00, G01F 11/34 ...

Мітки: розплав, лігатури, завантажку, вирощування, введення, безконтактного, печі, елемента, кремнію, пристрій, легуючого, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для безконтактного введення легуючого елемента та/або лігатури до печі вирощування мультикристалічного кремнію в завантажку та/або розплав, який відрізняється тим, що включає трубу для подачі легуючого елемента та/або лігатури, кульовий кран, трубоподібний накопичувальний бункер та заглушку, що з'єднані послідовно, в одній осі, з можливістю від'єднання трубоподібного накопичувального бункера в процесі експлуатації пристрою для...

Номер патенту: 61569

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Морев Геннадій Миколайович, Голень Юрій Володимирович, Сиворижська Наталя Іванівна, Різун Анатолій Романович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Рачков Олексій Миколайович, Кононов Вячеслав Юрійович, Муштатний Григорій Павлович, Жекул Людмила Олександрівна

МПК: B02C 19/18, C01B 33/00

Мітки: електророзрядного, спосіб, металургійного, подрібнення, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб електророзрядного подрібнення металургійного кремнію шляхом дії на заготовку імпульсними хвилями стиску, що генерують електричні розряди в рідині в циліндричній електророзрядній камері, з параметрами, які встановлюють в залежності від міцності на розрив металургійного кремнію, який відрізняється тим, електричні розряди здійснюють при накопичуваній енергії конденсаторних батарей від 1,25 до 2,5 кДж з частотою 2,0 - 4, 0 Гц, при цьому...

Номер патенту: 95395

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Крапивко Микола Олександрович, Осауленко Микола Федорович, Севастьянов Володимир Валентинович, Ракитянський Віктор Сергійович, Бакай Едуард Аполінарійович, Богомаз Валерій Ігоревич

МПК: H05B 6/00, C30B 13/00

Мітки: методом, безтигельного, кремнію, високочистого, одержання, плавлення, спосіб, зонного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який відрізняється тим, що перед установкою в тримачі індукційної печі заготовки металургійного кремнію здійснюють її формування із введенням в формуючу масу лантану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування заготовки металургійного кремнію здійснюють методом пресування, зокрема методом гідропресування.3. Спосіб за п. 1 або 2, який...

Номер патенту: 95326

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Тьощин Володимир Вікторович, Шифрук Олександр Сергійович, Кравченко Олександр Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: B05D 3/02, C30B 29/06, B05D 5/08 ...

Мітки: зливка, підготовки, кремнію, розплаву, твердого, кварцового, тигля, спосіб, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву, що включає приготування водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози для нанесення антиадгезійного покриття, формування антиадгезійного покриття на внутрішній поверхні нагрітого кварцового тигля шляхом нанесення в дві стадії водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози та наступне випалювання кварцового тигля з сформованим антиадгезійним...

Номер патенту: 95131

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шевчук Андрій Леонідович, Черпак Юрій Володимирович, Марченко Степан Анатолійович, Позігун Сергій Анатолійович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Онищенко Володимир Євгенович

МПК: B22D 11/041, B22D 11/16, C30B 21/00 ...

Мітки: спосіб, методом, зливків, мультикристалічного, кремнію, одержання, індукційним

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, який включає подачу шихти кремнію у плавильний простір охолоджуваного тигля, оточеного індуктором, формування дзеркала розплаву, плавлення при контролі вихідних параметрів джерела живлення індуктора і витягування зливка мультикристалічного кремнію при контрольованому його охолодженні, який відрізняється тим, що при плавленні встановлюють масову швидкість подачі...

Номер патенту: 95003

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Гринь Григорій Васильович, Гаврилюк Олег Якович

МПК: C01B 33/037, C30B 33/00, C22B 9/22 ...

Мітки: оборотів, очищення, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає послідовне плавлення кремнію в локальних точках поверхні оборотів електронним променем у вакуумі, який відрізняється тим, що одержаний розплав додатково супроводжують електронним променем під час його руху по похилій поверхні піддона до стікання в тигель.

Номер патенту: 60572

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кисельов Віталій Семенович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: A61C 8/00

Мітки: кремнію, губчастих, імплантів, спосіб, виготовлення, карбіду, кісток, трансплантації, зубних, матеріалу, композитного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення композитного матеріалу з карбіду кремнію для трансплантації губчастих кісток та зубних імплантів, що включає виготовлення вуглецевої матриці потрібної форми з відкритою пористістю шляхом піролізу заготовки із заболонної частини стовбура деревини листвяних розсіяно судинних порід, просочення її рідким кремнієм та синтез карбіду кремнію, який відрізняється тим, що для виготовлення вуглецевої матриці розмір заготовки з...

Номер патенту: 94784

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Онищенко Володимир Євгенович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Берінгов Сергій Борисович, Черпак Юрій Володимирович, Марченко Степан Анатолійович, Позігун Сергій Анатолійович, Чепурний Богдан Васильович

МПК: C30B 29/06, B22D 11/01

Мітки: зливків, пристрій, одержання, методом, мультикристалічного, кремнію, індукційним

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що містить камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхвачений індуктором охолоджуваний тигель з рухомим дном та чотирма стінками, котрі складені з секцій, що розділені вертикальними щілинами, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване нижче охолоджуваного тигля, відділення контрольованого охолодження, причому внутрішньою...

Номер патенту: 60164

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Муштатний Григорій Павлович, Морев Геннадій Миколайович, Рачков Олексій Миколайович, Голень Юрій Володимирович, Жекул Людмила Олександрівна, Кононов Вячеслав Юрійович, Різун Анатолій Романович, Сиворижська Наталя Іванівна, Денисюк Тетяна Дмитрівна

МПК: C01B 33/00, B02C 19/18

Мітки: кремнію, пристрій, електророзрядного, дроблення, полікристалічного

Формула / Реферат:

Пристрій для електророзрядного дроблення полікристалічногокремнію, що містить заповнену рідиною розрядну камеру, внутрішня поверхня якої має неметалеве покриття, з розміщеними в ній класифікатором, який виконано у вигляді стакана, бокова поверхня якого складається з вертикальних прутків, які рівномірно розміщені по колу, а дном є решітка, та двома електродними системами, що встановлені зовні класифікатора, позитивні електроди яких з'єднані з...

Номер патенту: 60046

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Голень Юрій Володимирович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Жекул Людмила Олександрівна, Сиворижська Наталя Іванівна, Різун Анатолій Романович, Кононов Вячеслав Юрійович, Муштатний Григорій Павлович, Рачков Олексій Миколайович, Морев Геннадій Миколайович

МПК: B02C 19/18

Мітки: кремнію, спосіб, дроблення, полікристалічного, електророзрядного

Формула / Реферат:

Спосіб електророзрядного дроблення полікристалічного кремнію шляхом дії на нього імпульсними хвилями стиску, що генерують електричні розряди в рідині з параметрами, які встановлюють в залежності від міцності на розрив полікристалічного кремнію, який відрізняється тим, що електричні розряди здійснюють при енергії конденсаторних батарей від 2,5 до 5,0 кДж з частотою 0,5-1,0 Гц при питомих витратах енергії 13,9-14,0 кВт·год./т.

Номер патенту: 59518

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Гуславська Кристина Володимирівна, Єфіменко Володимир Вікторович, Руденко Павло Тимофійович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C01B 33/00

Мітки: спосіб, очищення, металургійного, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення металургійного кремнію, що включає введення кремнію в розплав металу-розчинника, нагрівання цього розчинника-розплаву, кристалізацію кремнію, масоперенос розчинного кремнію, розплав примусово перемішують, який відрізняється тим, що кристалізація і ріст кристалів відбувається у низькотемпературній зоні тигля при фіксованій температурі, а на початку процесу виконують температурний стрибок від 1200 °С до 1250 °С, при цьому в...

Номер патенту: 94343

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Осауленко Микола Федорович, Крапивко Микола Олександрович, Бакай Едуард Аполінарійович, Севастьянов Володимир Валентинович, Богомаз Валерій Ігоревич, Ракитянський Віктор Сергійович

МПК: C30B 13/00, H05B 6/00, C01B 33/00 ...

Мітки: установка, кремнію, зонного, плавлення, методом, високочистого, здійснення, монокристалічного, безтигельного, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого монокристалічного кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який відрізняється тим, що технологічний процес рафінування металургійного кремнію здійснюють, використовуючи для цього щонайменше два аналогічних пристрої, при цьому після закінчення підготовки першого пристрою до процесу рафінування та початку технологічного процесу рафінування металургійного кремнію, автоматично включають другий...

Номер патенту: 94312

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Гаврилюк Олег Якович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 15/00, C30B 33/02, C30B 29/06 ...

Мітки: очищення, спосіб, кремнію, оборотів

Формула / Реферат:

Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає плавлення оборотів кремнію електронним променем в плавильній ємності у вакуумі, витримку розплаву, зливання розплаву в тигель, який відрізняється тим, що плавлення і витримку розплаву ведуть в потоці інертного чи реакційного газу над поверхнею розплаву при глибині розплаву не більше ніж 5 см та максимальній потужності електронного променя, яка не призводить до кипіння розплаву.