Патенти з міткою «кремнію»

Номер патенту: 77874

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Щербань Олексій Петрович, Власенко Тимур Вікторович, Ковтун Геннадій Прокопович, Горбенко Юрій Васильович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/036, C30B 15/00 ...

Мітки: кремнію, спосіб, одержання, галієвої, лігатури

Формула / Реферат:

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію, який включає плавлення в тиглі завантаження, що складається з кремнію з додатком галію, і кристалізацію одержаного розплаву, який відрізняється тим, що використовують завантаження у вигляді кусків кремнію з нанесеним шаром галію, плавлення завантаження здійснюють у атмосфері інертного газу, і після одержання розплаву знижують тиск інертного газу до значення, що визначають з...

Номер патенту: 19072

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: кремнію, полікристалічного, карбіду, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування полікристалічного карбіду кремнію, який включає прямий синтез кремнію і вуглецю, які розташовані в квазізамкнутому об'ємі, виготовленому із графіту, який розташований в нагрівачі високотемпературної печі, який відрізняється тим, що для одержання полікристалічного карбіду кремнію високої чистоти джерелом кремнію є високочистий кремній, розташований в тиглі, виготовлений із ізостатичного графіту високої щільності і чистоти, а...

Номер патенту: 17528

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Тербан Віктор Андрійович, Семенюк Олександр Васильович, Волохов Сергій Олександрович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/158

Мітки: кремнію, очищення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення кремнію, який включає механічну обробку кремнієвмісної шихти, видалення металевих та неметалевих домішок і видалення вологи шляхом сушіння в середовищі інертного газу, який відрізняється тим, що механічну обробку здійснюють до одержання з шихти порошку, після чого одержаний порошок змішують з водним розчином кислоти, вибраної з НСl та/або Н3РO4, та/або H2SO4, або суміші НСl / Н3РO4, Н3РO4 / H2SO4 та Н3РO4 /НСl/ H2SO4, суміш...

Номер патенту: 17527

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Тербан Віктор Андрійович, Волохов Сергій Олександрович, Семенюк Олександр Васильович

МПК: C01B 33/158, C01B 33/021

Мітки: кремнію, кремнієвмісних, лінія, одержання, відходів

Формула / Реферат:

1. Лінія для одержання кремнію з кремнієвмісних відходів, що складається з блока чищення шихти від механічних домішок, з яким зв'язані блок промивання, блок сушіння, блок вивантаження чистого кремнію, станція подачі кислотних розчинів та станція подачі води.2. Лінія за п. 1, яка додатково містить дозатор для завантаження мірної кількості відходів виробництва кремнію у вигляді порошку.3. Лінія за п. 1 або п. 2, яка додатково...

Номер патенту: 76366

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Таран Людмила Володимирівна, Федорук Ростислав Мефодійович, Привалова Наталія Геннадіївна, Дегтярьова Лідія Михайлівна, Примаченко Володимир Васильович

МПК: C04B 35/622, C04B 35/565

Мітки: виробів, карбіду, зв'язці, виготовлення, спосіб, кремнію, нітридкремнієвій

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення виробів з карбіду кремнію на нітридкремнієвій зв'язці, який включає приготування шлікеру із тонкоподрібнених карбіду кремнію, кремнію кристалічного і глинистої добавки, попереднє покриття плівкою робочої поверхні гіпсової форми, заливання шлікеру в гіпсову форму, вилучення відлитого сирцю з форми, сушіння і випал у середовищі азоту, який відрізняється тим, що плівку для покриття робочої поверхні гіпсової форми виконують...

Номер патенту: 75877

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Тальпер Ксавьє, Аззопарді Марі-Жозе, Сімоне Мішель, Дюрандо Анн

МПК: C03C 17/23, C03C 17/22, B32B 17/06 ...

Мітки: підкладка, похідної, шаром, кремнію, прозора, варіанти

Формула / Реферат:

1. Прозора підкладка, яка містить на щонайменше одній з своїх поверхонь шар, який має гідрофільні властивості, на основі щонайменше частково окисленої похідної кремнію, вибраної з оксидів кремнію із вмістом кисню нижче за стехіометричне значення і оксинітриду кремнію або цих похідних, які містять в незначній по відношенню до кремнію кількості щонайменше один метал.2. Підкладка за п. 1, яка відрізняється тим, що показник заломлення шару...

Номер патенту: 75793

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Шепелявий Петро Євгенович, Данько Віктор Андрійович, Індутний Іван Захарович, Майданчук Іван Юрійович, Минько Віктор Іванович

МПК: H01L 21/265

Мітки: основі, одержання, світловипромінювального, матеріалу, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі кремнію, який включає осадження в вакуумі на підкладку шару субоксиду кремнію SiOx, де х менше 2 і наступного термічного відпалу цього шару при підвищеній температурі в атмосфері інертного газу або у вакуумі, який відрізняється тим, що під час осадження шару SiOx підкладку орієнтують під кутом від 20 до 80 градусів між нормаллю до підкладки і напрямком потоку осаджуваної...

Номер патенту: 75276

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Бережний Іван Архипович, Лебедєв Ігор Володимирович, Солонін Геннадій Володимирович, Богуславський Дмитро Юрійович, Владиченко Олександр Григорович

МПК: C22B 4/00, C01B 33/025

Мітки: технічного, виробництва, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва технічного кремнію карботермічним відновленням у руднотермічній електропечі, який включає підготовку шихтових матеріалів з кварциту та вуглецевого відновника, дозування їх відповідно до складу шихти, змішування і завантаження на колошник руднотермічної електропечі, який відрізняється тим, що шихту ділять на дві частини: на суміш частки кварциту і вуглецевого відновника шихти, в якій маса кварциту відноситься до маси вуглецю...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Шульга Юрій Григорович, Святелик Володимир Федосійович, Скобаро Андрій Олексійович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, H01L 31/18, H01L 21/02 ...

Мітки: елементів, мультикристалічного, пластин, спосіб, одержання, кремнію, сонячних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Номер патенту: 74140

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Бусан-Ру Ів Марсель Леон, Колозі Тьєрі Бруно Жак, Гобел Мішель Марк

МПК: C03B 5/00, C04B 35/109, C04B 35/657 ...

Мітки: плавленням, основі, матеріалів, кремнію, алюмінію, виливанням, одержаний, цирконію, оксидів, виріб

Формула / Реферат:

1. Виріб з матеріалів на основі оксидів алюмінію, цирконію та кремнію, одержаний плавленням і виливанням, при такому співвідношенні компонентів, мас. %: Аl2O3 45-65 ZrO2 10,0-29,0 SiO2 20,0-24,0 решта, що може містити, зокрема, оксиди кальцію і магнію 0,5-4,0, причому вагове співвідношення...

Номер патенту: 9501

Опубліковано: 17.10.2005

Автори: Миронюк Іван Федорович, Поважняк Маріанна Олексіївна, Яремчук Богдан Миколайович

МПК: C01B 33/18, B01F 3/00

Мітки: кремнію, високодисперсного, діоксиду, спосіб, коагулювання

Формула / Реферат:

Спосіб коагулювання високодисперсного діоксиду кремнію, одержаного шляхом високотемпературного гідролізу тетрахлориду кремнію парами води в полум’яному факелі, що включає охолодження продуктів гідролізу від 1270-1670 до 550-720К, введення газодисперсного потоку в трубчастий коагуляційний пристрій зі швидкістю 2-10 м/с і витримування цього потоку до об’єднання аеродисперсних частинок продукту в агломерати з одночасним подальшим його...

Номер патенту: 73847

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Карєлін Алєксандр Івановіч, Домашев Євген Дмитрович, Карєлін Владімір Алєксандровіч, Абубекєров Равіль Абдурахімович

МПК: C01B 33/03, C01B 33/021, C01B 33/02 ...

Мітки: відділення, кисню, одержання, високолетких, порошку, тетрафториду, домішок, фторидів, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання тетрафториду кремнію, що полягає в тому, що здійснюють фторування природних кремнієвмісних концентратів з 97,0 - 99,998 % мас. SiO2 у дві наступні стадії, що протікають незалежно без поділу продуктів реакцій:- на 1-ій стадії фторування проводять у факелі при 1500 - 2000 °С з надлишком елементного фтору 15-20 % мас. щодо стехіометрії реакцій фторування з виводом із процесу нелетких фторидів при 100 - 350°С, а...

Номер патенту: 8334

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Горовий Семен Євгенович, Руднєв Олександр Леонідович, Живченко Володимир Семенович, Пахомов Юрій Анатолійович

МПК: C21C 7/00

Мітки: низьким, обробки, позапічної, кремнію, вмістом, сталі, дріт

Формула / Реферат:

Дріт для позапічної обробки сталі з низьким вмістом кремнію, виконаний із сталевої оболонки та порошкового заповнювача, що містить кальцій та додатковий компонент, при  співвідношенні між складовими частками дроту, мас. %: порошковий заповнювач 51-70 сталева оболонка 30-49, який відрізняється тим, що як додатковий компонент використовують чавунний порошок при...

Номер патенту: 6971

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Клюєв Андрій Петрович, Шпаковскій Вадім, Клюєв Сергій Петрович

МПК: C22B 9/10

Мітки: латуней, брухту, кремнію, флюс, домішки, рафінування

Формула / Реферат:

Флюс для рафінування брухту латуней від домішки кремнію, який характеризується тим, що складається із шлаків з подвійних латуней без кремнію у кількості 30-50 % ваг., соди кальцинованої (Na2CO3) - 20-40 % ваг., кислоти борної (H3BO3) - решта.

Номер патенту: 6970

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Шпаковскій Вадім, Клюєв Андрій Петрович, Клюєв Сергій Петрович

МПК: C22B 9/10

Мітки: домішки, рафінування, спосіб, кремнію, латуней, брухту

Формула / Реферат:

1. Спосіб рафінування брухту латуней від домішки кремнію, що включає завантаження шихти до відбивної печі на чисте дзеркало металу, розплавлення шихти, введення до розплаву свіжоприготованого флюсу для рафінування, витримування розплаву, його перемішування, зливання з поверхні розплаву шлаку, відбір проби розплаву на хімічний аналіз, при цьому за необхідності, залежно від глибини очистки розплаву від домішки, процес рафінування повторюють, а...

Номер патенту: 6974

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Клюєв Сергій Петрович, Клюєв Андрій Петрович, Шпаковскій Вадім

МПК: C22B 9/10

Мітки: домішки, рафінування, брухту, латуней, кремнію, флюс

Формула / Реферат:

Флюс для рафінування брухту латуней від домішки кремнію, який відрізняється тим, що складається із мідної окалини (Cu2O) – 32...48,5% ваг., соди кальцинованої (Na2CO3) – 32...40 % ваг., кислоти борної (Н3ВО3) - решта.

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Повстяний Володимир Григорович, Куликовський Едуард Володимирович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: пристрій, монокристалів, кремнію, спосіб, чохральського, вирощування, екрануючий, методом, нього

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...

Номер патенту: 72576

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Гнесін Георгій Гдалевич, Гадзира Микола Пилипович

МПК: F41H 1/00, C04B 35/56

Мітки: одержання, самозв'язаного, карбіду, великогабаритної, бронепластина, спосіб, великогабаритна, кремнію, бронепластини

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання великогабаритної бронепластини з карбіду кремнію, який включає виготовлення сирих заготівок з суміші порошків карбіду кремнію і вуглецевої компоненти з наступним реакційним спіканням в присутності кремнію, який відрізняється тим, що у вуглецеву компоненту вводять терморозширений графіт.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що терморозширений графіт беруть в межах від 10 до 30%  від маси вихідної шихти.3....

Номер патенту: 72279

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Бухгольц Зігурд, Херольд Хейко, Млечко Леслав

МПК: C01B 33/035, C01B 33/029, C01B 33/027 ...

Мітки: кремнію, високочистого, спосіб, гранульованого, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого гранульованого кремнію розкладанням газу, що містить сполуки кремнію, який відрізняється тим, що вказане розкладання виконують при тиску 100-900 мбар, розкладання виконують в присутності частинок, через які газ, що містить сполуки кремнію, проходить таким чином, що частинки піддаються псевдозрідженню і утворюють псевдозріджений шар, причому співвідношення між швидкістю потоку газу, що містить сполуки кремнію,...

Номер патенту: 3412

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Крапивко Геннадій Іванович

МПК: H01L 21/26, H01L 31/036

Мітки: пластин, кремнію, поверхні, спосіб, монокристала, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію шляхом лазерного текстурування, який відрізняється тим, що процес лазерного текстурування проводять одночасно з ростом кристала, причому процес проходить у вакуумі 10-2Па при температурі близько 1300°С.

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Руденко Сергій Васильович

МПК: C30B 15/02

Мітки: монокристала, кремнію, розплаву, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Скобаро Андрій Олексійович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/00, H01L 21/304, C30B 29/06 ...

Мітки: сонячних, кремнію, пластин, одержання, мультикристалічного, спосіб, елементів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Номер патенту: 70575

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Таіров Борис Хусаінович, Хайдакін Василь Іванович, Курченко Іван Павлович, Сніжко Петро Михайлович

МПК: C01B 31/36

Мітки: виробів, одержання, полікристалічного, карбіду, кремнію, монолітного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання виробів із монолітного полікристалічного карбіду кремнію (МПК), що включає змішування карбіду кремнію з вуглецевим компонентом, який відрізняється тим, що до суміші додатково додають нафтовий кокс та сульфітно-спиртову барду, формують вироби, сушать їх і піддають силіціюванню  до  температури 1950 °С  та витримці 4-4,5 години.Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що нагрів при силіціюванні здійснюють з інтенсивністю...

Номер патенту: 39567

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Немчин Олександр Федорович, Мокеєв Юрій Генадійович

МПК: C30B 15/20, C30B 29/06

Мітки: виготовлення, монокристалічного, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію, що включає розплавлення вихідного матеріалу, обертання розплаву i витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що визначають відстань від початкового рівня розплаву до верхнього краю тигля, процес ведуть із зміною зазначеної відстані при початковій частоті обертання тигля, меншій за таку для кристала, з поступовим збільшенням частоти обертання тигля відносно кристала i відповідною...

Номер патенту: 68293

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Авраменко Сергій Федорович, Маслов Володимир Петрович, Саворовський Федір Григорович, Кисельов Віталій Семенович

МПК: H01L 21/205, H01L 21/36

Мітки: кремнію, вирощування, карбіду, зливків, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування зливків монокристалів карбіду кремнію, що включає завантаження в графітовий реактор порошку сировини карбіду кремнію, закріплення на графітовому тримачі затравочного кристала карбіду кремнію, вакуумування, напуск інертного газу, нагрівання вихідного матеріалу до температури сублімації карбіду кремнію 22502350°С, а затравочного кристала - до температури...

Номер патенту: 66318

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Гребенюк Богдан Олегович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: вирощування, способу, монокристали, кремнію, здійснення, алманіт, пристрій, спосіб, карбіду

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію Алманіт, які відрізняється тим, що ці монокристали особливочистого карбіду кремнію містять домішки від 5х1015 до 5х1016 см-3, грань монокристалів біля основи має вигляд багатогранника, наприклад  шестигранника, характерного для політипу 6Н, і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристалу, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого...

Номер патенту: 65125

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Смірнова Тамара Іванівна, Стратійчук Денис Анатолійович, Шульженко Олександр Олександрович

МПК: C04B 35/58, C04B 35/515

Мітки: кремнію, отримання, спосіб, кераміки, гексабориду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кераміки гексабориду кремнію SiB6, який передбачає змішування порошків кремнію та бору в стехіометричній кількості і нагрівання, який відрізняється тим, що нагрівання суміші порошків кремнію та бору здійснюють при температурі плавлення кремнію і одночасно діють тиском не меншим за 2 ГПа.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що суміш порошків кремнію та бору перед нагріванням під тиском нагрівають до температури...

Номер патенту: 64035

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Ігнатенко Степан Денисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: карбіду, вирощування, кремнію, пристрій, монокристали, способу, здійснення, алманіт, спосіб

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію, що отримані шляхом осадження парів карбіду кремнію і мають форму шестигранника на вершині та містять неконтрольовані домішки, які відрізняються тим, що вони мають велику кількість бокових дзеркальних площин, орієнтованих під різними кутами до осі зростання кристалів, а кількість неконтрольованих домішок в них не перевищує 1015-1016см-3.2. Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію шляхом...

Номер патенту: 63846

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Вишнякова Катерина Леонівна, Дубок Віталій Андрійович, Охріменко Володимир Васильович, Вішняков Леон Романович, Переселенцева Людмила Миколаївна

МПК: C23C 16/38

Мітки: кремнію, карбіду, волокон, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання волокон карбіду кремнію, що включає обробку вихідних волокон у середовищі, що містить кремній, з застосуванням речовин, що містять бор, з наступною термообробкою, який відрізняється тим, що як вихідні волокна використовують гідратцелюлозні волокна, причому речовини, що містять кремній і бор, вводять на стадії просочення гідратцелюлозних волокон розчинами силікатів лужних металів при температурах 20-100°С, а термообробку...

Номер патенту: 61932

Опубліковано: 15.12.2003

Автор: Пле Домінік

МПК: C01B 39/00, B01J 20/18

Мітки: зв'язуючого, виробництва, цеоліту, спосіб, низьким, інертного, вмістом, кремнію, діоксиду, гранул

Формула / Реферат:

1. Спосіб виробництва цеолітових тіл, які складаються принаймні на 95% з цеоліту Х з низьким вмістом діоксиду кремнію, який включає такі стадії:(а) агломерація порошку цеоліту Х з низьким вмістом діоксиду кремнію за допомогою зв'язуючого, що містить принаймні 80% глини, що може перетворюватись на цеоліт,(б) формування суміші, отриманій за п. (а),(в) висушування і подальша кальцинація при температурі від 500

Номер патенту: 61107

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Огенко Володимир Михайлович, Чуйко Олексій Олексійович, Миронюк Іван Федорович, Яремчук Богдан Миколайович

МПК: C01B 33/18, C01B 33/12, C01B 33/158 ...

Мітки: діоксиду, кремнію, спосіб, високодисперсного, очищення

Формула / Реферат:

Спосіб очищення високодисперсного діоксиду кремнію від адсорбованого хлористого водню шляхом обробки зволоженим повітрям при температурі 300-500°С протягом від 40 с до 5 хв. при прямотечійному русі фаз газодисперсного потоку компонентів від зони змішування через зону термообробки до зони відділення очищеного продукту від газів, який відрізняється тим, що неочищений діоксид кремнію вводять через усі зони в зону змішування по осі...

Номер патенту: 52744

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Салдан Йосип Романович, Геращенко Ігор Іванович, Чуйко Олексій Олексійович, Пахлов Євген Михайлович, Пентюк Олександр Олексійович, Воронін Євген Пилипович, Луцюк Микола Борисович

МПК: A61K 9/10, C01B 33/18

Мітки: форми, кремнію, лікарської, високодисперсного, аморфного, спосіб, одержання, основі, діоксиду

Формула / Реферат:

1.         Спосіб одержання лікарської форми, який включає змішування аморфного високодисперсного діоксиду кремнію з дисперсійним середовищем, який відрізняється тим, що змішування здійснюють шляхом механічного диспергування при 5×102  - 1×104 об/хв протягом 20-40 хв. при масовому  співвідношенні аморфного високодисперсного діоксиду кремнію і дисперсійного середовища  0,5:100 -...

Номер патенту: 31280

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Чуйко Олексій Олексійович, Миронюк Іван Федорович, Яремчук Богдан Миколайович, Огенко Володимир Михайлович

МПК: B01F 3/00, C01B 33/18

Мітки: спосіб, діоксиду, високодисперсного, пристрій, кремнію, здійснення, коагулювання

Формула / Реферат:

1. Спосіб коагулювання високодисперсного діоксиду кремнію, що включає охолодження продуктів високотемпературної реакції тетрахлориду кремнію з парами води в полум'яному факелі від 1270-1670 до 550-720 К, введення газодисперсного потоку в коагуляційний пристрій зі швидкістю 6-10 м/с і витримування цього потоку в останньому до об'єднання аеродисперсних частинок продукту в агломерати з одночасним подальшим його охолодженням до 420-520 К, який...

Номер патенту: 51663

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Геррмансдерфер Дітер, Шелленбергер Вільгельм

МПК: H01L 21/306

Мітки: осушення, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб осушення поверхні підкладинки (1), який передбачає:занурення підкладинки у ванну з рідиною (2);пропускання над поверхнею ванни з рідиною газу, який розчиняється у цій рідині і тим самим знижує її поверхневий натяг; тарозділення підкладинки (1) і рідини (3) з такою швидкістю, що різниця між поверхневим натягом рідини, яка має вищу концентрацію розчиненого газу біля поверхні підкладинки, та рідини, яка має нижчу...

Номер патенту: 50882

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Вегге Олаф Трюгве, Хенріксен Кнут

МПК: B01J 19/24, C01B 33/18, C01B 33/12 ...

Мітки: пристрій, одержання, матеріалів, кремнію, кремнезему, містять, спосіб, кремній, аморфного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання аморфного кремнезему з матеріалів у вигляді частинок, що містять, щонайменше, 50% елементарного кремнію, в якому матеріал, що містить кремній подають в реактор спалення, який нагрівають за допомогою газового або нафтового пальника, аморфний кремнезем витягують після виходу з реактора спалення, який відрізняється тим, що, щонайменше, частина матеріалів, що містять кремній у вигляді частинок, подають в реактор спалення у...

Номер патенту: 50184

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Бакунцев Олександр Васильович, Василига Ірина Василівна

МПК: H01L 21/02

Мітки: спосіб, кремнію, окиснення

Формула / Реферат:

Спосіб окиснення кремнію, що включає розміщення кремнієвої пластини у високотемпературному кварцовому реакторі та створення електричного поля у окисному середовищі, який відрізняється тим, що електричне поле створюють прикладанням напруги між резистивним нагрівачем, котрий знаходиться на поверхні кварцового реактора, і термопарою, що знаходиться в середині реактора, при цьому негативний потенціал прикладають до нагрівача, а значення напруги...

Номер патенту: 50353

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович, Примаченко Віктор Євгенович, Каганович Елла Борисівна, Кізяк Ірина Миронівна

МПК: H01L 21/268, H01L 21/203

Мітки: спосіб, фотолюмінесцентної, плівки, пористого, кремнію, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування фотолюмінесцентної плівки пористого кремнію, що включає лазерну абляцію кремнієвої мішені в атмосфері інертного газу, осадження плівки із зворотного потоку часток ерозійного факела на розташовану в площині мішені підкладку та пасивацію внутрішньої поверхні плівки, який відрізняється тим, що абляцію здійснюють променем лазера ІAГ:Nd3+ з довжиною хвилі 1,06 мкм, густиною енергії імпульсу 15-30 Дж/см2, його тривалістю 8-12 нс...

Номер патенту: 50352

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Кізяк Ірина Миронівна, Каганович Елла Борисівна, Примаченко Віктор Євгенович, Манойлов Едуард Геннадійович

МПК: H01L 21/268, H01L 21/203

Мітки: плівки, нанокристалічного, фотолюмінесцентної, формування, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування фотолюмінесцентної плівки нанокристалічного кремнію, що включає абляцію лазером ІAГ : Nd3+ кремнієвої мішені в атмосфері аргону, осадження плівки із прямого потоку часток ерозійного факела на підкладку, розташовану на відстані від мішені по нормалі від неї, та активацію фотолюмінесценції, який відрізняється тим, що проводять лазерну абляцію променем довжиною хвилі 1,06 мкм, густиною енергії 15 - 30 Дж/см2, частотою імпульсів...

Номер патенту: 30347

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Яремчук Богдан Миколайович, Чуйко Олексій Олексійович, Огенко Володимир Михайлович, Миронюк Іван Федорович

МПК: B01J 19/00, C01B 33/12, C01B 33/18 ...

Мітки: пристрій, одержання, високодисперсного, здійснення, кремнію, діоксиду, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високодисперсного діоксиду кремнію, який включає введення газоподібних компонентів, представлених парами тетрахлориду кремнію, воднем і газом, що містять кисень, в зону змішування, їх змішування в цій зоні, введення утвореної реакційної суміші в зону спалювання і її спалювання в факелі полум'я, сформованому у вигляді кільця і огорнутому шаром водню, з подальшим охолодженням, коагуляцією і відділенням утвореного продукту...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Бакалець Ігор Павлович

МПК: B28D 5/00, C30B 33/00

Мітки: домішки, заданою, частини, вуглецю, кремнію, вирощеного, концентрацією, виділення, зливка, спосіб, монокристала

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...