Патенти з міткою «кремнію»

Номер патенту: 94180

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C01B 33/00

Мітки: чистоти, спосіб, очищення, технічної, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб очищення кремнію технічної чистоти, в якому на стадії очищення від домішок, металургійний кремній вводять в примусово переміщуваний розплав легкоплавкого металу при постійній температурі розплаву, величину якої обмежують летючістю легкоплавкого металу, здійснюють масоперенесення розчиненого кремнію, кристалізацію його на лицьовій поверхні кристалічної затравки при охолодженні її з тильної сторони в умовах, які дозволяють отримати...

Номер патенту: 58120

Опубліковано: 25.03.2011

Автори: Цвітков Ігор Валерійович, Гасик Михайло Іванович, Ладохін Сергій Васильович, Саф'ян Павло Павлович, Овчарук Анатолій Миколайович, Гладков Андрій Сергійович, Лапшук Тамара Володимирівна, Фільов Олександр Сергійович, Тутик Валерій Анатолійович

МПК: C01B 33/037

Мітки: наприклад, кремнію, домішок, фосфору, очищення, спосіб, бору, шкідливих

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення кремнію від шкідливих домішок, наприклад, бору і фосфору, що включає розігрів неочищеного кремнію до утворення розплаву з використанням висококонцентрованого джерела енергії, обробку газовою фазою, яка включає інертний газ, відновлювальний газ та пари води, який відрізняється тим, що як висококонцентроване джерело енергії використовують низьковакуумну газорозрядну електронну гармату, а спосіб очищення ведуть поступово в...

Номер патенту: 57950

Опубліковано: 25.03.2011

Автори: Єфіменко Володимир Вікторович, Устименко Дмитро Олександрович, Руденко Павло Тимофійович, Гуславська Кристина Володимирівна

МПК: C01B 33/00

Мітки: очищення, кремнію, сполук, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення кремнію і його сполук, що включає введення матеріалу в розплав, нагрівання розплаву, створення температурного градієнта уздовж тигля і кристалізацію матеріалу на охолодженій затравці, зануреній в розчин, який відрізняється тим, що очищення здійснюють завдяки зустрічному протиточному руху розчинника та речовини, що очищається у вертикальній колоні, у верхній частині якої розміщено тигель, в якому вирощують злитки очищеної...

Номер патенту: 57697

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Воробець Марія Михайлівна, Воробець Георгій Іванович, Волощук Анатолій Григорович

МПК: C30B 33/00, H01L 21/02, C25D 11/00 ...

Мітки: виготовлення, спосіб, поруватого, кремнію, пасивованого, поверхневої

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення поверхнево пасивованого поруватого кремнію, який включає механічне полірування, попередню хімічну обробку, електрохімічне анодування кремнієвих пластин р-типу провідності в електроліті HF(48 %):C2H5OH=1:1 за густини струму 4÷40 мА/см2 з часом анодування від 10 до 30 хв при кімнатній температурі та пасивування сформованого поруватого кремнію, який відрізняється тим, що відразу після завершення процесу...

Номер патенту: 92990

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Онищенко Олександр Веніамінович, Ушанкін Юрій Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 33/08, C01B 33/02, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, очищення, відходів, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб очищення відходів кремнію, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що процес ведуть в атмосфері аргону під тиском не менше 6000 Па та швидкості обертання тигля 0,4-2,0 об/хв., перед кристалізацією в розплав опускають затравку з вуглецевого матеріалу, збирають на неї чужорідні включення і витягують її з розплаву, а кристалізацію розплаву здійснюють зі...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Онищенко Володимир Євгенович, Позігун Сергій Анатолійович, Шевчук Андрій Леонідович, Черпак Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Марченко Степан Анатолійович, Шкульков Анатолій Васілієвіч

МПК: C30B 11/00, B22D 11/08, B22D 11/00 ...

Мітки: здійснення, методом, зливків, одержання, полікристалічного, кремнію, індукційним, пристрій, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Номер патенту: 53343

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Лисоченко Сергій Васильович, Примаченко Іван Андрійович, Чирчик Сергій Васильович, Смолич Олександр Сергійович

МПК: G01N 27/00

Мітки: визначення, спосіб, рекомбінаційних, технологічних, кремнію, пластинах, параметрів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в технологічних пластинах кремнію, що включає імпульсне освітлення поверхні напівпровідника світлом з довжиною хвилі, меншою краю власного поглинання напівпровідника, постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною електромагнітною хвилею, вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду від часу за величиною потужності, відбитої або яка пройшла через зразок електромагнітної хвилі, і...

Номер патенту: 92239

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Третяк Олег Васильович, Єременко Вадим Олексійович, Лисоченко Сергій Васильович, Примаченко Іван Андрійович, Жарких Юрій Серафимович, Карплюк Олександр Іванович

МПК: G01B 11/30

Мітки: пластин, кристалоструктури, кремнію, шорсткості, порушень, визначення, поверхні, спосіб, оброблених, механічної, глибини

Формула / Реферат:

Спосіб визначення шорсткості поверхні і глибини порушень кристалоструктури механічно оброблених пластин кремнію, що включає опромінення зразка світлом і реєстрацію характеристик відбитої зразком частини опромінення, який відрізняється тим, що опромінення здійснюють в області прозорості кремнію інфрачервоним світлом з довжиною хвиль 1,3-27 мкм, а шорсткість поверхні і глибину порушень кристалоструктури визначають за величиною довгохвильової...

Номер патенту: 92122

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Бакай Едуард Аполінарійович, Ракитянський Віктор Сергійович, Крапивко Микола Олександрович, Богомаз Валерій Ігоревич, Осауленко Микола Федорович, Севастьянов Володимир Валентинович

МПК: C30B 13/00, H05B 6/00

Мітки: пристрій, здійснення, високочистого, плавлення, методом, безтигельного, спосіб, зонного, одержання, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який відрізняється тим, що задану температуру в зоні плавлення вимірюють автоматично та підтримують постійною протягом всього процесу рафінування.2. Пристрій для одержання високочистого кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який містить індукційну піч з джерелом енергії та механізм переміщення, який відрізняється тим, що він додатково містить...

Номер патенту: 91973

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Пьопкен Тім, Зонненшайн Раймунд

МПК: C01B 33/03, C01B 33/027, C01B 33/029 ...

Мітки: одержання, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнію високої чистоти шляхом термічного розщеплення суміші, що містить силани та галогеносилани у газовій фазі та осадження суцільного кремнію, який відрізняється тим, що як суміш, що містить силани та галогеносилани, використовують газову суміш, яка містить моносилан, монохлорсилан і додаткові силани, а термічне розщеплення та осадження здійснюють при температурі в інтервалі 600-1250 °С та при тиску від 1 мбар до 100...

Номер патенту: 91965

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Пальмьєрі Бьяджо, Жанвуан П'єр, Жак Ремі, Ратт'є Мелані

МПК: C01B 33/24, C01B 33/187, C01B 33/20 ...

Мітки: осадженого, силікату, металу, одержання, кремнію, спосіб, діоксиду

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання силікату елемента, вибраного з лужних, лужноземельних або рідкоземельних металів, що включає реакцію між діоксидом кремнію і сульфатом вищезазначеного металу в реакторі, забезпеченому щонайменше одним пальником, заглибленим в розплавлену масу, при цьому вищезазначений заглибний пальник живлять газом, що містить кисень, і в реактор вводять надлишок відновлювального палива по відношенню до ефективно споживаного...

Номер патенту: 53010

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Панасюк Алла Денисівна, Уманський Олександр Павлович, Тамаргазін Олександр Анатолієвич, Довгаль Андрій Григорович, Коновал Володимир Павлович, Костенко Олексій Дмитрович

МПК: C22C 29/02

Мітки: карбіду, основі, кремнію, матеріал, зносостійкий, композиційний

Формула / Реферат:

Композиційний зносостійкий матеріал на основі карбіду кремнію, який містить оксид алюмінію, який відрізняється тим, що додатково містить оксид цирконію при такому співвідношенні компонентів, мас. %: оксид алюмінію 32-36 оксид цирконію 15-17 карбід кремнію решта.

Номер патенту: 91885

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 15/00, C30B 33/00

Мітки: кремнію, переробки, відходів, виробництва, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб переробки відходів виробництва кремнію, що включає плавлення відходів виробництва кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, витягування зливка із розплаву на затравку, який відрізняється тим, що процес здійснюють з відкритим екрануванням кварцового тигля з розплавом в атмосфері аргону під тиском не більше 200 Па та при величині його потоку не менше 1500 л/год., витримку розплаву здійснюють протягом 6-8 годин, витягування зливка...

Номер патенту: 52152

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Масол Ігор Віталієвич

МПК: C30B 35/00, C30B 23/00

Мітки: вирощування, пристрій, карбіду, кремнію, монокристалів, алманітів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію (алманітів), що містить кристалізатор і затравку, причому кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6 мм рт. ст.),...

Номер патенту: 52151

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Масол Ігор Віталієвич

МПК: C30B 23/00, C30B 35/00

Мітки: карбіду, кремнію, алманіту, вирощування, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію алманіту, який полягає у тому, що монокристали карбіду кремнію вирощують із кремнію і вуглецю, суть якого полягає у тому, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1x1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка...

Номер патенту: 91658

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Жекул Людмила Олександрівна, Різун Анатолій Романович, Муштатний Григорій Павлович, Петрик Адольф Гаврилович, Голень Юрій Володимирович, Морев Геннадій Миколайович

МПК: C01B 33/00, B02C 19/18

Мітки: електрогідроімпульсного, дроблення, металургійного, кремнію, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для електрогідроімпульсного дроблення металургійного кремнію, що містить технологічну ємність, заповнену рідиною, в якій розміщено циліндричну розрядну камеру з позитивним та негативним, яким є днище розрядної камери, електродами, які з'єднані з генератором імпульсних струмів, і з класифікатором, що виконаний у вигляді розташованих радіально вертикальних пластин, який відрізняється тим, що розрядна камера оснащена кільцевою...

Номер патенту: 91615

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Муштатний Григорій Павлович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Жекул Людмила Олександрівна, Голень Юрій Володимирович, Різун Анатолій Романович, Морев Геннадій Миколайович, Петрик Адольф Гаврилович

МПК: B02C 19/18

Мітки: кремнію, пристрій, дроблення, електрогідроімпульсного, металургійного

Формула / Реферат:

Пристрій для електрогідроімпульсного дроблення металургійного кремнію, що містить технологічну ємність, заповнену рідиною, в якій розміщено циліндричну розрядну камеру з позитивним та негативним, яким є днище розрядної камери, електродами, які з'єднані з генератором імпульсних струмів, і класифікатором, що виконаний у вигляді встановлених із зазором відносно одна одної вертикальних пластин, який відрізняється тим, що пластини класифікатора...

Номер патенту: 90286

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Ігорович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/023, C01B 33/021 ...

Мітки: високого, одержання, алюмотермічний, ступеня, спосіб, чистоти, кремнію

Формула / Реферат:

Алюмотермічний спосіб одержання кремнію високого ступеня чистоти з діоксиду кремнію SiO2, який включає розміщення в реакторі тигля з легкоплавким металом, нагрів тигля в вакуумі та потоці аргону з одержанням розплаву, введення у розплав алюмінію та діоксиду кремнію, відновлення SiO2 алюмінієм в розплаві легкоплавкого металу до елементарного кремнію, кристалізацію кремнію, відділення одержаних кристалів кремнію від розплаву з наступною...

Номер патенту: 49266

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Косінов Микола Васильович, Каплуненко Володимир Георгійович

МПК: C01B 33/037, C01B 33/00, C01B 33/02 ...

Мітки: отримання, порошку, спосіб, сонячного, нанотехнологія, чистоти, високої, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання порошку кремнію високої чистоти, що включає подрібнення металургійного кремнію і обробку його водним розчином неорганічних кислот для відділення домішок, який відрізняється тим, що подрібнення металургійного кремнію здійснюють у воді шляхом пропускання імпульсного електричного струму через гранули кремнію, здійснюють сублімацію домішок в проміжках між кристалітами з подальшим розділенням домішок і кристалітів кремнію шляхом...

Номер патенту: 49041

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Різун Анатолій Романович, Жекул Людмила Олександрівна, Кононов Вячеслав Юрійович, Морев Геннадій Миколайович, Муштатний Григорій Павлович, Голень Юрій Володимирович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Сиворижська Наталя Іванівна

МПК: B02C 19/00, C01B 33/00

Мітки: металургійного, пристрій, дроблення, кремнію, електрогідроімпульсного

Формула / Реферат:

Пристрій для електрогідроімпульсного дроблення металургійного кремнію, що містить заповнену рідиною циліндричну розрядну камеру з розміщеними в ній класифікатором, що є негативним електродом, і позитивними електродами, які з'єднані з генератором імпульсних струмів, та розташований зверху на камері завантажувальний бункер, який відрізняється тим, що класифікатор виконано у вигляді стакана, бокова поверхня якого складається з вертикальних...

Номер патенту: 48502

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Лисоченко Сергій Васильович, Примаченко Іван Андрійович, Жарких Юрій Серафимович, Карплюк Олександр Іванович, Єременко Вадим Олексійович, Третяк Олег Васильович

МПК: G01B 11/30

Мітки: кремнію, мікродефектного, приповерхневого, товщини, пластинах, спосіб, визначення, шару

Формула / Реферат:

Спосіб визначення товщини приповерхневого мікродефектного шару на пластинах кремнію, що включає опромінення зразка світлом і реєстрацію характеристик відбитої зразком частини опромінення, який відрізняється тим, що опромінення проводять в області прозорості кремнію інфрачервоним світлом з довжиною хвиль 1,3-27 мкм, а товщину приповерхневого мікродефектного шару на пластинах кремнію визначають за величиною довгохвильової межі густини шумів...

Номер патенту: 89918

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Бакай Едуард Аполінарійович, Тарасевич Юрій Стефанович, Огенко Володимир Михайлович

МПК: C01B 33/00

Мітки: кремнію, підвищеної, чистоти, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнію підвищеної чистоти, який відрізняється тим, що взаємодію вихідних компонентів проводять при їх циркуляції в замкнутому технологічному циклі, переважно в потоці водню, активуючи компоненти дією механічних інерційних сил з руйнуванням твердих частинок в результаті стиску, тертя та зіткнення їх між собою, утворенням в електричному полі енергетично насичених кремніє- та водневмісних компонентів з наступною їх...

Номер патенту: 47970

Опубліковано: 25.02.2010

Автори: Каплуненко Володимир Георгійович, Косінов Микола Васильович

МПК: B22F 9/14, C01B 33/00

Мітки: кремнію, порошку, отримання, установка, косінова-каплуненка, високої, чистоти

Формула / Реферат:

1. Установка для отримання порошку кремнію високої чистоти, що містить реактор з вхідним і вихідним патрубками для прокачування робочої рідини, електроди, встановлені в реакторі і підключені до виходів керованого генератора імпульсів, насос, з'єднаний трубопроводом з вхідним патрубком для прокачування робочої рідини, яка відрізняється тим, що додатково містить посудину для відділення домішок з вхідним патрубком для дисперсії кремнію,...

Номер патенту: 89744

Опубліковано: 25.02.2010

Автор: Капінус Євген Ілліч

МПК: C25D 9/00, C25D 3/02, H01L 31/00 ...

Мітки: осадження, кремнію, спосіб, електрохімічного, метали

Формула / Реферат:

1. Спосіб електрохімічного осадження кремнію на метали, що включає приготування електроліту розчиненням тетраетоксисилану, як джерела кремнію, у органічному розчиннику в присутності фонового електроліту, зокрема розчинів органічних солей, пропускання випрямленого електричного струму від графітового анода через електроліт до металевого катода при перемішуванні електроліту з осадженням на катоді кремнію, який відрізняється тим, що як розчинник...

Номер патенту: 89717

Опубліковано: 25.02.2010

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 11/00, C04B 35/00, C04B 35/565 ...

Мітки: обробки, розплавленого, спосіб, виробництва, застосування, тигель, кремнію

Формула / Реферат:

1. Тигель для обробки розплавленого кремнію, який відрізняється тим, що включає основний корпус з нижньою поверхнею та боковими стінками, які обмежують внутрішній об'єм, основний корпус містить:- принаймні 65 мас. % карбіду кремнію,- від 12 до 30 мас. % складової, вибраної з оксиду або нітриду кремнію, причому основний корпус також включає принаймні одне покриття з оксиду кремнію та/або нітриду кремнію, принаймні на...

Номер патенту: 89661

Опубліковано: 25.02.2010

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C01B 33/00, C01B 33/02, C01B 33/021 ...

Мітки: діоксиду, одержання, зливка, установка, кремнію, чистого

Формула / Реферат:

Установка для одержання зливка чистого кремнію з діоксиду кремнію шляхом його алюмотермічного відновлення, яка містить реактор для відновлення кремнію з діоксиду кремнію у вакуумі або середовищі інертного газу, розташовану в реакторі піч (7), тигель (5) для розміщення в ньому розчину кремнію у розплаві легкоплавкого металу, пристрій (9) для постійного перемішування вказаного розчину-розплаву, яка відрізняється тим, що реактор являє собою...

Номер патенту: 89460

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Бурцев Федір Володимирович, Тарновський Олександр Васильович, Котвицький Денис Вадимович, Бакай Едуард Аполлінарійович, Ройтман Юхим Мойсейович

МПК: C01B 33/037, C01B 33/02

Мітки: одержання, спосіб, кремнію, порошку, полікристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію сонячної градації, який включає багатостадійну хімічну обробку технічного кремнію, який відрізняється тим, що хімічну обробку кремнію здійснюють кислотою в три стадії, на першій - використовують хлористоводневу кислоту, на другій - азотну кислоту й на третій - фтористоводневу кислоту, причому на першій стадії використовують технічний кремній, а на другій і третій стадіях кремній,...

Номер патенту: 89438

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Зонненшайн Раймунд, Петрік Адольф, Шварцманн Леонід, Касаткін Юрій, Адлер Петер

МПК: B01J 8/02, C01B 33/04, B01J 8/00 ...

Мітки: виробництва, спосіб, установка, безперервного, кремнію, тетрахлориду, моносилану

Формула / Реферат:

1. Установка для безперервного виробництва моносилану та тетрахлориду кремнію шляхом каталітичного диспропорціонування трихлорсилану при робочій температурі та тиску від 1 до 50 бар абс., що містить такі елементи:- протиточний реактор (1), що має подвійну стінку (2),- щонайменше один шар каталізатора (4), розташованого у протиточному реакторі (1) та оснащеного каталізатором (3),- конденсатор (5) у верхній частині...

Номер патенту: 89284

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 11/00, C04B 35/584, B22D 41/02 ...

Мітки: кристалізації, виготовлення, тигель, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Тигель (1) для кристалізації кремнію, який включаєa) основний корпус (2), який включає нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які обмежують внутрішній об'єм;b) захисне покриття на основі нітриду кремнію (3), спрямоване до внутрішнього об'єму;причому вищезгадане захисне покриття (3) містить від 80 до 95 мас. % нітриду кремнію, від 5 до 20 мас. % низькотемпературної мінеральної зв'язувальної речовини, загальний...

Номер патенту: 46834

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Болтовець Микола Силович, Уріцкая Надія Ярославівна, Кривуца Валентин Антонович, Голинная Тетяна Іванівна, Личман Кирило Олексійович, Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/02, H01L 29/86 ...

Мітки: p-i-n-діод, надвисокочастотний, карбіду, кремнію

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...

Номер патенту: 88964

Опубліковано: 10.12.2009

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: B22D 41/02, C01B 33/021, C04B 35/14 ...

Мітки: спосіб, кремнію, тигель, виготовлення, кристалізації

Формула / Реферат:

1. Тигель (1) для кристалізації кремнію, який включаєa) основний корпус (2), який включає нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які обмежують внутрішній об'єм;b) шар підкладки (25), який включає від 80 до 100 мас. % нітриду кремнію на поверхні бокових стінок (22), спрямованій до внутрішнього об'єму;c) проміжний шар (3), який включає від 50 до 100 мас. % кремнезему над шаром підкладки (25); таd) поверхневий шар...

Номер патенту: 88748

Опубліковано: 10.11.2009

Автори: Рябік Павло Васильович, Гриднєва Тетяна Василівна, Сорока Петро Гнатович, Смірнова Олена Степанівна, Тертишний Олег Олександрович

МПК: C01B 33/12

Мітки: рисового, кремнію, діоксиду, одержання, лушпиння, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання діоксиду кремнію із рисового лушпиння, що включає екстракцію органічних складових рисового лушпиння, промивання, сушіння та термообробку нерозчинного залишку в середовищі повітря чи кисню, який відрізняється тим, що перед екстракцією рисове лушпиння промивають, сушать та подрібнюють до частинок з середнім розміром 40-200 мкм з проведенням екстракції органічних складових та додатково неорганічних домішок металів в дві стадії:...

Номер патенту: 44908

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 33/00

Мітки: спосіб, кремнію, пластин, кремнієвих, мультикристалічного, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію, що включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини, який відрізняється тим, що додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані 0,1-10 мм.

Номер патенту: 88108

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Смірнова Олена Степанівна, Тертишний Олег Олександрович, Біла Анна Олександрівна, Сорока Петро Гнатович

МПК: C04B 35/00, C01B 31/30, C01B 31/36 ...

Мітки: одержання, карбіду, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання карбіду кремнію, що включає промивку, сушіння та термічну обробку в середовищі аргону шихти рисової лузги, при масовому співвідношенні компонентів SіO2:С=1:0,6, який відрізняється тим, що перед термообробкою шихту рисової лузги подрібнюють до середнього розміру частинок dcp=40-200 мкм з подальшою екстракцією органічних та неорганічних сполук рисової лузги сумішшю 10-20 %-ї сірчаної кислоти з добавкою 5-15 % оцтової кислоти,...

Номер патенту: 87842

Опубліковано: 25.08.2009

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 15/10

Мітки: спосіб, кристалізації, кремнію, кристалізатор, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для кристалізації кремнію, який міститьа) основну частину (2), яка містить нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які визначають внутрішній об'єм,б) проміжний шар (3), який містить від 50 до 100 мас. % кремнезему на поверхні бокових стінок (22), повернутих до внутрішнього об'єму, ів) поверхневий шар (4), який містить від 50 до 100 мас. % нітриду кремнію, до 50 мас. % діоксиду кремнію і до 20 мас....

Номер патенту: 87714

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Майєр Юрген, Шольц Маріо

МПК: C08L 83/04, C08K 3/36, C08K 9/00 ...

Мітки: застосування, діоксид, спосіб, силіконовому, кремнію, одержання, каучуку, гідрофобний

Формула / Реферат:

1. Гідрофобний діоксид кремнію, одержаний з силану за методом гідролізу в полум'ї, легований з використанням від 0,000001 до 40 мас. % калію та гідрофобізований за допомогою поверхневої модифікації.2. Гідрофобний діоксид кремнію за п. 1, який відрізняється тим, що легування калієм здійснене за допомогою аерозолю та поверхнева модифікація здійснена з використанням однієї або декількох сполук з таких груп:а) органосилани типу...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Куліковський Станіслав Володимирович, Кравченко Віктор Леонович, Єлісєєв Валерій Андрійович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06, C01B 33/00 ...

Мітки: пристрій, розплаву, кремнію, одержання, індикацією, протікання, сигналізації

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Номер патенту: 87421

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Тарасевич Олексій Юрійович, Богомаз Валерій Ігоревич, Тарасевич Юрій Стефанович, Бакай Едуард Аполінарійович, Огенко Володимир Михайлович

МПК: F27B 9/00, C01B 33/00, F01B 9/00 ...

Мітки: установка, кремнію, високочистого, одержання

Формула / Реферат:

1. Установка для одержання високочистого кремнію термохімічним розкладанням кремнієвмісних сполук, яка включає корпус, патрубки введення компонентів та виведення продуктів реакції, нагнітачі, реакційну камеру, нагрівники, теплообмінники та систему керування процесом, яка відрізняється тим, що вона додатково містить ущільнювальний механізм, який включає щонайменше один поршень, переважно плунжерного типу, розташований в реакційній камері та...

Номер патенту: 87187

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Кисельов Віталій Семенович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: C01B 31/36, C01B 33/00

Мітки: виготовлення, кремнію, виробів, спосіб, карбіду

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення виробів з карбіду кремнію, що включає використання вуглецевої матриці потрібної форми з відкритою пористістю, просочення її рідким кремнієм та синтез карбіду кремнію, який відрізняється тим, що використовують вуглецеву матрицю з відстанню між порами не більше 2Н, де Н товщина синтезованого карбіду кремнію, просочення її рідким кремнієм виконують в атмосфері інертного газу всмоктуванням кремнію в пори методом зниження тиску...

Номер патенту: 87126

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Гузенко Наталія Вікторівна, Носач Людмила Вікторівна, Пахлов Євгеній Михайлович, Воронін Євгеній Пилипович

МПК: A61K 9/10, C09C 1/28, C01B 33/14 ...

Мітки: діоксиду, кремнію, високодисперсного, спосіб, модифікування

Формула / Реферат:

1. Спосіб модифікування високодисперсного діоксиду кремнію, який включає перемішування діоксиду кремнію з нелеткими порошкоподібними сполуками у газовому дисперсійному середовищі, який відрізняється тим, що перемішування здійснюють механічним шляхом в атмосфері сольватанту при масовому співвідношенні аморфного високодисперсного діоксиду кремнію і сольватанту 5:1-1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як нелеткі...