Патенти з міткою «кремнію»

Номер патенту: 41317

Опубліковано: 12.05.2009

Автор: Новіков Анатолій Олександрович

МПК: C01B 33/02

Мітки: спосіб, виготовлення, кремнію, нього, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнію і шарів з нього, що включає генерування газової плазми в реакторі за допомогою електродів, інжектування в нього сировини, яка містить кремнезем і відновлювач, який відрізняється тим, що генерування плазми здійснюють запалюванням між електродами високовольтного тліючого розряду, сировину, що містить кремнезем, або виріб з неї поміщають у катодну зону високовольтного тліючого розряду і опромінюють потоком іонів та...

Номер патенту: 86336

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Огенко Володимир Михайлович, Тарасевич Юрій Стефанович, Ліпашов Віктор Олексійович, Тарасевич Олексій Юрійович, Бакай Едуард Аполінарійович, Богомаз Валерій Ігоревич

МПК: C01B 33/027, F01B 9/02, C01B 33/00 ...

Мітки: одержання, здійснення, кремнію, установка, спосіб, полікристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію термохімічним розкладанням газоподібних кремнієвмісних сполук, який відрізняється тим, що вказане розкладання проводять при дії інерційних, переважно відцентрових сил, забезпечуючи в силовому полі утворення і стиснення потоку вихідних компонентів і протитечійного потоку одержаних продуктів, переважно водню, з перенесенням теплової енергії в потоках, ущільнення утворених частинок та їх...

Номер патенту: 85793

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Тарасевич Олексій Юрійович, Харлім Валерій Михайлович, Тарасевич Юрій Стефанович, Бакай Едуард Аполінарійович, Огенко Володимир Михайлович

МПК: C01B 33/00, B02C 13/22

Мітки: здійснення, сплавів, порошкоподібних, одержання, активованих, кремнію, пристрій, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання активованих порошкоподібних сплавів кремнію, який включає процеси приготування суміші кремнію з легкоплавким компонентом, їх термохімічну взаємодію і активацію в газовому середовищі реактора, який відрізняється тим, що процеси взаємодії і активації компонентів проводять, періодично змінюючи циркулюючі потоки в реакторі з утворенням шару твердих компонентів з наступним його руйнуванням при одночасній дії інерційних сил в...

Номер патенту: 85324

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Тарасевич Юрій Стефанович, Борисюк Сергій Михайлович, Тарасевич Олексій Юрійович, Бакай Едуард Аполінарійович, Огенко Володимир Михайлович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/027, F01B 9/02 ...

Мітки: одержання, кремнію, високочистого, пристрій, спосіб, здійснення

Формула / Реферат:

1.    Спосіб одержання високочистого кремнію, який включає термохімічний розклад очищених кремнійвмісних сполук в присутності газоподібних компонентів, утворення та уловлювання дисперсних частинок в псевдозрідженому шарі і розділення одержаних продуктів, який відрізняється тим, що в реактор термохімічного розкладу очищених кремнійвмісних сполук періодично подають вихідні компоненти в присутності відновника та формують дисперсні...

Номер патенту: 85290

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Тарасевич Юрій Стефанович, Бакай Едуард Аполінарійович, Тарновський Олександр Васильович, Огенко Володимир Михайлович

МПК: C01B 33/00, C01B 33/04

Мітки: спосіб, кремнію, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнію, який включає послідовні процеси утворення дрібнодисперсної кремнієвмісної речовини, відновлення її до кремнію, утворення з активними металами його сплавів та їх взаємодії в умовах депасивації їх поверхні в псевдозрідженому шарі з водневмісними сполуками з утворенням силанів, їх низькотемпературного очищення та одержання кремнію при нагріванні, який відрізняється тим, що в технологічному процесі одночасно створюють...

Номер патенту: 85176

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 33/00

Мітки: необхідним, спосіб, одержання, кремнію, вуглецю, вмістом, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію з необхідним вмістом вуглецю, що включає визначення концентрації атомів вуглецю на нижньому торці кристала, відрізання від його нижнього торця частини з підвищеним вмістом вуглецю, повторне визначення концентрації атомів вуглецю на нижньому торці зливка, який відрізняється тим, що довжину частини монокристала з підвищеним вмістом вуглецю розраховують за формулою:

Номер патенту: 37173

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Брей Володимир Вікторович, Мележік Олександр Васильович, Бодюл Наталія Сергіївна, Прудіус Світлана Володимирівна

МПК: B01J 21/06

Мітки: одержання, змішаного, кремнію, оксиду, спосіб, цирконію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання змішаного оксиду цирконію та кремнію, що включає приготування розчину (розчинів), що містить (містять) речовину - похідне кремнієвої кислоти, сполуку цирконію та поверхнево-активну речовину, витримку розчину (реакційної суміші) до утворення гелю та термічну обробку гелю, який відрізняється тим, що як речовину - похідне кремнієвої кислоти, беруть мономер, олігомер, полімер та/або золь кремнієвої кислоти, як сполуку цирконію...

Номер патенту: 84653

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Марончук Ігор Ігорович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Комар Фідель Леонідович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02, C01B 33/037 ...

Мітки: кремнію, очищення, спосіб, металургійного

Формула / Реферат:

Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає введення кремнію в розплав металу-розчинника, нагрівання цього розплаву, кристалізацію кремнію на кристалічній затравці, що опущена в розплав, масоперенос розчиненого кремнію до фронту кристалізації, який відрізняється тим, що введення металургійного кремнію в розплав металу-розчинника здійснюють шляхом безперервного подавання його при фіксованій температурі, величину якої обмежують...

Номер патенту: 84467

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Лисоченко Сергій Васильович, Жарких Юрій Серафимович, Третяк Олег Васильович

МПК: C01B 33/158, H01L 25/00, C01B 33/00 ...

Мітки: діелектричних, пластини, кремнезему, структурному, кремнію, плівок, одержання, спосіб, поверхні, аерогелю, стані

Формула / Реферат:

Спосіб одержання діелектричних плівок кремнезему на поверхні пластини кремнію в структурному стані аерогелю, що включає гідратацію, гідролітичну полімеризацію сполуки кремнію з утворенням силоксанових зв'язків і наступну дегідратацію, який відрізняється тим, що синтез сполуки кремнію, її подальші гідратацію, гідролітичну полімеризацію з утворенням силоксанових зв'язків і дегідратацію проводять в одному технологічному циклі при нанесенні на...

Номер патенту: 84428

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Ішібаші Нарюасу, Брандль Пауль, Кобаяші Хітоші, Шумахер Кай

МПК: C08K 3/36, C01B 33/12, C01B 33/18 ...

Мітки: умовах, діоксиду, застосування, кремнію, одержання, спосіб, пірогенних, порошок, виготовлений

Формула / Реферат:

1. Порошок діоксиду кремнію, виготовлений в пірогенних умовах, у вигляді сполук первинних частинок, який відрізняється тим, що має питому площу поверхні BET, яка складає 300 ± 25 м2/г, а сполуки первинних частинок мають наступні характеристики: - середню площу 4800-6000 нм2; - середній еквівалентний діаметр кола 60-80 нм, а також - середній розмір сполук 580-750 нм.2. Порошок за п. 1, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 84153

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Шібасакі Такейоші, Шумахер Кай, Ішібаші Нарюасу, Рохніа Матіас, Брандес Ральф, Якобсен Хауке

МПК: C08K 3/36, C01B 33/18, C01B 33/12 ...

Мітки: містить, виготовлений, діоксиду, водна, яка, порошок, дисперсія, виробництва, застосування, умовах, пірогенних, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Порошок діоксиду кремнію, виготовлений в пірогенних умовах, у вигляді сполук первинних часток, який відрізняється тим, що має питому площу поверхні BET, яка складає від 90±15 м2/г, а сполуки первинних часток мають наступні характеристики:- середню площу 10000-20000 нм2,- середній еквівалентний діаметр кола 90-130 нм, а також- середній розмір сполук 1000-1400 нм.2. Порошок діоксиду кремнію за п. 1, який...

Номер патенту: 35367

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Швець Євген Якович, Воляр Роман Миколайович, Пожуєв Володимир Іванович, Головко Юрій Вікторович, Єгоров Сергій Геннадійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, кремнію, спосіб, вирощування, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала, відрив монокристала від розплаву, охолодження монокристала, який відрізняється тим, що товщину розплаву під фронтом кристалізації монокристала підтримують рівною 0,3...0,5 радіусу...

Номер патенту: 34252

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Путіліна Ольга Миколаївна, Мухін Володимир Володимирович, Алтухова Наталія Миколаївна

МПК: G01N 31/22

Мітки: пилу, діоксиду, спосіб, визначення, кремнію, вільного

Формула / Реферат:

Спосіб визначення вільного діоксиду кремнію в пилу, що включає озолення проби, обробку сумішшю соляної і азотної кислот, повторне озолення, сплавлення, розчинення плаву, введення молібдату амонію, винної та аскорбінової кислот і подальшу кількісну реєстрацію вільного діоксиду кремнію спектрофотометричним методом, який відрізняється тим, що пробу попередньо обробляють 15-20 ваг.% водним розчином гідроксиду натрію і окремо визначають розчинений...

Номер патенту: 83773

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Толмачов Олександр Володимирович, Матвеєвська Неонила Анатоліївна, Єрмолаєва Юлія Володимирівна, Семиноженко Володимир Петрович

МПК: C30B 28/00, B82B 3/00

Мітки: діоксиду, нанотемплати, наноструктур, кремнію, спосіб, одержання, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктур на основі нанотемплат з діоксиду кремнію, який включає одержання нанотемплат з діоксиду кремнію в розчині, функціоналізацію поверхні нанотемплат біфункціональними молекулами триамінопропілтриетоксисилану, одержання нанокристалів в розчині і їх осадження шляхом перемішування одержаних розчинів з формуванням оболонки на нанотемплатах, який відрізняється тим, що функціоналізацію ведуть додаванням до розчину...

Номер патенту: 83667

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: КЕРНЕР Дітер, Флеш Юрген, Шумахер Кай, Шіллінг Роланд, Шінер Томас

МПК: C08K 3/36, C01B 33/12, C01B 33/18 ...

Мітки: пірогенних, силіконовий, виготовлений, кремнію, спосіб, умовах, поліефір, каучук, порошок, діоксиду, містять, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Порошок діоксиду кремнію, виготовлений в пірогенних умовах, у вигляді сполук первинних часток, який відрізняється тим, що має площу поверхні BET, яка складає від 200 ± 25 м2/г, а первинні частки мають наступні характеристики:- середню площу 7000-12000 нм2;- середній еквівалентний діаметр кола 80-100 нм, а також - середній розмір сполук 850-1050 нм.2. Порошок діоксиду кремнію за п. 1, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 34160

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Єгоров Сергій Геннадійович, Пожуєв Володимир Іванович, Швець Євген Якович, Воляр Роман Миколайович, Головко Юрій Вікторович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб, кремнію, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського в середовищі інертного газу, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, щознаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра і вирощування циліндрової частини монокристала, який відрізняється тим, що при довжині...

Номер патенту: 82670

Опубліковано: 12.05.2008

Автори: Мельников Борис Іванович, Утєшев В'ячеслав Михайлович, Савченко Марія Олегівна

МПК: C01B 33/12, C01B 33/18

Мітки: діоксиду, кремнію, спосіб, модифікованого, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання модифікованого діоксиду кремнію, що включає приготування колоїдного золю діоксиду кремнію при інтенсивному перемішуванні з наступним фільтруванням осаду та його сушінням, який відрізняється тим, що колоїдний золь діоксиду кремнію готують при рН 9,4-9,6, перемішують протягом 5-20 хв., окремо готують розчин карбаміду й формальдегіду при співвідношенні компонентів 1:(1,2-1,5) відповідно, з наступним його введенням в колоїдний...

Номер патенту: 31715

Опубліковано: 25.04.2008

Автор: Радчук Анатолій Олександрович

МПК: B22D 1/00, C21C 1/00, C22C 33/00 ...

Мітки: кремнію, спосіб, чавуну, модифікації, карбідом, графітизуючої

Формула / Реферат:

Спосіб модифікації чавуну, який відрізняється тим, що здійснюють графітизуючу модифікацію чавунного лиття, для чого шлам карбіду кремнію просіюють через сито для отримання часток розміром від 100 до 10 мкм, які додають у розплав чавуну перед розливом його у форми, у співвідношенні 100-250 г карбіду кремнію на 1 т розплаву чавуну.

Номер патенту: 82609

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Перлет Габріеле, Шеффлер Йохен, Лортц Вольфганг

МПК: A01N 59/00, A01P 7/04, A01N 25/04 ...

Мітки: містить, боротьби, інсектицидна, гідрофобний, спосіб, дисперсія, яка, одержання, кремнію, діоксид, комахами

Формула / Реферат:

1. Дисперсія з інсектицидною дією, яка містить у % мас.: гідрофобний діоксид кремнію 0,5-20 желеутворювальну або підвищуючу в'язкість добавку 0,01-10 консервант 0,1-1 воду решта. 2. Дисперсія за п. 1, яка відрізняється тим, що додатково містить 0-1 мас. % поверхнево-активної речовини.3....

Номер патенту: 82305

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Муравйова Ірина Геннадіївна, Жучков Сергій Михайлович, Шуліко Станіслав Трохимович, Семенов Юрій Станіславович, Большаков Вадим Іванович

МПК: G01N 33/20, C21B 5/00

Мітки: прогнозування, вмісту, спосіб, чавуні, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб прогнозування вмісту кремнію в чавуні, що включає визначення технологічних параметрів доменної плавки, у процесі якої в доменну піч, обладнану засобами вимірювання відстані від технологічного нуля до поверхні засипання, порціями через колошник завантажують шихтові матеріали й здійснюють оперативний контроль хімічного складу чавуну з визначенням поточних його значень на випуску продуктів плавки, який відрізняється тим, що після...

Номер патенту: 81954

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Таран Людмила Володимирівна, Федорук Ростислав Мефодійович, Дегтярьова Лідія Михайлівна

МПК: C04B 35/565, C04B 35/56, C04B 35/111 ...

Мітки: виготовлення, виробів, нітридкремнієвій, карбіду, кремнію, зв'язці, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення виробів із карбіду кремнію на нітридкремнієвій зв'язці, що включає приготування шлікеру із тонкомелених карбіду кремнію, кремнію кристалічного і глинистої добавки, попереднє покриття плівкою робочої поверхні гіпсової форми, заливання шлікеру в гіпсову форму, вилучення відлитого сирцю з форми, сушіння і відпал у середовищі азоту, який відрізняється тим, що плівку для покриття робочої поверхні гіпсової форми одержують із...

Номер патенту: 30445

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Тутик Валерій Анатолійович, Воляр Роман Миколайович, Гасик Михайло Іванович, Пожуєв Володимир Іванович, Єгоров Сергій Геннадійович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кремнію, вирощування, розплаву, кисню, домішки, заданою, концентрацією, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву із заданою концентрацією домішки кисню по методу Чохральського, що включає приготування початкової шихти і її розплавлення в кварцовому тиглі, вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, що знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування...

Номер патенту: 81534

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Шлапак Анатолій Миколайович, Рагуля Андрій Володимирович, Силенко Петро Митрофанович

МПК: C01B 31/36, C30B 25/00, C30B 29/36 ...

Мітки: кремнію, спосіб, нановолокон, карбіду, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення нановолокон карбіду кремнію, який включає газофазне хімічне осадження карбіду кремнію з метилтрихлорсилану на розігріту підкладку з застосуванням каталізатора, який відрізняється тим, що як підкладку та каталізатор використовують стальну пластину, а синтез здійснюють в температурному діапазоні 1150-1250 °С протягом 2-20 хв.

Номер патенту: 81278

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Каілло Фредерік, Кобаяші Йошіфумі, Тані Казумі, Шімізу Коічі

МПК: C23C 14/28, C23C 14/08, C23C 14/14 ...

Мітки: вміщення, посудина, кремнію, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Посудина для одержання або розплавлення рідкого кремнію, яка включає кремнієве складне напилене термет-покриття, яке включає металевий кремній, нітрид кремнію та оксид кремнію, принаймні на частині внутрішньої стінки посудини для вміщення кремнію, яка відрізняється тим, що кремнієве складне напилене термет-покриття має компонентне співвідношення металевого кремнію (X):нітриду кремнію (Y):оксиду кремнію (Z) X:Y:Z:=20-50:77-30:3-20.2....

Номер патенту: 80951

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Чередник Інна Миколаївна, Проценко Зоя Миколаївна, Бугаєнко Валерій Васильович

МПК: C01B 33/02, C25B 1/00

Мітки: електроліт, кремнію, порошку, одержання

Формула / Реферат:

Електроліт для одержання порошку кремнію, що містить оксид кремнію (IV), хлорид калію, тетрафторборат калію, який відрізняється тим, що додатково містить хлорид натрію та гексафторсилікат натрію при такому співвідношенні компонентів, мас.%: оксид кремнію (IV) 4,0-8,0 хлорид калію 6,9-10,9 тетрафторборат калію 58,1-62,1 ...

Номер патенту: 26471

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Тутик Валерій Анатолійович, Червоний Іван Федорович, Пожуєв Володимир Іванович, Гасик Михайло Іванович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, спосіб, вирощування, кремнію, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає розміщення початкового кремнію в кварцовому тиглі, розігрівання і розплавлення його, затравлювання і вирощування монокристала заданих діаметра і довжини, який відрізняється тим, що початковий кремній в кварцовому тиглі розігрівають і розплавляють високовольтним тліючим розрядом.

Номер патенту: 80398

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Маслов Володимир Петрович, Саворовський Федір Григорович

МПК: G02B 5/08, H01L 21/205, G02B 1/00 ...

Мітки: дзеркало, кремнію, карбіду

Формула / Реферат:

Дзеркало з карбіду кремнію, в якому виконано полегшення у вигляді сот, закритих з тильного боку пластиною, а з протилежного боку розташована передня робоча пластина, на якій виконана оптична поверхня, яке відрізняється тим, що на передню робочу пластину нанесено шар напівпровідникового карбіду кремнію a-модифікації товщиною 0,5-5 мм.

Номер патенту: 80274

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Хаак Бернд, Швертфегер Фріц, Шефер Маркус, Сціллат Хольгер

МПК: C03C 12/00, C01B 33/18, C03B 19/00 ...

Мітки: порошковий, одержання, пальник, спосіб, сопло, діоксид, пристрій, плазмовий, кремнію, пальника

Формула / Реферат:

1. Порошковий діоксид кремнію з загальним вмістом домішок менш ніж 500 част./млрд.2. Порошковий діоксид кремнію з загальним вмістом домішок менш ніж 150 част./млрд.3. Порошковий діоксид кремнію за п. 1, який відрізняється тим, що загальний вміст у ньому домішок складає менш ніж 150 част./млрд, з яких на частку Сu припадає менш ніж 1 част./млрд, на частку Fe припадає менш ніж 25 част./млрд, на частку Ni припадає менш ніж 2...

Номер патенту: 25554

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Пожуєв Володимир Іванович, Гасик Михайло Іванович, Червоний Іван Федорович, Тутик Валерій Анатолійович

МПК: C30B 13/00

Мітки: кремнію, зонною, монокристалів, безтигельною, вирощування, плавкою, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію безтигельною зонною плавкою на затравці, що включає попередній розігрів вихідного стержня й затравки до заданої температури, натравлення кристала, утворення зони розплаву за допомогою індукційного нагрівача й переміщення зони розплаву уздовж вихідної заготівки, який відрізняється тим, що розігрів вихідного стержня й затравки здійснюють за допомогою електронного нагрівача на основі високовольтного...

Номер патенту: 25457

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Манойлов Едуард Геннадійович, Коганович Елла Борисівна, Кізяк Ірина Миронівна, Чирчик Сергій Васильович, Бєгун Євгенія Валеріївна, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: H01L 21/02

Мітки: кремнію, пасивації, спосіб, монокристалічного, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного кремнію, що включає вилучення природного оксиду кремнію з його поверхні, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм, який відрізняється тим, що природний оксид кремнію видаляють травленням поверхні кремнію в 25-50 % HF розчині протягом 3-10 хвилин при кімнатній температурі, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм проводять одностадійно...

Номер патенту: 23104

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Швець Євген Якович, Єгоров Сергій Геннадійович, Комаринський Олексій Миколайович, Воляр Роман Миколайович, Карась Микола Іванович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: монокристалів, розплаву, кремнію, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, який знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала і "протилежного конуса", відривання монокристала від...

Номер патенту: 22257

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: пристрій, вирощування, карбіду, полікристалічного, кремнію

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування полікристалічного карбіду кремнію, що складається із синтезатора, тигля, нагрівального елемента, який відрізняється тим, що синтезатор виконано у вигляді двох циліндрів однакової висоти, у нижній частині синтезатора розміщено тигель, в об’ємі синтезатора поміщені вертикально і горизонтально касети, зверху синтезатор закритий кришкою з отворами, причому синтезатор з тиглем, пластинами всередині і кришкою зверху...

Номер патенту: 22256

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: вирощування, кремнію, карбіду, алманіту, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію, що містить кристалізатор і затравку, який відрізняється тим, що кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6мм рт.ст.),...

Номер патенту: 22255

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: кремнію, монокристалів, вирощування, карбіду, алманіту, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію, що включає  вирощування монокристалів карбіду кремнію із кремнію і вуглецю, який відрізняється тим, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1х1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка синтезатора,...

Номер патенту: 22539

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Кравчина Акім Віталійович, Ніконова Аліна Олександрівна, Кравчина Віталій Вікторович, Гомольський Дмитро Михайлович

МПК: H01L 21/70

Мітки: формування, кремнію, структур, спосіб, діелектрику

Формула / Реферат:

Спосіб формування структур кремнію на діелектрику, який включає окислення пластин кремнію, осадження плівок нітриду кремнію, проведення процесів фотолітографії, локальне травлення плівок нітриду, окислу кремнію та кремнію, локальне окислення кремнію, який відрізняється тим, що після окислення пластин кремнію осаджують плівки Si3N4 товщиною 0,1-2,0 мкм, проводять одночасно поверхнево-анізотропне травлення і селективне травлення кремнію в...

Номер патенту: 22770

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: спосіб, вирощування, розплаву, кремнію, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, що знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала і "протилежного конуса", відрив монокристала від розплаву,...

Номер патенту: 78916

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Рагуля Андрій Володимирович, Шлапак Анатолій Миколайович, Силенко Петро Митрофанович

МПК: C03C 13/00, C01B 21/068

Мітки: кремнію, нітриду, нановолокон, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення нановолокон нітриду кремнію, який включає високотемпературне газофазне хімічне осадження, який відрізняється тим, що газофазне хімічне осадження з одержанням волокон здійснюють шляхом термічного розкладу тетрахлориду кремнію в присутності азоту та водню, причому синтез здійснюють в температурному діапазоні 900-1100°С протягом 30-180 хвилин, а співвідношення компонентів парогазової суміші тетрахлориду кремнію, водню та...

Номер патенту: 78894

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Попов Олександр Володимирович, Сорока Петро Гнатович

МПК: C01B 31/36

Мітки: карбіду, одержання, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання карбіду кремнію, що включає сушіння та наступну двостадійну термообробку рисової лузги, причому другу стадію проводять в середовищі аргону, який відрізняється тим, що першу стадію термообробки рисової лузги проводять при температурі 360-430 °С протягом часу, що визначають за формулою:                  t = (0,1852 * t - 63,354)-1,де  t - час, необхідний для досягнення співвідношення SіО2 : С=1 : 0,6,...

Номер патенту: 21853

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Таланін Ігор Євгенійович, Таланін Віталій Ігорович, Сирота Анатолій Васильович

МПК: C30B 15/00, C30B 13/00

Мітки: бездислокаційних, розплаву, спосіб, монокристалів, кремнію, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування з розплаву за допомогою методів безтигельної зонної плавки і Чохральського бездислокаційних монокристалів кремнію, що включає створення розплаву, підведення до розплаву монокристалічної затравки, вирощування монокристалічної частини з попереднім створенням тонкої шийки, який відрізняється тим, що під час росту монокристал, що зростає, піддають термічній обробці в межах 1350-1250 °С, з наступним швидким охолодженням...

Номер патенту: 19900

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Болотова Неллі Андріївна, Болотов Іларіон Максимович, Болотов Борис Васильович, Болотов Максим Борисович, Зузанський Юрій Мечиславович, Жежерун Олександр Петрович

МПК: C01B 33/00

Мітки: одержання, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнію, що включає одержання елементарного кремнію високого тиску з хімічних елементів алюмінію і фосфору дією електричного струму щільністю більше 1011 А/м2 на суміш кристалічних речовин, що містить кисень, алюміній, фосфор, який відрізняється тим, що попередньо проводять підготовку шихти шляхом додавання міді і цинку і наступне спільне сплавлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що сплавлення міді...