Патенти з міткою «кремнію»

Номер патенту: 107030

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 29/06, C01B 33/00, C30B 15/02 ...

Мітки: зливка, виготовлення, спосіб, елементів, сонячних, індукційним, придатного, одержання, кремнію, мультикристалічного, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання придатного для виготовлення сонячних елементів зливка мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає:попереднє задання діапазону питомого опору і типу електропровідності зливка, що одержують,вибір принаймні одного додаткового легуючого елемента,визначення розрахункового розподілу питомого опору зливка, що мають одержати, з урахуванням легуючого елемента або легуючих елементів, що є у...

Номер патенту: 107029

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/08, C30B 29/06, C30B 15/02 ...

Мітки: подачі, матеріалу, містить, завантажувального, розплавленому, одержання, плавильній, вигляді, установка, вузол, кремнію, зливків

Формула / Реферат:

1. Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді, що включає тигель плавильного вузла, оточений ізоляцією та індукційним нагрівачем, і бункер подачі кускової шихти, де тигель плавильного вузла має отвір, причому, плавильний вузол виконаний з можливістю розташування над тиглем для одержання зливків кремнію, який відрізняється тим, що отвір тигля плавильного вузла розташований в верхнійчастині його стінки і...

Номер патенту: 93964

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Бєлов Борис Федорович, Кобець Віталій Степанович, Троцан Анатолій Іванович, Паренчук Ігор Валерійович

МПК: C21C 7/00

Мітки: розплавів, сплав, кремнію, металургійних, обробки, силікобарій, барієм

Формула / Реферат:

1. Сплав кремнію з барієм - силікобарій - для обробки металургійних розплавів, який відрізняється тим, що основні елементи знаходяться в наступному співвідношенні: барій 5-95 кремній решта. 2. Сплав кремнію з барієм за п. 1, який відрізняється тим, що стабільні сплави відповідають складу твердих і рідких розчинів на базі інтерметалідів Ba2Si → BaSi2 →...

Номер патенту: 106916

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Северин Андрій Юрійович, Ахонін Сергій Володимирович, Пікулін Олександр Миколайович, Березос Володимир Олександрович

МПК: C30B 13/00, C22B 9/22, C01B 33/037 ...

Мітки: кремнію, очищення, методом, електронно-променевої, спосіб, плавки

Формула / Реферат:

1. Спосіб вакуумного очищення кремнію, що включає завантаження кремнію, що очищається, в тигель, розплавлення його з використанням електронно-променевого нагріву у вакуумі, витримку розплаву в тиглі для випару домішок і його кристалізацію з отриманням очищеного кремнію, який відрізняється тим, що процес очищення проводиться в чотири стадії: на першій стадії очищення кремнію проводять шляхом розплавлення в кварцовій проміжній ємності з...

Номер патенту: 93530

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Васильківська Марина Анатолієвна, Єршова Ольга Георгієвна, Морозов Ігор Анатолієвич, Морозова Раїса Олексіївна, Скороход Валерій Володимирович, Тимофеева Ізабелла Ісааківна, Купріянова Олена Олександрівна, Кондрашов Олександр Валерійович

МПК: C01B 33/00

Мітки: очистки, спосіб, порошків, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб очистки порошків кремнію за участю водню, який відрізняється тим, що порошок кремнію, що утворюється при порізці кремнієвих злитків піддають водневотермічній обробці при температурі 750-850 °C, тиску водню 0,05-0,3 МПа протягом 1-2 годин.

Номер патенту: 93270

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Софронков Олександр Наумович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Кулініч Олег Анатолійович, Брусенська Галина Іванівна

МПК: H01C 17/00

Мітки: шарів, спосіб, епітаксійних, кремнію, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування епітаксійних шарів кремнію, що включає створення на поверхні напівпровідникової підкладки дислокації стоків радіаційних дефектів, який відрізняється тим, що на фронтальній поверхні кремнієвої підкладки перед нанесенням епітаксійного шару шляхом попереднього окислення поверхні підкладки і подальшого стравлювання шару оксиду створюється область дислокаційних сіток щільністю (109…1012) м-2.

Номер патенту: 106604

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Менцель Франк, Панц Крістіан, Майєр Карл

МПК: C01B 33/12, C01B 33/18, B32B 5/16 ...

Мітки: осаджений, діоксид, містить, кремнію, матеріал, теплоізоляційний

Формула / Реферат:

1. Теплоізоляційний матеріал, який відрізняється тим, що містить від 30 до 95 мас. % осадженого діоксиду кремнію, який має модифіковану насипну щільність, від 10 до 50 г/л, і від 5 до 70 мас. % теплопоглинального матеріалу.2. Теплоізоляційний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що осаджений діоксид кремнію має:значення d50 від 150 до 2000 нм,значення d90 від 500 до 7000 нм іщільність силанольних груп від 2,5...

Номер патенту: 106539

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Спиридонова Ірина Михайлівна, Федіна Галина Петрівна, Мостовий Володимир Іванович, Большаков Володимир Іванович, Соколовська Юлія Олександрівна

МПК: C01B 33/00, C01B 31/00, C01B 31/36 ...

Мітки: кремнію, отримання, спосіб, фулеренів, фулеридів, бору

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фулеренів і фулеридів, що включає нагрів карбідів та графіту у тиглі, поміщеному в піч під тиском, який відрізняється тим, що як карбіди використовують карбіди неметалів переважно карбідів бору або кремнію, сублімацію монооксидом вуглецю яких проводять при 101325-130000 Па, температурі 800°-900 °C, протягом 20-60 хвилин в графітовому герметичному тиглі.

Номер патенту: 90690

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Кононов Вячеслав Юрійович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Карплюк Олександр Іванович, Голень Юрій Володимирович, Новоженюк Любомир Іванович, Рачков Олексій Миколайович, Різун Анатолій Романович, Караульщик Володимир Антонович

МПК: B02C 19/18

Мітки: кремнію, електророзрядна, металургійного, дезінтеграції, установка

Формула / Реферат:

Установка електророзрядна для дезінтеграції металургійного кремнію, що містить дві встановлені послідовно і з'єднані патрубком розрядні камери, кожна з яких оснащена класифікатором і електродом, з'єднаним з генератором імпульсних струмів, перша камера оснащена завантажувальним патрубком, розташованим збоку камери, а друга - розвантажувальним, який розташований у нижній частині камери, механізм транспортування вихідного матеріалу, який...

Номер патенту: 89504

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Місюра Оксана Сергіївна, Бєлов Борис Федорович, Кобець Віталій Степанович, Паренчук Ігор Валерійович, Троцан Анатолій Іванович

МПК: C22C 35/00, C21C 7/06

Мітки: ківшевої, кальцієм-силікокальцій, сталі, кремнію, обробки, сплав

Формула / Реферат:

1. Сплав кремнію з кальцієм - силікокальцій для ківшевої обробки сталі, який відрізняється тим, що основні інгредієнти сплаву знаходяться в співвідношенні (мас.%): кальцій - 25-75 кремній - решта.2. Сплав кремнію з кальцієм - силікокальцій за п. 1, який відрізняється тим, що сплав відповідає твердим розчинам на базі інтерметалідів системи кальцій-кремній.

Номер патенту: 104640

Опубліковано: 25.02.2014

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: B22D 11/01, B22D 11/041, C30B 29/06 ...

Мітки: зливків, пристрій, використаний, тигель, мультикристалічного, методом, ньому, одержання, кремнію, холодний, індукційним

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, які утворюють плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване...

Номер патенту: 104391

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Рєе Торб'єрн, Ронг Харрі Мортен, Х'єнлі Хеннінг, Б'єрдаль Йостейн, Хоель Ян-Отто

МПК: C01B 33/107

Мітки: отримання, трихлорсилану, кремнію, отриманні, спосіб, використання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання трихлорсилану шляхом взаємодії кремнію з газоподібним НСl при температурі між 250° і 1100 °C і абсолютному тиску в 0,5-30 атм в реакторі з псевдозрідженим шаром, в реакторі з перемішуваним шаром або в реакторі із суцільним шаром, який відрізняється тим, що кремній, який подається в реактор, містить між 40 і 10000 ч/млн барію по масі і, необов'язково, 40-10000 ч/млн міді по масі.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 85399

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Дем'яненко-Мамонова Вікторія Олександрівна, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 31/00

Мітки: кремнію, сонячних, елементів, отримання, пористому, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання сонячних елементів на пористому кремнію методом фотолітографії, який відрізняється тим, що технологічний процес включає формування на підкладці кремнію n-типу провідності суцільного шару n-типу провідності, легованого сурмою, нарощування епітаксійного шару n-типу товщиною 0,2-0,5 мкм, формування маскуючого шару нітриду кремнію, створення в маскуючому шарі методом фотолітографії рисунка монокристалічних областей,...

Номер патенту: 103804

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Гура Денис Валерійович, Тертишний Олег Олександрович, Сорока Петро Гнатович

МПК: C01B 33/12, F23C 9/00

Мітки: теплової, сировини, спосіб, енергії, діоксиду, кремнійвмісної, кремнію, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання діоксиду кремнію та теплової енергії із рослинної кремнійвмісної сировини, що включає попередню підготовку рисового лушпиння, висушування його, подачу тепла в зону нагріву та подальше окисне випалювання рисового лушпиння з утилізацією тепла, що виділяється, який відрізняється тим, що після висушування рисове лушпиння подрібнюють до 40-200 мкм, тепло у зону нагріву подають до моменту спалахування частинок рисового лушпиння, а...

Номер патенту: 85182

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Ярошевський Станіслав Львович, Кузнєцов Олександр Михайлович, Кузін Андрій Вікторович, Мішин Іван Васильович

МПК: C21B 5/00

Мітки: кремнію, вмістом, спосіб, виплавки, чавуну, зниженим

Формула / Реферат:

Спосіб виплавки чавуну зі зниженим вмістом кремнію, що включає подачу в горн доменної печі через повітряні або допоміжні фурми засоби керування тепловим режимом горна, який відрізняється тим, що як засіб керування тепловим режимом горна використовують пиловугільне паливо фракцією менше 0,15 мм, яке подають витратою 150-250 кг/т чавуну при підтримці теоретичної температури горіння 2100-2500 °C.

Номер патенту: 85049

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Носенко Віктор Костянтинович, Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Кабалдін Олександр Миколайович, Порошин Володимир Миколайович, Неймаш Володимир Борисович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00, C23C 16/00 ...

Мітки: елементів, спосіб, кремнію, отримання, сонячних, нанокомпозиту, плівок, основі, аморфно-кристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок аморфно-кристалічного нанокомпозиту на основі кремнію для сонячних елементів, що включає осадження кремнію із газової фази на гнучкі не тугоплавкі підкладки, який відрізняється тим, що плівки кремнію легують високочистими домішками олова та вуглецю у певних вагових пропорціях при виготовленні порошкової суміші, яку переводять у газову фазу термічним випаровуванням у вакуумі.

Номер патенту: 103360

Опубліковано: 10.10.2013

Автори: Осауленко Микола Федорович, Севастьянов Володимир Валентинович, Аль-Кадімі Аднан Джовад, Ракитянський Віктор Сергійович

МПК: C23C 24/00, C23C 10/44

Мітки: кремнію, нанесення, установка, аморфного, спосіб, плівки, здійснення

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення плівки аморфного кремнію, який відрізняється тим, що нанесення плівки аморфного кремнію здійснюють вприскуванням під тиском нанопорошку високочистого кремнію на тонкий рухомий листовий матеріал, принаймні на одну із його поверхонь, причому однорідність плівки по товщині, щільності і складу регулюють швидкістю переміщення стрічки і тиском вприскування нанопорошку.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що плівка...

Номер патенту: 83364

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Крігер Олександр Сергійович, Трегуб Олексій Михайлович, Голєв Євген Олександрович, Реков Юрій Васильович, Іваніщев Олексій Григорович

МПК: C23C 16/00, C01B 33/035

Мітки: тримач, прутків-підкладок, полікристалічного, вирощування, кріплення, реакторі, кремнію

Формула / Реферат:

1. Тримач для кріплення прутків-підкладок у реакторі вирощування полікристалічного кремнію, який містить перехідник із встановленим у ньому цанговим фіксатором для розміщення прутка-підкладки, що має встановлювальну частину, металевий охолоджуваний струмоввід, з'єднаний з електродом, при цьому струмоввід має приймальне гніздо, в якому розміщена встановлювальна частина перехідника, який відрізняється тим, що глибина приймального гнізда...

Номер патенту: 103116

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Душкін Алєксандр Валєрьєвіч, Лімонов Віктор Львовіч, Гайдуль Константін Валєнтіновіч

МПК: A61K 47/04, A61K 9/16, A61K 31/665 ...

Мітки: високодисперсний, містить, порошкоподібна, парентерального, дії, композиція, наноструктурований, протизапальної, кремнію, фармацевтична, антимікробної, введення, одержання, діоксид, фосфоміцин, спосіб

Формула / Реферат:

1. Фармацевтична композиція антимікробної та протизапальної дії для парентерального введення, що містить як терапевтичну речовину антибіотик фосфоміцин, яка відрізняється тим, що вона виконана у формі порошку для приготування ін'єкційних розчинів і містить високодисперсний наноструктурований діоксид кремнію у ваговому співвідношенні фосфоміцин:високодисперсний наноструктурований діоксид кремнію, що дорівнює (10-70):1.2. Композиція за...

Номер патенту: 81691

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Федіна Галина Петрівна, Мостовий Володимир Іванович, Спиридонова Ірина Михайлівна, Соколовська Юлія Олександрівна, Большаков Володимир Іванович

МПК: C01B 33/00, C01B 31/36, C01B 31/00 ...

Мітки: фулеренів, отримання, кремнію, бору, спосіб, фулеридів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фулеренів і фулеридів, що включає нагрів карбідів та графіту у тиглі, поміщеному в піч під тиском, який відрізняється тим, що як карбіди використовують карбіди неметалів переважно карбідів бору або кремнію, сублімацію монооксидом вуглецю яких проводять при 101325-130000 Па, температурі 800° - 900 °C, протягом 20-60 хвилин в графітовому герметичному тиглі.

Номер патенту: 102405

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Лорд, Стівен М.

МПК: C01B 33/107, C01B 33/04

Мітки: система, варіанти, тетрагалогеніду, гідрування, тригалогеносилану, кремнію

Формула / Реферат:

1. Система гідрування тетрагалогеніду кремнію та кремнію до тригалогеносилану, яка включає резервуар високого тиску, один або більше вхідних отворів для газу, один або більше вхідних отворів для твердих речовин, один або більше відводів для твердих речовин і один або більше виходів для сумішей газу з твердими речовинами, множину частинок кремнію металургійної чистоти, що міститься в резервуарі високого тиску, яка відрізняється тим, що...

Номер патенту: 102244

Опубліковано: 25.06.2013

Автор: Ловцюс Андрєй Альгєрдовіч

МПК: C01B 33/035

Мітки: одержання, кремнію, полікристалічного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію осадженням з газової фази, що включає подачу в реактор, відновлення через систему патрубків газової суміші на основі газу, що містить кремній і осадження кремнію на нагрітих поверхнях з утворенням газової суміші, що відходить, який відрізняється тим, що процес осадження кремнію здійснюють одночасно в принаймні двох реакторах, які з'єднують між собою послідовно системою патрубків для...

Номер патенту: 80522

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Коноваленко Анатолій Анатольович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C23C 26/00

Мітки: отримання, поруватого, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

 Спосіб отримання поруватого кремнію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять в розчині соляної кислоти (5-15 %) у темряві при проходженні постійного струму щільністю (0,5-2) мА/см2.

Номер патенту: 80418

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Софронков Олександр Наумович

МПК: H01C 17/00

Мітки: кремнію, карбіду, отримання, порошків, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання порошків карбіду кремнію, в якому проводиться нагрів газів-реагентів силану та етилену, який відрізняється тим, що нагрів газів проводиться випромінюванням СО2-лазера.

Номер патенту: 101707

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Широков Борис Михайлович, Шиян Олександр Васильович, Шеремет Володимир Іванович, Журавльов Олександр Юрійович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/00

Мітки: напівпровідникових, кремнію, осадження, вакуумного, основі, атомів, джерело, структур

Формула / Реферат:

1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...

Номер патенту: 78936

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Саченко Анатолій Васильович, Виноградов Анатолій Олегович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічного, спосіб, формування, контакту, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...

Номер патенту: 101562

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Різун Анатолій Романович, Рачков Олексій Миколайович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Приходько Валерій Васильович, Кононов Вячеслав Юрійович, Голень Юрій Володимирович, Циба Андрій Вікторович

МПК: B02C 19/18, C01B 33/00

Мітки: кремнію, установка, порошку, одержання

Формула / Реферат:

Установка для одержання порошку кремнію, що містить циліндричну розрядну камеру, яка оснащена завантажувальним бункером, класифікатором і електродом, з'єднаним з генератором імпульсних струмів, та пристрій для транспортування вихідного матеріалу з розрядної камери, яка відрізняється тим, що вона додатково оснащена каруселлю, яка встановлена з можливістю повороту у горизонтальній площині і переміщення у вертикальній площині та має встановлені...

Номер патенту: 100736

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Асніс Юхим Аркадійович, Баранський Петро Іванович, Статкевич Ігор Іванович, Бабич Вілик Максимович, Піскун Наталія Василівна

МПК: C30B 13/12, C30B 13/22, C30B 29/06 ...

Мітки: зонної, пристрій-натікач, методом, легованих, монокристалів, здійснення, електронно-променевої, плавки, кремнію, спосіб, одержання, безтигельної

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки, який полягає в тому, що розплавляють зону вихідного стрижня дисковим електронним променем і подають легуючу домішку у плавильну камеру, яка вакуумується, при цьому газ легуючої домішки подають безпосередньо в плавильну камеру за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу...

Номер патенту: 100698

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Мейєр Йюрген, Шольц Маріо, Шумахер Кай

МПК: C08K 9/06, C09C 1/30, C09C 1/28 ...

Мітки: пірогенним, шляхом, поверхневої, діоксиди, одержані, кремнію, модифіковані

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання поверхнево-модифікованого діоксиду кремнію, одержаного пірогенним шляхом, який відрізняється тим, що пірогенно одержаний діоксид кремнію, який знаходиться у вигляді агрегатів первинних частинок з площею поверхні за BET 300±25 м2/г, і агрегати, що мають середню площу 4800-6000 нм2, середній еквівалентний діаметр кола 60-80 нм і середню довжину окружності 580-750 нм, обробляють гексаметилдисилазаном як модифікатором...

Номер патенту: 100697

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Шольц Маріо, Шумахер Кай, Мейєр Йюрген

МПК: C09C 1/28, C09C 1/30, C08K 9/06 ...

Мітки: одержані, модифіковані, діоксиди, шляхом, кремнію, пірогенним, поверхневої

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання поверхнево модифікованого діоксиду кремнію, одержаного пірогенним шляхом, який відрізняється тим, що пірогенно одержаний діоксид кремнію, який знаходиться у вигляді агрегатів первинних частинок і має площу поверхні за BET 200±25 м2/г, при цьому агрегати мають середню площу від 7000 до 12 000 нм2, середній еквівалентний діаметр кола 80-100 нм і середню довжину окружності від 850 до 1050 нм, обробляють...

Номер патенту: 100696

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Мейєр Йюрген, Шольц Маріо, Шумахер Кай

МПК: C09C 1/28, C09C 1/30, C08K 9/06 ...

Мітки: одержані, діоксиди, кремнію, пірогенним, шляхом, модифіковані, поверхневої

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання поверхнево модифікованого діоксиду кремнію, одержаного пірогенним шляхом, який відрізняється тим, що пірогенно одержаний діоксид кремнію, який знаходиться у вигляді агрегатів первинних частинок і має площу поверхні за BET 150 ± 15 м2/г, при цьому агрегати мають середню площу від 12000-20000 нм2, середній еквівалентний діаметр кола 90-120 нм і середню довжину окружності 1150-1700 нм, обробляють полідиметилсилоксаном як...

Номер патенту: 76618

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Кисельов Віталій Семенович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: A61C 8/00

Мітки: карбіду, композитних, кремнію, основі, виготовлення, виробів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення композитних виробів на основі карбіду кремнію для використання як імплантатів, що включає виготовлення заготовки з заболонної частини стовбуру деревини листвяних розсіяно судинних порід, розмір якої для компенсації усадки при піролізі на 25-30 % більший, ніж розмір потрібного виробу, проведення піролізу в атмосфері інертного газу, після якого, одержаній таким чином, вуглецевій матриці надають потрібної форми та розміри, а...

Номер патенту: 100268

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Кононов Вячеслав Юрійович, Різун Анатолій Романович, Муштатний Григорій Павлович, Голень Юрій Володимирович, Сиворижська Наталя Іванівна, Жекул Людмила Олександрівна, Морев Геннадій Миколайович, Рачков Олексій Миколайович, Денисюк Тетяна Дмитрівна

МПК: C01B 33/00, B02C 19/18

Мітки: спосіб, металургійного, електророзрядного, кремнію, подрібнення

Формула / Реферат:

Спосіб електророзрядного подрібнення металургійного кремнію шляхом дії на заготовку імпульсними хвилями стиску, що генерують електричні розряди в рідині в циліндричній електророзрядній камері, з параметрами, які встановлюють в залежності від міцності на розрив металургійного кремнію, який відрізняється тим, електричні розряди здійснюють при накопичуваній енергії конденсаторних батарей від 1,25 до 2,5 кДж з частотою 2,0-4,0 Гц, при цьому...

Номер патенту: 100084

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Кузнецов Геннадій Васильович, Литвиненко Сергій Васильович, Манілов Антон Ігоревич, Скришевський Валерій Антонович

МПК: C01B 3/02

Мітки: кремнію, композитів, спосіб, одержання, пористого, водню

Формула / Реферат:

Спосіб одержання водню з кремнію, що включає проведення реакції хімічного виділення водню з пресованої композитної суміші порошку пористого кремнію та силікагелю шляхом ініціації безпосередньо в воді.

Номер патенту: 99625

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Кабоді Ізабель, Гобіл Мішель

МПК: C04B 35/484

Мітки: цирконію, містить, піч, діоксиду, вогнетривкий, високим, спосіб, скловарна, виготовлення, вмістом, кремнію, продукт

Формула / Реферат:

1. Литий вогнетривкий продукт з високим вмістом діоксиду цирконію, який містить основу, яка загалом і більше ніж на 98,5 мас. % складається з оксидів:• ZrO2 + Hf2O: > 85 %,• SiO2: > 10-12 %,• Аl2О3: 0,1-2,4 %,• В2О3: < 1,5 %, і• легуючу добавку, вибрану з групи, до якої входять V2O5, CrO3, Nb2O5, MoO3, Та2О5, WO3 і їх суміші у масовій кількості, яка вказана нижче:2,43*V2O5 + 4,42*CrO3 +...

Номер патенту: 72919

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Малий Анатолій Васильович, Бондар Костянтин Миколайович, Терехов Сергій Ігорович, Багреновський Костянтин Васильович, Реков Юрій Васильович

МПК: B01D 50/00

Мітки: гідрохлорування, реакції, суміші, продуктів, система, кремнію, парогазової, очистки

Формула / Реферат:

1. Система очистки парогазової суміші продуктів реакції гідрохлорування кремнію при синтезі трихлорсилану від домішок, яка містить блок сухої очистки, що включає набір послідовно встановлених циклонів та засоби підведення парогазової суміші з реактора синтезу, а також блок мокрої очистки, яка відрізняється тим, що блок сухої очистки містить первинний циклон для очистки парогазової суміші від великих твердих часток домішок, з'єднаний із...

Номер патенту: 72917

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Онопрієнко Андрій Андрійович, Крігер Олександр Сергійович, Котляренко Олег Миколайович, Гапієнко Анатолій Олександрович, Скільсара Василь Михайлович

МПК: F25J 3/06, B01D 53/00, F25J 3/00 ...

Мітки: хлористого, кремнію, підготовки, лінії, полікристалічного, хлорсиланів, розділення, установка, технологічної, виробництва, водню

Формула / Реферат:

Установка для розділення і підготовки хлористого водню і хлорсиланів технологічної лінії виробництва полікристалічного кремнію, яка містить ректифікаційну колону, верхня частина якої сполучена через дефлегматор зі збірником флегми, на виході з якого встановлений насос, вихід якого сполучається з верхньою частиною ректифікаційної колони і з накопичувачем хлористого водню, а також систему трубопроводів із запірно-регулюючою арматурою, яка...

Номер патенту: 72667

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Форш Павєл Анатольєвіч

МПК: H01L 21/00, C23C 16/00, H01L 31/00 ...

Мітки: плівок, елементів, отримання, сонячних, аморфного, спосіб, наноструктурованих, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованих плівок аморфного кремнію для сонячних елементів, що включає осадження кремнію на підкладку із газової фази, який відрізняється тим, що плівки аморфного кремнію освітлюють випромінюванням фемтосекундного лазера на основі калій-гадолінієвого вольфрамату ітербію або титан-сапфіру.

Номер патенту: 72384

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Тахтай Іван Миколайович, Скільсара Василь Михайлович, Терехов Сергій Ігорович, Крігер Олександр Сергійович

МПК: F16B 1/00

Мітки: осадження, кремнію, полікристалічного, установки, тримач, прутків-підкладок

Формула / Реферат:

1. Тримач прутків-підкладок установки для осадження полікристалічного кремнію, який включає корпус, цанговий фіксатор з каналом для розміщення прутка, який має встановлювальну частину, при цьому в корпусі виконане приймальне гніздо для приймання встановлювальної частини фіксатора, який відрізняється тим, що на торцевій поверхні встановлювальної частини цангового фіксатора виконана вибірка, що утворює повітряний теплоізоляційний проміжок між...

Номер патенту: 71537

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Сіренко Сергій Іванович, Трегуб Олексій Михайлович, Голєв Євген Олександрович, Онопрієнко Андрій Андрійович

МПК: C01B 33/107

Мітки: гідрування, кремнію, тетрахлориду, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для гідрування тетрахлориду кремнію, що включає корпус із засобами для підведення парогазової суміші вихідних продуктів та відведення парогазової суміші продуктів реакції, а також нагрівачі з вуглець-вуглецевого матеріалу, встановлені всередині корпусу та з'єднані зі струмопідводами, що виходять з корпусу, який відрізняється тим, що нагрівачі попарно з'єднані графітовою перемичкою та включають щонайменше дві нагрівальні пластини,...