Патенти з міткою «кремнію»

Номер патенту: 49463

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Шварцман Леонід Якович, Петрик Адольф Гаврилович, Свірідєнко Дмітрій Івановіч, Касаткін Юрій Алєксандровіч

МПК: C01B 33/029

Мітки: циклу, спосіб, одержання, полікристалічного, кремнію, замкнутому

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію по замкнутому циклу, який містить стадії синтезу хлорсиланів у реакторі "киплячого шару" часток технічного кремнію, з одержанням парогазової суміші, яка містить переважно трихлорсилан і тетрахлорид кремнію та побічні продукти реакції, диспропорціювання трихлорсилану, одержаного на стадії синтезу хлорсиланів у реакційній колоні, що має зону диспропорціювання, з утворенням моносилану і...

Номер патенту: 49104

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Самохвалов Володимир Олександрович, Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/20

Мітки: контролю, спосіб, розплаву, діаметра, кремнію, вирощуваного, монокристала

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву, що включає регулювання температурних і швидкісних параметрів процесу вирощування за допомогою системи автоматичного регулювання діаметра, що має у своєму складі оптичний датчик з чутливим елементом, за допомогою якого реєструють зміну напрямку випромінювання від меніска стовпчика розплаву в підкристальній області під час вирощування монокристала, і визначення моменту...

Номер патенту: 48403

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Крастильов Михайло Михайлович, Коваль Олексій Андрійович, Попов Василь Петрович

МПК: C01B 7/00, C01B 33/12

Мітки: спосіб, фтористоводневої, кислоти, кремнію, одержання, діоксиду

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання діоксиду кремнію і фтористоводневої кислоти з тетрафториду кремнію шляхом його гідролізу, який відрізняється тим, що процес гідролізу тетрафториду кремнію здійснюють розведеним розчином сірчаної кислоти, а фтористий водень відганяють з фільтрату при температурі, що нижче температури кипіння фільтрату.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що сірчану кислоту для гідролізу розбавляють не більш ніж до 0,1...

Номер патенту: 48196

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Рей Жак, Лягзаг Мішель, Вернар Брюно

МПК: C04B 35/56, C04B 35/573, C04B 35/563 ...

Мітки: основі, кремнію, композиції, розплавленої, пористі, спосіб, субстрати, уведення

Формула / Реферат:

1. Способ введения композиции на металлической основе одновременно в несколько пористых субстратов, отличающийся тем,  что он включает следующие стадии:- создание по меньшей мере одной загрузки, включающей несколько пористых субстратов, чередующихся с находящимися с ними  в контакте слоями,  которые составляют источники композиции на металлической основе, при этом каждый такой слой включает основную фазу, образованную композицией на...

Номер патенту: 46068

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Готоф Даніел В., Урруті Ерік Г., Гендерсон Денні Л., Сміт Грег Е.

МПК: B01J 19/26, C01B 33/18, B05B 1/28 ...

Мітки: кремнію, спосіб, отримання, тонкодисперсного, діоксиду, пристрій, порошку

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання тонкодисперсного порошку діоксиду кремнію у реакційній зоні з використанням силоксану, який відрізняється тим, що передбачає операції:а) завантаження рідкого силоксану у місці, яке віддалене від зазначеної реакційної зони;б) подачу зазначеного рідкого силоксану до реакційної зони у формі рідини;в) розпилення зазначеного рідкого силоксану у реакційній зоні;г) перетворення у реакційній зоні...

Номер патенту: 44844

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Криворучко Микола Петрович, Прутцьков Дмитро Володимирович, Романенко Валерій Леонідович

МПК: C01B 33/08

Мітки: тетрахлориду, шихта, кремнію, одержання

Формула / Реферат:

Застосування відпрацьованої контактної маси - відходу виробництва кремнійорганічних сполучень як шихти для одержання тетрахлориду кремнію.

Номер патенту: 40852

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Малишев Віктор Володимирович, Сушинський Микола Михайлівна, Габ Ангеліна Іванівна, Новоселова Інесса Аркадіївна

МПК: C23C 14/00

Мітки: розплавів, покриттів, нанесення, кремнію, бору, спосіб, зерна, карбідів, іонних

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення покриттів на зерна карбідів кремнію і бору з іонних розплавів, який включає в себе розміщення абразивного порошку в високотемпературному середовищі сполук тугоплавких металів, який відрізняється тим, що середовище являє собою електроліт у вигляді розплаву вольфрамат натрію - оксид молібдену (вольфраму) (VI) при температурі 800 - 900°С і катодній щільності струму 0,02 - 0,25 А/см2.

Номер патенту: 36788

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Радченко Олександр Кузьмич, Бєлік Василь Денисович, Іценко Анатолій Іванович, Долинська Любов Петрівна, Зяткевич Дмитро Павлович

МПК: C04B 37/00, C04B 35/584

Мітки: нітриду, кремнію, виробів, маса, керамічних, з'єднання, вогнетривка

Текст:

...Н ) + Н 2 0 АЮ(ОН) ^ > АЬОз + Н 2 0 АІ(ОН) 2 С1 - ^ U A 1 2 0 3 + HC1 + H 2 0 основний хлорид алюмінію вносить в зону реакції сировинний компонент (А1 2 0 3 ) в активній формі. Це призводить до утворення з нітридами кремнію та алюмінію нових як кристалічних, так і склоподібних речовин зі структурою безперервної сітки з тетраедрів (Si, А1) 3 (0, N) 4 , що характеризуються високою міцністю та термічною утворюється стійкістю. Крім ...

Номер патенту: 29420

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Йоханссон Ханс Ерік, Ларссон Бу Вальдемар

МПК: D21H 17/00, C01B 33/141, C01B 33/14 ...

Мітки: кремнію, спосіб, золь, одержання, діоксиду, паперу

Текст:

...и т.п. Целесообразно, в частности, использовать предлагаемые золи и катионные полимеры в комбинации с соединениями алюминия, так как было обнаружено, что последние еще более усиливают их способность к удержанию и обезвоживанию. При этом можно использовать любые соединения алюминия, которые обычно используются при получении бумаги, например оксид алюминия, полиалюминиевые соединения, алюминаты, хлорид и нитрат алюминия. Количество...

Номер патенту: 30239

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Бочар Ігор Йосипович, Горбатюк Роман Михайлович, Дзядикевич Юрій Володимирович

МПК: C23C 10/30, C23C 10/44

Мітки: карбіду, молібдену, кремнію, дисиліциду, силіціювання, суміші, виробів, склад

Формула / Реферат:

Склад суміші для силіціювання виробів із карбіду кремнію та дисиліциду молібдену, що містить кремній, фтористий натрій і оксид алюмінію, який відрізняється тим, що додатково містить гідрид титану, при такому співвідношенні компонентів, мас. %: кремній 40-60 фтористий натрій 1-5 гідрид титану 5-10 оксид алюмінію ...

Номер патенту: 30237

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Горбатюк Роман Михайлович, Бочар Ігор Йосипович, Дзядикевич Юрій Володимирович

МПК: C23C 10/56, C23C 10/48, C23C 10/30 ...

Мітки: молібдену, дисиліциду, склад, виробів, кремнію, борування, суміші, карбіду

Формула / Реферат:

Склад суміші для борування виробів із карбіду кремнію та дисиліциду молібдену, що містить аморфний бор, фтористий натрій і оксид алюмінію, який відрізняється тим, що додатково містить гідрид титану, при такому співвідношенні компонентів, мас. %: аморфний бор 20-40 фтористий натрій 1-5 гідрид титану 5-10 оксид ...

Номер патенту: 30240

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Дзядикевич Юрій Володимирович, Бочар Ігор Йосипович, Горбатюк Роман Михайлович

МПК: H05B 3/14, C04B 41/87, C04B 35/56 ...

Мітки: спосіб, дисиліциду, обробки, кремнію, карбіду, виробів, молібдену, основі

Формула / Реферат:

Спосіб обробки виробів на основі карбіду кремнію та дисиліциду молібдену шляхом нанесення суспензії на основі дисиліциду молібдену із подальшим обпіком, який відрізняється тим, що вироби попередньо силіціюють, а потім борують і наносять суспензію, при такому співвідношенні компонентів, мас. %: дисиліцид молібдену 70-80 силіцидоксидна кераміка, ЦИС-2 15-20 ...

Номер патенту: 27322

Опубліковано: 15.09.2000

Автори: Мейнккен Жан-П'єр, Мотте Леон-Філіп

МПК: C04B 35/16, C04B 35/65, C04B 35/657 ...

Мітки: основі, вогнетриву, маси, кремнію, сполучення, суміш, шару, спосіб, вогнетривкої, поверхні, часток, наплавленого, призначена, формування

Текст:

...ремонтируется блок или огнеупорная стена, температура которой невысока, новая огнеупорная масса становится полностью отделенной от основной огнеупорной массы и отходит сама по cede а течение работы оборудования Подобные проблемы возникают сами по себе, если необходим ремонт огнеупорных конструкций, имеющих основу из двуокиси кремния высокой плотности (названные так, что^ы отличить их от традиционных огнеупоров ш двуокиси кремния, плотность...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вирощених, кремнію, спосіб, монокристала, злитків, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, визначення, зони, бездефектної, монокристала, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/02

Мітки: спосіб, одержання, монокристалічного, росту, монокристалів, порушенні, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.

Номер патенту: 26653

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: КЛЕЙНШМІТ Петер, Рудольф Томас, Мангольд Хельмут, КЕРНЕР Дітер, ХАРТМАН Вернер

МПК: C01F 7/30, C04B 35/18, C01B 33/26 ...

Мітки: порошку, мулітний, приготування, основі, порошок, окислів, суміші, цієї, порошкової, алюмінію, порошкова, мулітного, спосіб, кремнію, суміш

Формула / Реферат:

1. Порошковая смесь окисей алюминия и кремния, содержащая 65 - 72,1 весовых процентов окиси алюминия и 27,9 - 35 весовых процентов окиси кремния, отличающаяся тем, что каждая первичная частица содержит как составляющую окиси алюминия, так и составляющую окиси кремния, размеры первичных частиц составляют 7 - 80нм, а удельная площадь поверхности порошка составляет 20 - 200м/г, причем смесь имеет аморфную структуру.2. Муллитный порошок из...

Номер патенту: 18655

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Улинська Світлана Миколаївна, Шурик Сергій Володимирович, Кирнос Олег Яковлевич, Ткачов Олег Миколайович, Дятлов Михайло Іларіонович, Лахно Григорій Семенович

МПК: C01B 31/36, C01B 31/30

Мітки: спосіб, кремнію, одержання, карбіду

Формула / Реферат:

Способ получения карбида кремния, включающий воздействие на смесь кварцевого песка и кокса направленного потока заряженных частиц, отличающийся тем, что смесь кварцевого песка и кокса непрерывно подают на подложку слоем 0,5 - 2,0мм, и воздействуют на указанную смесь сканирующим потоком электронов с энергией 0,8 - 1,5МэВ, в течение времени, определяемого по формулегде  - удельное время экспонирования, с × см-2; -...

Номер патенту: 18118

Опубліковано: 01.07.1997

Автори: Потапова Валентина Григоровна, Гребенюк Микола Миколайович, Бланк Аврам Борисович

МПК: G01N 21/17, G01N 21/62

Мітки: визначення, кремнію, об'єктах, малих, спосіб, містять, кількостей

Текст:

...к анализу реальных объектов, позволяющего упростить и ускорить процесс анализа, увеличить срок службы графитовых печей. 18118 Поставленная цель достигается тем, что В графитовую печь, покрытую слоем в известном способе определения кремния, карбида циркония, вводят 4-20 мкг нитрата включающем прибавление к анализируеможелеза (III), затем прибавляют анализируему раствору раствора модификатора матримый раствор. Печь нагревают по...

Номер патенту: 18096

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Прилуцький Емануїл Вольфович, Домасевич Людмила Терентіївна, Синельникова Віра Семенівна, Власова Марина Василівна, Чаюн Михайло Васильович, Кондратюк Петро Петрович

МПК: C01B 31/30, C01B 31/36

Мітки: дисперсного, одержання, спосіб, кремнію, карбіду

Формула / Реферат:

Способ получения дисперсного порошка карбида кремния, включающий смешивание раствора углеродсодержащего вещества с кремниевой кислотой и термообработку полученной смеси в инертной среде, отличающийся тем, что в качестве углеродсодержащего вещества используют сахарозу и смешивают ее с кремниевой кислотой в массовом отношении 1:1, а термообработку проводят сначала при 1100 - 1200°С 50 - 60 мин, после чего продукт размалывают 10 -15 мин и...

Номер патенту: 12986

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Зелявський Вільгельм Броніславович, Акімов Геннадій Якович, Сторож Володимир Васильович, Личко Валерій Володимирович, Сухіх Леонід Леонідович, Власова Марина Василівна, Бартницька Тамара Сергіївна, Шіпіло Віктор Броніславовіч, Курдюмов Олександр Вячеславович, Костюк Микола Віталійович

МПК: C01B 21/068

Мітки: спосіб, нітриду, одержання, кремнію

Формула / Реферат:

(57) Способ получения нитрида кремния, включающий смешивание высокодисперсного кремния и хлорида аммония и азотирование полученной шихты при 1200-1300°С, отличающийся тем, что порошок кремния перед смешиванием подвергают воздействию давления 1,0-4,5ГПа в течение 1-5мин.

Номер патенту: 12650

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Юджін С. Лопата, Джон Т. Фелтс

МПК: C23C 14/32

Мітки: спосіб, нанесення, оксиду, плівок, основі, кремнію

Формула / Реферат:

(57)  1. Способ нанесения пленок на основе оксида кремния, включающий напуск в предварительно вакуумированный рабочий объем регулируемого газового потока, содержащего летучее кремнийорганическое соединение и кислород, возбуждение и удержание плазмы тлеющего разряда вблизи поверхности конденсации, отличающийся тем, что в газовый поток дополнительно вводят инертный газ при соотношении расходов потоков кремнийорганического соединения и...

Номер патенту: 13034

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Клаус Деллер, Мартін Ферстер, Хельмфрід Краузе

МПК: B22F 3/15, B22F 3/08, B22F 3/14 ...

Мітки: кремнію, пресований, спосіб, виріб, пірогенного, основі, діоксиду, виготовлення

Формула / Реферат:

(57) 1. Прессованное изделие на основе пирогенной двуокиси кремния, содержащее элементы в виде тел вращения, отличающееся тем, что элементы выполнены в форме цилиндра или шара с диаметром 2-15 мм, или кольца с наружным диаметром 2-15 мм, имеют поры диаметром не менее 5 нм, объем пор 0,6-1,3 мл/г, удельную поверхность 50-400 м2/г, насыпной вес 400-500 г/л и содержат диоксид кремния о количестве более чем 99,2 мас.%.2. Способ...

Номер патенту: 13261

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Бартницька Тамара Сергіївна, Людвинська Тетяна Афанасіївна, Тельнікова Наталія Петрівна, Косолапова Тетяна Яківна, Сухіх Леонід Леонідович

МПК: C01B 21/068

Мітки: нітриду, спосіб, одержання, кремнію

Формула / Реферат:

(57) Способ получения нитрида кремния, включающий азотирование смеси порошков оксида кремния и сажи при 1400-1500°С, отличающийся тем, что в смесь перед азотированием вводят хлорид щелочного металла в количестве 5-15% от массы.

Номер патенту: 10393

Опубліковано: 25.12.1996

Автор: Гогоці Юрій Георгійович

МПК: C04B 41/45, B01J 3/06, C01B 31/36 ...

Мітки: виробах, спосіб, карбіду, кремнію, вуглецю, покриття, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения углеродного покрытия на изделиях из карбида кремния, включающий об­работку карбида кремния при повышенной тем­пературе, отличающийся тем, что изделия из карбида кремния обрабатывают водяным паром при температуре 300-800°С, давлении равном или выше 5 МПа и соотношении карбида кремния и воды 1: (0,5-50).

Номер патенту: 11843

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Сушко Валерій Олександрович, Огенко Володимир Михайлович, Чуйко Олексій Олексійович, Миронюк Іван Федорович

МПК: C01B 33/00, C01B 33/12

Мітки: спосіб, мікросферичних, двуокісу, кремнію, частинок, одержання

Формула / Реферат:

1. Списоб получения микросферических час­тиц двуокиси кремния, включающий диспергирование золя, геля или суспензии двуокиси кремния на капли, сушку и прокаливание, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода частиц и уп­рощения процесса, диспергированные на капли золь, гель или суспензию окатывают в смеси по­рошков гидрофобной и гидрофильной двуокиси крем­ния, имеющей удельную поверхность 20-400 м2/г, взятой в количестве 0,02-2,5% от...

Номер патенту: 8682

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Сухіх Леонід Леонідович, Окунєв Михайло Шикович, Мацегора Світлана Никифорівна, Фірстов Сергій Олексійович, Косолапова Тетяна Яківна, Авербух Леонід Михайлович, Бартницька Тамара Сергіївна

МПК: C01B 21/068

Мітки: спосіб, переважним, кремнію, вмістом, одержання, нітриду, alрha-фази

Формула / Реферат:

1. Способ получения нитрида кремния с пре­имущественным содержанием а-фазы, включаю­щий азотирование кремния азотом при высоких температурах, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода нитрида кремния, перед азотированием кремний обрабатывают жидким азотом или водородом.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что азотиро­вание проводят при 1200-1400°С.

Номер патенту: 8734

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Зорін Аркадій Данилович, Ємельянов Олексій Олександрович, Фещенко Ілларіон Аврамович, Станчак Ігор Ілліч, Куркін Вячеслав Павлович, Кондратьєв Юрій Миколайович, Костенич Інна Фрідріховна, Циновой Юрій Наумович, Орлова Тетяна Володимирівна, Молянов Олександр Миколайович, Занозіна Валентина Федорівна, Паздерський Юрій Антонович, Саприкін Юрій Олександрович, Чурик Дмитро Прокопович

МПК: C01B 33/18

Мітки: оптики, спосіб, діоксиду, одержання, кремнію, волоконної

Формула / Реферат:

Способ получения диоксида кремния для во­локонной оптики, включающий гидролиз тстрах-лорида кремния и термообработку полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью увели­чения чистоты и насыпной плотности целевого продукта, исходные компоненты подают в аэро­зольном состоянии при массовом соотношении тет-рахлорида кремния и воды, равном (1,6-4,7):1, а гидролиз ведут при 20-50°С.

Номер патенту: 8250

Опубліковано: 29.03.1996

Автори: Червоний Іван Федорович, Трубіцин Юрій Васильович, Дудавський Сергій Ісаєвич, Фалькевич Едуард Семенович, Дудченок Володимир Васильович, Осовський Михайло Йосипович, Сілаков Григорій Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, отримання, монокристалів, легованих, безтигельної, кремнію, плавки, методом, пристрій, здійснення, індукційної, зонної

Формула / Реферат:

1. Способ получения легированных монокри­сталлов кремния методом индукционной бестигельной зонной плавки, включающий размещение исходного стержня в камере выращивания, вакууми-рование камеры выращивания, расплавление исход­ного стержня и дозированную подачу легирующего элемента соплом к зоне расплава, отличающийся тем, что в процессе вакуумирования производят до­полнительное осушивание камеры выращивания и технологической оснастки, а...

Номер патенту: 8247

Опубліковано: 29.03.1996

Автори: Сілаков Григорій Іванович, Фалькевич Едуард Семенович, Дудченок Володимир Васильович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 13/00, C30B 15/20

Мітки: монокристалів, кремнію, бездислокаційних, спосіб, одержання, методом, плавки, зонної, безтигельної

Формула / Реферат:

Способ получения бездислокационных моно­кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки, включающий выращивание на затравке тонкой "шейки", разращивание конической части монокристалла до заданного диаметра и последую­щее выращивание цилиндрической части моно­кристалла диаметром D, при использовании индуктора с внутренним диаметром d, меньшим величины D, отличающийся тем, что разращива­ние конической части монокристалла до...

Номер патенту: 7561

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Іваницький Олег Петрович, Горбань Анатолій Петрович, Литовченко Володимир Григорович, Громашевський Вячеслав Львович, Костильов Віталій Петрович, Тетяненко Микола Петрович

МПК: H01L 21/304

Мітки: спосіб, кремнію, структур, кремній-двоокис, обробки

Формула / Реферат:

Способ обработки структур кремний-дву­окись кремния, включающий операцию измене­ния параметров дефектов, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, энергоемко­сти процесса и повышения качества, изменение параметров дефектов производят путем возбужде­ния в структурах ультразвуковых колебаний с ча­стотой 0,1 - 60 МГц, интенсивностью 0,5-7 Вт/см2 в течение 5-30 мин при температуре структуры не более 1000С.

Номер патенту: 7563

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Литвинов Ренальд Олімпійович, Литовченко Володимир Григорович, Лісовський Ігор Петрович

МПК: H01L 21/265

Мітки: поверхневих, кремній-двоокис, станів, зменшення, спосіб, розділу, кремнію, густини, межі

Номер патенту: 7562

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Жолудєв Геннадій Кузьмич, Марченко Ростислав Іванович, Шаповалов Віталій Павлович, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович, Думбров Володимир Іванович

МПК: H01J 37/30, H01L 21/265

Мітки: автоепітаксіальних, кремнію, одержання, спосіб, шарів

Формула / Реферат:

Способ получения автоэпитаксиальных сло­ев кремния, включающий формирование на рабо­чей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки подложки, уда­ление маски, эпитаксиальное наращивание, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерируювдих областей в рабочие участки ав-тоэпитаксиальных слоев, имплантацию...

Номер патенту: 6671

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Гутор Іван Максимович, Маскович Степан Миколайович, Токарчук Володимир Прокопович, Бірковий Юрій Леонідович, Гуменяк Михайло Васильович, Кочубей Віталій Феодосійович, Сенюта Тарас Богданович, Августімов Віталій Леонідович

МПК: C23C 16/40

Мітки: одержання, спосіб, кремнію, плівок, двуокісу

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ получения пленок двуокиси кремния, включающий осаждение в газовой смеси, содержащей соединение кремния и кислород, отличающийся тем, что осаждение инициируется однократным искровым разрядом в течение 0,001-0,01 сек, при этом газовая смесь дополнительно содержит водород, и при необходимости, легирующие добавки, а в качестве соединения кремния берут соединение типа SiHnCl4-n в количестве 0,006-0,048 об.% при соотношении...

Номер патенту: 4495

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Гаврилів Анна Петрівна, Зорін Аркадій Данилович, Чурик Дмитро Прокопович, Мамаєв Олег Георгійович, Ластовецький Мировлав Михайлович, Паздерський Юрій Антонович, Хотимченко Володимир Савович, Кочубей Віталій Феодосійович

МПК: C01B 37/00, C01B 33/00

Мітки: одержання, кремнію, двоокису, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения двуокиси кремния путем окисления в газовой фазе хлорида кремния в кислородном пламени, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения процесса, а также повышения степени чистоты и удельной поверхности целевого пр дукта, в качестве хлорида кремния используют гексахлордисилан. 2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что процесс ведут при температуре 250-1000°С.

Номер патенту: 1680

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Шульженко Олександр Олександрович, Воронін Георгій Олексійович, Осипов Олександр Сергійович

МПК: B22F 7/04, C01B 31/06

Мітки: композиційного, кремнію, карбіду, одержання, алмазу, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Способ получения композиционного ма­териала из алмаза и карбида кремния, включа­ющий формирование трехслойной системы из слоя алмазного порошка, пластины из кремния и проме­жуточного между ними слоя, нагрев этой системы под воздействием давления не менее 25 кбар до температуры, достаточной для плавления кремния, и выдерживание при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости алмазосодержащего слоя...

Номер патенту: 1564

Опубліковано: 25.07.1994

Автори: Живов Михайло Давидович, Дубина Віктор Григорович, Карплюк Олександр Іванович, Богданов Євген Іванович

МПК: H01L 21/318

Мітки: спосіб, структур, кремнію-нітрід, кремнію, кремній-двоокис, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ получения структур кремний - дву­окись кремния - нитрид кремния, включающий осаждение на структуры кремний-двуокись кремния пленки нитрида кремния из парогазовой смеси тетрахлорида кремния, аммиака и инертного газа при пониженном давлении, отжиг структур после осаждения пленки нитрида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения элек­трофизических параметров структур за счет увеличения уровней записи и стирания инфор­мации, отжиг...