Фреїк Дмитро Михайлович

Номер патенту: 56631

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: самолегованого, отримання, p-типу, спосіб, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого РbТе р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини - свинець класу чистоти С-000 і телур - Т-ВЧ беруть у...

Номер патенту: 54902

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Карпаш Максим Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, самолегованого, термоелектричного, n-типу, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого РbТе n-типу, який включає розташування вихідних речовин, свинцю і телуру, у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини, свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ, використовують у...

Номер патенту: 54834

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Бачук Василь Васильович, Никируй Ростислав Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктурованого, поліаміді, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого РbТе на поліаміді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв = (700±10) °С, температура підкладки - Тп = (120-160) °С, час осадження t =...

Номер патенту: 54833

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Чав'як Іван Ігорович, Никируй Любомир Іванович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричних, спосіб, свинцю, телуриду, характеристик, покращення, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що отримані наноструктурні матеріали витримують на повітрі протягом певного часу t.2....

Номер патенту: 54832

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Юрчишин Ігор Костянтинович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Харун Лідія Тарасівна

МПК: C23C 14/24

Мітки: спосіб, отримання, наноструктурованого, телуриду, підкладках, свинцю, ксі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.2....

Номер патенту: 54641

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Борик Віктор Васильович, Туровська Лілія Вадимівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: телуру, синтезу, отримання, p-pbte, спосіб, надлишком, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу і отримання термоелектричного р-РbТе із надлишком телуру, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини - свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ -...

Номер патенту: 52341

Опубліковано: 25.08.2010

Автори: Дзумедзей Роман Олексійович, Шевчук Мирослава Олегівна, Юрчишин Любов Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: свинцю, термоелектричного, отримання, спосіб, n-pbte, надлишком, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу і отримання термоелектричного n-РbТе із надлишком свинцю, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець і телур - розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини - свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ -...

Номер патенту: 51832

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: n-pbbi4те7<те&gt, matepiaлу, otpиmaння, tepmoeлektpичнoгo, нectexiometpичнoгo, cпociб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу n-РbВi4Те7<Те>, який полягає в тому, що вихідні компоненти свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВі4Te7, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Номер патенту: 51831

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: H01L 37/00, H01L 35/00, C30B 11/00 ...

Мітки: телуриду, отримання, свинцю, спосіб, термоелектричного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю, який полягає в тому, що вихідні високочисті свинець, телур, взяті у певних масових співвідношеннях речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, яку нагрівають до температури, вищої від температури плавлення сполуки РbТе, і витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують в режимі виключеної печі, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 50778

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Борик Віктор Васильович, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, твердих, pbte-sb2te3, спосіб, основі, матеріалу, розчинів, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів PbTe-Sb2Te3, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, сурму і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Номер патенту: 50157

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, спосіб, твердих, розчинів, p-типу, основі, pb1-xsnxte, матеріалу, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-типу на основі твердих розчинів Pb1-xSnxTe, який полягає в тому, що вихідні речовини свинець, олово і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Номер патенту: 50156

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Дикун Наталія Іванівна, Дзумедзей Роман Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: твердих, низьких, розчинів, pbte1-2xsexsx, отримання, спосіб, термоелектричних, температур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних твердих розчинів PbTe1-2xSexSx для низьких температур, який полягає в тому, що вихідні речовини свинець, телур, селен і сірку розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинам витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Номер патенту: 50087

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Дикун Наталя Іванівна, Шевчук Мирослава Олегівна, Дзумедзей Роман Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, матеріалу, термоелектричного, p-pbte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-РbТе, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 49970

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Дикун Наталя Іванівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: otpиmaння, matepiaлу, cпociб, tepmoeлektpичнoгo, n-pbbi4те7, нoboгo

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВі4Те7, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 46918

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, легованих, n-cdte, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів n-CdTe, за яким монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки СdІ2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал здійснюють у парі кадмію при температурі Тв=(1050-1080) К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах РСd=(103-105) Па, час...

Номер патенту: 46917

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Борик Віктор Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, матеріалу, нестехіометричного, спосіб, термоелектричного, р-pbsb2те4<те&gt

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу p-PbSb2Te4<Te>, який полягає в тому, що вихідну речовину свинець (Рb), сурму (Sb), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці PbSb2Te4, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Номер патенту: 46916

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Дикун Наталя Іванівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: р-pbsb2те4, отримання, матеріалу, термоелектричного, спосіб, нового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу р-PbSb2Te4, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 46030

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Никируй Ростислав Іванович, Бачук Василь Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ліщинський Ігор Мирославович, Чав'як Іван Ігорович

МПК: H01F 41/00, B82B 1/00

Мітки: структур, квантово-розмірних, спосіб, телуриду, свинцю, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки AIVBVI при температурі випаровування наважки ТВ, осаджують на підкладки при температурі ТП протягом певного часу t, який відрізняється тим, що як підкладку вибирають попередньо окислені монокристали кремнію SiО2-Si.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 40445

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Юрчишин Любов Дмитрівна

МПК: H01L 31/00

Мітки: телуриду, р-типу, германію, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду германію р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та пресують, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують...

Номер патенту: 40444

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: телуриду, спосіб, олова, p-типу, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду олова р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують свинець, вісмут, телур і...

Номер патенту: 39127

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Ростислав Іванович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, підкладках, скляних, aivbvi, нанокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалів AIVBVI на скляних підкладках методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують скляні підкладки, які розміщують у верхній частині камери при певній температурі.

Номер патенту: 39125

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Данилишин Мирослава Олегівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: телуриду, отримання, p-типу, спосіб, свинцю, сплаву, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного сплаву телуриду свинцю р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують свинець,...

Номер патенту: 39124

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Юрчишин Любов Дмитрівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: сплавів, отримання, термоелектричних, германію, основі, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду германію, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та пресують, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 39123

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Дикун Наталія Іванівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: термоелектричними, отримання, спосіб, n-типу, свинцю, параметрами, покращеними, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу із покращеними термоелектричними параметрами, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що завантаження вихідних речовин в...

Номер патенту: 39122

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Никируй Ростислав Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: матеріалів, напівпровідникових, спосіб, наноструктурних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері з температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник з наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують аморфну підкладку, на якій формуються розорієнтовані нанокристалічні структури.

Номер патенту: 36477

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Юрчишин Любов Дмитрівна

МПК: C22C 1/02, C30B 11/02

Мітки: германію, спосіб, отримання, термоелектричного, телуриду, р-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду германію р-типу, який полягає в тому, що вихідні компоненти - свинець, срібло, вісмут, германій, телур - розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, потім ампулу з вихідними компонентами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Номер патенту: 36476

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, термоелектричного, олова, отримання, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду олова, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, вісмут, олово і телур, взяті у відповідних масових співвідношеннях, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування,...

Номер патенту: 36475

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: n-типу, спосіб, телуриду, отримання, свинцю, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, двойодистий свинець, нікель і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Номер патенту: 34225

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: р-типу, телуриду, сплавів, олова, основі, термоелектричних, спосіб, оптимізованих, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду олова р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 30390

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: n-типу, свинцю, телуриду, оптимізованих, термоелектричних, основі, сплавів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Номер патенту: 29700

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Сташко Назар Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: отримання, спосіб, кристалів, p-znse

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів p-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для здійснення їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe p-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т = (1420 ± 3) К і парціальному тиску...

Номер патенту: 29699

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, кристалів, отримання, n-znse

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів n-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe n-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т=(1420±3)К і парціальному тиску пари цинку...

Номер патенту: 27488

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: рbте-мnте, твердого, термоелектричного, отримання, спосіб, розчину

Номер патенту: 27517

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Туровська Лілія Вадимівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Ткачик Оксана Володимирівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, свинцю, термоелектричного, матеріалу, основі, телуриду, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю, який включає розташування вихідної речовини у кварцовій вакуумній ампулі, поміщення у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, отриману синтезовану речовину піддають гомогенізаційному відпалу, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 27131

Опубліковано: 25.10.2007

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, сплаву, термоелектричного, отримання, халькогенідного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного халькогенідного сплаву, який полягає в тому, що наперед синтезований сплав подрібнюють в ударно-вихровому млині з наступним просіюванням крізь сито, потім порошок брикетують під тиском, отримані брикети спікають під тиском протягом певного часу і здійснюють екструзію при температурі із заданими ступенем і швидкістю витягування, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав

Номер патенту: 26752

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: n-типу, кристалів, напівпровідникових, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при...

Номер патенту: 26751

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Сташко Назар Васильович, Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: кристалів, отримання, напівпровідникових, спосіб, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170

Номер патенту: 26689

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Лоп'янко Михайло Антонович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: нанокристалів, орієнтованих, відколах, отримання, спосіб

Номер патенту: 24936

Опубліковано: 25.07.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, основі, телуриду, термоелектричних, сплавів, свинцю, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю, який полягає у тому, що сплав синтезують у вакуумованих кварцових ампулах при температурах, вищих за температури плавлення вихідних речовин, для приведення у рівноважний стан здійснюють гомонізуючий відпал при температурах, нижчих за температуру плавлення сплаву, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи Рb, Те та Cd високого ступеня чистоти,...

Номер патенту: 24647

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C22C 1/00

Мітки: свинцю, легованого, отримання, телуриду, термоелектричного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного легованого телуриду свинцю, який полягає в тому, що наперед синтезований сплав подрібнюють в ударно-вихровому млині з наступним просіюванням через сито, потім порошок брикетують під тиском, отримані брикети спікають при температурі і тиску протягом певного часу і здійснюють екструзію при заданих температурі та тиску і ступені витягування, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав...