Патенти з міткою «монокристалів»

Номер патенту: 10565

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Мартинов Валерій Павлович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 33/00

Мітки: кадмію, монокристалів, виготовлення, спосіб, вольфрамату, сцинтиляторів

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтилляторов из мо­нокристаллов вольфрамата кадмия, включающий ориентирование, резку, шлифовку и полировку монокристаллов, отличающийся тем, что грань сцинтиллятора, обращенную к фотоприемнику, изготавливают ориентированной по кристаллогра­фической плоскости (Т01), или (010), или (001) при разориентации не более 5 градусов.

Номер патенту: 10603

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вольфрамату, вирощування, сцинтиляційних, кадмію, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, вы­ращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что вы­ращивание ведут вдоль кристаллографического на­правления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...

Номер патенту: 8250

Опубліковано: 29.03.1996

Автори: Осовський Михайло Йосипович, Червоний Іван Федорович, Фалькевич Едуард Семенович, Сілаков Григорій Іванович, Дудавський Сергій Ісаєвич, Трубіцин Юрій Васильович, Дудченок Володимир Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: зонної, спосіб, здійснення, монокристалів, легованих, методом, безтигельної, індукційної, отримання, плавки, пристрій, кремнію

Формула / Реферат:

1. Способ получения легированных монокри­сталлов кремния методом индукционной бестигельной зонной плавки, включающий размещение исходного стержня в камере выращивания, вакууми-рование камеры выращивания, расплавление исход­ного стержня и дозированную подачу легирующего элемента соплом к зоне расплава, отличающийся тем, что в процессе вакуумирования производят до­полнительное осушивание камеры выращивания и технологической оснастки, а...

Номер патенту: 8247

Опубліковано: 29.03.1996

Автори: Червоний Іван Федорович, Сілаков Григорій Іванович, Дудченок Володимир Васильович, Фалькевич Едуард Семенович

МПК: C30B 15/20, C30B 13/00

Мітки: зонної, безтигельної, бездислокаційних, плавки, кремнію, монокристалів, методом, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения бездислокационных моно­кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки, включающий выращивание на затравке тонкой "шейки", разращивание конической части монокристалла до заданного диаметра и последую­щее выращивание цилиндрической части моно­кристалла диаметром D, при использовании индуктора с внутренним диаметром d, меньшим величины D, отличающийся тем, что разращива­ние конической части монокристалла до...

Номер патенту: 6823

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Чіпенко Георгій Володимирович

МПК: C01B 31/06

Мітки: монокристалів, синтезу, затравці, спосіб, алмазу

Формула / Реферат:

1.Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке путем создания заданного перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, разделенных массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную затравку нагревают до температуры,...

Номер патенту: 6395

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Кривошеін Вадим Іванович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 29/02, C30B 33/02

Мітки: монокристалів, коштовних, відновлення, вирошування, тиглів, металів, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ восстановления тиглей из драгоценных металлов для выращивания монокристаллов, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что перед прокаткой тигель отжигают при 1200-1400°С и давлении 101-10-3 торр в течение 0,5-5,0 часов.

Номер патенту: 5752

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович, Каневський Віктор Семенович, Кривоносов Євген Володимирович, Рижиков Володимир Діомидович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 33/06, C30B 29/22

Мітки: спосіб, монокристалів, нерознімного, з'єднування, оксидів

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ неразъемного соединения монокристаллов оксидов, включающий приведение их в контакт при наличии промежуточной прослойки между ними, нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве прослойки используют прокладку из монокристаллов лейкосапфира, контакт осуществляют с усилием 0,35-0,45 кг/см2, нагрев ведут до температуры на 5-10°С ниже температуры плавления германата висмута со скоростью 350-400°С/час, выдержку...

Номер патенту: 6741

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Сердюк Георгій Нікандрович, Пархоменко Володимир Дмитрович, Цибульов Павло Миколайович, Ткачук Борис Васильович

МПК: C30B 33/04, C30B 29/16

Мітки: виробів, забарвлення, зміни, цирконію, монокристалів, діоксиду, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изменения окраски изделий из моно­кристаллов диоксида циркония, включающий изо­термическую выдержку изделий в вакууме, отличающийся тем, что изотермическую выдерж­ку изделий осуществляют при температуре 400-1200°С в течение 10-30 мин в тлеющем разряде с энергией электронов 1-2 кэВ, создаваемом в ваку­уме остаточной атмосферы 0,3-3 Па.

Номер патенту: 5386

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: вісмуту, монокристалів, спосіб, вирощування, германату

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий затравление на вращающуюся затравку, разращивание верхней конусной части монокристалла с заданным телесным углом и вытягивание цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, отличающийся тем, что разращивание верхней конусной части осуществляют в пределах телесного угла 130-160 град.

Номер патенту: 5088

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Гетьман Анатолій Федорович, Боримський Олександр Іванович, Нагорний Петро Арсенійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: синтеза, монокристалів, алмазу, шихта

Формула / Реферат:

Шихта для синтеза монокристаллов алмаза, включающая кристаллическую фазу из гексагональной и ромбоэдрической модификации графита и металлический катализатор, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода алмаза, она содержит кристаллическую фазу при массовом со­отношении в ней гексагональной и ромбоэдриче­ской модификации графита 70-90:10-30 и дополнительно графит гексагональной модифика­ции при следующем соотношении составляющих...

Номер патенту: 5092

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Боримський Олександр Іванович, Нагорний Петро Арсенійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: одержання, алмаза, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов алмаза, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующих стабильности ал­маза, на шихту, содержащую графит, металлы-растворители и карбид тугоплавкого металла, отличающийся тем, что, с целью снижения содер­жания металлических включений в алмазах, ме­таллы-растворители и карбид тугоплавкого металла используют в виде сплава с содержанием карбида 0,2-4,5 мас. %.

Номер патенту: 3699

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Когут Михайло Тихонович, Осиновський Максим Євгенович, Литвинов Юрій Михайлович, Сторижко Володимир Юхимович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Низкова Ганна Іванівна, Кисловський Євген Миколайович, Молодкін Вадим Борисович, Кривицький Владислав Петрович, Полінур Олександр Вольфович, Гурєєв Микола Анатолійович, Курбаков Олександр Іванович, Ковальчук Михайло Валентинович, Гурєєв Анатолій Миколайович, Оліховський Степан Йосипович

МПК: G01N 23/20

Мітки: досконалості, контролю, спосіб, динамічної, розсіюючий, структурної, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства динамических рассеивающих монокристаллов, за­ключающийся в том, что исследуемый образец толщиной t облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения, осуществляют лауэ-дифракцию излучения длины волны t, выбранной из условия, налагаемого на производстве m (l)1, где m - коэффициент фотоэлектрического погло­щения на определенной системе плоскостей, изме­ряют интегральные интенсивности JRH (l)...

Номер патенту: 3391

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Загвоздкін Борис Васильович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович

Мітки: монокристалів, вісмуту, германату, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий расплавление исходного материала в платиновом тигле с помощью высокочастотного индуктора, затравление на вращающуюся затравку, разращивание конусной части кристалла, вытягивание его цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что после отделения кристалла мощность индуктора уменьшают в 1,5-2,5 раза в течение 2...

Номер патенту: 1372

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Вітюк Віктор Іванович, Білоусов Ігор Святославович, Заневський Олег Олексійович, Івахненко Сергій Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович

МПК: C01B 31/06

Мітки: алмазу, спосіб, монокристалів, синтезу

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза путем воздействия высокого давления и темпера­туры на источник углерода на основе алмазных зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и термостой­кости монокристаллов алмаза, в качестве источ­ника углерода используют алмазные зерна разме­ром не менее 100 мкм, предварительно пропитан­ные металлом или сплавом, растворяющимся в...

Номер патенту: 1374

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Білоусов Ігор Святославович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, синтезу, затравці, алмазу, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализато­ра-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источ­ника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращива­емого...

Номер патенту: 1377

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Кацай Маргарита Яківна, Шульженко Олександр Олександрович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, синтезу, алмазу, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ синтеза монокристаллов алмаза, включающий послойное размещение в контейнере камеры высокого давления металла или сплава-растворителя, меди и графита и последующее воз­действие давления при температуре в области термодинамической стабильности алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и уменьшения количества включений в кристаллах, слой меди размещают между слоями растворителя при содержании ее 2—25 % от массы...

Номер патенту: 1104

Опубліковано: 30.12.1993

Автори: Гетьман Анатолій Федорович, Кацай Маргарита Яківна, Шульженко Олександр Олександрович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, одержання, алмазу, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов алмаза, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамичес­кой устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя-сплава углеро­да с марганцем, никелем и/или кобальтом, отличающийся тем, что, с целью повышения тер­мостойкости монокристаллов алмаза, используют сплав с 0,04-0,4 мас.% углерода.

Номер патенту: 2

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Будяк Олександр Ананійович, Новіков Микола Васильович, Чіпенко Георгій Володимирович

МПК: B01J 3/00, C30B 1/00, C01B 31/06 ...

Мітки: синтезу, алмазу, затравці, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий создание начального перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, которые разделены расположенной между ними массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную...