Патенти з міткою «монокристалів»

Номер патенту: 51287

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Гніздило Олександр Миколайович, Шаповалов Віктор Олександрович, Колєсніченко Володимир Іванович, Карускевич Ольга Віталіївна

МПК: C30B 11/00, C30B 30/00, C30B 13/00 ...

Мітки: певною, профільованих, отримання, вирощування, металів, монокристалів, монокристалічною, пристрій, виробів, матеріалів, тугоплавких, структурою, полікристалічною

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів, який включає герметичну камеру, механізм подачі витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, який переміщається у вертикальній площині, плазмове джерело нагрівання, яке переміщається в зворотно-поступовому режимі в горизонтальній площині,...

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/00

Мітки: талій, покращення, tl4sns4, спосіб, термоелектричної, добротності, тетратіостанату, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Номер патенту: 90632

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Зеленська Ольга Віталіївна, Сідлецький Олег Цезарович, Волошина Олеся Василівна, Гриньов Борис Вікторович, Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Бондар Валерій Григорійович

МПК: C30B 15/00, C09K 11/77

Мітки: елементів, піросилікатів, спосіб, рідкісноземельних, активованих, одержання, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання активованих монокристалів піросилікатів рідкісноземельних елементів, що включає приготування шихти шляхом змішування вихідних оксидів, їх прожарювання при температурі 1500±10 °С в атмосфері аргону, з наступним плавленням одержаної шихти й вирощування монокристалів методом Чохральского, який відрізняється тим, що використовують склад шихти, що відповідає співвідношенню (32,8-31,8) мол. % (Re2O3+A2O3) : (67,2-68,2) мол. %...

Номер патенту: 90606

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Дербунович Леонід Вікторович, Козьмін Юрій Семенович, Тавровський Ігор Ігорович, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: G01R 35/00, G06F 11/26, G06F 11/00 ...

Мітки: діагностування, росту, регулювання, пристрій, монокристалів, пристрою, функціонального

Формула / Реферат:

Пристрій функціонального діагностування пристрою регулювання росту монокристалів, виконаний у вигляді діагностичного ядра, що містить зв'язані між собою запам'ятовувальний пристрій і блок управління, першим виходом сполучений через інтерфейсну магістраль із багатопроцесорною системою управління процесом вирощування монокристалів, а також блоки контролю програмних переходів і часу, що містять, відповідно, регістри поточної й контрольної...

Номер патенту: 49632

Опубліковано: 11.05.2010

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: сублімуючих, вирощування, а4в6, напівпровідникових, твердих, розчинів, монокристалів, pbsnte, pbgete, pbте, спосіб, сполук

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сублімуючих твердих розчинів напівпровідникових сполук A4B6 (РbТе, PbSnTe, PbGeTe), який включає етапи синтезу, охолодження, пересублімації, який відрізняється тим, що зародження монокристала відбувається на синтезованому злитку з наступним його розростанням до дна ампули і заповненням всього її внутрішнього перерізу.

Номер патенту: 89883

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Андрєєв Євгеній Петрович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, пристрій, профільованих, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування профільованих кристалів, що містить тигель з кришкою, капілярну систему, яка виконана у вигляді пучка капілярних трубок і розташована симетрично щодо осі тигля, формоутворювач, отвір для завантаження тигля сировиною і механізм для витягування, який відрізняється тим, що кришкою є торцева пластина, у яку уведено не менше одного пучка капілярних трубок урівень з її поверхнею, на якій виконані радіальні капілярні...

Номер патенту: 89594

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Молодкін Вадим Борисович, Носик Валєрій Лєонідовіч, Первак Катерина Вадимівна, Айс Джин Емері, Лень Євген Георгійович, Татаренко Валентин Андрійович, Оліховський Степан Йосипович, Барабаш Роза Ісаківна, Ковальчук Міхаіл Валєнтіновіч, Молодкін Віталій Вадимович, Булавін Леонід Анатолійович, Шпак Анатолій Петрович, Низкова Ганна Іванівна, Кисловський Євген Миколайович, Білоцька Алла Олексіївна, Карнаухов Іван Михайлович, Сторижко Володимир Юхимович, Гинько Ігор Володимирович

МПК: G01N 23/20

Мітки: спосіб, монокристалів, багатопараметричної, декількома, діагностики, структурної, дефектів, типами

Формула / Реферат:

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів, що включає опромінення досліджуваного монокристала пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі  та відомої інтенсивності , здійснення у ньому Брегг-дифракції на системі площин, вимірювання за допомогою...

Номер патенту: 89334

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Галенін Євген Петрович, Софронов Дмитро Семенович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Кудін Костянтин Олександрович, Герасимов Ярослав Віталійович, Нагорняк Володимир Теодорович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00, C30B 29/32 ...

Мітки: середовище, структурою, германату, монокристалів, вирощування, вісмуту, евлітину

Формула / Реферат:

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину на основі інертних газів з вмістом кисню, яке відрізняється тим, що містить 2,5-3 об. % кисню і 97-97,5 об. % суміші інертних газів аргону та гелію, причому аргон і гелій беруть у співвідношенні 13:1.

Номер патенту: 89312

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Стрельніков Сергій Миколайович, Бережна Марина Анатоліївна, Дербунович Леонід Вікторович, Корольова Яна Юріївна, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: G06F 11/22, G06F 11/28, C30B 15/20 ...

Мітки: пристрою, монокристалів, регулювання, діагностування, пристрій, росту

Формула / Реферат:

Пристрій для діагностування пристрою регулювання росту монокристалів, що містить m-розрядну логічну структуру, кожна декада якої включає чотирирозрядний двійково-десятковий лічильник з виходами , перший і другий мультиплексори, елемент АБО-НІ й схему зворотного зв'язку, що включає логічні елементи І-НІ й ВИКЛЮЧНЕ-АБО, причому вихід елемента АБО-НІ з'єднаний з інформаційним...

Номер патенту: 46918

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, легованих, отримання, n-cdte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів n-CdTe, за яким монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки СdІ2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал здійснюють у парі кадмію при температурі Тв=(1050-1080) К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах РСd=(103-105) Па, час...

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованих, отримання, n-типу, провідності, монокристалів, спосіб, cdte:i

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку  вибирають CdI2 при концентрації йоду .

Номер патенту: 88591

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Галенін Євген Петрович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: сировиною, монокристалів, спосіб, наплавлення, тиглів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тигля сировиною для вирощування монокристалів, який полягає в тому, що сировину завантажують в тигель, розміщують тигель в ростовій камері, нагрівають й одержують розплав, довантажують сировину, який відрізняється тим, що довантаження здійснюють сплавленням до затравки попередньо вирощеного монокристала з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, й закріпленого в затравкоутримувачі безпосередньо після...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Нагорняк Володимир Теодорович, Сідлецький Олег Цезаревич, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євгеній Петрович, Бондар Валерій Григорійович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 15/00, C30B 35/00

Мітки: монокристалів, спосіб, вирощування, розплаву, чохральського, методом, пристрій, здійснення

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Номер патенту: 88507

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 29/22, C30B 15/00

Мітки: спосіб, складних, наплавлення, шихти, монокристалів, варіанти, оксидів

Формула / Реферат:

1. Спосіб наплавлення шихти монокристалів складних оксидів, що включає завантаження шихти в бункер печі, розміщення його над тиглем співвісно останньому, з подальшим нагрівом, переміщення одержаного розплаву в тигель шляхом перетікання через отвір в дні бункера, витримку розплаву, після чого тигель охолоджують, починаючи з його нижньої частини, який відрізняється тим, що як піч використовують піч з індукційним нагрівачем, розміщену у...

Номер патенту: 88312

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Кудін Олександр Михайлович, Семиноженко Володимир Петрович, Софронов Дмитро Семенович, Шишкін Олег Валерійович, Волошко Олександр Юрійович, Кудін Констянтин Олександрович

МПК: C30B 15/00, C30B 11/02, C01D 3/00 ...

Мітки: сировини, йодиду, вирощування, вихідної, основі, натрію, цезію, підготовки, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки вихідної сировини на основі йодиду натрію або цезію для вирощування монокристалів на їх основі, що включає завантаження вихідної солі в ампулу, її вакуумування, потім нагрівання солі при постійному вакуумуванні до температури 420-450 °С, введення в ампулу з вихідною сіллю сухого повітря з наступним витримуванням, вакуумування ампули, повторне напускання сухого повітря, витримування при температурі 420-450 °С і повторне...

Номер патенту: 43929

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Сосовська Світлана Миколаївна, Піскач Людмила Василівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, cdga2se4, розчину-розплаву, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sb, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Sb2Se3, що нижче фазового перетворення і складає близько...

Номер патенту: 43928

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Піскач Людмила Василівна, Юрченко Оксана Миколаївна, Панкевич Володимир Зіновійович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: cdga2se4, отримання, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sn, синтез у розплаві сполуки CdGa2Se4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації низькотемпературної модифікації CdGa2Se4 в частині, близькій до метатектичної горизонталі системи CdGa2Se4-SnSe2,...

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/00

Мітки: напівпровідникового, пристроїв, твердого, основі, галію-індію, матеріал, функціональних, селеніду, монокристалів, оптоелектроніки, розчину

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Бреславський Ігор Анатолійович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Мітки: сполук, а2в6, монокристалів, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Номер патенту: 87944

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Суздаль Віктор Семенович, Воронкін Євгеній Федорович, Стрельніков Сергій Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/20

Мітки: аiiвvi, вирощування, монокристалів, групи, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...

Номер патенту: 87927

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Горілецький Валентин Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Варич Андрій Григорович, Тимошенко Микола Миколайович, Таранюк Володимир Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів дискретним витягуванням на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом з автоматичною підтримкою в тиглі постійного рівня розплаву, корекцією його температури по сигналу датчика рівня розплаву і підживленням розплаву вихідною сировиною, попередньо поданою у розташовану коаксіально тиглеві кільцеву ємність для розплавлення, при цьому задають висоту дискретного витягування монокристала і величину...

Номер патенту: 87738

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 17/00, C30B 21/00, C30B 29/20 ...

Мітки: вирощування, напрямленою, розплаву, заданої, кристалізацією, спосіб, монокристалів, a-al2o3, форми, сапфіра

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-Аl2О3 заданої форми, який включає розміщення в порожнині тигля формоутворювача, заповнення порожнини тигля вихідною сировиною, плавлення та напрямлену кристалізацію на відповідно орієнтований затравочний кристал, який відрізняється тим, що формоутворювач розміщують в порожнині тигля, поперечний переріз якого має форму квадрата, таким чином, що відстань між формоутворювачем та стінками тигля по всій...

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: тритіостанату, добротності, tl2sns3, талій, термоелектричної, спосіб, покращення, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Номер патенту: 87426

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович, Васильєв Валентин Васильович, Тимошенко Микола Миколайович

МПК: C30B 15/20

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, який полягає в тому, що монокристал витягують на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом з автоматичною підтримкою в тиглі постійного рівня розплаву, задають величини падіння рівня розплаву, здійснюють управління, що включає вимірювання падіння рівня розплаву й корекцію його температури за результатами порівняння певних величин, здійснюють підживлення розплаву вихідною сировиною, що попередньо...

Номер патенту: 87353

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Копил Олександр Іванович, Микитюк Павло Дмитрович

МПК: C30B 23/00, C30B 29/46

Мітки: монокристалів, пристрій, а2в6, а4в6, сублімації, твердих, вирощування, методом, розчинів, сполук

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів твердих розчинів сполук А4В6, А2В6 методом сублімації, що складається з контейнера для розміщення наважки вихідних компонентів та високотемпературної трубчатої печі з внутрішнім діаметром, більшим за зовнішній діаметр контейнера, який відрізняється тим, що контейнер складається з двох з'єднаних вздовж поздовжньої осі симетрії частин, причому торець однієї частини з меншим діаметром має капіляр,...

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Адонкін Георгій Тимофійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Мірошников Юрій Петрович, Данько Олександр Якович

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Мітки: алюмінію, вирощування, оксиду, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Номер патенту: 41139

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Раренко Іларій Михайлович, Ковальчук Мирослав Любомирович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідників, монокристалів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів напівпровідників заданої форми та кристалографічної орієнтації з повним використанням розплаву, зокрема вісмуту, що включає нагрів до розплавлення вихідного матеріалу в тиглі, який обертається, затравлення на монокристалічну затравку, що також обертається та опускається в розплав штоком, розрощування монокристала з одночасним витягуванням, який відрізняється тим, що при досягненні діаметра кристала близько...

Номер патенту: 86135

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Бондар Валерій Григорович, Сідлецький Олег Цезаревич, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/14

Мітки: теплового, випромінювання, низькою, вирощування, прозорістю, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з низькою прозорістю для теплового випромінювання методом Чохральського, який містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою пластину з коаксіальним отвором в центральній її частині, який відрізняється тим, що екран виконаний у вигляді кільцевої пластини, зовнішній діаметр...

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: основі, твердого, матеріал, галію-індію, розчину, монокристалів, пристроїв, функціональних, оптоелектроніки, селеніду, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Номер патенту: 86105

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Герасимчук Лариса Іванівна, Рижикова Марина Георгіївна, Суздаль Віктор Семенович, Дербунович Леонід Вікторович, Бережна Марина Анатоліївна

МПК: G06F 11/28, G05D 27/00, C30B 15/20 ...

Мітки: регулювання, нього, пристрій, діагностування, монокристалів, росту

Формула / Реферат:

1. Пристрій для регулювання росту монокристалів, який містить підживлювач із транспортною трубкою, вимірювач положення рівня розплаву, блок керування переміщенням кристалотримача, блоки корекції температури донного і бічного нагрівачів, обчислювальний блок, ростову піч, тигель з кільцевою порожниною, донний і бічний нагрівачі, при цьому виходи обчислювального блока з'єднані, відповідно, із блоком керування переміщенням кристалотримача,...

Номер патенту: 86104

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: кадмію, вольфрамату, термообробки, спосіб, монокристалів, сцинтиляційних

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію, що включає нагрівання і витримку монокристалів з наступним їх охолодженням, який відрізняється тим, що монокристали нагрівають в відновній атмосфері при температурі 550-800 °С .

Номер патенту: 40276

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Попович Володимир Дмитрович, Корбутяк Дмитро Васильович, Пігур Ольга Миколаївна, Лоцько Олександр Павлович, Вахняк Надія Дмитрівна, Британ Віктор Богданович, Демчина Любомир Андрійович, Цюцюра Дмитро Іванович

МПК: C30B 23/00, C30B 11/00

Мітки: монокристалів, cdznte, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та CdZnTe, що включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів і формування монокристала з подрібненої шихти шляхом нагрівання кварцевої ампули з шихтою в вертикальній двозонній печі, який відрізняється тим, що синтез і формування монокристала проводять в атмосфері водню, нагрівання кварцевої ампули з шихтою і формування монокристала проводять в першій зоні печі при температурі Т1 = 900-1050 °С,...

Номер патенту: 85648

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 27/00, C30B 15/20, C30B 15/00 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, ліщука

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем електричного контакту ділянки кола кристал-розплав, який відрізняється тим, що у процесі зростання монокристала визначають часову залежність електричних параметрів згаданої ділянки кола, а про порушення монокристалічного зростання кристала судять по характерному відхиленню від аналогічної еталонної залежності.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що порушення...

Номер патенту: 85176

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вмістом, необхідним, кремнію, вуглецю, одержання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію з необхідним вмістом вуглецю, що включає визначення концентрації атомів вуглецю на нижньому торці кристала, відрізання від його нижнього торця частини з підвищеним вмістом вуглецю, повторне визначення концентрації атомів вуглецю на нижньому торці зливка, який відрізняється тим, що довжину частини монокристала з підвищеним вмістом вуглецю розраховують за формулою:

Номер патенту: 37223

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Мельничук Тетяна Аркадієвна, Савчук Андрій Йосипович, Клето Геннадій Іванович, Ткачук Петро Миколайович, Ткачук Вікторія Іллівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: іонізуючого, одержання, cdte:cl, однорідних, детекторів, спектрометрів, створення, монокристалів, випромінювання, основі, спосіб, напівізолюючих

Формула / Реферат:

Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів іонізуючого випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтезований телурид кадмію, попередньо очищений від легколетких домішок, разом із добавкою CdCl2ּ(NCl=1018-1020 см-3) завантажують у подвійну неграфітизовану кварцову ампулу, ампулу...

Номер патенту: 36075

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Гинько Ігор Володимирович, Низкова Ганна Іванівна, Молодкін Вадим Борисович, Молодкін Віталій Вадимович, Шпак Анатолій Петрович, Первак Катерина Вадимівна, Оліховський Степан Йосипович, Кисловський Євген Миколайович, Білоцька Алла Олексіївна, Ковальчук Михайло Валентинович, Лень Євген Георгійович

МПК: G01N 23/20

Мітки: типами, монокристалів, дефектів, спосіб, декількома, структурної, діагностики, багатопараметричної

Формула / Реферат:

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів, який полягає в тому, що досліджуваний монокристал опромінюють пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі  і відомої інтенсивності , здійснюють в ньому брегг-дифракцію на системі площин (hkl), вимірюють...

Номер патенту: 84215

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Ковач Степан Калманович, Гречин Михайло Іванович, Стасюк Юрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 27/333

Мітки: кислих, електрода, мембрани, визначення, розчинах, купруму, іоноселективного, застосування, купрум, cu7sis5i, йодиду-пентатіосилікату, монокристалів, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів купрум йодиду-пентатіосилікату Cu7SiS5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення Купруму в кислих розчинах.

Номер патенту: 35367

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Головко Юрій Вікторович, Швець Євген Якович, Воляр Роман Миколайович, Єгоров Сергій Геннадійович, Пожуєв Володимир Іванович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, вирощування, розплаву, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала, відрив монокристала від розплаву, охолодження монокристала, який відрізняється тим, що товщину розплаву під фронтом кристалізації монокристала підтримують рівною 0,3...0,5 радіусу...

Номер патенту: 83765

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: галію-індію, акустооптичного, селеніду, випромінювання, лазерного, матеріал, модулятора, основі, монокристалів

Формула / Реферат:

Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент застосований монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 34160

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Воляр Роман Миколайович, Головко Юрій Вікторович, Єгоров Сергій Геннадійович, Пожуєв Володимир Іванович, Швець Євген Якович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, кремнію, розплаву, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського в середовищі інертного газу, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, щознаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра і вирощування циліндрової частини монокристала, який відрізняється тим, що при довжині...