Патенти з міткою «монокристалів»

Номер патенту: 32716

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Раранський Микола Дмитрович, Грицюк Богдан Миколайович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, монокристалів, методом, напівпровідникових, сполук, перекристалізації, горизонтально, зонної, процес

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації, який складається з етапів попереднього синтезу вихідних матеріалів, подальшого перезавантаження разом з монокристалічною затравкою, затравлювання та зонного вирощування при прямому та зворотному русі зонного нагрівача, який відрізняється тим, що по закінченні кожного з проходів зонний нагрівач переміщують від кінця та початку завантаження...

Номер патенту: 30445

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Воляр Роман Миколайович, Червоний Іван Федорович, Пожуєв Володимир Іванович, Тутик Валерій Анатолійович, Гасик Михайло Іванович, Єгоров Сергій Геннадійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, домішки, кремнію, вирощування, монокристалів, концентрацією, заданою, розплаву, кисню

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву із заданою концентрацією домішки кисню по методу Чохральського, що включає приготування початкової шихти і її розплавлення в кварцовому тиглі, вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, що знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування...

Номер патенту: 29747

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 33/00, C01F 7/00

Мітки: спосіб, виготовлення, сапфіра, a-al2o3, підкладок, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалів сапфіра (α-Аl2О3), який включає визначення кристалографічних площин монокристала, виготовлення з нього циліндричних заготовок, основа яких є площиною епітаксії, виготовлення базової площини шляхом плоского шліфування, розділення циліндричних заготовок на пластини та подальше доведення їх до заданих товщини, діаметра і чистоти поверхні механічним шліфуванням та поліруванням, який...

Номер патенту: 29879

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 7/00, C30B 21/00

Мітки: заданої, кристалізацією, монокристалів, розплаву, форми, направленою, сапфіра, a-al2o3, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сапфіра α-Al2O3 заданої форми направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення в порожнині тигля формоутворювача, заповнення порожнини тигля вихідною сировиною, плавлення та направлену кристалізацію на відповідно орієнтований затравочний кристал, який відрізняється тим, що формоутворювач розміщують в порожнині тигля, поперечний переріз якого має форму квадрата, таким чином, що відстань між...

Номер патенту: 81385

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Вишневський Сергій Дмитрович, Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Мітки: монокристалів, спосіб, титаном, лазерних, термообробки, активних, сапфіра, елементів, активовані, заготівок

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки виробів з монокристалів сапфіра, що активовані титаном, який включає послідовний відпал в насичених парах термічної дисоціації оксиду алюмінію, а потім в атмосфері аргону з вмістом метану у кількості 10 - 30% об. при температурі 1750 – 2030 °С і відновному потенціалі  -100...-170 кДж/моль, який відрізняється тим, що відпал монокристалів в насичених парах...

Номер патенту: 70133

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Цигика Володимир Васильович, Черешня Володимир Михайлович, Галаговець Іван Васильович, Габорець Наталія Йосипівна, Переш Євгеній Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C01G 15/00, C30B 11/00, C30B 9/00 ...

Мітки: монокристалів, спосіб, сполук, одержання, tl6scl4, tl6sbr4, талію(і)сульфотетрахлориду, талію(і)сульфотетраброміду

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу сполуки талію(І)сульфотетрахлориду Tl6SCl4, який включає вирощування монокристалу із розчину за методом Бріджмена, який відрізняється тим, що беруть вихідну шихту наступного складу (мол.%):Tl2S -29,00TlCl-71,00,при цьому для процесу вирощування монокристалу Tl6SCl4 встановлюють задану швидкість переміщення фронту кристалізації 0,1 - 0,3 мм/годину, температурний градієнт у зоні...

Номер патенту: 81184

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Шаповалов Віктор Олександрович, Торхов Геннадій Федорович, Якуша Володимир Вікторович, Гніздило Олександр Миколайович

МПК: C30B 35/00, C30B 11/10

Мітки: монокристалів, металів, тугоплавких, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування плоских монокристалів тугоплавких металів, який містить механізм подачі прутків витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, здатний переміщуватися у вертикальній площині, плазмове джерело нагріву, виконане з можливістю переміщуватися в горизонтальній площині, високочастотний індуктор, прикріплений співвісно піддону до стінок камери і складений з паралельно сполучених котушок, верхня з яких має...

Номер патенту: 81196

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Суздаль Віктор Семенович, Герасимчук Лариса Іванівна, Горілецький Валентин Іванович, Тавровський Ігор Ігорович, Стрельніков Микола Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що проводять дискретне витягування на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом, автоматично підтримують у тиглі постійний рівень розплаву, корегують його температуру за сигналом датчика рівня розплаву і підживлюють розплав вихідною сировиною, яку попередньо подають у розташовану коаксіально тиглю кільцеву ємність для розплавлення, при цьому задають висоту дискретного...

Номер патенту: 80781

Опубліковано: 25.10.2007

Автори: Юркова Ірина Миколаївна, Бородінова Тетяна Іванівна, Естрела-Льопис Вікторіо Рафаелійович

МПК: C30B 29/00, C30B 7/00

Мітки: спосіб, монокристалів, одержання, солі, металу, мікророзмірів, благородного, нано

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів благородного металу або його солі нано- і/або мікророзмірів хімічним відновленням іонів цього металу із водного розчину сполуки металу, який відрізняється тим, що як відновник використовують аніонний поліелектроліт і процес проводять при концентрації іонів металу 0,1-5 мг-іон/дм3 і концентрації поліелектроліту 5-350 мг/дм3. 2. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що процес проводять при температурі...

Номер патенту: 26471

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Червоний Іван Федорович, Гасик Михайло Іванович, Пожуєв Володимир Іванович, Тутик Валерій Анатолійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, кремнію, монокристалів, вирощування, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає розміщення початкового кремнію в кварцовому тиглі, розігрівання і розплавлення його, затравлювання і вирощування монокристала заданих діаметра і довжини, який відрізняється тим, що початковий кремній в кварцовому тиглі розігрівають і розплавляють високовольтним тліючим розрядом.

Номер патенту: 80507

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Бояринцев Андрій Юрійович, Андрющенко Любов Андріївна, Гребінник Ірина Миколаївна, Бобовніков Олександр Анатолійович, Гриньов Борис Вікторович, Смирнов Микола Миколайович, Зеленська Ольга Віталіївна

МПК: G01T 1/20, G01T 1/202

Мітки: зокрема, виготовлення, монокристалів, спосіб, основі, сцинтиляторів, йодиду, кристалів, літію, лужногалоїдних, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сцинтиляторів на основі лужногалоїдних кристалів, зокрема активованих монокристалів йодиду літію, що включає шліфування торцевих поверхонь заготівки кристалу абразивним порошком у змочувальній рідині, видалення відходів шліфування шляхом промивання кристалів кремнієорганічною рідиною, обробку торцевої поверхні з боку вхідного вікна порошком з високою відбиваючою здатністю, з розміром зерна 63 мкм, оптичне зчленування...

Номер патенту: 80305

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Кисіль Олена Михайлівна, Бояринцев Андрій Юрійович, Шишкін Олег Валерійович, Софронов Дмитро Семенович, Гриньов Борис Вікторович, Чернишенко Віктор Якович, Івкова Тетяна Іванівна, Кудін Костянтин Олександрович, Волошко Олександр Юрійович

МПК: C01D 3/00, C30B 11/02, C01B 9/00 ...

Мітки: спосіб, йодиду, основі, підготовки, вирощування, монокристалів, натрію, сировини

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки сировини на основі йодиду натрію для вирощування монокристалів, що включає завантаження вихідної солі йодиду натрію в ампулу, її вакуумування, потім нагрівання при постійному вакуумуванні, введення сухого повітря з наступним витримуванням, повторний напуск сухого повітря, витримування й відкачування при відповідних режимах і повторне вакуумування, який відрізняється тим, що нагрівання солі ведуть до температури 420-450...

Номер патенту: 26253

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Олексеюк Іван Дмитрович, Янко Олег Георгійович, Уваров Віктор Миколайович, Волков Сергій Васильович, Піскач Людмила Василівна, Харькова Людмила Борисівна, Юрченко Оксана Миколаївна, Пехньо Василь Іванович, Романюк Ярослав Євгенович, Парасюк Олег Васильович, Шпак Анатолій Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: монокристалів, cu2cdges4, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2CdGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів, попереднє проведення синтезу сплаву протягом 10-15 хв., обертання ампули зі сплавом та його витримування при температурі розплаву для примусової гомогенізації, охолодження до кімнатної температури, подрібнення сплаву до порошкоподібного стану, перевантаження шихти в ростову ампулу, отримання з неї гомогенного розплаву, нарощування...

Номер патенту: 25554

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Червоний Іван Федорович, Пожуєв Володимир Іванович, Тутик Валерій Анатолійович, Гасик Михайло Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, плавкою, кремнію, монокристалів, безтигельною, вирощування, зонною

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію безтигельною зонною плавкою на затравці, що включає попередній розігрів вихідного стержня й затравки до заданої температури, натравлення кристала, утворення зони розплаву за допомогою індукційного нагрівача й переміщення зони розплаву уздовж вихідної заготівки, який відрізняється тим, що розігрів вихідного стержня й затравки здійснюють за допомогою електронного нагрівача на основі високовольтного...

Номер патенту: 24510

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованих, p-типу, cdte:v, монокристалів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:V n- i р-типу провідності, в якому як вихідну речовину використовують кадмій і телур особливо чистих марок, взяті у співвідношенні, що відповідає стехіометричному складу сполуки CdTe, і ванадій, поміщають у двозонну піч, нагрів у першій зоні проводять при температурі 1390 °С, температура другої зони дорівнює 1280 °С, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки (ванадій)...

Номер патенту: 24129

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Вишневський Сергій Дмитрович, Кривоносов Євгеній Володимирович

МПК: C30B 15/10

Мітки: середовищі, монокристалів, вирощування, вуглецевому, тигель, корунду

Формула / Реферат:

Молібденовий тигель для вирощування монокристалів корунду у вуглецевому середовищі, що виконаний з молібдену у вигляді циліндричного стакана, який відрізняється тим, що додатково містить вольфрамове покриття у вигляді шару на зовнішній поверхні завтовшки 2-5 мм.

Номер патенту: 23104

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Червоний Іван Федорович, Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович, Карась Микола Іванович, Комаринський Олексій Миколайович, Швець Євген Якович

МПК: C30B 15/02

Мітки: спосіб, розплаву, монокристалів, кремнію, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, який знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала і "протилежного конуса", відривання монокристала від...

Номер патенту: 22455

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Гинько Ігор Володимирович, Шпак Анатолій Петрович, Григор'єв Данило Олегович, Білоцька Алла Олексіївна, Когут Михайло Тихонович, Барабаш Роза Ісаківна, Молодкін Вадим Борисович, Низкова Ганна Іванівна

МПК: G01N 23/20

Мітки: досконалості, визначення, монокристалів, структурної, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення структурної досконалості монокристалів, що включає визначення товщини поверхневого порушеного шару у монокристалах після механічної обробки та полягає в тому, що на досліджуваний монокристал спрямовують пучок монохроматичного рентгенівського випромінювання, здійснюють асиметричну Брегг-дифракцію, попередньо визначають кути падіння рентгенівського випромінювання на поверхню зразка, яким відповідають спрямовуючі косинуси

Номер патенту: 22256

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: кремнію, монокристалів, пристрій, вирощування, карбіду, алманіту

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію, що містить кристалізатор і затравку, який відрізняється тим, що кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6мм рт.ст.),...

Номер патенту: 22255

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: монокристалів, кремнію, карбіду, спосіб, алманіту, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію, що включає  вирощування монокристалів карбіду кремнію із кремнію і вуглецю, який відрізняється тим, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1х1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка синтезатора,...

Номер патенту: 22820

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Стасюк Юрій Михайлович, Гречин Михайло Іванович, Ковач Степан Калманович, Панько Василь Васильович

МПК: G01N 27/333

Мітки: йодиду-пентатіосилікату, купруму, електрода, кислих, розчинах, визначення, мембрани, купрум, монокристалів, матеріалу, застосування, cu7sis5i, іоноселективного

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів купрум йодиду-пентатіосилікату Cu7SiS5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах.

Номер патенту: 22770

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Єгоров Сергій Геннадійович, Червоний Іван Федорович, Воляр Роман Миколайович

МПК: C30B 15/02

Мітки: монокристалів, розплаву, спосіб, кремнію, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, що знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала і "протилежного конуса", відрив монокристала від розплаву,...

Номер патенту: 78899

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ліщук Віталій Євгенович, Дятел Максим Михайлович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем опору ділянки електричного кола затравка-розплав, який відрізняється тим, що опір контролюють при відсутності прямого механічного контакту між затравкою та розплавом, а за величиною цього опору  визначають відстань між затравкою та поверхнею розплаву.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що опір контролюють при позитивній полярності напруги, прикладеної до...

Номер патенту: 21853

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Таланін Ігор Євгенійович, Таланін Віталій Ігорович, Сирота Анатолій Васильович

МПК: C30B 13/00, C30B 15/00

Мітки: вирощування, кремнію, спосіб, бездислокаційних, розплаву, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування з розплаву за допомогою методів безтигельної зонної плавки і Чохральського бездислокаційних монокристалів кремнію, що включає створення розплаву, підведення до розплаву монокристалічної затравки, вирощування монокристалічної частини з попереднім створенням тонкої шийки, який відрізняється тим, що під час росту монокристал, що зростає, піддають термічній обробці в межах 1350-1250 °С, з наступним швидким охолодженням...

Номер патенту: 21535

Опубліковано: 15.03.2007

Автор: Кравченко Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів, що включає створення розплаву на верхньому торці вертикально розташованого циліндрового затравочного монокристала, підсипку первинного порошку в розплав і рух затравочного монокристала вниз, який відрізняється тим, що в монокристалі створюють принаймні одну рідку зону з неповним проплавленням.

Номер патенту: 64602

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Ковтун Генадій Прокопович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Щербань Олексій Петрович

МПК: C30B 29/42, C30B 15/00

Мітки: арсеніду, спосіб, одержання, галію, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів арсеніду галію, який включає розплавлення полікристалічного матеріалу під шаром герметизуючого флюсу, що містить вологу, в атмосфері високочистого інертного газу та витягування монокристалу з розплаву на затравку, який відрізняється тим, що перед витягуванням монокристалу з розплаву здійснюють вертикальну спрямовану кристалізацію розплаву у напрямку до флюсу із швидкістю 0,008...0,3 мм/хв з одночасним обертанням...

Номер патенту: 78462

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Данько Олександр Якович, Адонкін Георгій Тимофійович, Стрілець Геннадій Васильович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Качала Володимир Юхимович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 29/20, C01F 7/02, C01F 7/46 ...

Мітки: монокристалів, одержання, сировини, лейкосапфіру, вирощування, глинозему, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сировини з глинозему для вирощування монокристалів лейкосапфіру, який включає сплавку суміші глинозему з 0,4-0,6 мас. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, одержання продукту плавки в гарнісажі і його наступне дроблення, який відрізняється тим, що роздроблений глиноземний матеріал попередньо перед вирощуванням засипають у тигель з встановленою у ньому затравкою, тигель поміщають у камеру печі з графітовою...

Номер патенту: 77543

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Вострецов Юрій Якович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: C30B 15/00

Мітки: вольфрамату, легованого, спосіб, вирощування, сцинтиляційних, кадмію, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування сцинтиляційних монокристалів легованого вольфрамату кадмію, що включає наплавлення шихти стехіометричного складу і вирощування методом Чохральського, який відрізняється тим, що додатково використовують сполуки літію в кількості 5х10-4-1х10-1 мол. % як легуючу добавку. 2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що сполуками літію є вольфрамат літію та/або карбонат літію.

Номер патенту: 77529

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Невзлін Борис Ісакович, Голубенко Олександр Леонідович, Єрошин Сергій Сергійович, Брешев Володимир Євгенович

МПК: H01L 21/461

Мітки: пластини, монокристалів, пристрій, різання

Формула / Реферат:

Пристрій для різання монокристалів на пластини, який містить корпус, торцевий асинхронний електродвигун, статор якого виконаний з двох кільцевих елементів, на повернутих одна до одної поверхнях яких закріплені обойми повітряних або гідравлічних підшипників, алмазне відрізне коло, розміщене між обоймами повітряних або гідравлічних підшипників, основу для кріплення монокристала, розміщену співвісно з торцевим асинхронним електродвигуном з...

Номер патенту: 77593

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорійович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: монокристалів, германату, вирощування, вісмуту, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту, що включає розплавлення вихідного матеріалу, витягування його на затравку, що обертається, розрощування конусної частини кристала, витягування його циліндричної частини, відділення кристала від розплаву, яке здійснюють збільшенням швидкості витягування до 100-200 мм/хв з подальшим охолодженням одержаного кристала зі швидкістю 100-150 град/год, який відрізняється тим, що перед відділенням...

Номер патенту: 18232

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, спосіб, телуриду, меркурію, p-типу, провідності, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і р-типу, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, при цьому одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі представляє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, який відрізняється тим, що одержані...

Номер патенту: 18231

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Борик Віктор Васильович, Дмитрів Анжела Миколаївна, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, провідності, меркурію, монокристалів, спосіб, телуриду, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду р-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Никируй Любомир Іванович, Лисюк Юрій Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: меркурію, n-типу, монокристалів, провідності, спосіб, отримання, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 76825

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Єрошин Сергій Сергійович, Невзлін Борис Ісакович, Голубенко Олександр Леонідович, Брешев Володимир Євгенович

МПК: B28D 5/00, H01L 21/461

Мітки: пристрій, монокристалів, пластини, різання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для різання монокристалів на пластини, який містить алмазний відрізний круг з внутрішньою різальною крайкою, торцевий асинхронний електродвигун, який включає у себе один або два кільцевих статори з обмотками, покладеними з боку алмазного відрізного круга, корпус та основу для кріплення монокристала з можливістю переміщення уздовж власної осі, який відрізняється тим, що обмотки кільцевих статорів покладені під кутом нахилу до...

Номер патенту: 71835

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Кісіль Андрій Іванович, Тимошенко Микола Миколайович, Кузнецов Валентин Анатолійович, Сумін Валентин Іванович, Горілецький Валентин Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/00

Мітки: пристрій, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб попереднього біологічного очищення стічних вод, що включає біокоагуляцію і попередню аерацію стічних вод з використанням надлишкового активного мулу з вторинних відстійників станції біологічного очищення, який відрізняється тим, що як споруду для біокоагуляції використовують приймальні резервуари, в яких накопичують стічну воду перед її подачею на первинні відстійники станції аерації біологічної очистки і в які подають надлишковий...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Нагорна Людмила Лаврентієвна, Бондар Валерій Григорійович, Катрунов Костянтин Олексійович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Бабійчук Інна Петрівна

МПК: C30B 29/10, C30B 33/02

Мітки: монокристалів, термічної, обробки, спосіб, свинцю, вольфрамату

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Номер патенту: 13783

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Панкевич Володимир Зіновійович, Парасюк Олег Васильович, Піскач Людмила Василівна, Харькова Людмила Борисівна, Пехньо Василь Іванович, Шпак Анатолій Петрович, Волков Сергій Васильович, Уваров Віктор Миколайович, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, отримання, aggages4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgGaGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Ga, Ge, S у відповідності із стехіометричним складом, синтез у розплаві сполуки AgGaGeS4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бриджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо проводять порційний синтез 2-3 г сплавів стехіометричного складу AgGaGeS4 протягом 10-15 хв, обертання ампул зі...

Номер патенту: 53469

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Буй Алєксандр Алєксандровіч, Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Мітки: тикору, спосіб, виробів, монокристалів, термообробки, титаном, сапфіра

Формула / Реферат:

1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.

Номер патенту: 69596

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Блецкан Олександр Дмитрович, Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: вирощування, монокристалів, корунду, підставка, тигля

Формула / Реферат:

Корисна модель, що пропонується, належить до електровимірювальної техніки і може бути використана в енергетиці при вимірюванні електричної енергії. Відомий пристрій за а. с. СРСР № 866491, М.кл. G01R210. Цей пристрій, як і той, що заявляється, містить датчик струму, датчик напруги, інтегратор, компаратор, вузол зворотного зв'язку, відліковий пристрій. Недоліком цього пристрою є недостатня чутливість.Найближчим за сукупністю...

Номер патенту: 61230

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 28/00, C30B 29/20

Мітки: спосіб, підготовки, монокристалів, сировини, вирощування, вихідної, a-al2o3, лейкосапфіру

Формула / Реферат:

1. Безалкогольний соковий напій, що містить рідкий соковий компонент, компонент для надання солодкого смаку і підготовлену воду, який відрізняється тим, що як компонент для надання солодкого смаку напій містить цукор і підсолоджувач, а як рідкий соковий компонент-концентрований сік при такому співвідношенні інгредієнтів на 100 дал готового продукту: сокова основа, кг 35,0-45,0 цукор, кг ...