Патенти з міткою «монокристалів»

Номер патенту: 98263

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: твердих, пентатіофосфату, допомогою, монокристалів, вирощування, розчинів, cu6ps5(br0,5i0,5, транспортних, реакцій, хімічних, спосіб, купрум, броміду-йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 69181

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Паньков Василь Васильович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: купрум, монокристалів, пентатіофосфату, хімічних, хлориду-броміду, розчинів, твердих, транспортних, реакцій, вирощування, 6ps5(cl1-xbrx, допомогою, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 97999

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Надточій Віктор Олексійович, Уколов Олексій Іванович

МПК: G01N 27/87

Мітки: приповерхневих, дефектності, кремнію, монокристалів, визначення, спосіб, германію, шарів, міри

Формула / Реферат:

Спосіб визначення міри дефектності приповерхневих шарів монокристалів германію або кремнію полягає у встановленні точкового контакту із зразком монокристалу, через який в пропускному напрямі подають два рознесені у часі прямокутні імпульси струму, інжектований і вимірювальний, який відрізняється тим, що проводять часову затримку вимірювального імпульсу до 1t, де t - час життя нерівноважних носіїв заряду, мкс.

Номер патенту: 97932

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Козьмін Юрій Семенович, Суздаль Віктор Семенович, Будаковський Сергій Валентинович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Демченко Вячеслав Васильович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/20, C30B 11/00 ...

Мітки: ампулі, управління, процесом, монокристалів, пристрій, розплаву, росту

Формула / Реферат:

Пристрій управління процесом росту монокристалів з розплаву в ампулі, що містить вертикальну піч із нагрівачах у верхній і нижньої її зонах, ампулу із речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, термопари, установлені на зазначених нагрівачах, регулятори зворотного зв'язку по температурі нагрівачів верхньої й нижньої зони печі, підключені до відповідних термопар і самих нагрівачів, блок програмно-логічного управління й...

Номер патенту: 67803

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Парасюк Олег Васильович, Романюк Ярослав Євгенович, Марушко Лариса Петрівна, Лавринюк Зоряна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: модифікацій, взаємній, cu,cd,in, високотемпературних, системі, cdse, розчинів, утворюються, монокристалів, основі, спосіб, cuinse2, cuins2, g-твердих, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів γ-твердих розчинів на основі високотемпературних модифікацій CuInSe2, CuInS2 та CdS, CdSe, які утворюються у взаємній системі Cu,Cd,In||Se,S, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cu, In, Cd, Se, S, попередній синтез у тепловому потоці джерела тепла та вирощування монокристалів із розплаву, з подальшою кристалізацією, відпалом та охолодженням до кімнатної температури за модифікованим...

Номер патенту: 97602

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Соболєв Олександр Вікторович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Стрельніков Микола Іванович, Тимошенко Микола Миколайович, Суздаль Віктор Семенович, Тавровський Ігор Ігорович

МПК: G05D 27/00, G01F 23/24, C30B 15/20 ...

Мітки: пристрої, пристрій, ростом, положення, управління, розплаву, контролю, рівня, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів, що містить механічно зв'язані між собою щуп з датчиком його переміщень і електродвигун із системою управління, яка включає блок обробки даних, контролер управління двигуном і схему визначення контакту щуп-розплав, перший вихід якої підключений до першого входу контролера, перший вхід/вихід блока обробки даних пов'язаний із системою управління ростом...

Номер патенту: 66536

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Рихлюк Сергій Вікторович, Лондар Тарас Олександрович, Коман Володимир Богданович, Половинко Ігор Іванович

МПК: C30B 7/00

Мітки: спосіб, монокристалів, k2coxni1-x(so4)2.6h2o, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів K2CoxNi1-x(SO4)2·6H2O, що включає випаровування вихідного розчину, який відрізняється тим, що вихідний розчин випаровують при кімнатній температурі упродовж 40-60 діб, причому складові розчину вибирають у такому співвідношенні компонентів (моль): K2SO4 - 1; СоСl2·6Н2О - 0-1; NiCl2·6H2O - 1-0.

Номер патенту: 96952

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Лочер Джон В., Джонс Крістофер Д., Занелла Стівен А., Пранаді Фері, Татартченко Віталі

МПК: C30B 29/20, C30B 15/34

Мітки: пластинка, монокристалів, сапфіру, одержання, с-площині, спосіб, пластина, орієнтований, пристрій, монокристал

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів сапфіру, орієнтованих в С-площині, який містить: джерело розплаву,перший нагрівач, сконструйований і розміщений таким чином, щоб нагрівати джерело розплаву,фільєру, суміжну з джерелом розплаву;першу зону, яка забезпечує перший температурний градієнт і яка розміщена суміжно з отвором фільєри, ідругу зону, яка забезпечує другий температурний градієнт і яка розміщена...

Номер патенту: 65585

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Фочук Петро Михайлович, Феш Роман Миколайович, Копач Олег Вадимович, Гешл Павел

МПК: C30B 13/14, H01L 21/18

Мітки: пристрій, монокристалів, відхиленням, контрольованим, стехіометрії, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії, що включає двозонну ростову піч опору з розміщеною в ній запаяною скляною ампулою росту з наважками компонентів, який відрізняється тим, що пристрій містить герметичний автоклав з можливістю регулювання тиску газу, в якому розміщено піч, в нижній частині якої знаходиться п'єдестал з розміщеною на ньому ампулою росту та компенсаційний ковпак, нижньою...

Номер патенту: 65294

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Мірошник Сергій Олександрович, Єрошин Сергій Сергійович

МПК: H02K 17/26, B28D 5/00

Мітки: пристрій, монокристалів, різання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для різання монокристалів, який містить вільний алмазний відрізний круг з внутрішньою різальною крайкою, торцевий асинхронний електродвигун, який включає у себе один або два кільцевих статори з обмотками, покладеними з боку алмазного відрізного круга, корпус та основу для кріплення монокристала з можливістю переміщення уздовж власної осі, обмотки кільцевих статорів покладені під кутом нахилу до радіуса від 0° до 90°, при цьому...

Номер патенту: 96653

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Маковеєв Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Воронов Олексій Петрович, Маковеєв Володимир Іванович, Сало Віталій Іванович

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00, C30B 29/14 ...

Мітки: дигідрофосфату, монокристалів, калію, здійснення, спосіб, вирощування, пристрій, групи, орієнтованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає підготовку первинного розчину, підготовку та установку на платформі в ростовій камері зародка, вирощування кристала методом рециркуляції розчинника, який відрізняється тим, що у первинний розчин додатково вводять іони заліза з концентрацією 1,0·10-4-3,0·10-4 мас. %, як зародок використовують пласкопаралельну пластину, вирізану з об'ємного кристала таким...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 17/00, C01G 15/00, C01G 19/00 ...

Мітки: монокристалів, термоелектричного, основі, одержання, tl4sns4, спосіб, матеріалу, тетратіостанату, талію(і

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Номер патенту: 64603

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: реакцій, cu6ps5(br1-xix, допомогою, броміду-йодиду, спосіб, твердих, купрум, вирощування, хімічних, транспортних, монокристалів, розчинів, пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 96531

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович, Дербунович Леонід Вікторович

МПК: G01F 11/28, G01R 35/00

Мітки: росту, монокристалів, функціонального, регулювання, пристрій, діагностування, пристрою

Формула / Реферат:

Пристрій функціонального діагностування пристрою регулювання росту монокристалів (МК), виконаний у вигляді діагностичного ядра, що містить з'єднані між собою запам'ятовувальний пристрій і блок керування, з'єднаний через інтерфейсну магістраль із багатопроцесорною системою керування процесом вирощування МК, а також блок контролю керуючої програми, з'єднаний з останніми, який відрізняється тим, що додатково містить блок діагностування по...

Номер патенту: 96501

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Маковеєв Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Воронов Олексій Петрович, Сало Віталій Іванович, Маковеєв Володимир Іванович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/14

Мітки: вирощування, групи, орієнтованих, дигідрофосфату, монокристалів, спосіб, калію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає підготовку первинного розчину, підготовку та установку в ростову камеру на платформі зародка, наповнення кристалізатора розчином, вирощування кристала, який відрізняється тим, що концентрація мікродомішок в первинному розчині складає не більше ніж 5,0·10‑5 мас. %, як зародок використовують пласкопаралельну пластину, вирізану з об'ємного кристала таким...

Номер патенту: 96345

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Гніздило Олександр Миколайович, Карускевич Ольга Віталіївна, Якуша Володимир Вікторович, Шаповалов Віктор Олександрович, Колєсніченко Володимир Іванович

МПК: C30B 13/00, C30B 30/00, C30B 11/00 ...

Мітки: пристрій, виробів, отримання, монокристалічною, певною, матеріалів, полікристалічною, тугоплавких, вирощування, профільованих, монокристалів, структурою, металів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів, який включає герметичну камеру, механізм подачі витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, який виконаний з можливістю  переміщення у вертикальній площині, плазмове джерело нагрівання, яке виконане з можливістю  переміщення в...

Номер патенту: 63598

Опубліковано: 10.10.2011

Автори: Марушко Лариса Петрівна, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Лавринюк Зоряна Володимирівна, Романюк Ярослав Євгенович

МПК: C30B 11/00

Мітки: утворюються, системі, спосіб, взаємній, монокристалів, отримання, cu,cd,in, основі, розчинів, g-твердих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe та утвердих розчинів на його основі, що утворюються у взаємній системі Cu,Cd,In||Se,Te, який включає складання шихти, синтез у тепловому потоці з джерела тепла та вирощуванні монокристалів із розплаву з подальшою кристалізацією та охолодженням до кімнатної температури за модифікованим варіантом методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез проводять у два етапи, перший з яких полягає у...

Номер патенту: 62629

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна, Гуцул Іван Васильович, Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: процес, монокристалів, цинку, отримання

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів цинку, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої направленої перекристалізації при Т1 = 692,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів цинку за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...

Номер патенту: 62628

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, процес, селену

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів селену, що складається з етапів загрузки наважки, подальшої направленої перекристалізації при температурі Т1 = 490 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів селену за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...

Номер патенту: 62627

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: кадмію, монокристалів, процес, отримання

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів кадмію, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при , який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів кадмію за пунктом 1, який відрізняється тим, що його...

Номер патенту: 61730

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Власенко Олександр Іванович, Бойко Микола Іванович, Байдулаєва Алія

МПК: B82B 3/00, H01L 21/268

Мітки: поверхні, формування, спосіб, нанорозмірних, острівцевих, структур, монокристалів, лазерно-індукованого

Формула / Реферат:

Спосіб формування острівцевих наноструктур на поверхні монокристалів CdTe імпульсами рубінового лазера (λ= 694 нм) тривалістю τ = 2·10-8с, при нормальному падінні променя на поверхню кристала який відрізняється тим, що опромінення здійснюють одиночним імпульсом з густиною потужності імпульсу I, величина якої лежить в межах 4 МВ т/см2< I< 8 МВ т/см2.

Номер патенту: 95417

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Тавровський Ігор Ігорович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Соболєв Олександр Вікторович, Суздаль Віктор Семенович, Стрельніков Микола Іванович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: вирощування, пристрій, монокристалів, аiiвvi, групи

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи АІІВVI, що містить вузли переміщення тигля й тепловий вузол, пристрій відображення інформації й логічний блок, при цьому вузол переміщення, зв'язаний через водоохолоджуваний шток і черв'ячну передачу із двигуном вертикального переміщення тигля, з'єднаний із блоком управління двигуном і відліковим пристроєм - енкодером величини переміщення штока, тепловий вузол містить регулятор потужності...

Номер патенту: 95342

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Карпов Олексій Петрович, Брешев Володимир Євгенович

МПК: H01L 21/461, B28D 5/04

Мітки: різання, пластини, пристрій, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для різання монокристалів на пластини, який містить алмазний відрізний круг з внутрішньою різальною крайкою, торцевий асинхронний електродвигун, який включає у себе один або два кільцевих статори з електричними обмотками, розташованими з боку алмазного відрізного круга і покладеними у пази під кутами до радіусу від 0° до 90°, при цьому кути нахилу обмоток верхнього і нижнього статорів можуть не збігатися, корпус, основу для...

Номер патенту: 60529

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: отримання, телуру, монокристалів, процес

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалу телуру, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при Т1=722,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості .2. Процес отримання монокристалу телуру за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають температурним відпалом...

Номер патенту: 60241

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Данько Олександр Якович, Бараннік Сергій Віталійович, Адонкін Георгій Тимофійович, Картамишев Георг Олександрович, Каніщев Василь Миколайович

МПК: C30B 13/02

Мітки: монокристалів, зокрема, вирощування, корунду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, зокрема корунду, згідно з яким, в тигель завантажують початкову сировину, розміщують тигель у ростовій печі, розплавляють сировину, витягують у холодну зону з постійним прискоренням, який відрізняється тим, що фіксують момент різкого зростання (стрибок) швидкості кристалізації, одночасно фіксують ростову координату і швидкість витягування, зупиняють вирощування, тигель повертають назад на відстань, що...

Номер патенту: 60165

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Педаш Вячеслав Юрійович, Реброва Тетяна Павлівна, Чергінець Віктор Леонідович, Дацько Юрій Миколайович, Гончаренко Віктор Федорович

МПК: C30B 13/08, C30B 15/00

Мітки: монокристалів, спосіб, йодиду, одержання, цезію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів йодиду цезію, який включає завантаження вихідної сировини, що містить катіонну добавку, нагрівання, плавлення під вакуумом і наступне вирощування кристала, який відрізняється тим, що як катіонну добавку використовують хлорид магнію MgCl2, яку вводять в кількості 5·10-4-1·10-2 моль·кг-1.

Номер патенту: 58626

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Харькова Людмила Борисівна, Уваров Віктор Миколайович, Парасюк Олег Васильович, Волков Сергій Васильович, Пехньо Василь Іванович, Шпак Анатолій Петрович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, agcd2gas4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgCd2GaS4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Cd, Ga, S, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з області первинної кристалізації AgCd2GaS4, що становить 38-40 мол. % AgGaS2 та 60-62 мол. % CdS, попередньо проводять синтез сплаву спочатку...

Номер патенту: 93940

Опубліковано: 25.03.2011

Автори: Щелкалін Віталій Миколайович, Будаковський Сергій Валентинович, Тевяшев Андрій Дмітрієвич, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Козьмін Юрій Семенович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: монокристалів, вирощування, ампулі, розплаву, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, яка має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу із речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку із двигуном і приводом її переміщення, термопари й відліковий пристрій величини переміщення ампули, який відрізняється тим, що термопари встановлені на нагрівачах...

Номер патенту: 93840

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Васецький Сергій Іванович, Тимошенко Микола Миколайович, Колесніков Олександр Володимирович, Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 11/00, C01D 3/12, C01D 17/00 ...

Мітки: спосіб, йодиду, вирощування, натрію, монокристалів, цезію, основі

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини в тигель, його нагрівання в вакуумі в ростовій камері до заданої температури, заповнення камери інертним газом, розплавлення сировини та наступне вирощування кристала при тиску інертного середовища 0,01-0,2 атм., який відрізняється тим, що, після стадії радіального розростання та досягнення висоти кристала, що дорівнює 0,5 D,...

Номер патенту: 93798

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Соболєв Олександр Вікторович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Тимошенко Микола Миколайович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20

Мітки: регулювання, спосіб, монокристалів, росту, розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб регулювання росту монокристалів із розплаву безперервним витягуванням кристала після його розростання по діаметру з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом, у якому задають постійну швидкість витягування кристала й здійснюють управління шляхом корекції температури розплаву бічним і донним нагрівачами, який відрізняється тим, що додатково задають інтервал часу регулювання, зміну величини зниження рівня розплаву в межах L =...

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 29/10 ...

Мітки: транспортних, хімічних, вирощування, cu6ass5i, йодиду-пентатіоарсенату, спосіб, допомогою, монокристалів, реакцій, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 56549

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Біляков Віктор Миколайович, Черненков Данило Віталійович, Макарова Ірина Олегівна, Нетак Борислав Борисович, Макаров Олег Дмитрович, Канібор Юрій Олександрович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів, що включає циліндричну камеру росту з коаксіально розташованими нагрівником і подвійним концентричним тиглем із зовнішньою і внутрішньою частинами, механізм обертання тигля, затравкоутримувач, встановлений над тиглем і закріплений на штоку з можливістю обертання та вертикального переміщення, систему підживлення розплаву у вигляді бункера з трубкою, який відрізняється тим, що камера росту оснащена...

Номер патенту: 55849

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Лісняк Владислав Владиславович, Стусь Наталія Вікторівна, Смірнова Тамара Іванівна, Стратійчук Денис Анатолійович

МПК: B01J 39/00

Мітки: отримання, pnb9o25, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів PNb9O25, який включає змішування порошків оксиду ніобію - Nb2О5 та фосфату амонію - NH4H2PO4 з наступним нагріванням отриманої суміші до високої температури 1200-1300 °С, який відрізняється тим, що після нагрівання отриманий продукт піддають додатковій обробці в суміші ортофосфатної кислоти - Н3РО4 та карбаміду при температурі 300-400 °С в гідротермальних умовах протягом 24-48 год.

Номер патенту: 54730

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: спосіб, монокристалів, хімічних, cu6ass5i, йодиду-пентатіоарсенату, вирощування, транспортних, допомогою, купрум, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 54444

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Романюк Ярослав Євгенійович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Сосовська Світлана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, cdga2se4, розчин-розплавним, методом, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cd, Ga, Se, Sn, Bi, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Bi2Se3, що нижче фазового перетворення і складає...

Номер патенту: 91876

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Стасюк Юрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 27/333

Мітки: мембрани, визначення, кислих, cu7(si0,7ge0,3)s5i, твердих, розчинів, застосування, матеріалу, монокристалів, міді, розчинах, іоноселективного, електрода

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів твердих розчинів Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах.

Номер патенту: 52583

Опубліковано: 25.08.2010

Автори: Сич Тетяна Григорівна, Литвиненко Юрій Михайлович, Лободюк Валентин Андрійович

МПК: C30B 1/00

Мітки: монокристалів, металевих, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання металевих монокристалів, що включає нагрів масивного металевого зразка до температури переходу в монокристалічний стан, який відрізняється тим, що нагрівають з одного кінця масивний металевий зразок, який знаходиться в аморфному стані, до температури кристалізації в твердому стані та здійснюють його поступове переміщення відносно температурної діафрагми, нагрітої до температури кристалізації в твердому стані, в напрямку руху...

Номер патенту: 52152

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Масол Ігор Віталієвич, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/00

Мітки: карбіду, вирощування, алманітів, монокристалів, пристрій, кремнію

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію (алманітів), що містить кристалізатор і затравку, причому кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6 мм рт. ст.),...

Номер патенту: 52151

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Масол Ігор Віталієвич

МПК: C30B 23/00, C30B 35/00

Мітки: монокристалів, кремнію, алманіту, вирощування, карбіду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію алманіту, який полягає у тому, що монокристали карбіду кремнію вирощують із кремнію і вуглецю, суть якого полягає у тому, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1x1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка...

Номер патенту: 51927

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Карускевич Ольга Віталіївна, Колєсніченко Володимир Іванович, Гніздило Олександр Миколайович, Шаповалов Віктор Олександрович, Якуша Володимир Вікторович

МПК: F27B 14/00, C30B 29/00, C30B 15/00 ...

Мітки: тугоплавких, монокристалів, методом, пристрій, чохральського, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральського, що включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристала та тигель, виконаний з тугоплавкого матеріалу (метал, сплав, хімічна сполука і т.д.), який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який...