Патенти з міткою «монокристалів»

Номер патенту: 9275

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Ведь Марина Віталіївна, Штефан Вікторія Володимирівна, Гржимало Анастасія Геннадіївна, Сахненко Микола Дмитрович

МПК: C30B 7/00, C25B 3/00

Мітки: спосіб, солей, вирощування, монокристалів, іон-радикальних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів іон-радикальних солей, що включає електроліз в апротонних розчинниках, які містять похідні фульваленів та сіль акцептора, який відрізняється тим, що процес вирощування проводять в імпульсному режимі при густині струму 30-140 мкА/см2, тривалості імпульсу 1·10-3-1·10-2 с, тривалості паузи 1·10-2-1·10-1 с впродовж 0,5-1,5 годин.

Номер патенту: 8143

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Марков Андрій Іванович, Шевчук Сергій Миколайович, Заневський Олег Олексійович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: монокристалів, затравці, синтезу, спосіб, алмазу

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці, який передбачає створення початкового перепаду температури між алмазною затравкою і джерелом вуглецю, які розділені розташованою між ними масою металічного каталізатора-розчинника, який полягає у прикладанні високого тиску і температури Т0 до розміщених пошарово в реакційній зоні джерела вуглецю, металічного каталізатора-розчинника і кристала затравки, причому алмазну затравку нагрівають до...

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Куликовський Едуард Володимирович, Шульга Юрій Григорович, Повстяний Володимир Григорович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: методом, екрануючий, монокристалів, нього, спосіб, пристрій, вирощування, чохральського, кремнію

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...

Номер патенту: 72100

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Самчук Анатолій Іванович, Фоменко Веніамін Васильович, Перепелиця Олександр Петрович, Демидьонок Олена Анатоліївна

МПК: C01F 17/00, C30B 7/00

Мітки: елементів, тетрагідратів, спосіб, монокристалів, рідкісноземельних, одержання, триперенатів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів тетрагідратів триперенатів рідкісноземельних елементів (РЗЕ), який включає розчинення оксидів  РЗЕ у розчині перенатної кислоти при нагріванні з наступним охолодженням, додаванням 96 % етилового спирту і ізотермічним випаровуванням одержаного розчину над поглиначем в ізольованому об'ємі, який відрізняється тим, що 96 % етиловий спирт додають у кількості 30-65 об'ємних % від загального об'єму розчину,...

Номер патенту: 68177

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Стратійчук Денис Анатолійович, Стусь Наталія Вікторівна, Смірнова Тамара Іванівна, Слободяник Микола Семенович, Лісняк Владислав Владиславович

МПК: C01B 25/26, C01G 25/00, C01D 13/00 ...

Мітки: натрію-цирконію, монокристалів, nazr2(po4)3, спосіб, ортофосфату, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів ортофосфату натрію-цирконію NaZr2(PO4)3, який передбачає змішування флюсу та еквімолярних кількостей фосфату натрію і діоксиду цирконію з наступним нагріванням отриманої суміші до температури кристалізації NaZr2(PO4)3, який відрізняється тим, що при змішуванні як флюс використовують ванадат натрію в кількості 20-85 % моль.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють до...

Номер патенту: 67538

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Стратійчук Денис Анатолійович, Лісняк Владислав Владиславович, Стусь Наталія Вікторівна, Смірнова Тамара Іванівна, Слободяник Микола Семенович

МПК: C01B 25/22, C01B 25/18, C01D 13/00 ...

Мітки: монокристалів, ортодифосфату, натрію-індію, na7(inp2o7)4(po4, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів ортодифосфату натрію-індію Nа7(InP2О7)4(PО4), який передбачає змішування натрієвмісного, фосфорвмісного компонентів та оксиду індію (Іn2О3) (в кількості 12-14 % мас.), нагрівання отриманої суміші методом ізотермічного насичення до утворення високотемпературного лужно-фосфатного розплаву, який відрізняється тим, що при змішуванні додають метаванадат натрію (NaVO3) в кількості 10-15 % мас.2. Спосіб за п....

Номер патенту: 67537

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Стратійчук Денис Анатолійович, Смірнова Тамара Іванівна, Лісняк Владислав Владиславович, Слободяник Микола Семенович, Стусь Наталія Вікторівна

МПК: C01B 25/18, C01D 13/00, C01G 25/00 ...

Мітки: отримання, натрію-цирконію, монокристалів, спосіб, na5zr(po4)3, ортофосфату

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів ортофосфату натрію-цирконію Na5Zr(PO4)3, який передбачає змішування еквімолярних кількостей натрієвмісного фосфату, фосфорвмісного компоненту та діоксиду цирконію (ZrO2), нагрівання отриманої суміші до високої температури з кристалізацією Na5Zr(PО4)3, який відрізняється тим, що при змішуванні додають метаванадат натрію (NaVO3) в кількості 46-50 % мас., а нагрівання отриманої суміші здійснюють до...

Номер патенту: 67356

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 17/00, C30B 29/20

Мітки: кристалізаційний, вузол, вирощування, форми, корунду, монокристалів, a-al2o3, заданої

Формула / Реферат:

Кристалізаційний вузол для вирощування монокристалів корунду α - Al2O3 заданої форми, який включає вакуумну камеру, нагрівник, тигель із розташованим в його порожнині формоутворювачем, систему вертикально та горизонтально розташованих екранів, один з яких знаходиться безпосередньо на тиглі, який відрізняється тим, що горизонтальний екран, який знаходиться на тиглі, містить п'ять теплових вікон, при цьому середнє з яких має форму...

Номер патенту: 66128

Опубліковано: 15.04.2004

Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 13/00

Мітки: методом, вертикальної, твердих, зонної, спосіб, монокристалів, отримання, перекристалізації, розчинів, bi-te-se-sb

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb методом вертикальної зонної перекристалізації, що включає етапи підготовки наважки, її синтез та подальшу перекристалізацію, який відрізняється тим, що формоутворювач вкладається в контейнер з наважкою на етапі її підготовки, її синтез та застигання проводяться при фіксації формоутворювача у верхньому та нижньому положеннях контейнера відповідно, при цьому перекристалізація злитка...

Номер патенту: 65682

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Кабанов Анатолій Єгорович, Клочко Аркадій Вікторович, Тіманюк Володимир Олександрович

МПК: C30B 33/04, C30B 33/02, C30B 33/00 ...

Мітки: монокристалів, орієнтування, спосіб, ультразвуковий, металевих

Формула / Реферат:

Ультразвуковий спосіб орієнтування металевих монокристалів, що включає пропускання ультразвуку крізь охолоджений до температури рідкого гелію зразок у напрямку відкритої поверхні Фермі, уміщення зразка в магнітне поле 5-15 кВ, яке спрямоване перпендикулярно розповсюдженню ультразвуку, реєстрацію піків поглинання при зміщенні кута між напрямком розповсюдження ультразвуку і магнітним полем, який відрізняється тим, що вказаний кут змінюють в...

Номер патенту: 65338

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 31/00, C30B 33/00

Мітки: спосіб, хлором, монокристалів, легованих, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n-CdTe, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію PCd>6-103 Па, час відпалу становить...

Номер патенту: 65336

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович, Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 33/02, C30B 31/00

Мітки: cdte:cl, спосіб, провідності, отримання, монокристалів, p-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...

Номер патенту: 65337

Опубліковано: 15.03.2004

Автор: Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 31/00, C30B 33/00

Мітки: монокристалів, n-типу, провідності, cdte:cl, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...

Номер патенту: 61300

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Писклинець Уляна Михайлівна, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, провідності, кадмію, спосіб, p-типу, монокристалів, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності, що включає використання як вихідних речовин чистого кадмію і чистого телуру, які синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування кадмію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у...

Номер патенту: 61299

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, спосіб, cdte:in, провідності, монокристалів, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів CdTe:In n- і р-типу провідності, що включає використання як вихідної речовини телуриду кадмію стехіометричного складу, який розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні...

Номер патенту: 61230

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: C30B 29/20, C30B 28/00

Мітки: спосіб, підготовки, монокристалів, лейкосапфіру(a-al2o3, вихідної, вирощування, сировини

Формула / Реферат:

1. Безалкогольний соковий напій, що містить рідкий соковий компонент, компонент для надання солодкого смаку і підготовлену воду, який відрізняється тим, що як компонент для надання солодкого смаку напій містить цукор і підсолоджувач, а як рідкий соковий компонент-концентрований сік при такому співвідношенні інгредієнтів на 100 дал готового продукту: сокова основа, кг 35,0-45,0 цукор, кг ...

Номер патенту: 58151

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Ткачук Петро Миколайович, Раранський Микола Дмитрович, Ткачук Вікторія Іллівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: випромінювання, детекторів-спектрометрів, створення, спосіб, основі, монокристалів, напівізолюючих, ядерного, одержання, cdte:cl, однорідних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів ядерного випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що полікристалічний порошок синтезованого CdTe поміщають у робочу камеру трисекційної кварцової ампули, ампулу розміщують в температурному полі горизонтальної трубчатої печі з градієнтом температури...

Номер патенту: 35341

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Машков Андрій Іванович, Блецкан Дмитро Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович, Лук'янчук Олександр Ростиславович, Бундаш Йосип Йосипович, Цифра Василь Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 31/00, C30B 35/00, C30B 29/20 ...

Мітки: монокристалів, сплаву, вирощування, корунду, a-оксид, тигля, молібден-вольфрамового, відновлення, алюмінію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб відновлення тигля із молібден-вольфрамового сплаву для вирощування монокристалів корунду -оксид алюмінію, який включає нагрівання та витримування його у вакуумі при температурі 1400°С, який відрізняється тим, що несуцільності тигля перед вакуумуванням та нагріванням із внутрішньої сторони його стінок заповнюють дрібнодисперсним порошком, хімічний склад якого...

Номер патенту: 57145

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Коневський Віктор Семенович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорійович

МПК: C30B 29/34, C30B 33/02

Мітки: гадолінію, відпалу, спосіб, монокристалів, ортосилікату

Формула / Реферат:

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію шляхом нагрівання монокристалів до температури відпалу по нелінійному закону, наступної ізотермічної витримки при цій температурі і зниженням температури також по нелінійному закону, який відрізняється тим, що відпал монокристалів відтворюють у тепловому полі з осьовим градієнтом температури від 0,3 до 0,75 град/см, підвищують температуру до 600 - 750°С зі швидкістю 28 - 33 град/г, потім до...

Номер патенту: 53469

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Кривоносов Євген Володимирович, Буй Алєксандр Алєксандровіч, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Мітки: спосіб, виробів, титаном, тикора, сапфіра, монокристалів, термообробки

Формула / Реферат:

1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.

Номер патенту: 52257

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Лісняк Владислав Владиславович, Слободяник Микола Семенович, Стратійчук Денис Анатолійович, Стусь Наталія Вікторівна

МПК: C01G 39/00

Мітки: отримання, гептаоксодимолібдату, гексалітію, монокристалів, li6mo2o7, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів гептаоксодимолібдату гексалітію (Li6Mo2O7), який передбачає змішування порошків гідрооксиду літію, молібденовмісної складової, нагрівання суміші при високих температурах, який відрізняється тим, що як молібденовмісну складову використовують молібдат літію двоводний, при цьому вихідні компоненти взято в такій кількості: гідрооксид літію (LiOH) (2,00 - 2,50 моль), молібдат літію двоводний (Li2MoO4 x 2H2O) (2,50 -...

Номер патенту: 52196

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Стусь Наталія Вікторівна, Слободяник Микола Семенович, Лісняк Владислав Владиславович, Смірнова Тамара Іванівна, Стратійчук Денис Анатолійович

МПК: C01G 1/02, C01G 37/00, C01D 3/00 ...

Мітки: спосіб, змішаних, складу, металів, загального, отримання, бронз, лужних, m10,1w1-xmoxo3, монокристалів, 0,1јxј0,4, молібден-вольфрамових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів змішаних молібден-вольфрамових бронз лужних металів загального складу MI0,1W1-xMoxO3 (0.1х0.4), який передбачає змішування порошків йодиду лужного металу, вольфрам- і молібденвмісної складової, нагрівання суміші при високих температурах, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 51245

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Лісняк Владислав Владиславович, Слободяник Микола Семенович, Стусь Наталія Вікторівна, Стратійчук Денис Анатолійович

МПК: C30B 27/00

Мітки: монокристалів, монофосфатних, металів, спосіб, отримання, молібден-вольфрамових, лужних, бронз

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів монофосфатних молібден-вольфрамових бронз лужних металів, який передбачає змішування вихідних порошкоподібних компонентів, які містять порошки карбонату лужного металу, дигідроортофосфату амонію, триоксиду вольфраму, триоксиду молібдену та металічного молібдену у мольному співвідношенні згідно з молекулярною формулою: , де MI = Li, Na, К, Rb,...

Номер патенту: 51500

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Стратійчук Денис Анатолійович, Стусь Наталія Вікторівна, Лісняк Владислав Владиславович, Слободяник Микола Семенович

МПК: C01G 57/00

Мітки: отримання, дикалію, монокристалів, к2mo8о16, спосіб, 16-оксооктамолібдату

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів дикалію 16-оксооктамолібдату (К2Mо8О16), що включає змішування порошків вихідних компонентів: гідрооксиду калію (КОН), триоксиду молібдену (МоО3), молібденвмісної складової; нагрівання суміші при високих температурах та тиску, який відрізняється тим, що як молібденвмісну складову використовують парамолібдат амонію чотириводний ((NH4)6Mo7O24x4H2O), при цьому вихідні компоненти взято в такій...

Номер патенту: 51312

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Стусь Наталія Вікторівна, Слободяник Микола Семенович, Стратійчук Денис Анатолійович, Лісняк Владислав Владиславович

МПК: C30B 27/00

Мітки: спосіб, фосфатних, монокристалів, бронз, отримання, молібден-вольфрамових, змішаних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів змішаних фосфатних молібден-вольфрамових бронз, а саме представника Nа0,2Lі3,8(W0,7Мо0,3О3)8(РО2)4, який передбачає змішування порошків вихідних компонентів: карбонату лужного металу, дигідроортофосфату амонію, триоксиду вольфраму, триоксиду молібдену та металічного молібдену, їх нагрівання при високих температурах, який відрізняється тим, що як карбонат лужного металу використовують карбонат літію, у суміш...

Номер патенту: 50000

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Каніщев Василь Миколайович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Данько Олександр Якович, Адонкін Георгій Тимофійович, Ніжанковський Сергій Вікторович

МПК: C30B 29/20, C01F 7/02

Мітки: одержання, розплаву, шихти, вирощування, монокристалів, корунду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання шихти для вирощування монокристалів корунду із розплаву, який включає завантаження порошку глинозему у камеру печі, його нагрів зверху і плавлення в гарнісажі, роздрібнення продукту плавки, який відрізняється тим, що в порошок глинозему додають 0,4...0,6 ваг. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, порошок глинозему перед сплавленням прожарюють у газовому середовищі на основі монооксиду вуглецю при тиску...

Номер патенту: 50323

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Будзан Богдан Борисович, Лопатинський Іван Євстахович, Українець Наталія Андріївна, Українець Валентин Остапович, Ільчук Григорій Архипович

МПК: C30B 25/08

Мітки: замкнутому, cdte, парофазного, реактор, вирощування, монокристалів, об'ємі

Формула / Реферат:

Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, який відрізняється тим, що один з кінців ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішнього боку приєднаний хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули тепловідвідний стержень з елементами фіксації.

Номер патенту: 49563

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Слободяник Микола Семенович, Стратійчук Денис Анатолійович, Лісняк Владислав Владиславович

МПК: C01G 41/00, C30B 1/00

Мітки: отримання, вольфрамових, монокристалів, спосіб, бронз

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів вольфрамових бронз, який передбачає змішування вихідних порошкоподібних компонентів, які містять порошки вищого оксиду вольфраму та металічного вольфраму, здійснення їх синтезу при високих температурах, який відрізняється тим, що в процесі синтезу при високих температурах як флюс використовують принаймні один з евтектичних хлоридних розплавів лужних металів LiCl - K(Rb)Cl в кількості не менше 10-15 % від...

Номер патенту: 48790

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Коломоєць Ганна Генадіївна, Дуднік Олена Федірівна

МПК: C01G 11/00, C30B 7/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, безводного, нітрату, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів нітрату кадмію безводного, що включає використання нітрату кадмію чотириводного Cd (NО3)2 4Н2О, який відрізняється тим, що як розчинник використовують концентровану азотну кислоту, за допомогою якої готують насичений розчин Cd (NО3)2 в азотній кислоті, а вирощування проводять з цього розчину методом спонтанної кристалізації при кімнатній температурі.

Номер патенту: 47846

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Коваль Юрій Миколайович, Литвинов Леонід Аркадійович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: профільованих, вирощування, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів, що містить тигель із розміщеним у ньому пучком капілярів і розташованим на його торці формоутворювачем, який складається із зовнішнього і внутрішнього елементів із капілярним зазором між ними, який відрізняється тим, що зовнішній і внутрішній елементи формоутворювача виконані у вигляді циліндричних ступінчастих втулок, вставлених одна в другу з капілярним зазором, що має дві вертикальні...

Номер патенту: 46202

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Васецький Сергій Іванович, Заславський Борис Григорович, Ляхов Віктор Васильович, Кисіль Іван Іванович

МПК: C30B 15/02

Мітки: пристрій, вирощування, монокристалів, розплаву

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів із розплаву, що містить ростову камеру, розташовані в ній тигель для розплаву, обладнаний бічним і донним нагрівачами, встановлений над камерою росту бункер із вихідною сировиною, сполучений транспортною трубкою з рідкофазним живильником, який має тигель для розплаву, яким підживлюють, автономний нагрівач і зливальну трубку, введену крізь дно зазначеного тигля, шток кристалотримача, введений через кришку...

Номер патенту: 46475

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Артеменко Максим Петрович, Тавровський Ігор Ігоревич, Герасимчук Лариса Іванівна, Єпіфанов Юрій Михайлович, Звягінцев Володимир Миколайович, Суздаль Віктор Семенович, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: росту, пристрій, регулювання, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів, що містить у собі електропривід кристалотримача, датчик рівня розплаву, з'єднаний з корегувальним регулятором та блоком керування підживлення, який з'єднано з живильником і блоком задання часових інтервалів через блок порівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, підключений до корегувального регулятора, обчислювальний блок, входи якого зв'язані з датчиком переміщення...

Номер патенту: 45110

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 15/36

Мітки: гадолінію, ортосилікату, спосіб, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію методом Чохральського в інертному середовищі з доданням кисню на запал, орієнтовану вздовж певного кристалографічного напряму, з подальшим охолоджуванням в умовах осьового температурного градієнта, що не перевищує 10 град/см, яким відрізняється тим, що використовують запал, орієнтовану вздовж кристалографічного напряму Х, а температурний градієнт забезпечують відкачкою ростової камери до...

Номер патенту: 44121

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Остафійчук Богдан Костянтинович, Владімірова Тетяна Петрівна, Оліховський Степан Йосипович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Кисловський Євген Миколайович, Шпак Анатолій Петрович, Молодкін Вадим Борисович, Лень Євген Георгійович, Решетник Олег Васильович

МПК: G01N 23/20, G01N 23/00

Мітки: спосіб, досконалості, структурної, контролю, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб контролю структурної досконалості монокристалів, який полягає в тому, що досліджуваний зразок опромінюють пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі l і відомої інтенсивності , здійснюють в ньому брегг-дифракцію на системі площин (hkl), вимірюють залежність дифрагованої інтенсивності , де...

Номер патенту: 44136

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Сало Віталій Іванович, Васильчук Валентина Григорівна, Колибаєва Марина Іванівна, Чирва Людмила Артемівна, Притула Ігор Михайлович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Мітки: монокристалів, вирощування, дигідрофосфату, спосіб, калію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів дигідрофосфату калію (КДР), що включає приготування первинного водного розчину солі дигідрофосфату калію і кристалізацію на затравку, який відрізняється тим, що затравку вирізують паралельно площині (001), а процес вирощування кристала проводять при температурі 80 - 90°С уздовж напрямку [001].

Номер патенту: 43077

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Герасимчук Лариса Іванівна, Стрельніков Миколай Іванович, Звягінцев Володимир Миколайович, Тавровський Ігор Ігоревич, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: росту, регулювання, пристрій, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів який містить електропривід кристалотримача, датчик рівня розплаву, зв'язаний з коригуючим регулятором температури донного нагрівача та блоком управління підживлюванням, який з'єднано з підживлювачем та блоком задання часових інтервалів через блок їх зрівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, який підключено до коригуючого регулятора температури донного нагрівача, обчислювальний...

Номер патенту: 41850

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Мегела Іван Георгійович, Гомоннай Олександр Васильович

МПК: G21H 5/00

Мітки: монокристалів, індію, легованих, спосіб, арсеніду, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки легованих монокристалів арсеніду індію, що включає термічний відпал дефектів, який відрізняється тим, що підвищення домішкової однорідності матеріалу досягається радіостимульованою дифузією внаслідок високоенергетичного опромінення (електронами, y -квантами) величиною інтегрального потоку, при якій реалізується рівномірний просторовий розподіл домішок, причому введені радіаційні дефекти усуваються наступним температурним...

Номер патенту: 36892

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: монокристалів, вирощування, пристрій, профільованих

Текст:

...на верхньому торці якого розміщений формоутворювач, що містить внутрішній і зовнішній елементи зібрані з капілярним зазором 4 між ними. Внутрішній елемент представляє собою фіксатор 2, оснащений стержнем 1, виконаним із незмочуємого розплавом матеріалу. Зовнішній елемент формоутворювача представляє собою матрицю 3, виконану з матеріалу, що змочується розплавом, при цьому змочуваність фіксатора 2 не має значення. Поверхня матриці 3, що...

Номер патенту: 36796

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Романюк Ігор Степанович

МПК: C30B 13/00

Мітки: перекристалізації, вертикальної, отримання, телуриду, спосіб, методом, вісмуту, основі, твердих, розчинів, зонної, монокристалів

Текст:

...спостерігання неможливе через заповнення простору між шайбою та контейнером розплавленим матеріалом. При співвідношенні цих діаметрів більше як 0,99 виникає заклинення шайби стінками контейнеру. Збільшення температури в зоні супроводжується передачею додаткової енергії шайбі, яка тоне у розплаві та підплавляє додаткову порцію вихідного матеріалу. Зменшення температури в зоні супроводжується відштовхуванням шайби матеріалом, що...

Номер патенту: 34574

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович

МПК: C30B 15/36

Мітки: вирощування, монокристалів, тикору, лазерних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору, який включає плавлення початкової сировини та витягування кристала на затравку, орієнтовану в двох взаємно перпендикулярних площинах, який відрізняється тим, що вирощування здійснюють при оптимальному температурному градієнті на фронті кристалізації в залежності від кристалографічної орієнтації в напрямку роста [0001], [1120], [1010] відповідно: 4-5град/мм, 2,5-4град/мм та 5-6град/мм при...