Патенти з міткою «монокристалів»

Номер патенту: 35341

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Цифра Василь Іванович, Бундаш Йосип Йосипович, Блецкан Дмитро Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович, Лук'янчук Олександр Ростиславович, Пекар Ярослав Михайлович, Машков Андрій Іванович

МПК: C30B 29/20, C30B 35/00, C30B 31/00 ...

Мітки: альфа-оксид, алюмінію, вирощування, сплаву, спосіб, відновлення, вольфрамового, монокристалів, молібден, тигля, корунду

Формула / Реферат:

1. Спосіб відновлення тигля із молібден-вольфрамового сплаву для вирощування монокристалів корунду -оксид алюмінію, який включає нагрівання та витримування його у вакуумі при температурі 1400°С, який відрізняється тим, що несуцільності тигля перед вакуумуванням та нагріванням із внутрішньої сторони його стінок заповнюють дрібнодисперсним порошком, хімічний склад якого...

Номер патенту: 34204

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Головей Михайло Іванович, Головей Вадим Михайлович, Пуга Павло Павлович, Турок Іван Іванович

МПК: C30B 15/02

Мітки: спосіб, тетраборату, вирощування, монокристалів, літію

Текст:

...ростова установка додатково обладнана дозатором і системою підживлення, яка компенсує втрати маси розплаву за рахунок випаровування оксиду бору. Оксид бору додають у розплав до і в процесі витягування із швидкістю 0,0015 г за годину на 1 см 2 вільної поверхні розплаву. Не вдається досягти рівномірного дозування, оскільки дуже мала вагова швидкість підживлення. Крім того, надмірна кількість оксиду бору в приповерхневих шарах розплаву...

Номер патенту: 30878

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Звягінцев Володимир Миколайович, Суздаль Віктор Семенович, Герасимчук Лариса Іванівна, Кузнецов Валентин Анатолійович, Тавровський Ігор Ігоревич, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, пристрій, росту, регулювання

Текст:

...часових інтервалів, блок 13 порівняння інтервалів, блок 14 задання швидкості зміни рівня розплаву, блок 15 визначення фактичної швидкості зміни рівня розплаву, схему 16 порівняння, блок 17 корекції температури бічного нагрівача, електропривід 18 кристалотримача 9, блок 19 контролю величини дискретного переміщення кристалотримача. Крім того, на фігурі зображено вирощуваний монокристал 20 та затравку 21, закріплену в кристалотримачеві 9,...

Номер патенту: 30725

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Кузнецов Валентин Анатолійович, Криворучко Володимир Григорович, Горілецький Валентин Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: B24D 5/00, C30B 33/00

Мітки: обробки, пристрій, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для обробки монокристалів, що вміщує кристалотримач, рухому стійку з обертовими роликами, на які натягнена ріжуча нитка, резервуар з робочим розчином, приводи обертання та подачи нитки, блок керування, одним з виходів з'єднаний з приводом подачи нитки, та датчик натягу нитки, з'єднаний з входом блока керування, який відрізняється тим, що верхній ролик, який знаходиться на протилежному боці від кристалотримача, встановлен на рухливій...

Номер патенту: 30026

Опубліковано: 15.11.2000

Автор: Лобода Петро Іванович

МПК: C30B 13/00, C30B 7/00

Мітки: вирощування, матеріалів, тугоплавких, очистки, монокристалів, домішок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очистки від домішок та вирощування монокристалів тугоплавких матеріалів, що включає переміщення вузької зони розплаву через довгомірну, тверду, високооднорідну заготовку, якій відрізняється тим, що вирощування монокристалів проводять із пористих пресовок, сформованих із суміші порошків тугоплавкого матеріалу та розчинника домішок, з температурою плавлення більш низькою, ніж температура плавлення тугоплавкого матеріалу, а процес плавки...

Номер патенту: 28139

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Добровинська Олена Рувимівна, Піщік Валеріан Володимирович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Мітки: термообробки, виробів, спосіб, монокристалів, корунду

Формула / Реферат:

Способ термообработки изделий из монокристаллов корунда, включающий нагрев изделий в герметической камере в вакууме с последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что изделия нагревают до температуры 1650 - 1700° С со скоростью 1800 - 2000 град/ч, после чего перемешивают их со скоростью 0,5 - 1,0 см/ч через тепловую зону, имеющую градиент снижения температуры 200 - 300 град/см.

Номер патенту: 29080

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Горілецький Валентин Іванович, Кузнецов Валентин Анатолійович, Гриньов Борис Вікторович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Герасимчук Лариса Іванівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, регулювання, росту, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів, вміщуючий електропривод кристалотримача, датчик рівня розплаву, зв'язаний з коригуючим регулятором та блоком керування підпитуванням, який з'єднано з підпитувачем та блоком задання часових інтервалів через блок їх порівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, підключений до коригуючого регулятора, обчислювальний блок, входи якого зв'язані з датчиком переміщення кристалотримача,...

Номер патенту: 28492

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Панкевич Володимир Зіновієвич, Горгут Галина Петрівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, aggage3se8, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощувана монокристалів AgGaGe3Se8, який включає складання шихти з елементарних компоненів Ag,Ga,Ge,Se у відповідності із стехіометричним складом, синтез її і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез і ріст проводять в одному й тому ж ростовому контейнері який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при слідуючих параметрах: температура в зоні розплаву ...

Номер патенту: 28250

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Антонів Іван Петрович, Гарапин Ірина Володимирівна, Дідик Роман Іванович

МПК: C30B 29/12, C30B 11/00

Мітки: монокристалів, лужних, металів, одержання, реалізації, спосіб, пристрій, галогенідів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів галогенідів лужних металів, який включає їх плавлення у вакуумі в присутності вуглецевого сорбенту в реакційній ампулі, розділення продуктів реакції та розплавленої солі в процесі транспортування розплаву з реакційної ампули а ростову та наступну направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що розділення продуктів реакції та солі проводять шляхом випаровування солі з реакційної ампули з наступною...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/02

Мітки: монокристалів, монокристалічного, кремнію, одержання, росту, спосіб, порушенні

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.

Номер патенту: 460

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Сідельнікова Наталія Степанівна, Данько Олександр Якович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Адонкін Георгій Тимофійович, Каніщев Василь Миколайович

МПК: G01N 21/71, F27B 1/00, F27B 9/00 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, піч, розплаву, одержання, шихти

Формула / Реферат:

Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву з днищем, кожухом і склепінням, які охолоджено зовні та футеровано, та розташованим усередині неї нагрівачем, яка відрізняється тим, що склепіння печі футеровано графітом, а нагрівач виконано за типом нагрівача опору.

Номер патенту: 265

Опубліковано: 25.12.1998

Автор: Горілецький Валентин Іванович

МПК: B28D 5/04

Мітки: обробки, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

 Пристрій для обробки монокристалів, що вміщує нерухомий  кристалотримач, стійку з обертовими роликами, на які натягнена різальна нитка, який відрізняється тим, Що має два регульовані бандажі з можливістю їх жорсткого закріплення один з одним на відстані (1,0-1,2) товщини нитки, при цьому один з. бандажів жорстко закріплений на краю кристалотримача, а стійка з роликами має можливість горизонтального переміщення в площині різання.

Номер патенту: 25459

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Михалічко Борис Миронович, Миськів Мар'ян Григорович

Мітки: міді, монокристалів, пі-комплексів, одержання, галогенідів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів p-комплексів галогенідів міді (I), що включає електрохімічне відновлення солі міді (II) до міді (I) в присутності органічного ліганда, який відрізняється тим, що як органічний ліганд використовують ациклічну алкенінову сполуку.

Номер патенту: 24447

Опубліковано: 17.07.1998

Автори: Олексеюк Іван Дмитрович, Горгут Галина Петрівна, Федонюк Анатолій Ананійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: контейнер, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Контейнер для вирощування монокристалів, виконаний у формі циліндричної ампули з конусоподібним днищем та розташованою у вершині конуса днища грушеподібною камерою, яка з'єднана порожнинною шийкою з вершиною конуса днища, який відрізняється тим, що тигель додатково оснащений другою грушеподібною камерою, яка розташована під першою грушеподібною камерою і з'єднана з нею порожнинною шийкою, а кут при вершині конуса конусоподібного днища...

Номер патенту: 23706

Опубліковано: 16.06.1998

Автори: Бондаренко Станіслав Костянтинович, Ковальова Людмила Василівна, Сумін Валентин Іванович, Кудін Олександр Михайлович

МПК: C01D 3/00, B01J 19/08

Мітки: цезію, спосіб, іодиду, одержання, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов йодида цезия, включающий загрузку исходного сырья в тигель, его нагрев, обработку расплава газообразным галогеном и последующую кристаллизацию, отличающийся тем, что перед обработкой расплава галогеном поверхностный слой расплава кристаллизуют, в расплав вводят металлический йод в количестве 0,03-0,10% от массы йодида цезия, выдерживают в течение 0,5-1.0 часа, после чего кристаллический слой расплавляют, пары...

Номер патенту: 23481

Опубліковано: 02.06.1998

Автори: Давидюк Георгій Євлампійович, Федонюк Анатолій Ананійович, Падалко Анатолій Михайлович, Олексеюк Світлана Теодорівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C03B 11/04

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, тl3рвсl5

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ТІ3РbСІ5, включаючий компонування шихти з ТІСІ І РbСІ2 у відповідності iз стехіометричним складом, попередню очистку компонентів шихти, розплавлення останньої і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез І ріст проводять в одному І тому ж ростовому циліндричному тиглі з конусоподібним днищем, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристала ведуть при слідуючих...

Номер патенту: 22450

Опубліковано: 03.03.1998

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Гончаренко Тетяна Вікторівна, Піщік Валеріан Володимирович, Добровинська Олена Рувимівна

МПК: G01N 3/40

Мітки: корунду, форми, відбракування, засіб, складної, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ отбраковки монокристаллов корунда сложной формы, включающий механическое воздействие посредством вдавливания алмазной пирамидки, отличающийся тем, что вдавливание осуществляют с величиной нагрузки 105-110 г и контролируют отсутствие микротрещин вокруг отпечатка.

Номер патенту: 19220

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Молодкін Вадим Борисович, Осиновський Максим Євгенович, Когут Михайло Тихонович, Гуреєв Микола Анатолійович, Шпак Анатолій Петрович, Литвинов Юрій Михайлович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Ковальчук Михайло Валентинович, Кривицький Владислав Петрович, Остапчук Анатолій Іванович, Поленур Олександр Вольфович, Бідник Дмитро Ілліч, Гуреєв Анатолій Миколайович, Кисловський Євген Миколайович, Низкова Ганна Іванівна, Кшевецький Станіслав Антонович, Оліховський Степан Йосифович, Бар'яхтар Віктор Григорович

МПК: G01N 23/20

Мітки: спосіб, динамічної, структурної, розсіюючих, визначення, досконалості, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ определения структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно котором исследуемый образец облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения и измеряют интегральную интенсивность рефлексов при дифракции излучения для двух положений при повороте образца и определяют статический фактор Дебая-Валлера Lн, отличающийся тем, что дифракцию излучения в обоих положениях образца осуществляют в геометрии Брэгга,...

Номер патенту: 18923

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Катрич Микола Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович, Качала Володимир Юхимович, Калашников Олександр Миколайович, Мірошников Юрій Петрович, Данько Олександр Якович

МПК: C30B 15/00, C30B 11/00, C30B 13/00 ...

Мітки: вирощування, оксиду, монокристалів, алюмінію, спосіб

Формула / Реферат:

 Способ выращивания монокристаллов оксида алюминия, включающий направленную кристаллизацию расплава в защитной газовой среде, отличающийся тем, что кристаллизацию проводят в защитной атмосфере оксида углерода при давлении от 30 до 60 Па.

Номер патенту: 19641

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Востецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, сцинтиляційних, одержання, свинцю, монокристалів, вольфраму

Формула / Реферат:

Способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца, включающий наплавление исходного сырья в тигель, выравнивание вытягиванием на затравку с последующим отжигом в кислородсодержащей атмосфере и охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что предварительно исходное сырье нагревают до температуры 450°-500°С, затем сырье нагревают до Тпл + (30-40)°С (где Тпл - температура плавления исходного сырья) при давлении в...

Номер патенту: 20094

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Лось Андрій Вікторович, Молодкін Вадим Борисович, Кисловський Євген Миколайович, Гурєєв Анатолій Миколайович, Кривицький Владислав Петрович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Когут Михайло Тихонович, Низкова Ганна Іванівна, Гаврилова Олена Миколаївна, Оліховський Степан Йосипович

МПК: G01N 23/20

Мітки: структурної, розсіюють, динамічної, спосіб, контролю, експресного, досконалості, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ экспрессного контроля структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно которому исследуемый образец облучают пучком рентгеновского излучения, осуществляют брэгг-дифракцию, измеряют интегральную интенсивность отражения, поворачивают образец таким образом, чтобы реализовалось брэгг-отражение, характеризующееся тем же вектором дифракции, измеряют его интегральную интенсивность, рассчитывают по измеренным...

Номер патенту: 20960

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Соломаха Юрій Олексійович, Шпилинська Лариса Миколаівна, Васецький Сергій Іванович, Мітічкін Анатолій Іванович, Заславський Борис Григорович, Панова Олександра Миколаівна, Даниленко Едуард Васильович

МПК: C30B 15/02

Мітки: основі, йодидів, автоматизованого, металів, витягування, сцинтиляційних, спосіб, лужних, монокристалів

Формула / Реферат:

Способавтоматизированного вытягивания сцинтилляционных монокристаллов на основе иодидов щелочных металлов, включающий загрузку исходного сырья в питатель, его вакуумную сушку, плавление, перекачку части расплава в тигель, радиальный рост и рост в высоту с одновременной подпиткой расплавом, отличающийся тем, что вводят иод или иодирующий агент в питатель после плавления сырья в нем, а подпитку осуществляют расплавом, содержащим растворенный...

Номер патенту: 16664

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Овечкін Андрій Євгенійович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Вострецов Юрій Якович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: монокристалів, спосіб, термообробки, вольфрамату, кадмію

Формула / Реферат:

Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий нагрев, выдер­жку и охлаждение в кислородсодержащей атмос­фере, отличающийся тем. что, с целью увеличе­ния выхода годных и повышения светового выхода кристаллов, предварительно нагрев ведут со скоро­стью 50-100 град/ч при непрерывной откачке до 380-450°С с последующей выдержкой в течение 2-5 ч, затем откачку прекращают, вводят кисло­родсодержащую атмосферу, продолжают нагрев...

Номер патенту: 16729

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Заславський Борис Григорович, Колоколова Тамара Григорівна, Даниленко Едуард Васильович

МПК: C30B 15/00

Мітки: пристрій, вирощування, монокристалів, розплаву

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристал­лов из расплава, включающее металлическую во-доохлаждаемую камеру роста, тигель для расплава, размещенный в камере, нагреватель, расположенный с внешней стороны тигля и имею­щий тепловые экраны, затравкодержатель, уста­новленный над тиглем на штоке, причем на внутреннюю поверхность камеры и поверхность штока нанесено защитное покрытие, отличающе­еся тем, что, с целью увеличения срока службы устройства и...

Номер патенту: 16601

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Грицан Володимир Андрійович, Будаковський Сергій Валентинович, Гершун Олександр Сергійович, Сотников Валерій Тимофійович, Андрющенко Любов Андріївна

МПК: G01T 1/203

Мітки: сцинтиляційних, спосіб, монокристалів, паратерфенілу, детекторів, виготовлення, основі

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов паратерфенила, включающий шлифовку и полировку торцовой поверхности сцинтиллятора со стороны выходного окна, предварительный изотермический отжиг с последующей упаковкой сцинтиллятора в герметичный корпус, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов и повышения их устойчивости к воздействию механических и климатических нагрузок,...

Номер патенту: 16591

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Салайчук Олена Констянтинівна, Коршикова Тетяна Іванівна, Романова Светлана Йосіфівна, Коток Людмила Анатоліївна, Моисеєнко Борис Іванович, Федірова Надія Миколаївна

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Мітки: ниобату, монокристалів, спосіб, одержання, шихти, вирощування, літія, танталату

Формула / Реферат:

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития, включающий сухое смешивание исходной окиси ниобия или тантала и углекислого лития, взятых в стехчометрическом соотношении, и обжиг смеси при 1100-1150°С, отличающийся тем, что, с целью уменьшения отклонения от заданного сте-хиометрического соотношения и фазового состава смеси, перед смешиванием окись ниобия или тан­тала прокаливают при 1150-1200°С, а углекислый...

Номер патенту: 16684

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Радкевич Олексій Вікторович, Неменов Віктор Олександрович, Проценко Володимир Григорович, Любинський Вадим Рувинович, Ейдельман Лев Георгійович

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Мітки: спосіб, вирощування, активованих, лужногалоідних, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания активированных ще­лочно-галоидных монокристаллов из расплава, включающий разращивание монокристалла до за­данного диаметра и вытягивание его цилиндриче­ской части при поддержании постоянным уровня расплава путем подпитки расплава шихтой с до­бавкой активатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов за счет улучшения равномерности распределения ак­тиватора по высоте монокристалла, добавку...

Номер патенту: 16740

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Калашников Олександр Миколайович, Мірошников Юрій Петрович, Данько Олександр Якович, Качала Володимир Єфімович, Адонкін Георгій Тимофійович, Катрич Микола Петрович

МПК: C30B 15/00, C30B 11/00, C30B 13/00 ...

Мітки: монокристалів, спосіб, тугоплавких, оксидів, вирощування

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов туго­плавких оксидов, включающий направленную кристаллизацию расплава в замкнутом объеме кристаллизационной камеры в защитной атмосфе­ре, содержащей аргон и водород при давлении, пре­вышающем атмосферное, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа и увеличения выхода годных монокристаллов, перед кристаллизацией в камере создают давление 20-30 Па и проводят в ней термическую диссоциацию...

Номер патенту: 16599

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович, Тіман Беніамін Липович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Пирогов Євген Миколайович, Загвоздкін Борис Васильович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: спосіб, вирощування, монокристалів, германату, вісмуту

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов герма-ната висмута, включающий вытягивание из рас­плава на вращающуюся затравку и разращивание до заданного диаметра верхней конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части кристалла заданной длины, уменьшение скорости вращения, выращивание нижнего когуса, отделе­ние кристалла от расплава и его охлаждение, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения выхода годных,...

Номер патенту: 16725

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Радкевич Олексій Вікторович, Львович Валентин Анатолійович, Ейдельман Лев Георгійович, Неменов Віктор Олександрович, Проценко Володимир Григорович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, пристрій, монокристалів

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее электропривод кристаллодержателя, датчик уровня расплава, связанный с блоком коррекции температуры расплава и блоком управления подпиткой, который соединен с питателем и блоком задания временных интервалов через блок сравнения, датчик перемещения кристаллодержателя, подключенный к блоку коррекции температуры расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и...

Номер патенту: 16707

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Піщік Валеріан Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 15/34

Мітки: пристрій, профільованих, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

1. Способ получения пластмассового сцинтиллятора, основанный на термической радикальной блочной полимеризации винил-ароматических мономеров, люминесцирующих добавок и металлсодержащих соединений, отличающийся тем, что, с целью повышения теплостойкости и прозрачности пластмассовых сцинтилляторов к свету собственной люминесценции при сохранении высокого светового выхода, в исходный состав в качестве металлсодержащих соединений вводят...

Номер патенту: 16679

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Федорова Надія Миколаївна, Бондар Валерій Григорович, Салійчук Олена Костянтинівна, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Горішній Юрій Васильович

МПК: C30B 29/32, C30B 11/02, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, структурою, вісмуту, монокристалів, евлітину, германату, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов германа-та висмута со структурой эвлитина, включающий нагрев и выдержку исходных оксидов германия и висмута, их смешение, загрузку в платиновый ти­гель, нагрев, гомогенизирующую выдержку в тече­ние 2-3 ч, дозагрузку оксидов и выращивание монокристаллов вытягиванием на затравку, отли­чающийся тем, что, с целью сокращения длитель­ности процесса и уменьшения загрязнения расплава и кристаллов и коррозии тигля,...

Номер патенту: 16671

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Некрасова Лідія Миколаївна, Квічко Ліля Абрамівна, Коток Людмила Анатоліївна, Рамакаєва Разія Фяттяхдинівна

МПК: C30B 29/24, C30B 15/00

Мітки: вирощування, одержання, монокристалів, спосіб, ітрію, моноалюмінату

Формула / Реферат:

Способ получения моноалюмината иттрия для выращивания монокристаллов, включающий смешивание соединений, содержащих исходные компоненты, в жидкой среде, отделение твердой фазы, последующую сушку и термообработку, от­личающийся тем, что, с целью улучшения стехи­ометрии состава, уменьшения содержания при­месей и упрощения процесса, в качестве исходных соединений берут предварительно прокаленные окислы иттрия и алюминия, смешивание ведут при их...

Номер патенту: 20590

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Віноград Едуард Львович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Вострецов Юрій Якович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кадмію, вирощування, вольфрамату, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов воль-фрамата кадмия, включающий наплавление ших­ты стехиометрического состава и выращивание вытягиванием из расплава на затравку в кислород­содержащей атмосфере, отличающийся тем, что в шихту, либо в расплав дополнительно вводят при­месь соединений трехвалентных металлов (Fe, Но, Bi, Eu, Gd и др.) в количестве (1 • 10-4 - 5 • 10-3) мас.%.

Номер патенту: 18037

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Коневський Віктор Семенович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, фарбування, корунду, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ окрашивания монокристаллов корунда, включающий очистку поверхности и термообработку в окислительной среде в красящем порошке, отличающийся тем, что используют порошок оксида кобальта с фракционным составом 1-5 мкм, который предварительно активируют в течение 30-60 минут, а термообработку проводят при 1000-1300°С.

Номер патенту: 17930

Опубліковано: 03.06.1997

Автори: Волошин Василь Олексійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 15/00

Мітки: шихти, спосіб, оксидів, складних, наплавління, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ наплавлення шихты монокристаллов сложных оксидов, включающий загрузку шихты в тигель, помещение тигля в узел наплавлення, нагрев тигля индукционным методом до полного расплавления шихты при постоянной номинальной подводимой к индуктору мощности, догрузку и доплавление шихты и охлаждение тигля до затвердевания расплава, отличающийся тем, что после полного расплавления шихты увеличивают подводимую к индуктору мощность на 10-20% от...

Номер патенту: 17146

Опубліковано: 18.03.1997

Автори: Оліховський Степан Йосипович, Молодкін Вадим Борисович, Ковальчук Михайло Валентинович, Грищенко Тарас Аркадійович, Гинько Ігор Володимирович, Сhікаwа J., Низкова Ганна Іванівна, Немошкаленко Володимир Володимирович, Кютт Регінальд Миколайович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Коhrа К., Кисловський Євген Миколайович, Когут Михайло Тихонович, Шпак Анатолій Петрович

МПК: G01N 23/22, G01B 15/00

Мітки: досконалостів, спосіб, структурної, контролю, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства монокристаллов, включающий облучение исследуемого образца известной толщины  пучком рентгеновского излучения с длиной волны  выбранной из условия  осуществление в нем лауэ-дифракции, характеризуемой вектором дифракции при наклоне образца в угловом диапазоне  вокруг вектора  с сохранением дифракционных условий, измерение толщинной зависимости полной интегральной отражательной способности (ПИОС)  где...

Номер патенту: 14831

Опубліковано: 18.02.1997

Автори: Низкова Ганна Іванівна, Немошкаленко Володимир Володимирович, Ковальчук Міхаіл Валєнтіновіч, Оліховський Степан Йосипович, Кютт Регінальд Ніколаєвіч, Когут Михайло Тихонович, Молодкін Вадим Борисович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Гинько Ігор Володимирович, Шпак Анатолій Петрович, Грищенко Тарас Аркадійович, Кисловський Євген Миколайович

МПК: G01N 23/20

Мітки: досконалості, спосіб, монокристалів, структурної, контролю

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства монокристаллов, заключающийся в том, что исследуемый кристалл-образец толщиной  облучают пучком рентгеновского излучения с длиной волны  выбранной из условия  - линейный коэффициент фотоэлектрического поглощения), осуществляют на нем лауэ-дифракцию с вектором дифракции  измеряют толщинные зависимости интегральной отражательной способности образца  где   путем наклона образца в угловом диапазоне  от...

Номер патенту: 14588

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Колесніченко Валерій Григорович, Бродовий Олександр Володимирович, Скороход Валерій Володимирович, Солонін Сергій Михайлович

МПК: H01F 27/24, C30B 33/00

Мітки: властивостей, підвищення, парамагнітних, металевих, пара, діамагнітних, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Способ повышения парамагнитных свойств пара- и диамагнитных металлических мо­нокристаллов, включающий интенсивную пласти­ческую деформацию, отличающийся тем, что деформации предшествует активирующая меха­ническая обработка поверхности металла. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качест­ве механической обработки поверхности, которая предшествует пластической деформации, исполь­зуют шлифовку абразивными порошками с разме­ром зерна в...

Номер патенту: 10513

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Колибаєва Марія Іванівна, Сало Віталій Іванович, Соловйов Віктор Давидович

МПК: C30B 29/14, C30B 33/00

Мітки: радіаційно-пошкоджених, калію, термообробки, монокристалів, спосіб, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дигидрофосфата ка­лия путем разогрева, изотермической выдержки и охлаждения со ступенчатым снижением скорости нагрева при температуре, приближающейся к тем­пературе фазового перехода в кристалле, отлича­ющийся тем, что перед нагревом монокристалл плотно обматывают по всем поверхностям не менее чем тремя слоями металлической фольги со сте­пенью черноты 0,06-0,09, разделенными между...