Патенти з міткою «монокристалів»

Номер патенту: 95215

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Романюк Ярослав Євгенійович, Парасюк Олег Васильович, Піскач Людмила Василівна, Лавринюк Зоряна Володимирівна, Марушко Лариса Петрівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, системі, cugase2-cuinse2-2cdse, розчинів, одержання, утворюються, спосіб, гамма-твердих

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe, включає вирощування монокристалів з розплаву, який відрізняється тим, що синтез проводять горизонтальним варіантом методу Бріджмена у два етапи, при цьому на першому етапі проводять попередній синтез у полум'ї киснево-газового пальника для зв'язування компонентів та гомогенізацію розплаву при 1450-1500 К, обертаючи контейнери протягом...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кайла Маріанна Іванівна, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: йодиду, твердих, вирощування, допомогою, хімічних, спосіб, монокристалів, купрум, реакцій, пентатіофосфату-арсенату, розчинів, транспортних, cu6(pxas1-x)s5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 93505

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Гаврилов Валерій Олександрович, Пекар Володимир Ярославович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вертикальною, вирощування, розплаву, спосіб, напрямленою, монокристалів, кристалізацією, сапфіра, a-al2o3

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (а-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що включає введення в контакт із розплавом вихідної сировини затравкового кристала з подальшою кристалізацією всієї маси розплаву, який відрізняється тим, що першопочатково кристалізацію здійснюють з обертанням затравкового кристала із заданою швидкістю відносно його вертикальної осі, причому таким чином кристалізують одну третю маси...

Номер патенту: 106103

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Москаленко В'ячеслав Васильович, Довбиш Анатолій Степанович, Суздаль Віктор Семенович, Проценко Сергій Іванович, Шелехов Ігор Володимирович

МПК: G05D 27/00, C30B 35/00, C30B 15/20 ...

Мітки: керування, вирощуванням, адаптивного, пристрій, розплаву, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для адаптивного керування вирощуванням монокристалів із розплаву, що містить електропривод кристалотримача, підключений до блока корекції переміщення кристалотримача, який з'єднаний з датчиком дискретного переміщення кристалотримача, датчик рівня розплаву, підключений до блока корекції підживлення і з'єднаний з підживлювачем, блоки контролю і корекції температури донного і бічного нагрівачів, контролю і корекції тиску і температури...

Номер патенту: 90566

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Пекар Володимир Ярославович, Соломон Андрій Михайлович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 35/00, G01N 23/20

Мітки: визначенні, кріплення, монокристалів, кристалографічних, площин, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для кріплення монокристалів при визначенні кристалографічних площин, що містить платформу, виконану з можливістю обертання відносно її вертикальної осі, та оправку для кріплення кристала, який відрізняється тим, що платформа, фіксована на поворотному столі дифрактометра, містить регульовану в горизонтальній площині опорну поперечну пластину, а оправка складається з двох квадратних пластин, з'єднаних між собою за допомогою чотирьох...

Номер патенту: 105530

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Тонкошкур Володимир Миколайович, Соболєв Олександр Вікторович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович, Козьмін Юрій Семенович, Демченко Вячеслав Васильович, Стрельніков Микола Іванович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20, C30B 35/00 ...

Мітки: вирощування, ампулі, розплаву, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу із речовиною, що кристалізується у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку із двигуном і приводом її переміщення, відліковий пристрій величини переміщення ампули, термопари встановлені на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного...

Номер патенту: 87974

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Бойко Микола Іванович, Коваленко Назар Олегович, Рашковецький Любомир Васильович, Рибка Олександр Вікторович, Стрельчук Віктор Васильович, Кутній Володимир Євдокимович, Насєка Юрій Миколайович, Сулима Сергій Віталієвич

МПК: G01T 1/24

Мітки: основі, випромінювання, іонізуючого, детекторів, обробки, cdznte, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання на основі твердих розчинів кадмій-цинк-телур, що включає механічну та хімічну обробку пластин детектора, нанесення контактів та закріплення в корпусі, який відрізняється тим, що напівпровідниковий детектор (кристал) після визначеного часу експлуатації ізотермічно відпалюють в атмосфері аргону у діапазоні температур 60-200 °C протягом 3-0,5 години.

Номер патенту: 104690

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Карпов Олексій Петрович, Брешев Олексій Володимирович, Брешев Володимир Євгенович

МПК: B23B 19/00, B26D 5/00, B23Q 1/00 ...

Мітки: верстата, безконтактний, монокристалів, шпиндель, різання

Формула / Реферат:

Безконтактний шпиндель верстата для різання монокристалів, який містить вал на підшипниковій опорі з фланцем, на якому закріплено барабан з ріжучим інструментом, а вал виконано у формі широкого кільця - з осьовим отвором і скороченою довжиною, зовнішній діаметр вала дорівнює діаметру фланця, а внутрішній діаметр менший внутрішнього діаметра фланця, на внутрішній поверхні вала розміщено газостатичну підшипникову опору, нерухому частину якої...

Номер патенту: 85247

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Єрошин Сергій Сергійович, Мірошник Сергій Олександрович

МПК: H02K 17/26, B28D 5/00

Мітки: пристрій, різання, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для різання монокристалів, який містить вільний алмазний відрізний круг з внутрішньою різальною крайкою, торцевий асинхронний електродвигун, який вміщує один або два кільцевих статори з обмотками, покладеними з боку алмазного відрізного круга, корпус та основу для кріплення монокристала з можливістю переміщення уздовж власної осі, обмотки кільцевих статорів покладені під кутом нахилу до радіуса від 0° до 90°, у статорах торцевого...

Номер патенту: 83344

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Іван Володимирович

МПК: C30B 29/22, C30B 15/00, C30B 29/30 ...

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування, bіv0,92nb0,08o4

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08О4, що включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту добавляють 8 мол. % п'ятиокису ніобію, кристали вирощуються зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год. та обертання...

Номер патенту: 102936

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Маковеєв Олександр Володимирович, Маковеєв Володимир Іванович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Мітки: групи, вирощування, дигідрофосфату, спосіб, калію, монокристалів, зародкового, розрощування, кристалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб розрощування зародкового кристала для вирощування великогабаритних монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає виготовлення і підготовку зародкових кристалів орієнтації типу (101), заливку розчину стехіометричного складу (рН~4), процес розрощування паралельно кристалографічній площині (101), уздовж кристалографічної осі z, припинення процесу розрощування при формуванні загального приросту над зародковими кристалами, злив...

Номер патенту: 82309

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Дмитрук Катерина Володимирівна, Рихлюк Сергій Вікторович, Половинко Ігор Іванович

МПК: G02B 1/02, G02B 5/22, C30B 7/00 ...

Мітки: основі, солей, застосування, ультрафіолетового, діапазону, фільтрів, оптичним, змішаних, k2mgxni1-x(so4)2•6н2o, керованим, монокристалів, пропусканням, туттону

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів на основі змішаних солей Туттону K2MgxNi1-x(SO4)2·6H2O як фільтрів ультрафіолетового діапазону з керованим оптичним пропусканням.

Номер патенту: 102492

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Дацько Юрій Миколайович, Реброва Тетяна Павлівна, Реброва Надія Василівна, Чергінець Віктор Леонідович, Педаш Вячеслав Юрійович, Гончаренко Віктор Федорович, Шевченко Олена Євгеніївна

МПК: C01D 17/00, C01D 3/00, C30B 13/08 ...

Мітки: йодиду, спосіб, цезію, варіанти, одержання, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини, що містить добавку, нагрівання, плавлення під вакуумом і наступне вирощування кристала, який відрізняється тим, що як добавку використовують відновлювальний агент (ВАГ) - металічний цирконій, у якого площу поверхні стикання з розплавом визначають із співвідношення:S ³ 2,38 • mО2-•M,де S - площа поверхні ВАГ (м2), mО2- -...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/06

Мітки: cu6ps5br, монокристалів, купрум(і, броміду, розплаву, пентатіофосфату(v, спрямовано, вирощування, кристалізації, спосіб, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пентатіофосфату(v, методом, спосіб, монокристалів, йодиду, спрямовано, купрум(і, cu6ps5i, розплаву, кристалізації, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: гексатіофосфату, купрум(і, cu7ps6, кристалізації, спрямовано, монокристалів, розплаву, вирощування, спосіб, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Номер патенту: 80453

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Єрошин Сергій Сергійович, Смірний Михайло Федорович, Бубліченко Сергій Валентинович, Ульшин Віталій Олександрович

МПК: B28D 5/02, B28D 1/22

Мітки: безконтактний, шпиндель, монокристалів, верстата, різання

Формула / Реферат:

1. Безконтактний шпиндель верстата для різання монокристалів, який містить горизонтально розташований вал на підшипниковій опорі з фланцем, на якому закріплено барабан з різальним інструментом, вал виконано у формі широкого кільця - з осьовим отвором і скороченою довжиною, зовнішній діаметр вала дорівнює діаметру фланця, а внутрішній діаметр менший внутрішнього діаметра фланця, на внутрішній поверхні вала розміщено газостатичну підшипникову...

Номер патенту: 101807

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Шаповалов Віктор Олександрович, Колєсніченко Володимир Іванович, Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна, Гніздило Олександр Миколайович

МПК: F27B 14/00, C30B 15/10, C30B 15/14 ...

Мітки: методом, чохральського, монокристалів, пристрій, тугоплавких, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральского, який включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристалу, тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу, який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що тигель виконаний з заготовки...

Номер патенту: 79670

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович

МПК: G01J 5/00

Мітки: монокристалів, фронті, кристалізації, спосіб, легованих, температури, визначення, злитків

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури на фронті кристалізації злитків легованих монокристалів, які переважно отримуються способами направленої кристалізації, що включає операції вимірювання пірометром яскравісної температури меніска на границі кристал-розплав та обчислення температури на фронті кристалізації за залежностями, які ґрунтуються на законах теплового випромінювання, який відрізняється тим, що температуру на фронті кристалізації визначають...

Номер патенту: 101298

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/14

Мітки: завершення, спосіб, монокристалів, росту

Формула / Реферат:

1. Спосіб завершення росту монокристалів, переважно кремнію, при вирощуванні їх за методом Чохральського з відокремленням кристала від розплаву та його охолодженням, який відрізняється тим, що перед відокремленням тигель та кристал переміщують у зону нагрівання.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що швидкість переміщення кристала поступово збільшують до швидкості переміщення тигля.

Номер патенту: 100811

Опубліковано: 25.01.2013

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 17/00, C30B 29/20, C30B 15/10 ...

Мітки: сапфіру, напрямленою, вертикальною, кристалізацією, підставка, a-al2o3, вирощування, тигля, монокристалів, розплаву

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-Аl2O3) напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з глибиною більше або рівною половині його висоти, порожнини...

Номер патенту: 100736

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Асніс Юхим Аркадійович, Бабич Вілик Максимович, Піскун Наталія Василівна, Статкевич Ігор Іванович, Баранський Петро Іванович

МПК: C30B 13/22, C30B 13/12, C30B 29/06 ...

Мітки: безтигельної, зонної, методом, пристрій-натікач, одержання, легованих, здійснення, кремнію, плавки, монокристалів, електронно-променевої, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки, який полягає в тому, що розплавляють зону вихідного стрижня дисковим електронним променем і подають легуючу домішку у плавильну камеру, яка вакуумується, при цьому газ легуючої домішки подають безпосередньо в плавильну камеру за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: пентатіофосфату, спосіб, транспортних, допомогою, твердих, вирощування, хлорид-йодиду, розчинів, реакцій, cu6ps5(ci0,5i0,5, монокристалів, купрум, хімічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: спосіб, монокристалів, твердих, хімічних, транспортних, вирощування, реакцій, хлориду-броміду, cu6ps5cl0,5br0,5, пентатіофосфату, допомогою, купрум, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 74344

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Бородінова Тетяна Іванівна, Естрела-Льопис Вікторіо Рафаелійович

МПК: C30B 29/64, B82B 3/00, C30B 7/00 ...

Мітки: одержання, спосіб, монокристалів, мікророзмірів, золота, нано

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів золота нано- і/або мікророзмірів хімічним відновленням іонів золота із розчину золотохлористоводневої кислоти (НАuСl4) у присутності полівінілпіролідону (ПВП) при нагріванні, який відрізняється тим, що як розчинник та відновник використовують суміш етилового спирту та етиленгліколю в їх мольному співвідношенні 1:(1-3), відповідно, полівінілпіролідон уводять у розчин у кількості, яка забезпечує співвідношення...

Номер патенту: 99995

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Кривоносов Євгеній Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 29/20, C30B 15/22

Мітки: корунду, спосіб, вирощування, зокрема, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, зокрема корунду, що включає плавлення вихідної сировини у тиглі, затравлення, розрощування монокристала і подальше його вирощування в акустичному полі, який відрізняється тим, що в процесі вирощування на дно тигля з розплавом впливають ультразвуковими коливаннями інтенсивністю (0,5-2,0)∙10-2 Вт/см2 і частотою 400-700 кГц.

Номер патенту: 99976

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Десенко Сергій Михайлович, Сірко Світлана Миколаївна, Гладков Євгеній Станіславович, Афанасіаді Людмила Михайлівна

МПК: C07D 491/147, A61K 31/519, C07D 487/04 ...

Мітки: інститут, державна, наукова, академії, установа, науково-технологічний, комплекс, монокристалів, національної, наук, україни

Формула / Реферат:

            1. Похідні 7-арил-5,6,7,11-тетрагідро-7а,8,10,11-тетраазациклопента[b]фенантрену загальної формули,            де Аr = 4-СН3О-С6Н4, 2-СН3О-С6Н4, 4-СН3-С6Н4, 4-Сl-С6Н4, 4-Вr-С6Н4;            R = Н, ОСН3;            X = СН2, СН2-СН2.            2. Спосіб одержання похідних...

Номер патенту: 73662

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Власенко Олександр Іванович, Байдулаєва Алія, Бойко Микола Іванович

МПК: B82B 3/00, H01L 21/268

Мітки: нанорозмірних, острівцевих, формування, впорядкованих, монокристалів, лазерно-індукованого, поверхні, спосіб, структур

Формула / Реферат:

Спосіб формування впорядкованих острівцевих наноструктур на поверхні монокристалів CdTe, який ґрунтується на ефекті самоорганізації, при одноразовому опроміненні імпульсами рубінового лазера (λ=694 нм) тривалістю =2.10-8с, при нормальному падінні променя на поверхню кристала, який відрізняється тим, що опромінення здійснюють з густиною потужності імпульсу I, величина...

Номер патенту: 73171

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Ягупов Сергій Володимирович, Постивей Наталя Сергіївна, Стругацький Марк Борисович

МПК: C30B 9/00

Мітки: іонів, заданою, fexga1-xbo3, монокристалів, концентрацією, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів FexGa1-xBO3 із заданою концентрацією іонів Fe і Ga, що включає нагрівання шихти, що містить, Fe2O3, Ga2O3, В2О3, PBO, РbРr при постійному перемішуванні, витримку розчин-розплаву і його перемішування і охолоджування розчин-розплаву, який відрізняється тим, що компоненти беруть в співвідношенні, мас. %: (Fe2O3+Ga2O3) - 18,6; В2О3 - 42,4; PBO - 27,3; PbF2 - 11,7, нагрівають до 900-950 °C з...

Номер патенту: 99374

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Брешев Володимир Євгенович, Карпов Олексій Петрович, Носко Павло Леонідович, Брешев Олексій Володимирович, Швагер Леонід Кирилович

МПК: B28D 5/02, H01L 21/461

Мітки: верстата, різання, безконтактний, монокристалів, шпиндель

Формула / Реферат:

Безконтактний шпиндель верстата для різання монокристалів, який містить горизонтально розташований вал на підшипниковій опорі з фланцем, на якому закріплено барабан з різальним інструментом, який відрізняється тим, що вал виконано у формі широкого кільця - з осьовим отвором і скороченою довжиною, зовнішній діаметр вала дорівнює діаметру фланця, а внутрішній діаметр менший внутрішнього діаметра фланця, на внутрішній поверхні вала розміщено...

Номер патенту: 70965

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Чепугов Олексій Павлович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: алмазу, монокристалів, вирощування, спосіб, затравці

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом створення градієнта температури між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, що розміщені пошарово та розділені сплавом-розчинником вуглецю, при цьому градієнт температури встановлюється таким чином, щоб джерело вуглецю знаходилося в області, яку нагріто до максимальної для даного градієнта температури, а...

Номер патенту: 70719

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: ag2hgsns4, монокристалів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2HgSnS4 з розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Sn, S та попередньо синтезованого HgS, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що до складу шихти вводиться надлишок HgS, синтез та ріст суміщені в одній ампулі з грушоподібним дном, при цьому попередньо проводять синтез...

Номер патенту: 70718

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, cu2zngese4, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2ZnGeSe4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cu, Zn, Ge, Se, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Cu2GeSe3-ZnSe, вводячи до складу шихти 75 мол. % Сu2SnSе3 та 25 мол. % ZnSe, а синтез і...

Номер патенту: 70717

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, ag2cdsns4, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2CdSnS4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Cd, Sn, S, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанту методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Ag2SnS3-CdS, вводячи до складу шихти 58 мол. % Ag2SnS3...

Номер патенту: 70707

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Кайла Маріанна Іванівна, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: купрум, транспортних, реакцій, хімічних, йодиду, pxas1-x)s5i, твердих, спосіб, розчинів, вирощування, пентатіофосфату-арсенату, допомогою, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 70628

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: допомогою, монокристалів, купрум-хлорид, спосіб, транспортних, твердих, йодиду, реакцій, розчинів, cu6ps5(cl1-xix, вирощування, пентатіофосфату, хімічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 70409

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Косінова Анна Володимирівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Безкровна Ольга Миколаївна, Колибаєва Марія Іванівна, Копиловський Максим Андрійович, Притула Ігор Михайлович, Гайворонський Володимир Ярославович

МПК: C30B 7/00, G02F 1/35

Мітки: легованих, монокристалів, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів KDP, легованих наночастинками ТіО2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм, які вводять у розчин KDP у вигляді суспензії в концентрації 10-4-10-5 мас. %, що включає підготовку кристалізатора, приготування розчину солі КН2РО4 та його фільтрацію, виготовлення та встановлення затравки, підготовку домішки, перегрівання розчину впродовж доби, заливку розчину у кристалізатор, додавання домішки у розчин, вирощування...

Номер патенту: 69805

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 15/06

Мітки: a-al2o3, вертикальною, сапфіру, вирощування, кристалізацією, напрямленою, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала сапфіру (α-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що полягає у введенні в контакт з розплавом вихідної сировини, затравкового кристала, кристалографічний напрям осі якого зорієнтований відповідно заданому кристалографічному напрямку, який відрізняється тим, що кристалографічний напрям осі затравкового кристала при введенні в контакт з розплавом вихідної сировини, відхиляють від...

Номер патенту: 69781

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: розплаву, кристалізацією, монокристалів, вирощування, сапфіру, тигля, вертикальною, a-al2o3, напрямленою, підставка

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру  напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену, або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з...

Номер патенту: 98395

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Колосов Віталій Олексійович, Козьмін Юрій Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Дербунович Леонід Вікторович, Бережна Марина Анатоліївна

МПК: C30B 15/20, G06F 11/22, G06F 11/28 ...

Мітки: монокристалів, росту, пристрій, пристрою, діагностування, регулювання

Формула / Реферат:

Пристрій для діагностування пристрою регулювання росту монокристалів (МК), виконаний у вигляді діагностичного ядра, що містить зв'язані між собою запам'ятовувальний пристрій і блок керування, сполучений через інтерфейсну магістраль із багатопроцесорною системою керування процесом вирощування МК, блок контролю керуючої програми, з'єднаний з останніми, блок обчислень діагностичних характеристик, регістр еталонних значень цих характеристик,...