C30B 11/00 — Вирощування монокристалів звичайним заморожуванням або заморожуванням при температурному градієнті, наприклад за методом Бріджмена-Стокбаргера

Номер патенту: 100728

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Ткаченко Віктор Іванович, Гаврилко Петро Петрович, Шпирко Григорій Миколайович, Кляп Михайло Петрович, Риган Михайло Юрійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пристрій, вирощування, кристалізацією, кристалу, направленою

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією, який включає вертикально встановлену піч з нагрівачами опору і розміщену в ній ампулу із звуженим нижнім кінцем, який відрізняється тим, що він містить вставку у вигляді циліндра, розміщеного всередині печі з можливістю вертикального переміщення, механізм вертикального переміщення циліндра, ампула розміщена всередині циліндра і закріплена нерухомо щодо печі, а циліндр складається...

Номер патенту: 75680

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Михайловський Віліус Ярославович, Каштелян Олександр Фрідович, Струтинська Любов Тимофіївна, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пристрій, вирощування, матеріалу, термоелектричного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування термоелектричного матеріалу на основі кварцового контейнера для термоелектричного матеріалу, електричного нагрівника, механізму для його переміщення та пристрою для вібрації, який відрізняється тим, що кварцовий контейнер для термоелектричного матеріалу має вигляд циліндричної ампули з загостреними кінцями конусної форми, яка розміщена вертикально між муфтами вібраційного і притискного пристроїв, коаксіально до...

Номер патенту: 70719

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, ag2hgsns4, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2HgSnS4 з розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Sn, S та попередньо синтезованого HgS, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що до складу шихти вводиться надлишок HgS, синтез та ріст суміщені в одній ампулі з грушоподібним дном, при цьому попередньо проводять синтез...

Номер патенту: 70718

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, cu2zngese4, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2ZnGeSe4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cu, Zn, Ge, Se, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Cu2GeSe3-ZnSe, вводячи до складу шихти 75 мол. % Сu2SnSе3 та 25 мол. % ZnSe, а синтез і...

Номер патенту: 70717

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, ag2cdsns4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2CdSnS4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Cd, Sn, S, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанту методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Ag2SnS3-CdS, вводячи до складу шихти 58 мол. % Ag2SnS3...

Номер патенту: 69181

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Паньков Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/00

Мітки: хімічних, розчинів, реакцій, вирощування, транспортних, монокристалів, твердих, спосіб, хлориду-броміду, 6ps5(cl1-xbrx, допомогою, купрум, пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 97932

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович, Будаковський Сергій Валентинович, Козьмін Юрій Семенович, Демченко Вячеслав Васильович

МПК: C30B 15/20, C30B 35/00, C30B 11/00 ...

Мітки: управління, розплаву, монокристалів, росту, пристрій, ампулі, процесом

Формула / Реферат:

Пристрій управління процесом росту монокристалів з розплаву в ампулі, що містить вертикальну піч із нагрівачах у верхній і нижньої її зонах, ампулу із речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, термопари, установлені на зазначених нагрівачах, регулятори зворотного зв'язку по температурі нагрівачів верхньої й нижньої зони печі, підключені до відповідних термопар і самих нагрівачів, блок програмно-логічного управління й...

Номер патенту: 67803

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Романюк Ярослав Євгенович, Лавринюк Зоряна Володимирівна, Парасюк Олег Васильович, Марушко Лариса Петрівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: взаємній, спосіб, cdse, отримання, g-твердих, cu,cd,in, cuinse2, системі, монокристалів, модифікацій, утворюються, високотемпературних, cuins2, основі, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів γ-твердих розчинів на основі високотемпературних модифікацій CuInSe2, CuInS2 та CdS, CdSe, які утворюються у взаємній системі Cu,Cd,In||Se,S, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cu, In, Cd, Se, S, попередній синтез у тепловому потоці джерела тепла та вирощування монокристалів із розплаву, з подальшою кристалізацією, відпалом та охолодженням до кімнатної температури за модифікованим...

Номер патенту: 67457

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: сурми, отримання, процес

Формула / Реферат:

1. Процес отримання сурми гексагональної або ромбоедричної модифікацій, що складається з етапів загрузки наважки та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку сурми заданої модифікації.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у випадку сурми гексагональної...

Номер патенту: 67361

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Бучовська Ірина Богданівна, Берінгов Сергій Борисович, Яцюк Сергій Анатолійович, Андрієнко Віктор Богданович, Власенко Тимур Вікторович, Лясковський Олександр Анатолійович

МПК: C30B 29/06, C30B 11/00

Мітки: кремнію, кристалізації, методом, вирощування, сонячних, елементів, зливків, виготовлення, установка, придатного, направленої

Формула / Реферат:

1. Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації, що включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з...

Номер патенту: 66476

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Гешл Павел, Фочук Петро Михайлович, Феш Роман Миколайович, Копач Олег Вадимович

МПК: C30B 11/00

Мітки: компоненту, спосіб, ампулі, ростовій, тиску, леткого, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій скляній ампулі при вирощуванні монокристалів методом Бріджмена, що включає завантаження ампули наважкою, розміщення ампули в ростовій печі та вирощування, який відрізняється тим, що ампулу поміщають під ковпак-компенсатор в ростову піч в область високотемпературного плато печі, нагрівають її до температури на 20-50 К вище температури плавлення сполуки, після цього змінюють ступінчасто...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: середнього, матеріал, активних, основі, кристалічний, частоти, цинку, перестроюванням, діапазону, лазерів, селеніду, елементів

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Номер патенту: 96345

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Гніздило Олександр Миколайович, Якуша Володимир Вікторович, Колєсніченко Володимир Іванович, Шаповалов Віктор Олександрович, Карускевич Ольга Віталіївна

МПК: C30B 30/00, C30B 11/00, C30B 13/00 ...

Мітки: полікристалічною, матеріалів, виробів, отримання, монокристалічною, структурою, металів, певною, вирощування, пристрій, монокристалів, профільованих, тугоплавких

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів, який включає герметичну камеру, механізм подачі витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, який виконаний з можливістю  переміщення у вертикальній площині, плазмове джерело нагрівання, яке виконане з можливістю  переміщення в...

Номер патенту: 63598

Опубліковано: 10.10.2011

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Марушко Лариса Петрівна, Лавринюк Зоряна Володимирівна, Романюк Ярослав Євгенович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, розчинів, g-твердих, утворюються, основі, системі, отримання, взаємній, cu,cd,in

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe та утвердих розчинів на його основі, що утворюються у взаємній системі Cu,Cd,In||Se,Te, який включає складання шихти, синтез у тепловому потоці з джерела тепла та вирощуванні монокристалів із розплаву з подальшою кристалізацією та охолодженням до кімнатної температури за модифікованим варіантом методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез проводять у два етапи, перший з яких полягає у...

Номер патенту: 62629

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Гуцул Іван Васильович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: монокристалів, отримання, цинку, процес

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів цинку, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої направленої перекристалізації при Т1 = 692,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів цинку за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...

Номер патенту: 62628

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: процес, монокристалів, отримання, селену

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів селену, що складається з етапів загрузки наважки, подальшої направленої перекристалізації при температурі Т1 = 490 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів селену за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...

Номер патенту: 62627

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: процес, монокристалів, отримання, кадмію

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів кадмію, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при , який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів кадмію за пунктом 1, який відрізняється тим, що його...

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Христьян Володимир Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 29/46, C30B 11/00 ...

Мітки: легованого, середнього, елементів, селеніду, заліза, частоти, перестроюванням, цинку, кристалічний, активних, іонами, лазерів, матеріал, діапазону, основі

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 60530

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: матеріалів, корекції, напівпровідникових, процес, характеристик

Формула / Реферат:

1. Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів методом опромінювання, який відрізняється тим, що злиток напівпровідникового матеріалу розміщують в полі дії електромагнітного випромінювання, при цьому довжини хвиль λi та їх мінімальні потужності Ei вибирають згідно з резонансними довжинами хвиль λr та потужностями Еr енергій активацій, що визначаються складовими тонкої структури хімічного зв'язку конкретного...

Номер патенту: 60529

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: отримання, процес, телуру, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалу телуру, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при Т1=722,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості .2. Процес отримання монокристалу телуру за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають температурним відпалом...

Номер патенту: 58626

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Харькова Людмила Борисівна, Парасюк Олег Васильович, Волков Сергій Васильович, Уваров Віктор Миколайович, Шпак Анатолій Петрович, Юрченко Оксана Миколаївна, Пехньо Василь Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, agcd2gas4, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgCd2GaS4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Cd, Ga, S, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з області первинної кристалізації AgCd2GaS4, що становить 38-40 мол. % AgGaS2 та 60-62 мол. % CdS, попередньо проводять синтез сплаву спочатку...

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 29/46, C30B 11/00, C30B 29/10 ...

Мітки: лазерів, діапазону, цинку, основі, кристалічний, перестроюванням, середнього, селеніду, хромом, матеріал, елементів, легованого, активних, частоти

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 93840

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Тимошенко Микола Миколайович, Колесніков Олександр Володимирович, Васецький Сергій Іванович, Заславський Борис Григорович

МПК: C01D 17/00, C30B 29/12, C01D 3/12, C30B 11/00 ...

Мітки: основі, натрію, вирощування, монокристалів, спосіб, йодиду, цезію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини в тигель, його нагрівання в вакуумі в ростовій камері до заданої температури, заповнення камери інертним газом, розплавлення сировини та наступне вирощування кристала при тиску інертного середовища 0,01-0,2 атм., який відрізняється тим, що, після стадії радіального розростання та досягнення висоти кристала, що дорівнює 0,5 D,...

Номер патенту: 56653

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: матеріалу, основі, отримання, процес, оптичного

Формула / Реферат:

Процес отримання оптичного матеріалу на основі ZnSb, який включає етапи завантаження наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву зони підтримують на рівні Т1=820±0,5 К, а відпал закристалізованого злитка проводять при температурі Т2=810±0,5 К протягом двох годин.

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10, C30B 11/14 ...

Мітки: хімічних, купрум, cu6ass5i, допомогою, транспортних, йодиду-пентатіоарсенату, реакцій, вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 54902

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Карпаш Максим Олегович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: самолегованого, отримання, спосіб, термоелектричного, n-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого РbТе n-типу, який включає розташування вихідних речовин, свинцю і телуру, у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини, свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ, використовують у...

Номер патенту: 54641

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Туровська Лілія Вадимівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: p-pbte, надлишком, термоелектричного, спосіб, отримання, телуру, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу і отримання термоелектричного р-РbТе із надлишком телуру, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини - свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ -...

Номер патенту: 54444

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Романюк Ярослав Євгенійович, Сосовська Світлана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: розчин-розплавним, монокристалів, отримання, методом, спосіб, cdga2se4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cd, Ga, Se, Sn, Bi, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Bi2Se3, що нижче фазового перетворення і складає...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Шкульков Анатолій Васілієвіч, Позігун Сергій Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович, Шевчук Андрій Леонідович, Марченко Степан Анатолійович, Онищенко Володимир Євгенович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: B22D 11/00, C30B 29/00, C30B 11/00, B22D 11/08 ...

Мітки: одержання, здійснення, зливків, кремнію, спосіб, полікристалічного, методом, індукційним, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Номер патенту: 51832

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: matepiaлу, cпociб, otpиmaння, n-pbbi4те7<те&gt, нectexiometpичнoгo, tepmoeлektpичнoгo

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу n-РbВi4Те7<Те>, який полягає в тому, що вихідні компоненти свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВі4Te7, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Номер патенту: 51831

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Горічок Ігор Володимирович

МПК: H01L 37/00, C30B 11/00, H01L 35/00 ...

Мітки: телуриду, спосіб, отримання, термоелектричного, свинцю

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю, який полягає в тому, що вихідні високочисті свинець, телур, взяті у певних масових співвідношеннях речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, яку нагрівають до температури, вищої від температури плавлення сполуки РbТе, і витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують в режимі виключеної печі, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 51287

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Карускевич Ольга Віталіївна, Колєсніченко Володимир Іванович, Шаповалов Віктор Олександрович, Гніздило Олександр Миколайович, Якуша Володимир Вікторович

МПК: C30B 30/00, C30B 11/00, C30B 13/00 ...

Мітки: профільованих, металів, матеріалів, структурою, вирощування, виробів, певною, пристрій, тугоплавких, монокристалів, полікристалічною, отримання, монокристалічною

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів, який включає герметичну камеру, механізм подачі витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, який переміщається у вертикальній площині, плазмове джерело нагрівання, яке переміщається в зворотно-поступовому режимі в горизонтальній площині,...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: наноструктур, аiiвv, створення, основі, групи, низькосиметричних, об'ємних, процес, мікро-та, сполук, кристалів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...

Номер патенту: 50778

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Дикун Наталія Іванівна, Запухляк Руслан Ігорович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: матеріалу, твердих, pbte-sb2te3, розчинів, основі, спосіб, отримання, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів PbTe-Sb2Te3, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, сурму і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Номер патенту: 50087

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Дзумедзей Роман Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталя Іванівна, Шевчук Мирослава Олегівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, p-pbte, термоелектричного, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-РbТе, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 49970

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Дикун Наталя Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: нoboгo, tepmoeлektpичнoгo, cпociб, n-pbbi4те7, matepiaлу, otpиmaння

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВі4Те7, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 90542

Опубліковано: 11.05.2010

Автор: Кисіль Іван Іванович

МПК: C30B 11/00, C01G 25/00, C30B 29/00 ...

Мітки: площі, одержання, кристалічних, великої, спосіб, зокрема, кристалів, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, її плавлення з утворенням розплаву в гарнісажі, подальшу направлену кристалізацію розплаву і охолоджування одержаного кристала, який відрізняється тим, що контейнер з сировиною розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини здійснюють омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером...

Номер патенту: 49484

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: матеріалу, оптичного, отримання, спосіб, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптичного матеріалу на основі CdSb, який включає етапи загрузки наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву підтримують на рівні T1=740±0,5К, а відпал закристалізованого злитку проводять при температурі T2=726±0,5 К протягом двох годин.

Номер патенту: 89717

Опубліковано: 25.02.2010

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 15/10, C04B 35/565, C04B 35/00, C30B 11/00 ...

Мітки: виробництва, застосування, розплавленого, обробки, спосіб, кремнію, тигель

Формула / Реферат:

1. Тигель для обробки розплавленого кремнію, який відрізняється тим, що включає основний корпус з нижньою поверхнею та боковими стінками, які обмежують внутрішній об'єм, основний корпус містить:- принаймні 65 мас. % карбіду кремнію,- від 12 до 30 мас. % складової, вибраної з оксиду або нітриду кремнію, причому основний корпус також включає принаймні одне покриття з оксиду кремнію та/або нітриду кремнію, принаймні на...

Номер патенту: 89334

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Софронов Дмитро Семенович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Кудін Костянтин Олександрович, Галенін Євген Петрович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32, C30B 11/00 ...

Мітки: германату, монокристалів, структурою, вісмуту, евлітину, вирощування, середовище

Формула / Реферат:

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину на основі інертних газів з вмістом кисню, яке відрізняється тим, що містить 2,5-3 об. % кисню і 97-97,5 об. % суміші інертних газів аргону та гелію, причому аргон і гелій беруть у співвідношенні 13:1.