Патенти з міткою «напівпровідникового»

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 29/48

Мітки: спосіб, цинку, халькогенідів, основі, матеріалу, напівпровідникового, одержання, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Номер патенту: 14375

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Маслов Володимир Петрович, Коломзаров Юрій Вікторович

МПК: H01L 27/15, H01L 21/00, H01L 25/00 ...

Мітки: напівпровідникового, нанесення, матеріалу, спосіб, контактів, фотоприймач, металічних

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення металічних контактів на фотоприймач з напівпровідникового матеріалу, що включає нанесення на поверхню фотоприймача двох металічних шарів, один з яких виконаний з нікелю, який відрізняється тим, що обидва шари металів наносять методом вакуумного випаровування при температурі підкладки 130-170 °С, причому перший шар виконують з адгезійно активного металу – титану, товщиною 30-70 нм, а другий шар виконують з нікелю,...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: селеніду, основі, одержання, напівпровідникового, цинку, сцинтиляційного, спосіб, матеріалу, активованого

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Номер патенту: 8496

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Тужанський Станіслав Євгенович, Лисенко Геннадій Леонідович

МПК: H01S 5/00

Мітки: стабілізації, частоти, напівпровідникового, випромінювання, лазера, інжекційного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб стабілізації частоти випромінювання інжекційного напівпровідникового лазера, який включає регулювання режиму тепловиділення в активній області лазера внаслідок накачування його імпульсами струму, в яких величину струму протягом імпульсу змінюють за лінійним або за експоненційним законом з позитивним знаком другої похідної струму за часом, який  відрізняється тим, що величину тепловиділення регулюють одночасно змінюючи глибину модуляції...

Номер патенту: 2748

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович, Рачинський Любомир Ярославович, Тетерьвова Наталія Олексіївна

МПК: H01L 21/208

Мітки: напівпровідникового, кристал, наскрізною, периферійною, р-областю, приладу

Формула / Реферат:

1. Кристал напівпровідникового приладу з наскрізною периферійною р-областю, який складається з багатошарової структури не менш як з одним горизонтальним р-n переходом, яка оточена ззовні замкненою наскрізною периферійною р-областю на основі перекристалізованого кремнію, що є суміжною з нижньою р-областю і створює з шаром вихідного кремнію вертикальний р-n перехід, а також з верхнього і нижнього контактів і замкненої області пасивації...

Номер патенту: 57865

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Какошке Рональд, Плаза Гюнтер, Кукс Андреас, Штокан Регіна, Браун Хельга

МПК: H01L 27/02

Мітки: з`єднувальним, розміщеним, спосіб, виготовлений, елемент, окремо, напівпровідниковий, підкладці, напівпровідникового, елемента, також, цим, елементом, виготовлення, способом

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення напівпровідникового елемента, що містить щонайменше частково розміщену у підкладці з'єднувальну систему, причому він містить щонайменше один розміщений у напівпровідниковій підкладці електропровідний з'єднувальний елемент (24) і щонайменше один розміщений на напівпровідниковій підкладці електропровідний з'єднувальний елемент (14, 18), причому спосіб узгоджений зі способом виготовлення МОН-транзисторів щонайменше двох...

Номер патенту: 57222

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Соколовський Іван Івановіч, Плаксін Сергей Вікторович, Житник Микола Явтухович, Загуральський Микола Федорович, Погоріла Любов Михайлівна

МПК: H01P 1/10, H01P 1/00

Мітки: діода, кріплення, вузол, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Вузол кріплення напівпровідникового діода, що містить штир з цанговим конусоподібним наконечником і гніздом для установлення напівпровідникового діода на одному кінці і гвинтом - на іншому кінці, гайку і направляючу втулку, встановлену в металевій основі, що має наскрізний подовжній проріз і два торцеві конусоподібні заглиблення, у першому з яких розміщений конусоподібний цанговий наконечник із гніздом для установлення напівпровідникового...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: напівпровідникового, n-типу, основі, спосіб, матеріалу, одержання, селеніду, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Номер патенту: 46842

Опубліковано: 17.06.2002

Автори: Роде Фолькер, Шойєнпфлуг Ріхард, Штампка Петер, Удо Детлеф, Хубер Міхаель

МПК: B42D 15/10, G06K 19/077, H01L 23/12 ...

Мітки: носій, чіпа, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Носій для напівпровідникового чіпа (18), зокрема для розміщення у чіп-картках, у якому металева плівка напресовується на неелектропровідну плівку (1), і в ній утворюється така структура, що утворюються два паралельні ряди контактних поверхонь (3; 11), які проходять вздовж протилежних головних сторін носія, а напівпровідниковий чіп розташований на протилежній відносно металевої плівки стороні неелектропровідної плівки, і завдяки виїмкам у...

Номер патенту: 46136

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Хайтцер Йозеф, Пюшнер Франк, Фішер Юрген

МПК: H01L 23/48, G06K 19/077

Мітки: несучий, чіпа, елемент, вмонтування, напівпровідникового, чіп-картки

Формула / Реферат:

1. Несучий елемент для напівпровідникового чіпа (2) з принаймні двома виводами (1),зокрема для вмонтування у чіп-картки (11), з такими ознаками:- елемент  має компаунд (5), що обволікає та захищає напівпровідниковий чіп (2);- виводи (1) виготовлені з електропровідного матеріалу, а їхні кінці (1а), обернені назустріч один одному, мають зменшену товщину, причому  їх поперечний переріз лише з одного боку має виступ;-...

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Копаєва Ольга Вікторівна, Рачинський Любомир Ярославович, Полухін Олексій Степанович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Солодовнік Анатолій Іванович, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/383, H01L 21/22

Мітки: відокремлюючими, областями, виготовлення, кремнієвого, напівпровідникового, спосіб, кристалу, приладу

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...

Номер патенту: 42887

Опубліковано: 15.11.2001

Автор: Цеттлер Томас

МПК: G11C 16/06

Мітки: енергонезалежного, напівпровідникового, керування, схема, запам'ятовуючого, пристрою

Формула / Реферат:

1. Схема управління для енергонезалежносо напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою (ЗП). яка містить схему (10) перетворення рівнів, що подає вихідне значення (В) і комплементарне до нього вихідне значення (ВН) на розрядну шину та/або шину слів напівпровідникового ЗП, причому між схемою (12) введення даних і схемою (10) перетворення рівнів вона містить схему-защіпку (11) для проміжного запам'ятовування даних, що підлягають запису у...

Номер патенту: 42106

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Фішер Юрген, Хубер Міхаель, Штампка Петер, Удо Детлеф, Граф Хельмут, Хайтцер Йозеф

МПК: H01L 23/12, H01L 23/16, G06K 19/077 ...

Мітки: напівпровідникового, виготовлення, елемента, спосіб, несучого, чіпа

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення несучого елемента для напівпровідникового чипа (23), зокрема, для вмонтовування в чип-картку, який відрізняється тим, що виконують такі операції:- в пластинці (10) жорсткості шляхом глибокої витяжки формують ванночку (11),- дно ванночки висікають, внаслідок чого для розміщення чипа (23) і приєднувальних дротів (24) одержують виїмку, оточену рамкою (12), виконаною як одне ціле з пластинкою жорсткості...

Номер патенту: 960

Опубліковано: 16.07.2001

Автор: Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: H01S 5/00, H01L 23/34

Мітки: напівпровідникового, термостабілізації, пристрій, охолодження, приладу

Формула / Реферат:

1. Пристрій для охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу, який містить у своєму складі напівпровідниковий кристал, термоелектричну батарею з холодною та гарячою пластинами, парову камеру з рідким теплоносієм, що знаходиться у тепловому контакті з однією із пластин термоелектричної батареї, та зовнішній теплообмінник, який відрізняється тим, що парова камера з рідким теплоносієм встановлена між напівпровідниковим  ...

Номер патенту: 38931

Опубліковано: 15.05.2001

Автор: Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: H01S 5/00, H01L 23/34

Мітки: напівпровідникового, охолодження, термостабілізації, приладу, спосіб

Формула / Реферат:

(21) 2000116712(54) (57)Дата прийняттярішення21 березня 2001 р.Спосіб охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу шляхом установлювання та підтримування за допомогою термоелектричної батареї в допустимих границях температури в критичній зоні, передачі теплоти за допомогою замкненого випаровувально-конденсаційного циклу у паровій камері та скидання теплоти, що передана, у оточуюче середовище,...

Номер патенту: 33440

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Вороненко Олександр Викторович, Новікова Лідія Володимирівна, Фокін Олександр Владиславович, Новіков Олександр Олександрович

МПК: C03C 17/02

Мітки: плівок, спосіб, тонких, одержання, скла, оксидного, напівпровідникового

Текст:

...імпульсами. Недоліками відомого способу є недостатня однорідність скляної плівки, при цьому спосіб дорогий (енергоємний). В основу цього винаходу була покладена задача створення способу одержання тонких плівок оксидного напівпровідникового скла, при якому з'явилася б можливість зменшити неоднорідність скляної плівки при зниженні енерговитрат. Це досягається тим, що в засобі одержання тонких плівок напівпровідникового оксидного скла...

Номер патенту: 31815

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Венгер Евген Федорович, Шкумбатюк Петро Степанович, Варшава Славомир Степанович, Возний Орест Зеновійович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: G01N 27/12, G01K 7/00, G01N 19/00 ...

Мітки: терморезистивного, датчика, спосіб, виготовлення, напівпровідникового

Текст:

...аморфного сплаву QeTe , відокремлюють підкладку І на сплав наносять з про тилежних сторін [п -контакти. Використання лазерної технологїі сплавлення пластинки Тв підкладкою Н-Оє з при певних режимах дозволяє порівняно просто одержати аморфний ибТє , який є основою для створення напівпровідникового тернорезистивного датчика; нові властивості аморфного сплаву забезпечують те, що датчик, крім температури, може вимірювати І другий...

Номер патенту: 29237

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Новікова Лідія Володимирівна, Пономаренко Ольга Миколаївна, Дощенко Галина Генадієвна, Новіков Олександр Олександрович

МПК: C03C 17/02

Мітки: плівки, спосіб, отримання, напівпровідникового, скла

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівки напівпровідникового скла шляхом нанесення розчину на підкладку 3 подальшою термічною обробкою, який відрізняється тим, що розчин наносять у вигляді гелю, отриманого введенням мінеральної кислоти, наприклад борної, на підкладку, що знаходиться при кімнатній температурі.

Номер патенту: 27630

Опубліковано: 15.09.2000

Автор: Поповкін Юрій Матвійович

МПК: H02H 7/10

Мітки: напівпровідникового, перетворювача, пристрій, захисту, стану, контролю

Текст:

...лічильник, елементи І-НІ, m вихідних формувачів імпульсів та m п розділювальних діодів, при цьому вихід генератора імпульсів з'єднаний зі входом другого лічильника, вихід першого дешифратора з'єднаний з входом виконавчого механізму, вихід кожного і-го вихідного формувача Імпульсів з'єднаний зі входом j-ro вхідного формувача імпульсів (де і змінюється від 1 до т ) через відповідний розділювальний діод та вихідний контакт датчика стану j-ro...

Номер патенту: 23924

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Дощенко Галина Геннадіївна, Новіков Олександр Олександрович, Новікова Лідія Володимирівна

МПК: C03C 17/02

Мітки: спосіб, плівки, оксидного, одержання, скла, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Способ получения пленки полупроводникового оксидного стекла путем напыления аэрозоли водного раствора, содержащего компоненты полупроводникового оксидного стекла, на разогретую подложку с последующим облучением полученной композиции лазерным лучом, отличающийся тем, что перед лазерным облучением полученную композицию подвергают прессованию с нагрузкой 10-40 г/см2.

Номер патенту: 19958

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Лозовий Орест Михайлович, Садовий Йосиф Тадейович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/68, H01L 21/67 ...

Мітки: монтажними, площадками, приладу, плати, напівпровідникового, отворами, контактними, кріплення, друкований, пристрій

Текст:

...печатной платы 1. При 25 ройства заключается в снижении трудонеобходимости возможна установка поемкости изготовления, сборки и монталупроводникового прибора с теплообжа за счет повышения его технологичменником 10, Геометрические размеры ности и уменьшения количества требуепластины 4 установочного элемента мых для реализации устройства техпровыбирают соответственно с размерами цессов. 30 корпуса полупроводникового прибора, а количество штырей 5...

Номер патенту: 15274

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Іванченко Олександр Васильович, Скрипник Юрій Олексійович, Наконечний Микола Петрович, Стретович Анатолій Михайлович

МПК: G01R 19/00

Мітки: падіння, переході, датчика, напруги, визначення, напівпровідникового, спосіб

Формула / Реферат:

Способ определения падения напряжения на  переходе полупроводникового датчика, заключающийся в том, что к полупроводниковому датчику с ограничивающим резистором подключают постоянное напряжение с полярностью, открывающей  переход, измеряют протекающий ток, регулируют ток до получения заданного значения и изменяют падение напряжения  на полупроводниковом датчике, отличающийся тем, что измерение падения напряжения  производят при заданном токе,...

Номер патенту: 12589

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Новікова Лідія Володимирівна, Езіков Володимир Іванович, Семенюк Ірина Василівна, Новіков Олександр Олександрович

МПК: C03C 17/02

Мітки: спосіб, виготовлення, напівпровідникового, скла, плівки, оксидного

Формула / Реферат:

Способ изготовления пленок полупроводни­кового оксидного стекла путем напыления на разо­гретую подложку аэрозольного раствора, содер­жащего компоненты полупроводникового оксид­ного стекла, нанесения спиртового раствора йода и облучения лазерным лучом, отличающийся тем, что перед лазерной обработкой подложку с компо­зицией погружают в жидкий азот.

Номер патенту: 11657

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Курбанов Курбан Рамазанович, Сальков Євген Андрійович, Волков Юрій Миколайович, Єргаков Валерій Костянтинович, Маловічко Ельза Олександрівна, Любченко Олексій Вікторович, Карачевцева Людмила Анатольєвна

МПК: H01L 31/0264

Мітки: одержання, матеріалу, pi-cdchihgiota-chite, спосіб, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Способ получения полупроводникового материала n-CdxHg1-xTe с заданным временем жизни электронов путем изменения концентрации центров рекомбинации, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и обеспечения обратимости управления временем жизни, в мате­риале состава х=0,22 с концентрацией электронов n<1015 см-3 при температуре Т=77 К в качестве центров рекомбинации используют двухзарядные вакансии ртути, изменение...

Номер патенту: 9375

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Горлачев Віктор Єфимович, Карушкін Микола Федорович, Дворніченко Вячеслав Петрович

МПК: H01L 23/02

Мітки: корпус, діода, напівпровідникового, нвч

Формула / Реферат:

Корпус полупроводникового СВЧ-диода, со­держащий металлическое основание с присоединен­ной к нему металлизированной диэлектрической втулкой, верхний торец которой соединен с выво­дом диода, и крышку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажения энергетических ха­рактеристик СВЧ-диодов, в основании корпуса вы­полнен прямоугольный в сечении волноводный канал, ори этом плоскости симметрии волноводно-го канала и диэлектрической втулки...

Номер патенту: 5368

Опубліковано: 28.12.1994

Автор: Шитов Олександр Леонідович

МПК: H02H 7/12

Мітки: перевантажень, напівпровідникового, захисту, перетворювача, пристрій

Формула / Реферат:

1. Устройство для защиты полупроводникового преобразователя от перегрузок, содержащее датчик температуры, последовательно соединенные датчик тока, функциональный преобразователь, моделирующий узел, включающий резистивные и емкостные элементы, исполнительный орган, отличающееся тем, что введен по крайней мере один датчик теплового сопротивления, в моделирующий узел введены сумматор, операционный усилитель и токозадающий элемент, при этом...

Номер патенту: 3023

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Маш'янов Володимир Гаврилович, Саньков Сергій Анатолійович, Фрідман Григорій Беніамінович

МПК: H02H 7/12

Мітки: захисту, пристрій, перетворювача, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Устройство для защиты полупроводникового преобразователя от внутренних коротких замы­каний при пробое вентилей, содержащее предназ­наченные для включения последовательно с каждым из вентилей защищаемого преобразовате­ля цепи, каждая из которых выполнена в виде N параллельно соединенных между собой ветвей, состоящих из токопроводящих шин и соединенных последовательно с ними по одному в каждой из ветвей одинаковых плавких предохранителей,...

Номер патенту: 1004

Опубліковано: 30.12.1993

Автори: Сидоров Олександр Миколайович, Віницький Марк Якович

МПК: B23K 31/02

Мітки: зваркою, приладу, корпусом, напівпровідникового, кристалотримача, мідного, конденсаторною, спосіб, герметизації

Формула / Реферат:

Способ герметизации конденсаторной свар­кой медного кристаллодержателя полупро­водникового прибора с корпусом, при котором по периметру кристаллодержателя формируют рель­ефный выступ, наносят промежуточный слой ме­таллизации по крайней мере на одну из сваривае­мых поверхностей и сваривают, отличающийся тем, что, с целью повышения качества путем повы­шения прочностных характеристик сварного со­единения и увеличения выхода годных изделий, в...