C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 43994

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович, Межиловська Любов Йосипівна, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: телуриду, основі, спосіб, германію, розчинів, твердих, отримання

Формула / Реферат:

1.Спосіб отримання твердих розчинів на основі телуриду германію, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до...

Номер патенту: 43991

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Прокопів Володимир Васильович, Матеїк Галина Дмитрівна, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 33/02, C30B 11/02

Мітки: термоелектричних, отримання, спосіб, телур, свинець, сплавів, германій

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів PbTe-GeTe, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 44136

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Притула Ігор Михайлович, Васильчук Валентина Григорівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чирва Людмила Артемівна, Сало Віталій Іванович, Колибаєва Марина Іванівна

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування, калію, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів дигідрофосфату калію (КДР), що включає приготування первинного водного розчину солі дигідрофосфату калію і кристалізацію на затравку, який відрізняється тим, що затравку вирізують паралельно площині (001), а процес вирощування кристала проводять при температурі 80 - 90°С уздовж напрямку [001].

Номер патенту: 43951

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Павлюк Мирослав Федорович, Михайльонка Руслан Ярославович, Матеїк Галина Дмитрівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: отримання, sntе, розчинів, основі, спосіб, твердих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі SnTe, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, методом ступінчастого нагріву синтезують, витримують при максимальній температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи напівпровідникової чистоти, співвідношення яких відповідає твердому...

Номер патенту: 43950

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович, Пиц Михайло Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: олова, сплавів, основі, спосіб, отримання, телуриду, термоелектричних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура нагріву якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи...

Номер патенту: 43949

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Довгий Олег Ярославович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, сплавів, термоелектричних, сполук, основі, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі сполук АIVВIV, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи,...

Номер патенту: 43999

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Борик Віктор Володимирович, Никируй Любомир Іванович, Шперун Всеволод Михайлович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, отримання, gete-pbte, твердих, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання твердих розчинів GeTe-PbTe, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 43998

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Рувінський Борис Маркович, Прокопів Володимир Васильович, Іванишин Ірина Мирославівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: розчинів, gete)x, отримання, pbte)1-x, твердих, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання твердих розчинів (PbTe)1-х(GeTe)x, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 43997

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Калитчук Іван Васильович, Прокопів Володимир Васильович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, спосіб, кристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного PbS, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації,...

Номер патенту: 43963

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Іванишин Ірина Мирославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C22B 4/00, C30B 29/00, C22C 1/02 ...

Мітки: свинцю, основі, отримання, олова, телуриду, германію, спосіб, сплавів, термоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини (~1250К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву...

Номер патенту: 43955

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Шперун Всеволод Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович, Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, сплавів, основі, свинцю, термоелектричних, телуриду, олова, спосіб, германію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини (~1250К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву...

Номер патенту: 43163

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Нижникевич Володимир Всеволодович, Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C22C 1/00, C22C 5/00, C22C 32/00 ...

Мітки: тербію, сплавів, спосіб, свинцю, телуриду, термоелектричних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю - телуриду тербію, який полягає у тому, що вихідну речовину, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи тербію (Тb)...

Номер патенту: 43058

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Ковалевський Сергій Вадимович, Косенко Анатолій Григорович, Рибалко Сергій Борисович, Циганаш Віктор Євграфович

МПК: C30B 31/00

Мітки: пристрій, електроіскрового, легування

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить електромагнітний вібратор, випрямляч, ємнісний накопичувач, зв'язаний через транзистор з робочим проміжком, а в ланцюзі живлення котушки вібратора встановлений потенціометр, напруга з якого через елемент затримки подається на базу ключового транзистора накопичувача, який відрізняється тим, що в пристрій введені трансформатор струму, електронний ключ із затримкою на розмикання, компаратор...

Номер патенту: 43077

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Стрельніков Миколай Іванович, Горілецький Валентин Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Звягінцев Володимир Миколайович, Тавровський Ігор Ігоревич, Герасимчук Лариса Іванівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: регулювання, монокристалів, росту, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів який містить електропривід кристалотримача, датчик рівня розплаву, зв'язаний з коригуючим регулятором температури донного нагрівача та блоком управління підживлюванням, який з'єднано з підживлювачем та блоком задання часових інтервалів через блок їх зрівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, який підключено до коригуючого регулятора температури донного нагрівача, обчислювальний...

Номер патенту: 41467

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Дяденко Аркадій Ігоревич, Середа Анатолій Павлович

МПК: C30B 1/00, C10C 3/00, C01B 31/06 ...

Мітки: алмазу, кристалізації, гетерогенної, спосіб, рідкофазної

Формула / Реферат:

Спосіб гетерогенної рідкофазної кристалізації алмазу шляхом взаємодії вуглеводнів з каталізатором, який відрізняється тим, що як вуглеводні використовують дегідровані компоненти бітуму і процес здійснюють адсорбційною взаємодією цих компонентів з гідридною поверхнею каталізатора, що утворюється хемосорбцією водню при високотемпературному і каталітичному дегідруванні полідисперсних високомолекулярних компонентів бітум-смол і асфальтенів з...

Номер патенту: 41088

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Міхненко Олексій Станіславович, Вакулович Микола Васильович, Косенко Анатолій Григорович, Ковалевський Сергій Вадимович

МПК: C30B 31/00

Мітки: легування, електроіскрового, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, який містить трансформатор напруги, діодний міст, накопичувальний конденсатор, резистори, контактну пластину та електромагнітний вібратор, який несе зміцнювальний електрод, який відрізняється тим, що в пристрій введено трансформатор живлення, електронний ключ, регулювальний блок та генератор імпульсів, причому генератор імпульсів під'єднаний за допомогою діодного моста в ланцюг живлення первинної...

Номер патенту: 40674

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Семенов-Кобзар Андрій Олександрович, Куліков Леонід Мінейович, Аксельруд Лев Григорович, Ромака Любов Петрівна

МПК: C01B 19/00, C30B 30/00, C01G 33/00 ...

Мітки: порошків, отримання, дихалькогенідів, нанокристалічних, спосіб, ніобію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалічних порошків дихалькогенідів ніобію, що включає їх диспергування при електрохімічній обробці в розчинах електролітів, який відрізняється тим, що електрохімічну обробку диселеніду ніобію та його інтеркалятів виконують постійним струмом  9 - 760 мА  при пропусканні заряду  190 - 13150  Кл в водних розчинах сульфату літію з концентрацією 4,70 - 13,10 % мас.

Номер патенту: 40028

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Юр'єв Сергій Олексійович, Юрчишин Петро Іванович, Ющук Степан Іванович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Мітки: монокристалічних, епітаксії, спосіб, вирощування, плівок, рідинно-фазної, методом, ферит-гранатів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування   монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення під­кладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворювальних окисидів та розчинника, і осадження плі­вок при заданих температурних режимах,   який   відріз­няється тим, що  як     розчинник беруть суміш оксидів молібдену, вісмуту і свинцю в таких співвідношеннях (мол. %): МоО3 - 5.0-10.0;  Bі2О3 -...

Номер патенту: 39902

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Фітцгеральд Томас, Круг Петер, Зінгер Роберт

МПК: C30B 11/00, B22D 27/04

Мітки: спосіб, спрямованого, пристрій, розплаву, твердіння

Формула / Реферат:

1. Способ      направленного затвердевания расплава первого металла в литейной форме, включающий подготовку расплава в литейной форме при первой температуре выше точки плавления первого металла и последующее охлаждение расплава в литейной форме путем погружения литейной формы в ванну из жидкого второго металла, который находится при второй температуре, которая лежит ниже точки плавления первого металла, отличающийся тем, что ванна покрыта...

Номер патенту: 862

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович

МПК: C30B 35/00

Мітки: матеріалів, кристалізації, установка, очищення, синтезу

Формула / Реферат:

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів, яка містить основу зі стійкою, вузол кріплення контейнера, який з'єднаний зі стійкою та складається   з передньої та задньої підпор, що з'єднані напрямними, контейнер, закріплений між підпорами з можливістю обер­тання у вертикальній площині, власна вісь обертання якого спрямована уздовж напрямних, та який з'єднаний з електрорушієм обертання навколо згаданої осі і огорнутий...

Номер патенту: 39072

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Шепетюк Володимир Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 23/02, C30B 29/46

Мітки: розчину, тонкоплівкового, твердого, спосіб, отримання, матеріалу, pb(1-x)sn(x)se

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонкоплівкового матеріалу твердого розчину Pb1-xSnxSe різного типу провідності методом гарячої стінки шляхом нагрівання підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагріванні стінок камери до Тс, додаткового джерела халькогену до Тд, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують твердий розчин Pb1-xSnxSe складу х= 0-0,15, для отримання плівок n-типу підкладку нагрівають до Тп= 423-560...

Номер патенту: 36892

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: монокристалів, вирощування, профільованих, пристрій

Текст:

...на верхньому торці якого розміщений формоутворювач, що містить внутрішній і зовнішній елементи зібрані з капілярним зазором 4 між ними. Внутрішній елемент представляє собою фіксатор 2, оснащений стержнем 1, виконаним із незмочуємого розплавом матеріалу. Зовнішній елемент формоутворювача представляє собою матрицю 3, виконану з матеріалу, що змочується розплавом, при цьому змочуваність фіксатора 2 не має значення. Поверхня матриці 3, що...

Номер патенту: 36796

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Романюк Ігор Степанович, Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 13/00

Мітки: основі, монокристалів, зонної, отримання, перекристалізації, вісмуту, розчинів, вертикальної, твердих, телуриду, спосіб, методом

Текст:

...спостерігання неможливе через заповнення простору між шайбою та контейнером розплавленим матеріалом. При співвідношенні цих діаметрів більше як 0,99 виникає заклинення шайби стінками контейнеру. Збільшення температури в зоні супроводжується передачею додаткової енергії шайбі, яка тоне у розплаві та підплавляє додаткову порцію вихідного матеріалу. Зменшення температури в зоні супроводжується відштовхуванням шайби матеріалом, що...

Номер патенту: 35091

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Головей Вадим Михайлович, Турок Іван Іванович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кристалів, речовин, схильних, вирощування, спосіб, склування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів речовин, схильних до склування, витягуваням з розплава, що включає відбір порції розплава шляхом занурення в нього нижньої частини кристалотримача, формування затравки і вирощування кристалічного буля, відрізняється тим, що затравку формують у склоподібному стані витягуванням на кристалотримач із переохолодженого розплава з послідуючим відривом; після чого підвищують температуру і піддають затравку...

Номер патенту: 35208

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, сплавів, термоелектричних, pb1-xinxte:i, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів Pb1-xlnxTe:l, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцевій вакуумованій ампулі і поміщають в двозонну піч, температура першої зони є вищою температури точки плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижча від температури точки плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до...

Номер патенту: 34574

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Кривоносов Євгеній Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/36

Мітки: монокристалів, тикору, лазерних, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору, який включає плавлення початкової сировини та витягування кристала на затравку, орієнтовану в двох взаємно перпендикулярних площинах, який відрізняється тим, що вирощування здійснюють при оптимальному температурному градієнті на фронті кристалізації в залежності від кристалографічної орієнтації в напрямку роста [0001], [1120], [1010] відповідно: 4-5град/мм, 2,5-4град/мм та 5-6град/мм при...

Номер патенту: 35341

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Лук'янчук Олександр Ростиславович, Пекар Ярослав Михайлович, Цифра Василь Іванович, Бундаш Йосип Йосипович, Машков Андрій Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: C30B 29/20, C30B 31/00, C30B 35/00 ...

Мітки: вольфрамового, алюмінію, альфа-оксид, тигля, корунду, вирощування, спосіб, молібден, відновлення, монокристалів, сплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб відновлення тигля із молібден-вольфрамового сплаву для вирощування монокристалів корунду -оксид алюмінію, який включає нагрівання та витримування його у вакуумі при температурі 1400°С, який відрізняється тим, що несуцільності тигля перед вакуумуванням та нагріванням із внутрішньої сторони його стінок заповнюють дрібнодисперсним порошком, хімічний склад якого...

Номер патенту: 35135

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Проц Лариса Анатоліївна, Шпирко Григорій Миколайович, Коложварі Марія Василівна, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, пристрій, кристалу

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу, який містить тигель із розплавом, підставку із штоком, нагрівач та механізм вертикального переміщення тигля, який відрізняється тим, що механізм вертикального переміщення тигля містить розміщену під тиглем ємність з рідиною, в яку занурений поплавок, поплавок жорстко з'єднаний з підставкою тигля за допомогою несучого штоку, причому площа горизонтального перерізу ємності S та площа горизонтального перерізу...

Номер патенту: 35209

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Варшава Славомир Степанович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 11/02

Мітки: плівок, pвte, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок РbТе шляхом нагріву підкладки до температури Tn=400-600 K, випаровуванні вихідної речовини РbТе при Тв=820 К, нагріві стінок камери до Тс=850 К, відрізняється тим, що вирощені плівки витримують в атмосфері кисню на протязі 0,5 год при тиску PO2=(10-1-10) Па і піддають термічній обробці у вакуумі при ~600 К протягом 1,2 год.

Номер патенту: 35211

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Запухляк Руслан Ігорович, Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 11/02

Мітки: термоелектричних, германію, основі, свинцю, телуриду, отримання, олова, сплавів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцевій вакуумованій ампулі і поміщають в двозонну піч, температура першої зони є вищою температури точки плавлення вихідної речовини (~1250 К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання...

Номер патенту: 35210

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Калинюк Михайло Васильович, Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: тонких, стінки, методом, отримання, спосіб, гарячої, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок РbТе методом гарячої стінки шляхом, нагріву підкладки до температури Тп=420-470 К, випаровуванні вихідної речовини РbТе при Тв=820 К, нагріві стінок камери до Тс=850 К, відрізняється тим, що вирощені плівки піддавалися ізохронному відпалу у вакуумі на протязі однієї години при температурі Тi=500 К.

Номер патенту: 32842

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Коложварі Марія Василівна, Проц Лариса Анатолієвна

МПК: C30B 11/00

Мітки: розплаву, кристалу, кристалізацією, спосіб, направленою, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення речовини, яку кристалізують, в порожнину вертикально установленого контейнеру зі звуженим нижнім кінцем, розплавлення речовини та направлене охолодження розплаву знизу, який відрізняється тим, що направлене охолодження розплаву здійснюють шляхом занурення контейнеру в рідину з температурою, яка нижча температури плавлення речовини, яка...

Номер патенту: 32835

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Петров В'ячеслав Васильович, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 29/12, C01G 13/00, C01F 11/00 ...

Мітки: матеріал, акустооптичний

Формула / Реферат:

Акустооптичний матеріал, який містить ртуть та хлор, відрізняється там, що він додатково містить цезій, а його оклад відповідає формулі Cs3-xHgxCl3+x, де 0,96£x£1,05.

Номер патенту: 32987

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Коложварі Марія Василівна, Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 33/00, G01N 23/20

Мітки: орієнтування, монокристалу, спосіб

Текст:

...згідно винаходу, на монокристалі виконують принаймні дві пари паралельних зрізів , визначають взаємне розміщення виконаних зрізів , розділяють монокристал на дві частини, кожна з яких містить принаймні два непаралель-них зрізи, після чого визначають просторове положення по відношенню -до кристалографічних напрямків монокристалу зрізів однієї , переваж 2. но, меншої частини монокристалу 1 по ньому судять про орієнтацію зрізів на другій...

Номер патенту: 32979

Опубліковано: 15.02.2001

Автор: Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 13/00

Мітки: пристрій, плавки, зонної

Текст:

.... Частина теплової енергії розподіляється через ділянку перерізу труби , не перекриту канавкою 1 поглинається поверхнею наступної , більш глибокої канавки. Температура в контейнері вздовж труби по мірі від далення від нагрівача зменшується , за вийнятком ділянок поблизу ка навок, де вона більш висока, ніж фонова. На маяюн*у схематично зображена запропонована конструкція при строю для зонної плавки. Контейнер 1 з речовиною 2...

Номер патенту: 34362

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Трапезнікова Людмила Віталієвна

МПК: A61K 6/06, C01F 7/10, A61P 1/02 ...

Мітки: монодисперсний, алюмінію, інгредієнта, якості, спосіб, стоматологічних, оксиду, порошок, матеріалів, одержання

Формула / Реферат:

1. Застосування монодисперсного порошку оксиду алюмінію (монодисперсного сапфіру) з розміром частинок 2-4 мкм, подовженої форми та з вмістом оксиду алюмінію не менше 99,999 мас. % як інгредієнта стоматологічних матеріалів.2. Спосіб одержання монодисперсного порошку оксиду алюмінію, який включає хімічну обробку вихідної сировини, а саме відходів від промислової механічної обробки об'ємних кристалів сапфіру (a-Аl2О3), послідовно...

Номер патенту: 33040

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Юрчишин Петро Іванович, Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович, Юр'ев Сергій Олексійович

МПК: H01F 10/10, C30B 19/00

Мітки: ферит-гранатів, магнітними, епітаксійних, плівок, вирощування, спосіб, циліндричними, доменами

Номер патенту: 34204

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Пуга Павло Павлович, Турок Іван Іванович, Головей Михайло Іванович, Головей Вадим Михайлович

МПК: C30B 15/02

Мітки: монокристалів, вирощування, тетраборату, спосіб, літію

Текст:

...ростова установка додатково обладнана дозатором і системою підживлення, яка компенсує втрати маси розплаву за рахунок випаровування оксиду бору. Оксид бору додають у розплав до і в процесі витягування із швидкістю 0,0015 г за годину на 1 см 2 вільної поверхні розплаву. Не вдається досягти рівномірного дозування, оскільки дуже мала вагова швидкість підживлення. Крім того, надмірна кількість оксиду бору в приповерхневих шарах розплаву...

Номер патенту: 32857

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Коложварі Марія Василівна, Проц Лариса Анатолієвна

МПК: C30B 15/30

Мітки: витягуванням, вирощування, кристалів, пристрій, розплаву

Текст:

...кристалу U~t , а його гори зонтальний переріз St , тигель з горизонтальним перерізом $І, , то для забезпечення постійності рівня розплаву по відношенню до нагріваючрго елементу необхідно тигель піднімати зі швидкістю Ол'—-fs—~ І . При перемінному перерізі тиглю відповідно повинна змінюватися і швид кість його піднімання. На початковій і кінцевій стадіях росту криста лу переріз його по висоті змінюється , що також вимагає зміни швидкості...

Номер патенту: 31810

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 11/02

Мітки: а-4, сполук, чотирьохкомпонентного, отримання, в-6, твердого, спосіб, основі, розчину

Текст:

...-768 с). Однак, ці способи їх отримання складні, дорогі, не дозволяють плавно керувати електричними і термоелектричними параметрами. Найбільш близькими до запропонованого винаходу є спосіб отримання чотирьохкомпонентного твердого розчину на основі сполук А^В^ , який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцевій вакуумованій ампулі, поміщають у двохзонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення...