C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 95215

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Марушко Лариса Петрівна, Піскач Людмила Василівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Лавринюк Зоряна Володимирівна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, системі, cugase2-cuinse2-2cdse, спосіб, розчинів, одержання, утворюються, гамма-твердих

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe, включає вирощування монокристалів з розплаву, який відрізняється тим, що синтез проводять горизонтальним варіантом методу Бріджмена у два етапи, при цьому на першому етапі проводять попередній синтез у полум'ї киснево-газового пальника для зв'язування компонентів та гомогенізацію розплаву при 1450-1500 К, обертаючи контейнери протягом...

Номер патенту: 107167

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Онищенко Олександр Веніамінович, Алєксєєнко Олександр Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C01B 33/02, C30B 29/06, C30B 15/00 ...

Мітки: одержання, зливках, спосіб, полікристалічного, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, очищення та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом витягування зливка полікристалічного кремнію із розплаву на затравку з вуглецевого матеріалу при швидкості обертання тигля не менше 15 об./хв, при цьому над поверхнею розплаву створюють горизонтальний...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00, C01G 35/00, C01G 5/00 ...

Мітки: ag6tas5i, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кайла Маріанна Іванівна, Мінець Юрій Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: хімічних, розчинів, спосіб, вирощування, йодиду, реакцій, купрум, cu6(pxas1-x)s5i, твердих, допомогою, монокристалів, пентатіофосфату-арсенату, транспортних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 107030

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 29/06, C01B 33/00, C30B 15/02 ...

Мітки: одержання, мультикристалічного, елементів, спосіб, зливка, сонячних, індукційним, кремнію, виготовлення, методом, придатного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання придатного для виготовлення сонячних елементів зливка мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає:попереднє задання діапазону питомого опору і типу електропровідності зливка, що одержують,вибір принаймні одного додаткового легуючого елемента,визначення розрахункового розподілу питомого опору зливка, що мають одержати, з урахуванням легуючого елемента або легуючих елементів, що є у...

Номер патенту: 107029

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/08, C30B 15/02, C30B 29/06 ...

Мітки: вузол, зливків, кремнію, розплавленому, установка, вигляді, плавильній, подачі, завантажувального, містить, одержання, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді, що включає тигель плавильного вузла, оточений ізоляцією та індукційним нагрівачем, і бункер подачі кускової шихти, де тигель плавильного вузла має отвір, причому, плавильний вузол виконаний з можливістю розташування над тиглем для одержання зливків кремнію, який відрізняється тим, що отвір тигля плавильного вузла розташований в верхнійчастині його стінки і...

Номер патенту: 106916

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Северин Андрій Юрійович, Ахонін Сергій Володимирович, Березос Володимир Олександрович, Пікулін Олександр Миколайович

МПК: C30B 13/00, C01B 33/037, C22B 9/22 ...

Мітки: методом, плавки, електронно-променевої, спосіб, очищення, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб вакуумного очищення кремнію, що включає завантаження кремнію, що очищається, в тигель, розплавлення його з використанням електронно-променевого нагріву у вакуумі, витримку розплаву в тиглі для випару домішок і його кристалізацію з отриманням очищеного кремнію, який відрізняється тим, що процес очищення проводиться в чотири стадії: на першій стадії очищення кремнію проводять шляхом розплавлення в кварцовій проміжній ємності з...

Номер патенту: 93505

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Гаврилов Валерій Олександрович, Пекар Ярослав Михайлович, Пекар Володимир Ярославович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вертикальною, напрямленою, кристалізацією, a-al2o3, спосіб, вирощування, розплаву, монокристалів, сапфіра

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (а-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що включає введення в контакт із розплавом вихідної сировини затравкового кристала з подальшою кристалізацією всієї маси розплаву, який відрізняється тим, що першопочатково кристалізацію здійснюють з обертанням затравкового кристала із заданою швидкістю відносно його вертикальної осі, причому таким чином кристалізують одну третю маси...

Номер патенту: 93097

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Цибуленко Вадим Володимирович, Євдокимов Олексій В'ячеславович, Боскін Олег Осипович

МПК: C30B 19/00

Мітки: отримання, епітаксійних, спосіб, рідинної, фазі, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних шарів з рідинної фази, що полягає у процесі гомогенізації, виходу на задану температуру, підведенні розчину-розплаву до поверхні робочої підкладки і їх контакті та зниженні температури на задану величину, який відрізняється тим, що контакт робочої підкладки з розчином-розплавом проводять сегментарно по поверхні робочої підкладки за допомогою пристрою сканування.

Номер патенту: 92850

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Тріщук Любомир Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Курик Андрій Онуфрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Мазарчук Ірина Опанасівна

МПК: C30B 28/00, C01G 11/00, C01B 19/00 ...

Мітки: стабілізованих, кадмію, спосіб, нанокристалів, телуриду, колоїдному, розчині, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині протягом 2-9 хв. з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти в деіонізованій воді з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л, який відрізняється тим, що після закінчення процесів формування нанокристалів кадмію телуриду у деіонізованій воді в колоїдний розчин додатково додають 5 %-й розчин желатину та інгібітор...

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/04, C30B 11/12 ...

Мітки: cd1-xmnxte, випромінювання, детектора, cd1-xznxte, іонізуючого, спосіб, матеріалах, виготовлення, напівізолюючих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Номер патенту: 92083

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, матеріалу, лінійною, напівпровідникового, температури, електропровідності, залежністю, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають індій та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Номер патенту: 106179

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Засімчук Ігор Костянтинович, Дехтяр Олександр Ілліч, Матвієнко Леонід Федорович

МПК: C30B 13/34, C22C 27/00, C30B 29/10 ...

Мітки: одержання, вольфрам-тантал, монокристала, спосіб, сплаву

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал, що включає виготовлення штабиків гідростатичним пресуванням попередньо змішаних порошків вольфраму і танталу впродовж 200-300 секунд, наступну термічну обробку штабиків у вакуумі з залишковим тиском Р≤8,10-3 Па, спікання штабиків у вакуумі при температурі Т≥1500 °C впродовж не менше двох годин з наступним охолодженням зі швидкістю 300 °C/годину, переплавлення...

Номер патенту: 106103

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Шелехов Ігор Володимирович, Проценко Сергій Іванович, Довбиш Анатолій Степанович, Москаленко В'ячеслав Васильович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00, C30B 35/00 ...

Мітки: вирощуванням, розплаву, монокристалів, пристрій, адаптивного, керування

Формула / Реферат:

Пристрій для адаптивного керування вирощуванням монокристалів із розплаву, що містить електропривод кристалотримача, підключений до блока корекції переміщення кристалотримача, який з'єднаний з датчиком дискретного переміщення кристалотримача, датчик рівня розплаву, підключений до блока корекції підживлення і з'єднаний з підживлювачем, блоки контролю і корекції температури донного і бічного нагрівачів, контролю і корекції тиску і температури...

Номер патенту: 106026

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Галунов Микола Захарович, Лазарєв Ігор Вікторович, Самохін Антон Дмитрович

МПК: C30B 28/00, C30B 29/54

Мітки: стильбену, виготовлення, спосіб, сцинтилятора, полікристалічного, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного сцинтилятора на основі стильбену, що включає одержання кристалічної сировини з наступним її гарячим пресуванням шляхом одновісного стискання, підвищення тиску від атмосферного до заданого, витримку при цьому тиску, потім зниження його до атмосферного і повільне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що вихідну сировину у вигляді гранул одержують шляхом кріогенного дроблення під...

Номер патенту: 105885

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Андрєєв Олександр Євгенійович, Сафронов Роман Ігоревич, Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Євгеній Петрович

МПК: B23K 28/00, B23K 20/00, C30B 15/34 ...

Мітки: кристалічних, сапфіру, спосіб, з'єднання, зокрема, деталей

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання кристалічних деталей, зокрема з сапфіру, що включає зварювання деталей шляхом кристалізації розплавленої контактної зони, який відрізняється тим, що контактні поверхні кристалічних деталей розташовують з капілярним зазором відносно одна до одної, а як припій використовують розплав кристалічного матеріалу, з якого виконано деталі, при цьому припій подається до зони з'єднання з тигля через капілярну систему.

Номер патенту: 90566

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Соломон Андрій Михайлович, Пекар Володимир Ярославович

МПК: G01N 23/20, C30B 35/00

Мітки: визначенні, монокристалів, кріплення, кристалографічних, пристрій, площин

Формула / Реферат:

Пристрій для кріплення монокристалів при визначенні кристалографічних площин, що містить платформу, виконану з можливістю обертання відносно її вертикальної осі, та оправку для кріплення кристала, який відрізняється тим, що платформа, фіксована на поворотному столі дифрактометра, містить регульовану в горизонтальній площині опорну поперечну пластину, а оправка складається з двох квадратних пластин, з'єднаних між собою за допомогою чотирьох...

Номер патенту: 105530

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Стрельніков Микола Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Соболєв Олександр Вікторович, Козьмін Юрій Семенович, Демченко Вячеслав Васильович, Тонкошкур Володимир Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 35/00, G05D 27/00, C30B 15/20 ...

Мітки: монокристалів, розплаву, ампулі, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу із речовиною, що кристалізується у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку із двигуном і приводом її переміщення, відліковий пристрій величини переміщення ампули, термопари встановлені на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного...

Номер патенту: 89560

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Димко Лариса Миколаївна

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, електропровідності, температури, спосіб, прямопропорційною, матеріалу, напівпровідникового, залежністю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з прямопропорційною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть та телур, вирощування методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній і марганець у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого...

Номер патенту: 105337

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Шеховцов Олексій Миколайович, Назаренко Борис Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Космина Мирон Богданович

МПК: C30B 29/30, C30B 15/00

Мітки: перестроюванням, дискретним, основі, ближнього, лазерів, частоти, активних, кальцію, ортованадату, неодимом, елементів, діапазону, кристалічний, активованого, матеріал

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів ближнього ІЧ діапазону з дискретним перестроюванням частоти на основі кристалу ортованадату кальцію, активованого неодимом, який відрізняється тим, що додатково містить в своєму складі домішку літію і створює твердий розчин заміщення Ca3-x/2Lix(VO4)2:Nd при 0,3£х£1, а вміст неодиму складає 0,5-5 мас. %.

Номер патенту: 105335

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Якубовська Ганна Георгіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Гриньов Борис Вікторович, Дубовік Олександр Михайлович

МПК: C30B 29/32, C30B 29/10, C30B 15/00 ...

Мітки: сцинтиляційний, основі, цинку, монокристал, вольфрамату

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний монокристал на основі вольфрамату цинку, який відрізняється тим, що він додатково легований магнієм, що створює твердий розчин заміщення ZnxMg1-xWO4 при 0,05£х£0,95, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підґратці.

Номер патенту: 88968

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Мазарчук Ірина Опанасівна, Тріщук Любомир Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C01B 19/00, C01G 11/00, C01B 17/20 ...

Мітки: твердотільний, синтезу, кадмій, телуриду, нанокристалів, матриці, спосіб, вібраційностійких

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в твердотільній матриці, який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії прекурсорів в деіонізованій воді, полімеризацію матриці із синхронним інкорпоруванням в матрицю утворених нанокристалів, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на підкладку та висушування утвореної плівки за відсутності освітлення, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Жуков Олександр Вікторович, Зеня Ігор Михайлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: цинку, сульфіду, термообробки, селеном, кристалів, спосіб, сцинтиляційних, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Номер патенту: 104640

Опубліковано: 25.02.2014

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, B22D 11/041, B22D 11/01 ...

Мітки: ньому, методом, кремнію, пристрій, одержання, холодний, мультикристалічного, тигель, зливків, індукційним, використаний

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, які утворюють плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване...

Номер патенту: 87727

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Засімчук Ігор Костянтинович, Дехтяр Олександр Ілліч, Матвієнко Леонід Федорович

МПК: C22C 27/00, C30B 13/00, C30B 28/00 ...

Мітки: сплаву, одержання, вольфрам-тантал, спосіб, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал, що включає виготовлення штабиків гідростатичним пресуванням попередньо змішаних порошків вольфраму і танталу впродовж 200-300 секунд, наступну термічну обробку штабиків у вакуумі з залишковим тиском Р£8.10-3Па, спікання штабиків у вакуумі при температурі Т³1500 °C впродовж не менше двох годин з наступним охолодженням зі швидкістю 300 °C/годину, переплавлення...

Номер патенту: 87411

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/04, C30B 11/12, C30B 11/00 ...

Мітки: заряду, визначення, спосіб, параметрів, напівізолюючих, матеріалах, твердих, основі, розчинів, переносу

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...

Номер патенту: 87156

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Каравайников Андрій Вікторович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Шапошников Олександр Миколайович, Шарай Ірина Вікторівна, Прокопов Анатолій Романович

МПК: C30B 30/00

Мітки: заданою, містить, плівок, ферит-гранату, шорсткістю, отримання, спосіб, в.і, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок ферит-гранату, що містить Ві, із заданою шорсткістю поверхні, який включає виготовлення мішені, що містить компоненти ферит-гранату, що містить Ві, розпилення компонентів мішені на підкладку з немагнітного гранату, відпалювання отриманої плівки при температурі кристалізації ферит-гранату на повітрі при атмосферному тиску, який відрізняється тим, що швидкість нагрівання плівки до температури кристалізації ферит-гранату...

Номер патенту: 87076

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Богомол Юрій Іванович, Марич Мирослав Васильович, Лобода Петро Іванович

МПК: C01B 35/00, C04B 35/64, C04B 37/00 ...

Мітки: матеріалів, основі, спікання, отримання, електророзрядного, бору, керамічних, методом, спосіб, карбіду, полікристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання керамічних полікристалічних матеріалів на основі карбіду бору методом електророзрядного спікання, що включає отримання кристалів евтектичного сплаву В4С-ТіВ2, їх подрібнення та спікання при температурі 1800-1900 °С, який відрізняється тим що, після подрібнення і магнітної сепарації отриманий порошок окислюють на повітрі, промивають у спирті, сушать і змішують з порошком карбіду бору (В4С), а потім піддають електророзрядному...

Номер патенту: 104013

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Нетяга Віктор Васильович, Кудринський Захар Русланович

МПК: C23C 14/58, C23C 14/28, C23C 14/54 ...

Мітки: спосіб, виготовлення, нікелю, вуглецеві, наночастинок, оболонки, закапсульованих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення закапсульованих в вуглецеві оболонки наночастинок нікелю, що включає в себе випаровування матеріалу, який складається з суміші вуглецю і нікелю, електронним пучком в вакуумі, який відрізняється тим, що матеріал, який складається з суміші графіту і нікелю, нагрівають електронним пучком в вакуумі до температури, величина якої перевищує температуру плавлення нікелю (1455 °C), і витримують при цій температурі протягом...

Номер патенту: 85867

Опубліковано: 10.12.2013

Автори: Кольнер Володимир Борисович, Сініцин Павло Вікторович, Кривоносов Євген Володимирович, Коневський Павло Вячеславович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кріплення, пристрій, затравочного, вузла, кристала

Формула / Реферат:

Пристрій вузла кріплення затравочного кристала, що містить циліндричний вузол кріплення затравки з пазом і фіксатор, який вставляється в заглиблення в затравочному кристалі і фіксує його, який відрізняється тим, що вузол кріплення затравки додатково містить паз, розташований нижче основного, і фіксатор, при цьому обидва фіксатори виконано з горизонтальними проточками для їх закріплення, а верхній фіксатор входить у паз і затравку з меншим...

Номер патенту: 84899

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідникового, отримання, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину (3HgSe)1-x(Al2Se3)x:Mn.

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10, C23C 4/04 ...

Мітки: діаметра, злитка, великого, монокристалічного, підготовки, тигля, методом, спосіб, вирощування, чохральського

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Номер патенту: 84343

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Іваненко Володимир Ігорович, Затовський Ігор Вікторович, Слободяник Микола Семенович

МПК: C30B 11/04, C30B 13/00, C01G 23/00 ...

Мітки: гафнійвмісних, розплавного, цирконій, kтіоро4, спосіб, синтезу, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів КТiОРО4 шляхом взаємодії порошку фторидів цирконію (гафнію) з розплавом фосфатів калію та оксиду титану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок внесення МIV F4 (МIV-Zr чи Hf) у розчин-розплав.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок...

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Лисюк Юрій Володимирович, Чобанюк Володимир Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02, H01L 21/20, C30B 11/00 ...

Мітки: отримання, спосіб, матеріалу, термоелектричного, квантово-розмірного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Номер патенту: 83683

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Реков Юрій Васильович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 13/20

Мітки: кристалів, вирощування, методом, зонної, безтигельної, плавки, індуктор

Формула / Реферат:

1. Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки у вигляді тарілчастої котушки з каналом для пропускання охолоджуючого середовища по периферії, центральним круговим отвором і наскрізним радіальним прорізом, по краях якого розташовані патрубки для підключення до джерела електричного живлення і для підведення охолоджуючого середовища, при цьому концентрично центральному отвору виконані периферичні отвори, з'єднані...

Номер патенту: 103253

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кононов Алєксандр, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Кушнір Костянтин Вадимович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208

Мітки: структур, рідкої, фазі, квантовими, вирощування, установка, точками, наногетероепітаксійних

Формула / Реферат:

Установка для вирощування наногетероепітаксійних структур з квантовими точками з рідкої фази, що складається з вакуумно-газорозподільної системи, комп'ютеризованої системи автоматики, управління та контролю параметрів процесу, систем електроживлення, технологічної системи, яка включає корпус, піч опору, в якій розміщений кварцовий реактор з металевими кришками, що мають отвори для штоків, технологічне оснащення, яке містить касету для...

Номер патенту: 83344

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 29/22, C30B 29/30, C30B 15/00 ...

Мітки: bіv0,92nb0,08o4, спосіб, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08О4, що включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту добавляють 8 мол. % п'ятиокису ніобію, кристали вирощуються зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год. та обертання...

Номер патенту: 82990

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: спосіб, стійких, легованих, поля, сенсорів, отримання, магнітного, радіаційної, антимоніду, індію, мікрокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно-стійких сенсорів магнітного поля, згідно з яким кварцову ампулу, в якій послідовно розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)×10-4 Па, запаюють та розмішують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів...

Номер патенту: 102936

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Маковеєв Володимир Іванович, Маковеєв Олександр Володимирович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/14

Мітки: дигідрофосфату, кристалу, зародкового, спосіб, калію, групи, вирощування, монокристалів, розрощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб розрощування зародкового кристала для вирощування великогабаритних монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає виготовлення і підготовку зародкових кристалів орієнтації типу (101), заливку розчину стехіометричного складу (рН~4), процес розрощування паралельно кристалографічній площині (101), уздовж кристалографічної осі z, припинення процесу розрощування при формуванні загального приросту над зародковими кристалами, злив...

Номер патенту: 102784

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Зеня Ігор Михайлович, Малюкін Юрій Вікторович, Жуков Олександр Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48

Мітки: сульфіду, цинку, сцинтиляційний, основі, матеріал

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...