C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Зеня Ігор Михайлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Жуков Олександр Вікторович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48

Мітки: цинку, активованого, одержання, сцинтиляційного, основі, спосіб, матеріалу, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Номер патенту: 82309

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Дмитрук Катерина Володимирівна, Рихлюк Сергій Вікторович, Половинко Ігор Іванович

МПК: C30B 7/00, G02B 1/02, G02B 5/22 ...

Мітки: застосування, керованим, оптичним, монокристалів, основі, ультрафіолетового, солей, змішаних, пропусканням, діапазону, туттону, фільтрів, k2mgxni1-x(so4)2•6н2o

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів на основі змішаних солей Туттону K2MgxNi1-x(SO4)2·6H2O як фільтрів ультрафіолетового діапазону з керованим оптичним пропусканням.

Номер патенту: 81520

Опубліковано: 10.07.2013

Автор: Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C30B 30/00

Мітки: отримання, типу, спосіб, квантових, структур, нанорозмірних, точок

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання нанорозмірних структур Іn/ІnР по типу квантових точок Іn/ІnР на поверхні монокристалічного фосфіду індію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять обробкою монокристалу ІnР у розчині кислот у відношенні HF:H2O:HNO3= 5:5:1 при постійній напрузі від 3 до 15 В протягом часу від 3 хв. до 1 години.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять при впливі...

Номер патенту: 102492

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Шевченко Олена Євгеніївна, Реброва Надія Василівна, Педаш Вячеслав Юрійович, Чергінець Віктор Леонідович, Гончаренко Віктор Федорович, Реброва Тетяна Павлівна, Дацько Юрій Миколайович

МПК: C01D 3/00, C01D 17/00, C30B 13/08 ...

Мітки: цезію, йодиду, одержання, спосіб, монокристалів, варіанти

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини, що містить добавку, нагрівання, плавлення під вакуумом і наступне вирощування кристала, який відрізняється тим, що як добавку використовують відновлювальний агент (ВАГ) - металічний цирконій, у якого площу поверхні стикання з розплавом визначають із співвідношення:S ³ 2,38 • mО2-•M,де S - площа поверхні ВАГ (м2), mО2- -...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/06

Мітки: методом, купрум(і, кристалізації, розплаву, cu6ps5br, спосіб, монокристалів, спрямовано, пентатіофосфату(v, вирощування, броміду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, купрум(і, спрямовано, cu6ps5i, розплаву, йодиду, вирощування, кристалізації, методом, пентатіофосфату(v, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Севрюков Дмитро Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: купрум(і, cu7ps6, монокристалів, розплаву, спосіб, гексатіофосфату, методом, спрямовано, вирощування, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Номер патенту: 80524

Опубліковано: 10.06.2013

Автор: Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C30B 33/10, C25F 3/00

Мітки: поруватого, фосфіду, індію, оксидних, поверхні, спосіб, кристалітів, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного оксиду індію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять обробкою монокристалу у розчині кислоти протягом 5-15 хвилин.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що розчин готовлять за формулою: плавикова кислота (HF), етиловий спирт (С2Н5ОН) та вода (Н2О) у співвідношенні 1:2:1.3. Спосіб за п. 2, який відрізняється тим, що травлення проводять при...

Номер патенту: 79850

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Сімченко Сергій Володимирович, Кідалов Валерій Віталійович, Кірілаш Олександр Іванович

МПК: H01L 21/306, C30B 33/08

Мітки: шару, спосіб, n-gaas, травлення, поруватого, отримання, шляхом, електрохімічного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватого шару n-GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала n-GaAs у розчині етилового спирту та HF у співвідношенні 1:1 відповідно при проходженні через електроліт постійного струму щільністю 70-90 мА/см2 протягом 10-15 хв.

Номер патенту: 101807

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Шаповалов Віктор Олександрович, Карускевич Ольга Віталіївна, Колєсніченко Володимир Іванович, Гніздило Олександр Миколайович

МПК: C30B 15/10, F27B 14/00, C30B 15/14 ...

Мітки: тугоплавких, монокристалів, пристрій, методом, чохральського, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральского, який включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристалу, тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу, який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що тигель виконаний з заготовки...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Фочук Петро Михайлович, Копач Олег Вадимович, Наконечний Ігор Йосипович, Панчук Олег Ельпідефорович, Вержак Євгенія Васлівна

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: основі, фазі, спосіб, другої, усунення, включень, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Номер патенту: 78894

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Каравайников Андрій Вікторович, Шапошников Олександр Миколайович, Бержанський Володимир Наумович, Прокопов Анатолій Романович

МПК: C30B 29/28

Мітки: наноструктура

Формула / Реферат:

Наноструктура, що містить підкладку, шари з двох магнітооптичних матеріалів, нижній з яких виконаний з матеріалу складу BixR3-xFe5-yMyO12, де R - щонайменше один рідкісноземельний елемент, вибраний з групи Tb, Dy, Sm, Eu, Tm, Yb, Lu та в комбінації з Tb з Pr, Yb з Nd, Μ - Al, значення x змінюються в межах 0,5-2 ат./форм. од., і верхній наношар складу BixR3-xFe5O12, яка відрізняється тим, що нижній шар виконаний товщиною від 8 до 10 нм і...

Номер патенту: 78538

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00, H01L 31/0272, H01L 21/324 ...

Мітки: люмінесценцією, виготовлення, спосіб, ультрафіолетовою, гетерошарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів ZnO з ультрафіолетовою люмінесценцією, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnSe та синтез гетерошарів ZnO, який відрізняється тим, що перед синтезом гетерошарів ZnO підкладинки ZnSe відпалюють на повітрі при температурі 500±10 °C протягом 10 хв.

Номер патенту: 78537

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/324, H01L 31/0272, C30B 31/00 ...

Мітки: цинку, люмінесценцією, шарів, блакитною, отримання, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією, що включає відпал кристалів селеніду цинку, який відрізняється тим, що монокристалічний селенід цинку у вигляді пластинок відпалюють у вакуумі не гірше 10-4 тор.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки бездомішкових кристалів селеніду цинку відпалюють при температурах 500-1050 °C.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Люба тетяна Сергіївна, Горічок Ігор Володимирович, Криськов Цезарій Андрійович, Рачковський Олег Михайлович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалів, пристрій, розплаву, змінним, області, градієнтом, вирощування, температури, кристалізації

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Номер патенту: 101298

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 15/14, C30B 29/06

Мітки: росту, монокристалів, спосіб, завершення

Формула / Реферат:

1. Спосіб завершення росту монокристалів, переважно кремнію, при вирощуванні їх за методом Чохральського з відокремленням кристала від розплаву та його охолодженням, який відрізняється тим, що перед відокремленням тигель та кристал переміщують у зону нагрівання.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що швидкість переміщення кристала поступово збільшують до швидкості переміщення тигля.

Номер патенту: 101184

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Галенін Євген Петрович, Кудін Констянтин Олександрович, Сідлецький Олег Цезарович, Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Софронов Дмитро Семенович, Васюков Сергій Олександрович

МПК: C30B 15/34

Мітки: пристрій, газових, домішок, розплаві, концентрування, розчинених

Формула / Реферат:

Пристрій для концентрування газових домішок, розчинених у розплаві, який відрізняється тим, що містить тигель з капілярною системою, на торці якої встановлений формоутворювач, що містить зовнішнє кільце і внутрішній елемент з капілярним каналом між ними, внутрішній елемент виконаний у формі циліндра з конусним вістрям на торці, який виступає над площиною торця на 0,4-0,6 мм.

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Катеринчук Валерій Миколайович, Товарницький Мірча Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Заслонкін Андрій Володимирович, Дуплавий Василь Йосипович

МПК: C30B 1/00, C30B 11/00, C30B 29/46 ...

Мітки: грані, кристалографічній, шаруватих, кристалах, спосіб, одержання, колінеарної, осі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.

Номер патенту: 100811

Опубліковано: 25.01.2013

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/10, C30B 29/20 ...

Мітки: напрямленою, тигля, кристалізацією, розплаву, сапфіру, вертикальною, монокристалів, вирощування, a-al2o3, підставка

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-Аl2O3) напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з глибиною більше або рівною половині його висоти, порожнини...

Номер патенту: 100736

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Піскун Наталія Василівна, Бабич Вілик Максимович, Асніс Юхим Аркадійович, Баранський Петро Іванович, Статкевич Ігор Іванович

МПК: C30B 13/22, C30B 29/06, C30B 13/12 ...

Мітки: легованих, спосіб, кремнію, безтигельної, зонної, монокристалів, одержання, пристрій-натікач, здійснення, електронно-променевої, методом, плавки

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки, який полягає в тому, що розплавляють зону вихідного стрижня дисковим електронним променем і подають легуючу домішку у плавильну камеру, яка вакуумується, при цьому газ легуючої домішки подають безпосередньо в плавильну камеру за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу...

Номер патенту: 100728

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Гаврилко Петро Петрович, Ткаченко Віктор Іванович, Кляп Михайло Петрович, Риган Михайло Юрійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пристрій, вирощування, кристалу, кристалізацією, направленою

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією, який включає вертикально встановлену піч з нагрівачами опору і розміщену в ній ампулу із звуженим нижнім кінцем, який відрізняється тим, що він містить вставку у вигляді циліндра, розміщеного всередині печі з можливістю вертикального переміщення, механізм вертикального переміщення циліндра, ампула розміщена всередині циліндра і закріплена нерухомо щодо печі, а циліндр складається...

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: кристалів, цинку, спосіб, легування, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: реакцій, розчинів, пентатіофосфату, купрум, вирощування, твердих, хімічних, транспортних, cu6ps5(ci0,5i0,5, допомогою, монокристалів, спосіб, хлорид-йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 75715

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Раренко Іларій Михайлович, Михайловський Віліус Ярославович, Струтинська Любов Тимофіївна

МПК: C30B 13/24

Мітки: спосіб, термоелектричного, вирощування, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування термоелектричного матеріалу, що включає завантаження компонентів у кварцову ампулу, синтез матеріалу, наступну його перекристалізацію методом зонної плавки при перемішуванні зони розплаву шляхом обертання ампули навколо своєї осі, який відрізняється тим, що ампулу з термоелектричним матеріалом, яку обертають навколо своєї осі та через яку рухають зону розплаву, розташовують під кутом до вертикалі.2. Спосіб...

Номер патенту: 75680

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Струтинська Любов Тимофіївна, Каштелян Олександр Фрідович, Михайловський Віліус Ярославович, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пристрій, матеріалу, термоелектричного, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування термоелектричного матеріалу на основі кварцового контейнера для термоелектричного матеріалу, електричного нагрівника, механізму для його переміщення та пристрою для вібрації, який відрізняється тим, що кварцовий контейнер для термоелектричного матеріалу має вигляд циліндричної ампули з загостреними кінцями конусної форми, яка розміщена вертикально між муфтами вібраційного і притискного пристроїв, коаксіально до...

Номер патенту: 75622

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Шапошников Олександр Миколайович, Юркова Ірина Миколаївна, Прокопов Анатолій Романович, Бержанський Володимир Наумович, Каравайников Андрій Вікторович

МПК: C30B 30/00

Мітки: спосіб, одержання, сонячного, плазмонного, елемента

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плазмонного сонячного елемента, що включає нанесення на скляну підкладку плівки аморфного кремнію, вирощування плівки оксиду кремнію шляхом нагрівання аморфного кремнію до високих температур, нанесення плівки срібла, який відрізняється тим, що готують розчин азотнокислого срібла концентрацією 0,1-1,0 г/дм3 і розчин альгінату натрію концентрацією 3,0-6,0 г/дм3, змішують у рівних об'ємах, в суміш поміщають підкладку з...

Номер патенту: 75595

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Шапошников Олександр Миколайович, Прокопов Анатолій Романович, Каравайников Андрій Вікторович

МПК: C30B 30/00

Мітки: комірка, фотовольтаїчна

Формула / Реферат:

Фотовольтаїчна комірка, яка містить активну область, оптичний резонатор з N пар оптично прозорих переміжних чвертьхвильових діелектричних шарів з низьким і високим показниками заломлення, розміщений на підкладці під активною областю, яка відрізняється тим, що додатково містить другий оптичний резонатор з N пар оптично прозорих переміжних чвертьхвильових діелектричних шарів з високим і низьким показниками заломлення, розміщений над активною...

Номер патенту: 75526

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Шапошников Олександр Миколайович, Каравайников Андрій Вікторович, Прокопов Анатолій Романович, Бержанський Володимир Наумович

МПК: C30B 30/00

Мітки: плазмонний, магнітофотонний, кристал

Формула / Реферат:

Плазмонний магнітофотонний кристал, який містить оптичний резонатор з резонансною довжиною хвилі lR у вигляді двох брегівських дзеркал, шари вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого гранату Bi1,0Y2,0Fe5O12 і залізо-вісмутового гранату Ві3Fе5О12 із сумарною оптичною товщиною, кратною lR/2, розміщені між брегівськими дзеркалами, який відрізняється тим, що додатково містить металеву субхвильову ґратку, розміщену на верхньому брегівському...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: пентатіофосфату, cu6ps5cl0,5br0,5, спосіб, реакцій, вирощування, монокристалів, розчинів, купрум, твердих, допомогою, транспортних, хімічних, хлориду-броміду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 74344

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Естрела-Льопис Вікторіо Рафаелійович, Бородінова Тетяна Іванівна

МПК: B82B 3/00, C30B 29/64, C30B 7/00 ...

Мітки: нано, спосіб, одержання, золота, мікророзмірів, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів золота нано- і/або мікророзмірів хімічним відновленням іонів золота із розчину золотохлористоводневої кислоти (НАuСl4) у присутності полівінілпіролідону (ПВП) при нагріванні, який відрізняється тим, що як розчинник та відновник використовують суміш етилового спирту та етиленгліколю в їх мольному співвідношенні 1:(1-3), відповідно, полівінілпіролідон уводять у розчин у кількості, яка забезпечує співвідношення...

Номер патенту: 74253

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна, Штабалюк Агата Петрівна, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00

Мітки: плівок, основі, спосіб, поля, сенсорів, магнітного, виготовлення, тонких, антимоніду, індію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію, згідно з яким на готовій плівці створюють геометричну конфігурацію магнітного сенсора та наносять електроди хімічним або електрохімічним способом, до яких припаюють мідний провід, який відрізняється тим, що плівку з припаяним мідним проводом розміщують у вакуумну камеру, вакуумують до тиску в камері 1·10-6-1·10-5 Па, нагрівають до температури 200-250 °С,...

Номер патенту: 99995

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Кривоносов Євгеній Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/22, C30B 29/20

Мітки: монокристалів, зокрема, спосіб, корунду, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, зокрема корунду, що включає плавлення вихідної сировини у тиглі, затравлення, розрощування монокристала і подальше його вирощування в акустичному полі, який відрізняється тим, що в процесі вирощування на дно тигля з розплавом впливають ультразвуковими коливаннями інтенсивністю (0,5-2,0)∙10-2 Вт/см2 і частотою 400-700 кГц.

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Крузіна Тетяна Володимирівна, Поздєєв Володимир Григорович, Бочкова Тетяна Михайлівна, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Мітки: спосіб, кристалів, вирощування, binbo4

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.

Номер патенту: 74036

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Богомол Юрій Іванович, Загородня Еліна Валеріївна, Лобода Петро Іванович

МПК: C04B 35/64, C04B 37/00, C01B 35/00 ...

Мітки: методом, отримання, евтектичних, полікристалічних, матеріалів, спікання, електророзрядного, керамічних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання керамічних евтектичних полікристалічних матеріалів методом електророзрядного спікання, який включає комбіновану дію на керамічний порошковий матеріал короткочасних електричних розрядів і механічного тиску, який відрізняється тим, що вихідний керамічний сплав отримують методом безтигельної зонної плавки, після чого отриманий керамічний евтектичний полікристалічний матеріал подрібнюють і засипають у пресформу, а потім піддають...

Номер патенту: 73171

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Стругацький Марк Борисович, Ягупов Сергій Володимирович, Постивей Наталя Сергіївна

МПК: C30B 9/00

Мітки: іонів, спосіб, монокристалів, вирощування, концентрацією, заданою, fexga1-xbo3

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів FexGa1-xBO3 із заданою концентрацією іонів Fe і Ga, що включає нагрівання шихти, що містить, Fe2O3, Ga2O3, В2О3, PBO, РbРr при постійному перемішуванні, витримку розчин-розплаву і його перемішування і охолоджування розчин-розплаву, який відрізняється тим, що компоненти беруть в співвідношенні, мас. %: (Fe2O3+Ga2O3) - 18,6; В2О3 - 42,4; PBO - 27,3; PbF2 - 11,7, нагрівають до 900-950 °C з...

Номер патенту: 72767

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Калитчук Сергій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Василь Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Тріщук Любомир Іванович, Будзуляк Сергій Іванович, Мазарчук Ірина Опанасівна

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00

Мітки: нанокристалів, спосіб, синтезу, стабілізованих, кадмій, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу стабілізованих нанокристалів кадмій телуриду, що здійснюють в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, який відрізняється тим, що колоїдний розчин додатково містить етиленгліколь з концентрацією 9-11 %, як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв.

Номер патенту: 99570

Опубліковано: 27.08.2012

Автор: Корнмайер Торстен

МПК: C30B 25/00, C01B 33/035

Мітки: стержнів, кріпильний, конус, осаджувальних, кремнієвих

Формула / Реферат:

1. Кріпильний конус для кремнієвих осаджувальних стержнів в реакторах для осаджування полікремнію, виготовлений з графіту, який відрізняється тим, що кріпильний конус включає вісесиметричну основну частину корпусу (2), в центрі верхньої поверхні якої містить цільний кріпильний елемент (3), виконаний з можливістю кріплення кремнієвих осаджувальних стержнів (1), при цьому основна частина корпусу (2) має отвір у формі кришки горщика, виконаний...

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Поп Михайло Михайлович, Кокенєші Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C03C 23/00, C30B 28/00

Мітки: стеклах, шару, наноструктурованого, спосіб, поверхневого, одержання, халькогенідних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Номер патенту: 72174

Опубліковано: 10.08.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/02, C30B 29/06 ...

Мітки: кремнієвих, вирощування, злитків, спосіб, мультикристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який відрізняється тим, що додаткову кремнієву сировину переміщують за допомогою пристрою для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків з його бункера до камери печі вирощування на тверду кремнієву пробку, що утворюється на поверхні розплаву.

Номер патенту: 99369

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Писаревський Володимир Костянтинович, Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/02, C30B 25/00, C30B 19/00 ...

Мітки: спосіб, концентрації, зниження, власнодефектних, кристалах, акцепторів

Формула / Реферат:

Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах, за яким кристали вирощують вертикальним способом Бріджмена або способом твердотільної рекристалізації, який відрізняється тим, що з вирощеного кристала вирізають середню частину, отримані злитки розрізають на зразки у формі паралелепіпедів з розмірами  мм, які механічно шліфують і хімічно полірують у...