C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 19919

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Шлее Володимир Йосифович, Шерафутдінова Людмила Григорівна, Качала Володимир Єфімович, Аверин Михайло Іванович, Данько Олександр Яковлевич, Катрич Микола Петрович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 29/18, C30B 11/00

Мітки: вирощування, корунда, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Формула изобретенияСПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА, включающий загрузку шихты в тигель, нагрев до плавления, выращивание полезной части кристалла горизонтальным перемещением тигля из зоны нагрева в зону отжига со скоростью 8 – 12 мм/ч и охлаждение, отличающейся тем, что, с целью снижения длительности процесса и увеличения выхода годного продукта, после выращивания полезной части кристалла скорость увеличивают до 1 + 104 – 2 + 104...

Номер патенту: 18923

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Калашников Олександр Миколайович, Мірошников Юрій Петрович, Данько Олександр Якович, Адонкін Георгій Тимофійович, Катрич Микола Петрович, Качала Володимир Юхимович

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Мітки: алюмінію, монокристалів, спосіб, оксиду, вирощування

Формула / Реферат:

 Способ выращивания монокристаллов оксида алюминия, включающий направленную кристаллизацию расплава в защитной газовой среде, отличающийся тем, что кристаллизацию проводят в защитной атмосфере оксида углерода при давлении от 30 до 60 Па.

Номер патенту: 19641

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Востецов Юрій Якович, Мартинов Валерій Павлович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, сцинтиляційних, монокристалів, свинцю, вольфраму, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца, включающий наплавление исходного сырья в тигель, выравнивание вытягиванием на затравку с последующим отжигом в кислородсодержащей атмосфере и охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что предварительно исходное сырье нагревают до температуры 450°-500°С, затем сырье нагревают до Тпл + (30-40)°С (где Тпл - температура плавления исходного сырья) при давлении в...

Номер патенту: 21082

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Волошиновський Анатолій Степанович, Родний Пьотр Алєксандровіч, Лискович Олексій Борисович, Новосад Степан Степанович

МПК: G01T 1/202, C30B 29/00

Мітки: сцинтилятор

Формула / Реферат:

Применение монокристалла йодистого свинца в качестве сцинтиллятора.

Номер патенту: 20960

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Шпилинська Лариса Миколаівна, Васецький Сергій Іванович, Заславський Борис Григорович, Соломаха Юрій Олексійович, Панова Олександра Миколаівна, Мітічкін Анатолій Іванович, Даниленко Едуард Васильович

МПК: C30B 15/02

Мітки: лужних, витягування, автоматизованого, металів, монокристалів, спосіб, основі, сцинтиляційних, йодидів

Формула / Реферат:

Способавтоматизированного вытягивания сцинтилляционных монокристаллов на основе иодидов щелочных металлов, включающий загрузку исходного сырья в питатель, его вакуумную сушку, плавление, перекачку части расплава в тигель, радиальный рост и рост в высоту с одновременной подпиткой расплавом, отличающийся тем, что вводят иод или иодирующий агент в питатель после плавления сырья в нем, а подпитку осуществляют расплавом, содержащим растворенный...

Номер патенту: 16664

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Нагорна Людмила Лаврентіївна, Овечкін Андрій Євгенійович, Пирогов Євген Миколайович, Вострецов Юрій Якович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: вольфрамату, спосіб, кадмію, термообробки, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий нагрев, выдер­жку и охлаждение в кислородсодержащей атмос­фере, отличающийся тем. что, с целью увеличе­ния выхода годных и повышения светового выхода кристаллов, предварительно нагрев ведут со скоро­стью 50-100 град/ч при непрерывной откачке до 380-450°С с последующей выдержкой в течение 2-5 ч, затем откачку прекращают, вводят кисло­родсодержащую атмосферу, продолжают нагрев...

Номер патенту: 16729

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Колоколова Тамара Григорівна, Заславський Борис Григорович, Даниленко Едуард Васильович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, пристрій, розплаву, вирощування

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристал­лов из расплава, включающее металлическую во-доохлаждаемую камеру роста, тигель для расплава, размещенный в камере, нагреватель, расположенный с внешней стороны тигля и имею­щий тепловые экраны, затравкодержатель, уста­новленный над тиглем на штоке, причем на внутреннюю поверхность камеры и поверхность штока нанесено защитное покрытие, отличающе­еся тем, что, с целью увеличения срока службы устройства и...

Номер патенту: 16678

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Бороденко Юрій Афанасійович, Носачев Борис Григорович, Лисецька Олена Костянтинівна

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Мітки: спосіб, цинку, селеніду, одержання, кристалів

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную на­правленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кисло­той, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...

Номер патенту: 16591

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Салайчук Олена Констянтинівна, Коршикова Тетяна Іванівна, Федірова Надія Миколаївна, Моисеєнко Борис Іванович, Романова Светлана Йосіфівна, Коток Людмила Анатоліївна

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Мітки: шихти, літія, спосіб, монокристалів, одержання, танталату, вирощування, ниобату

Формула / Реферат:

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития, включающий сухое смешивание исходной окиси ниобия или тантала и углекислого лития, взятых в стехчометрическом соотношении, и обжиг смеси при 1100-1150°С, отличающийся тем, что, с целью уменьшения отклонения от заданного сте-хиометрического соотношения и фазового состава смеси, перед смешиванием окись ниобия или тан­тала прокаливают при 1150-1200°С, а углекислый...

Номер патенту: 16736

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/00

Мітки: спосіб, кристалів, прозорих, оптично, селеніду, одержання, цинку

Формула / Реферат:

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка, включающий их на­грев в печи, отличающийся тем, что, с целью сни­жения коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона, кристалл последова­тельно перемещают в рабочем объеме печи через зоны трех нагревателей с профилями градиента температур, изменяющимися по синусоиде, при­чем профили градиента температур двух боковых и центрального нагревателей в проекции на...

Номер патенту: 16716

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович, Кулик Валерій Миколайович

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: кристалів, цинку, спосіб, одержання, селеніду

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий загрузку в графитовый контейнер исходного материала, плавление его в компрессионной печи и кристаллизацию в услови­ях градиента температуры при избытке давления инертного газа, не превышающего кристаллизаци­онное давление, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 3,2- 10' см' на длине волны 10,6 мкм, предварительно...

Номер патенту: 16684

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Неменов Віктор Олександрович, Любинський Вадим Рувинович, Ейдельман Лев Георгійович, Радкевич Олексій Вікторович, Проценко Володимир Григорович

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Мітки: монокристалів, вирощування, лужногалоідних, активованих, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания активированных ще­лочно-галоидных монокристаллов из расплава, включающий разращивание монокристалла до за­данного диаметра и вытягивание его цилиндриче­ской части при поддержании постоянным уровня расплава путем подпитки расплава шихтой с до­бавкой активатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов за счет улучшения равномерности распределения ак­тиватора по высоте монокристалла, добавку...

Номер патенту: 16672

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Апілат Віталій Якович, Заславський Борис Григорович, Єфременко Галина Борисівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: кристалів, вирощування, розплаву, пристрій

Формула / Реферат:

1. Устройство для выращивания кристаллов из расплава, включающее герметичную камеру со смотровым окном, выполненным из оптически прозрачного элемента, установленного с помощью уплотняющих прокладок в корпусе камеры, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и обеспечения очистки элемента в процессе роста, элемент установлен между уплотняющими прокладками с возможностью перемещения и имеет форму плоскопараллельной пластины, размер...

Номер патенту: 16668

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Лисовиченко Любов Дмитрівна, Заславський Борис Григорович, Даниленко Едуард Васильович, Мюлендорф Олег Сергійович, Апілат Віталій Якович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кристалів, витягання, розплаву, пристрій

Формула / Реферат:

1. Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее ростовую камеру, располо­женные в ней тигель для расплава, установленный в нем питатель, соединенный с ним через дозатор транспортной трубкой, введенной вертикально в дозатор, и выполненный в виде тіра, средство регу­лирования уровня расплава в тигле и нагреватели, размещенные под тиглем и коаксиально с внешней стороны тигля и питатеяя, отличающееся тем, что, с целью получения...

Номер патенту: 16740

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Калашников Олександр Миколайович, Данько Олександр Якович, Мірошников Юрій Петрович, Катрич Микола Петрович, Качала Володимир Єфімович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00, C30B 13/00 ...

Мітки: вирощування, спосіб, монокристалів, оксидів, тугоплавких

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов туго­плавких оксидов, включающий направленную кристаллизацию расплава в замкнутом объеме кристаллизационной камеры в защитной атмосфе­ре, содержащей аргон и водород при давлении, пре­вышающем атмосферное, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа и увеличения выхода годных монокристаллов, перед кристаллизацией в камере создают давление 20-30 Па и проводят в ней термическую диссоциацию...

Номер патенту: 16730

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Сенчишин Віталій Георгійович, Рижиков Володимир Діомидович, Битеман Віктор Борисович, Вербицький Олег Петрович

МПК: C30B 29/48, G01T 1/20

Мітки: сцинтиляційний, матеріал

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал для детек­торов ионизирующих излучений, состоящий изкристаллов сцинтиллятора и органической диспер­сионной среды, отличающийся тем, что, с целью расширения вида регистрируемого ионизирующе-го излучения при повышении его радиационной стойкости, он содержит в качестве сцинтиллятора поликристаллы твердого раствора соединений А^В^ с размером 0,01-1,00 мм при следующем соотношении компонентов, об. %:...

Номер патенту: 16688

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Литичевський Маркс Ізрайлович, Загвоздкін Борис Васильович, Пирогов Євген Миколайович, Горішній Юрій Васильович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/22

Мітки: пристрій, шихти, германоевлитину, синтезу, наплавлення, спосіб, здійснення

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза и наплавления шихты гер-маноэвлинита для выращивания кристаллов, включающий загрузку исходного сырья и нагрев его в печи, твердофазный синтез при нагреве со скоростью 10-20 град/мин, выдержку и охлажде­ние в тигле, отличающийся тем, что. с целью обес­печения полноты синтеза, улучшения качества кристаллов и снижения их себестоимости, сырье загружают в бункер, устанавливают его над тиглем и помещают в печь, предварительно...

Номер патенту: 16599

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Тіман Беніамін Липович, Кривошеін Вадим Іванович, Загвоздкін Борис Васильович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: вирощування, спосіб, вісмуту, германату, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов герма-ната висмута, включающий вытягивание из рас­плава на вращающуюся затравку и разращивание до заданного диаметра верхней конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части кристалла заданной длины, уменьшение скорости вращения, выращивание нижнего когуса, отделе­ние кристалла от расплава и его охлаждение, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения выхода годных,...

Номер патенту: 16737

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Шахова Клавдія Вікторівна, Ейдельман Лев Георгійович, Віноград Едуард Львович, Панова Олександра Миколаївна, Шпилинська Лариса Миколаівна, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 29/12

Мітки: основі, сцинтиляційний, монокристалу, матеріал

Формула / Реферат:

Сцинтилляционный материал на основе мо­нокристалла 051, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регистрируемых излуче­ний температурного интервала, использования и повышения светового выхода монокристалла, ма­териал дополнительно содержит Сз^СОд при сле­дующем соотношении компонентов, мас.%: 052003 (1,6 • ІО'Ь - (8 - 10^), СA1 остальное.

Номер патенту: 16728

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Андрєєв Євген Павлович, Литвинов Леонід Аркадійович, Пищик Валер'ян Володимирович

МПК: C30B 15/34

Мітки: кристалів, вирощування, порожниною, пристрій, профільованих, внутрішньою

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания профилиро­ванных кристаллов с внутренней полостью, вклю­чающее тигель с размещенным в нем пучком капилляров, и расположенный на его верхнем тор­це формпобразователь в виде коаксиальных колец с капиллярным зазором между ними, отличающе­еся тем, что, с целью улучшения качества кристал­лов и повышения производительности процесса, формообразователь снабжен соосным перфориро­ванным кольцом, установленным с капиллярным...

Номер патенту: 16725

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Радкевич Олексій Вікторович, Горілецький Валентин Іванович, Львович Валентин Анатолійович, Ейдельман Лев Георгійович, Проценко Володимир Григорович, Неменов Віктор Олександрович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее электропривод кристаллодержателя, датчик уровня расплава, связанный с блоком коррекции температуры расплава и блоком управления подпиткой, который соединен с питателем и блоком задания временных интервалов через блок сравнения, датчик перемещения кристаллодержателя, подключенный к блоку коррекции температуры расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и...

Номер патенту: 16707

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Піщік Валеріан Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: монокристалів, пристрій, профільованих, вирощування

Формула / Реферат:

1. Способ получения пластмассового сцинтиллятора, основанный на термической радикальной блочной полимеризации винил-ароматических мономеров, люминесцирующих добавок и металлсодержащих соединений, отличающийся тем, что, с целью повышения теплостойкости и прозрачности пластмассовых сцинтилляторов к свету собственной люминесценции при сохранении высокого светового выхода, в исходный состав в качестве металлсодержащих соединений вводят...

Номер патенту: 16679

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бондар Валерій Григорович, Горішній Юрій Васильович, Пирогов Євген Миколайович, Федорова Надія Миколаївна, Бурачас Станіслав Феліксович, Кривошеін Вадим Іванович, Салійчук Олена Костянтинівна

МПК: C30B 11/02, C30B 29/32, C30B 15/00 ...

Мітки: евлітину, монокристалів, вісмуту, германату, структурою, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов германа-та висмута со структурой эвлитина, включающий нагрев и выдержку исходных оксидов германия и висмута, их смешение, загрузку в платиновый ти­гель, нагрев, гомогенизирующую выдержку в тече­ние 2-3 ч, дозагрузку оксидов и выращивание монокристаллов вытягиванием на затравку, отли­чающийся тем, что, с целью сокращения длитель­ности процесса и уменьшения загрязнения расплава и кристаллов и коррозии тигля,...

Номер патенту: 16667

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Гавриш Валентина Олексіївна, Соломаха Юрій Олексійович, Даниленко Едуард Васильович, Заславський Борис Григорович, Стаднік Петро Омел'янович, Васецький Сергій Іванович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кристалу, розплаву, витягування, здійснення, процесом, керування, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ управления процессом вытягива­ния кристалла из расплава путем дозирования под­питки в зависимости от уровня расплава и регулирования диаметра кристалла в зависимости от температуры расплава, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности регулирова­ния диаметра растущего кристалла, задают интер­вал времени между подпитками, измеряют фактические интервалы времени между подпитка­ми , а температуру расплава изменяют по отклоне­нию...

Номер патенту: 16669

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Носачов Борис Григорійович, Рижиков Володимир Діомидович, Вербицький Олег Петрович

МПК: G01T 1/202, C30B 29/48

Мітки: hапівпровідhиковий, сциhтиляційhий, матеріал

Формула / Реферат:

Полупроводниковый сцинтилляционный ма­териал на основе соединения А В с активирую­щей добавкой одного из компонентов, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения эффективно­сти и расширения спектрального диапазона люми­несценции, материал дополнительно содержит вторую добавку одного из компонентов, образую­щую с исходным соединением твердый раствор за­мещения, при этом в качестве активатора и замещающей добавки выбраны компоненты, обра­зующие...

Номер патенту: 16739

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Терейковська Ольга Федорівна, Комарь Віталій Корнійович, Файнер Михайло Шайович

МПК: C30B 29/50, C03B 11/02

Мітки: кристалів, одержання, спосіб, аiiвvi, сполук

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов соединений АII ВIV .включающий рекристаллизацию исходного материала при нагреве и последующее выращивание путем направленной кристаллизации расплава в замкнутом объеме, отличающийся тем, что, с целью повышения объемной однородности электрических свойств кристаллов сульфида кадмия, рекристаллизацию исходного материала проводят при температуре 900-1100°С в течение 10-20 ч в атмосфере инертного газа.

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Лисецька Олена Костянтинівна, Бороденко Юрій Афанасійович, Кухтіна Ніна Миколаївна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/48

Мітки: спосіб, цинку, основі, елементів, обробки, селеніду, кристалічних

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...

Номер патенту: 16677

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Кулик Валерій Миколайович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Мітки: цинку, одержання, селеніду, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий сплавление исходных компонен­тов в графитовом тигле и выращивание кристаллов под давлением инертного газа в градиенте темпе­ратур, отличающийся тем, что, с целью улучше­ния оптических характеристик кристаллов за счет снижения в них содержания примесных элемен­тов, исходный селенид цинка предварительно очи­щают путем кристаллизации из раствора в расплаве хлорида калия и (или) натрия и...

Номер патенту: 16671

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Квічко Ліля Абрамівна, Рамакаєва Разія Фяттяхдинівна, Некрасова Лідія Миколаївна, Коток Людмила Анатоліївна

МПК: C30B 29/24, C30B 15/00

Мітки: одержання, ітрію, монокристалів, моноалюмінату, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения моноалюмината иттрия для выращивания монокристаллов, включающий смешивание соединений, содержащих исходные компоненты, в жидкой среде, отделение твердой фазы, последующую сушку и термообработку, от­личающийся тем, что, с целью улучшения стехи­ометрии состава, уменьшения содержания при­месей и упрощения процесса, в качестве исходных соединений берут предварительно прокаленные окислы иттрия и алюминия, смешивание ведут при их...

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Файнер Михайло Шайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Мітки: термообробки, елементів, спосіб, цинку, оптичних, селеніду

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.

Номер патенту: 16722

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Неменов Віктор Олександрович, Горілецький Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Панова Олександра Миколаївна

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Мітки: спосіб, одержання, лужногалоідних, кристалів

Формула / Реферат:

Способ получения щелочно-галоидных кри­сталлов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной ка­мере до заданной температуры, заполнение каме­ры инертным газом, расплавление сырья и последующее выращивание кристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и удаления из камеры токсичных и агрессивных га­зов, заполнение камеры инертным газом ведут до давления 1-2атм, а перед выращиванием давление...

Номер патенту: 16721

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Радкевич Олексій Вікторович, Любинський Вадим Рувимович, Горілецький Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Проценко Володимир Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: пристрій, витягування, кристалів, розплаву

Формула / Реферат:

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее тигель и расположенную коаксиально верхней его части кольцевую емкость, имеющую общую с тиглем стенку с отверстием, питатель для подачи в емкость твердого измельченного материала, нагреватели тигля и емкости, отличающееcя тем, что, с целью повышения выхода годных монокристаллов, устройство снабжено экраном, установленным над кольцевой емкостью с возможностью осевого перемещения и...

Номер патенту: 16718

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/04, C30B 23/02

Мітки: алмазу, спосіб, плівок, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения пленок алмаза, включаю­щий бомбардировку подложки потоком атомов или ионов углерода с энергией 10-100 эВ при комнат­ной температуре, отличающийся тем, что, с целью обеспечения монокристаллической структуры пленок, подложку размещают под углом 10-80° к потоку атомов или ионов углерода.   "

Номер патенту: 20590

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Вострецов Юрій Якович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Віноград Едуард Львович, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: C30B 15/00

Мітки: кадмію, спосіб, вирощування, монокристалів, вольфрамату

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов воль-фрамата кадмия, включающий наплавление ших­ты стехиометрического состава и выращивание вытягиванием из расплава на затравку в кислород­содержащей атмосфере, отличающийся тем, что в шихту, либо в расплав дополнительно вводят при­месь соединений трехвалентных металлов (Fe, Но, Bi, Eu, Gd и др.) в количестве (1 • 10-4 - 5 • 10-3) мас.%.

Номер патенту: 15806

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Каравайников Андрій Вікторович, Недвига Олександр Степанович, Проніна Наталія Володимирівна

МПК: C30B 19/00

Мітки: структур, одержання, магнітооптичних, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения магнитооптических структур, включающий жидкофазное осаждение висмутсодержащей эпитаксиальной пленки из пе­реохлажденного раствора-расплава на подложку из кальций-ниобий-галлиевого граната, отличаю­щийся тем, что предварительно на подложку на­пыляют слой кремния толщиной 0,1-0,2 мкм с последующим отжигом ее при температуре 900-910°С в течение 5-6 часов.

Номер патенту: 15151

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Скороход Валерій Володимирович, Солонін Сергій Михайлович, Колесніченко Валерій Григорович, Бродовий Олександр Володимирович

МПК: C30B 30/00

Мітки: переходу, надпровідного, температурою, високою, монокристали, металеві

Формула / Реферат:

1. Металлические монокристаллы с высокой температурой сверхпроводящего перехода с целенаправленно генерированными структур­ными дефектами, отличающиеся тем, что эти дефекты представляют собой нарушения сплош­ности металла и являются квазидвумерными об­разованиями, обладающими свободной поверхностью.2. Металлические монокристаллы по п.1, отли­чающиеся тем, что линейный размер структур­ных дефектов составляет 1-5 мкм, а их концентрация в...

Номер патенту: 15292

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Малко Юрій Борисович, Зверев Микола Данилович, Черніков Вячеслав Васильович

МПК: C04B 35/00, C01B 9/00, C01F 11/00 ...

Мітки: барію, фториду, спосіб, сцинтиляторів, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтиллятора из фторида бария, включающий получение заготовки, выдержку ее до остывания и последующую меха­ническую обработку до требуемых размеров и класса шероховатости поверхностей, отличаю­щийся тем, что заготовку получают путем прессо­вания порошка ВаF2 на воздухе в пресс-форме одноосным давлением (275-295) МПа при темпе­ратуре (820-870) К в течение (30-60) мин.

Номер патенту: 18037

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Коневський Віктор Семенович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 33/00

Мітки: фарбування, корунду, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Способ окрашивания монокристаллов корунда, включающий очистку поверхности и термообработку в окислительной среде в красящем порошке, отличающийся тем, что используют порошок оксида кобальта с фракционным составом 1-5 мкм, который предварительно активируют в течение 30-60 минут, а термообработку проводят при 1000-1300°С.

Номер патенту: 17930

Опубліковано: 03.06.1997

Автори: Волошин Василь Олексійович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кривошеін Вадим Іванович, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 15/00

Мітки: оксидів, спосіб, шихти, складних, наплавління, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ наплавлення шихты монокристаллов сложных оксидов, включающий загрузку шихты в тигель, помещение тигля в узел наплавлення, нагрев тигля индукционным методом до полного расплавления шихты при постоянной номинальной подводимой к индуктору мощности, догрузку и доплавление шихты и охлаждение тигля до затвердевания расплава, отличающийся тем, что после полного расплавления шихты увеличивают подводимую к индуктору мощность на 10-20% от...

Номер патенту: 17738

Опубліковано: 20.05.1997

Автори: Спасов Володимир Григорович, Бондар Валерій Григорович, Мартинов Валерій Павлович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кристалів, свинцю, спосіб, одержання, вольфрамату

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов вольфрамата свинца, включающий их выращивание из расплава и последующую термообработку, отличающийся тем, что выращивание монокристаллов осуществляют в среде, содержащей кислород в количестве 0,02-0,3% объема, а термообработку проводят при содержании кислорода 0,001-0,03% объема.