C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 63274

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Кланічка Володимир Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Михайльонка Руслан Ярославович, Шперун Всеволод Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: твердих, отримання, gete-snte-bi2te3-sb2te3, розчинів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання твердих розчинів GeTe-SnTe-Bi2Te3-Sb2Te3, який полягає в тому, що вихідні речовини сплавляють у кварцових вакуумованих ампулах при температурі, яка є вищою за найбільшу температуру плавлення вибраних сполук, після чого отриманий сплав піддають зонній плавці і відпалу у вакуумі при температурі 620 К протягом 25 год., який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав 0,77(ВіxSb1-x)2Те3+0,23GeySn1-yTe складу x...

Номер патенту: 63273

Опубліковано: 15.01.2004

Автор: Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: gete-bi2te3, спосіб, твердих, розчинів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання твердих розчинів GеТе-Ві2Те3, який полягає в тому, що вихідні речовини сплавляють у кварцових вакуумованих ампулах при температурі 1150 К протягом 5 годин з подальшим охолодженням на повітрі, після чого отриманий сплав піддають відпалу у атмосфері аргону при температурі 620 К протягом 650 год., який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав (GеТе)1-x(Вi2Те3)х складу x = 0,02.

Номер патенту: 63272

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Михайльонка Руслан Ярославович, Кланічка Володимир Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: розчинів, gete-bi2te3-cu2te, спосіб, твердих, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання твердих розчинів GеТе-Ві2Те3-Сu2Те, який полягає в тому, що вихідні речовини сплавляють у кварцових вакуумованих ампулах при температурі 1470 K протягом 5 годин з подальшим охолодженням на повітрі, після чого отриманий сплав піддають відпалу у атмосфері аргону при температурі 820 K протягом 600 год., який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав (GеТе)1-x[(Вi2Те3)0,5(Сu2Те)0,5]x складу x = 0,025.

Номер патенту: 62235

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Андронова Олена Валеріївна, Баганов Євген Олександрович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/40, H01L 21/208 ...

Мітки: одержання, шарів, гетероепітаксійних, фазі, спосіб, рідкої

Формула / Реферат:

Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт з робочою поверхнею підкладки, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більше, ніж 0,25°С, переведення...

Номер патенту: 62899

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Кушнарьов Андрій Васильович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/14

Мітки: пристрій, регулювання, кристали, процесі, вирощування, температури, градієнта

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання градієнта температури в кристалі в процесі його вирощування, що містить усередині штока трубку з діаметром меншим, ніж внутрішній діаметр штока, який відрізняється тим, що на штоці закріплено циліндричний нагрівач із внутрішнім діаметром від 2 до 3 діаметрів штока і встановленому на відстані від 5 до 10 діаметрів штока щодо рівня розплаву.

Номер патенту: 62892

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Іванишин Ірина Мирославівна, Шперун Володимир Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: розчинів, gete-cu2te, отримання, твердих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання твердих розчинів GeTe-Cu2Te, який полягає в тому, що вихідні речовини сплавляють у кварцових вакуумованих ампулах при температурі 1470 К протягом 5 годин з подальшим охолодженням на повітрі, після чого отриманий сплав піддають відпалу у атмосфері аргону при температурі 820 К протягом 600 год., який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав (GeTe)1-x(Cu2Te)x складу х=0,025.

Номер патенту: 62154

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Риган Михайло Юрієвич, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалу, одержання, тіогалату, спосіб, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалу тіогалату кадмію, який включає виготовлення і термічну обробку подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, вакуумування та герметизацію порожнини ампули, розплавлення шихти тіогалату кадмію та наступну направлену кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що термічну обробку подвійної ампули здійснюють при температурі 1000-1200°С протягом 1-3 годин в...

Номер патенту: 62650

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Демич Микола Васильович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, провідності, кристалів, cd1-xznxte, компенсації

Формула / Реферат:

Спосіб компенсації провідності кристалів Cd1-xZnxTe з 0 £ x £ 0,1, що включає легування з парової фази, який відрізняється тим, що кристал легують оловом з парової фази при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 62129

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Риган Михайло Юрієвич, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 28/00, C30B 29/46, C30B 29/52 ...

Мітки: спосіб, селеноалюмінатів, тіоалюмінатів, синтезу, цинку, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу тіоалюмінатів та селеноалюмінатів цинку й кадмію, який включає сплавлення елементарних компонентів, взятих у стехіометричних кількостях у вакуумованих ампулах з плавленого кварцу, який відрізняється тим, що спочатку сплавляють алюміній з цинком або кадмієм, одержаний сплав розміщують у кварцову ампулу разом з наважкою сірки або селену і нагрівають суміш до одержання розплаву алюмінату.

Номер патенту: 34362

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Трапезнікова Людмила Віталієвна, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: A61K 6/06, C01F 7/10, A61P 1/02 ...

Мітки: одержання, матеріалів, інгредієнт, стоматологічних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Застосування монодисперсного порошку оксиду алюмінію (монодисперсного сапфіру) з розміром частинок 2-4 мкм, подовженої форми та з вмістом оксиду алюмінію не менше 99,999 мас. % як інгредієнта стоматологічних матеріалів.2. Спосіб одержання монодисперсного порошку оксиду алюмінію, який включає хімічну обробку вихідної сировини, а саме відходів від промислової механічної обробки об'ємних кристалів сапфіру (a-Аl2О3), послідовно...

Номер патенту: 61101

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Студєнікін Павєл Алєксєєвіч, Заварцев Юрій Дмітрієвіч, Загумєнний Алєксандр Іосіфовіч

МПК: C30B 15/00, C09K 11/00, C09K 11/77 ...

Мітки: варіанти, елемент, хвилевідний, речовина, сцинтиляційний, сцинтиляційна

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційна речовина на основі кристала силікату, що включає лютецій Lu та церій Се, яка відрізняється тим, що склад кристала виражається хімічною формулою:Lu1-yMeyA1-xCexSiO5, де А - Lu та принаймні один з елементів групи Gd, Sc, Y, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb;Me - принаймні один з елементів групи Ті, Zr, Sn, Hf, As, V, Nb, Sb, Та, Mo, W;x - від 1 x 10-4 ф.од. до 0,2 ф.од.;у - від 1 х...

Номер патенту: 61223

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Світанько Микола Вікторович, Просвірнін Андрій Леонідович, Оселедчик Юрій Семенович, Кудрявцев Дмитро Петрович

МПК: C30B 17/00

Мітки: стронцію, борату, кристалів, спосіб, вирощування, sr4b14o25

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів борату стронцію Sr4B14O25, який включає приготування шихти з SrO і В2O3, розплавлення її з наступним охолодженням і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять В2О3 у кількості 64 - 65 mol%.

Номер патенту: 61300

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Писклинець Уляна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, провідності, монокристалів, отримання, p-типу, кадмію, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності, що включає використання як вихідних речовин чистого кадмію і чистого телуру, які синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування кадмію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у...

Номер патенту: 61299

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Писклинець Уляна Михайлівна, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, спосіб, монокристалів, отримання, провідності, cdte:in

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів CdTe:In n- і р-типу провідності, що включає використання як вихідної речовини телуриду кадмію стехіометричного складу, який розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні...

Номер патенту: 61230

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: C30B 29/20, C30B 28/00

Мітки: підготовки, монокристалів, спосіб, вирощування, вихідної, лейкосапфіру(a-al2o3, сировини

Формула / Реферат:

1. Безалкогольний соковий напій, що містить рідкий соковий компонент, компонент для надання солодкого смаку і підготовлену воду, який відрізняється тим, що як компонент для надання солодкого смаку напій містить цукор і підсолоджувач, а як рідкий соковий компонент-концентрований сік при такому співвідношенні інгредієнтів на 100 дал готового продукту: сокова основа, кг 35,0-45,0 цукор, кг ...

Номер патенту: 61318

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Риган Михайло Юрієвич, Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 9/00

Мітки: кристала, кадмію, тіогалату, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, розплавлення шихти тіогалату кадмію та її направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1.105-3.105 Па.

Номер патенту: 61282

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Циганаш Віктор Євграфович, Якушкін Віктор Костянтинович, Косенко Анатолій Григорович, Жамойтін Денис Володимирович, Ковалевський Сергій Вадимович

МПК: C30B 31/00

Мітки: пристрій, електроіскрового, легування

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить трансформатор напруги, накопичувальний конденсатор, резистори, тиристори, електромагнітний вібратор, блок керування частотою, котушки індуктивності, зміцнюючий електрод, контактну пластину, який відрізняється тим, що введено вузол, який складається, наприклад, з геркона і реле, причому контакт геркона послідовно з'єднується з реле, контакти якого відключають блок керування від накопичувачів...

Номер патенту: 61091

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Шевцов Микола Іванович, Бланк Аврам Борисович, Долгих Тамара Миколаївна, Миренська Ірина Ізраілівна, Тарасов Володимир Олексійович

МПК: G01T 1/202, C30B 15/00

Мітки: спосіб, матеріал, отримання, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1.Сцинтиляційний матеріал на основі сполуки літію з активуючою добавкою, який відрізняється тим, що містить метафосфат літію та сполуку вісмуту як активуючу добавку у їх молярному співвідношенні:.2. Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу, який включає плавлення вихідної сировини, що містить сполуку літію і активуючу добавку, формування зразка і наступне...

Номер патенту: 60641

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Шимон Людвік Людвікович, Бобонич Петро Петрович, Бобонич Ерік Петрович, Томашпольський Юрій Якович, Кудрявцев Михайло Євгенійович, Гринь Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, покращення, обробки, поверхні, матеріалів

Формула / Реферат:

Пропонується газотурбінна установка яка вміщує турбіну, камеру горіння та компресор, на вхідній магістралі якого встановлений інерційний блок очищення з трубопроводом відводу забрудненого повітря. З метою підвищення антипомпажної остійкості, економічності, спрощення запуску та надійного відводу забрудненого повітря з інерційного блоку очищення, трубопровід відводу забрудненного повітря сполучається зі входом інжектора,робоче сопло інжектора...

Номер патенту: 61041

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Риган Михайло Юрієвич, Ткаченко Віктор Іванович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 13/00

Мітки: пристрій, плавки, зонної

Формула / Реферат:

Пристрій для зонної плавки, який містить нагрівач та горизонтально розміщений герметичний контейнер продовгуватої форми з поперечними перегородками, установлений з можливістю повороту відносно горизонтальної осі контейнера, зонний нагрівач, механізм зворотно-поступального переміщення, який відрізняється тим, що пристрій додатково містить принаймні одну поздовжню перегородку довжиною не менше віддалі між поперечними перегородками, розміщену на...

Номер патенту: 59570

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Копил Олександр Іванович, Летюченко Сергій Дмитрович

МПК: C30B 23/00, C30B 29/02

Мітки: вакуумної, дистиляції, спосіб, очищення, методом, телуру

Формула / Реферат:

Спосіб очищення телуру методом вакуумної дистиляції, що включає його завантаження в кварцовий стакан зі звуженою горловиною, через яку відбувається масоперенос парів телуру, розміщення стакана в кварцовій реторті, вакуумування, плавлення при 923-943Κ в атмосфері водню при тиску 1,2-1,4 атм із дворазовою її заміною; сублімацію при температурі 753±10К, конденсацію на стінках реторти при температурі 600-673К, розплавлювання конденсату...

Номер патенту: 59948

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Середницький Андрій Степанович, Попович Дмитро Іванович, Котлярчук Богдан Костянтинович

МПК: C30B 19/00

Мітки: матеріалів, шарів, тонких, спосіб, напівпровідникових, одержання, нітридних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких шарів напівпровідникових нітридних матеріалів лазерно-магнетронним напиленням, який відрізняється тим, що імпульсне лазерне випаровування металічної мішені та конденсацію парів на підкладці здійснюють у високовакуумній магнетронній установці в схрещених магнітному і електричному полях у спеціальному квазізамкненому хімічно-активному об’ємі в атмосфері азоту (аміаку).

Номер патенту: 58151

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Ткачук Вікторія Іллівна, Ткачук Петро Миколайович, Раранський Микола Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: випромінювання, спосіб, монокристалів, однорідних, напівізолюючих, ядерного, cdte:cl, створення, основі, детекторів-спектрометрів, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів ядерного випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що полікристалічний порошок синтезованого CdTe поміщають у робочу камеру трисекційної кварцової ампули, ампулу розміщують в температурному полі горизонтальної трубчатої печі з градієнтом температури...

Номер патенту: 58024

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Лопатинський Іван Євстахович, Скульський Михайло Юліанович, Українець Валентин Остапович, Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна

МПК: C30B 31/00

Мітки: легування, кадмію, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб легування телуриду кадмію, який включає завантаження телуриду кадмію в ростовий контейнер, його відкачку, вміщення в піч і виведення на температурний режим, який відрізняється тим, що одночасно із телуридом кадмію завантажують порошкоподібний галогенід амонію.

Номер патенту: 57963

Опубліковано: 15.07.2003

Автор: Акимов Сергій Васильович

МПК: C30B 15/00

Мітки: телур, оксидного, містить, шихти, готування, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб готування шихти оксидного матеріалу, що містить телур, передбачає розчинення основного окислу в лужному середовищі, осадження його кислотою і промивання осаду, який відрізняється тим, що осад основного окислу після промивання відновлюють у кислотному середовищі.

Номер патенту: 35341

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Цифра Василь Іванович, Машков Андрій Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович, Лук'янчук Олександр Ростиславович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович, Бундаш Йосип Йосипович

МПК: C30B 31/00, C30B 29/20, C30B 35/00 ...

Мітки: молібден-вольфрамового, a-оксид, сплаву, вирощування, алюмінію, спосіб, монокристалів, корунду, відновлення, тигля

Формула / Реферат:

1. Спосіб відновлення тигля із молібден-вольфрамового сплаву для вирощування монокристалів корунду -оксид алюмінію, який включає нагрівання та витримування його у вакуумі при температурі 1400°С, який відрізняється тим, що несуцільності тигля перед вакуумуванням та нагріванням із внутрішньої сторони його стінок заповнюють дрібнодисперсним порошком, хімічний склад якого...

Номер патенту: 33255

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Трапезнікова Людмила Віталієвна, Тюпа Олександр Іванович, Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C01F 7/02, C30B 29/20

Мітки: одержання, алюмінію, спосіб, оксиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання оксиду алюмінію, що включає хімічну обробку вихідної сировини, який відрізняється тим, що як вихідну сировину використовують відходи від промислової механічної обробки об'ємних кристалів сапфіру (α-Аl2О3), причому процес проводять при нормальних умовах без термічної обробки, спочатку вихідну сировину обробляють концентрованою сірчаною кислотою, потім промивають дистильованою водою до відсутності в промивному розчині...

Номер патенту: 57242

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Шперун Всеволод Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C22C 12/00, C22C 11/00, C30B 11/02 ...

Мітки: вісмуту, германію, основі, сплавів, спосіб, телуридів, свинцю, сурми, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву і...

Номер патенту: 57432

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Турок Іван Іванович, Пуга Павло Павлович

МПК: C30B 15/00

Мітки: витягуванням, спосіб, кристалів, розплаву, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів витягуванням з розплаву на монокристалічну затравку, що включає розплавлення речовини в тиглі, видалення газових включень з розплаву, затравлення та формування власне кристалу, який відрізняється тим, що після розплавлення речовини перед затравленням проводять направлену кристалізацію розплаву від дна тигля до поверхні і повторно розплавляють.

Номер патенту: 57145

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Коневський Віктор Семенович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорійович

МПК: C30B 29/34, C30B 33/02

Мітки: ортосилікату, монокристалів, відпалу, спосіб, гадолінію

Формула / Реферат:

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію шляхом нагрівання монокристалів до температури відпалу по нелінійному закону, наступної ізотермічної витримки при цій температурі і зниженням температури також по нелінійному закону, який відрізняється тим, що відпал монокристалів відтворюють у тепловому полі з осьовим градієнтом температури від 0,3 до 0,75 град/см, підвищують температуру до 600 - 750°С зі швидкістю 28 - 33 град/г, потім до...

Номер патенту: 57565

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Андрій Дмитрович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/02

Мітки: отримання, кристалічного, спосіб, провідності, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного PbSe n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 57564

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Павлюк Любомир Ростиславович, Яцура Анна Михайлівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Матеїк Галина Дмитрівна

МПК: C30B 13/00, C30B 11/02

Мітки: p-типу, отримання, кристалічного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного РbТе n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 56435

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Бойчук Володимира Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Кланічка Володимир Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, термоелектричного, розчину(pb0,6sn0,4)1-xtex, спосіб, твердого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного твердого розчину (Pb0,6Sn0,4)1-xTex, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцевій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 56434

Опубліковано: 15.05.2003

Автор: Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, розчину, термоелектричного, pb0,5sn0,5)1-xtex, твердого, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного твердого розчину (Pb0,5Sn0,5)1-xTex, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцевій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 56433

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Іванишин Ірина Мирославівна, Шперун Всеволод Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: pb0,4sn0,6)1-xtex, термоелектричного, розчину, спосіб, отримання, твердого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного твердого розчину (Pb0,4Sn0,6)1-xTex, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцевій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 56447

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Калитчук Іван Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Довгий Олег Ярославович, Галущак Мар'ян Олексійович, Рувінський Борис Маркович

МПК: C30B 11/02

Мітки: тонких, отримання, p-pbte, анізотропією, високою, спосіб, плівок, термо-е.р.с

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання тонких плівок р-РbТе з високою анізотропією термо-е.р.с. методом гарячої стінки на відколах монокристалів (111) ВаF2 , що здійснюють шляхом вибору вихідної речовини РbТе, нагріву підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагрівання стінок камери до Тс, при парціальному тиску пари телуру РTe2, який відрізняється тим, що температура випарника Тв = 820 К, стінок реактора Тс = 850 К, підкладок - Тп =...

Номер патенту: 55633

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Андрющенко Любов Андріївна, Гордієнко Людмила Сергіївна, Волков Віктор Леонідович, Гриньов Борис Вікторович, Будаковський Сергій Валентинович

МПК: C30B 28/00

Мітки: виготовлення, сцинтиляторів, органічних, полікристалічних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення органічного полікристалічного сцинтилятора, що включає гаряче пресування вихідної кристалічної сцинтиляційної сировини шляхом одновісного стискання з наступним повільним охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що  як вихідну сировину використовують кристалічні пластинки, а гаряче пресування проводять при температурі 2/3Тпл < Тпрес < 4/5Тпл, де Тпл - температура топлення вихідної речовини, Тпрес...

Номер патенту: 54912

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Павликівська Мар'яна Генадіївна, Межиловська Любов Йосипівна, Іванишин Ірина Мирославівна, Бойчук Володимира Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, bixsb1-x)2te3-ge1-ypbyte, сплавів, термоелектричних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів (ВіхSb1-х)2Те3-Gе1-уРbуТе, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 54913

Опубліковано: 17.03.2003

Автор: Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: термоелектричних, перетворювачів, bixsb1-x)2te3-ge1-ypbyte, спосіб, сплавів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання сплавів (ВіхSb1-х)2Те3-Gе1-уРbуТе для термоелектричних перетворювачів, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву і...

Номер патенту: 53854

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Никируй Любомир Іванович, Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Дмитро Дмитрович, Довгий Олег Ярославович, Калитчук Іван Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, свинцю, тонких, плівок, селеніду, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- і p - типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі Тв, нагрівання додаткового джерела свинцю до температури Тд, стінок камери – до температури Тс і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 - до температури Тп, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують попередньо синтезовані кристали PbSe, леговані талієм до 0,2 ат.%, які випаровують при...