C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 99165

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Шапошников Олександр Миколайович, Каравайников Андрій Вікторович, Прокопов Анатолій Романович

МПК: G02F 1/09, C30B 29/28

Мітки: магнітофотонний, кристал

Формула / Реферат:

Магнітофотонний кристал, що включає 3≤N≤10 пар періодично напилених один на одного магнітних і немагнітних шарів, який відрізняється тим, що одна з періодичних пар містить магнітний шар, виконаний з матеріалу BizК3-zFe5O12, де К – Y, Lu, значення z змінюється в межах 0,5-1,0 ат./форм. од., інша пара містить магнітний шар, виконаний з матеріалу BixR3-xFe5-yMyO12, де R – щонайменше один рідкісноземельний елемент, вибраний з групи...

Номер патенту: 99078

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна, Штабалюк Агата Петрівна

МПК: C30B 29/40, C30B 25/00

Мітки: антимоніду, індію, спосіб, мікрокристалів, стабільності, підвищення, параметрів

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9-1,1)∙10-4 Па, запаюють та розміщують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури Т=700±5 °С та нагрівом зони...

Номер патенту: 70719

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, ag2hgsns4, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2HgSnS4 з розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Sn, S та попередньо синтезованого HgS, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що до складу шихти вводиться надлишок HgS, синтез та ріст суміщені в одній ампулі з грушоподібним дном, при цьому попередньо проводять синтез...

Номер патенту: 70718

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, cu2zngese4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2ZnGeSe4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cu, Zn, Ge, Se, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Cu2GeSe3-ZnSe, вводячи до складу шихти 75 мол. % Сu2SnSе3 та 25 мол. % ZnSe, а синтез і...

Номер патенту: 70717

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, ag2cdsns4, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2CdSnS4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Cd, Sn, S, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанту методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Ag2SnS3-CdS, вводячи до складу шихти 58 мол. % Ag2SnS3...

Номер патенту: 70707

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Кайла Маріанна Іванівна

МПК: C30B 11/14

Мітки: розчинів, спосіб, твердих, купрум, транспортних, пентатіофосфату-арсенату, хімічних, реакцій, допомогою, йодиду, pxas1-x)s5i, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 70628

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: йодиду, пентатіофосфату, розчинів, cu6ps5(cl1-xix, монокристалів, допомогою, твердих, транспортних, реакцій, хімічних, спосіб, купрум-хлорид, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 70598

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович, Шевчик Віталій Васильович

МПК: C30B 29/68

Мітки: матеріалу, напівпровідникового, одержання, феромагнітного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу, який ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватого напівпровідника GaSe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому перпендикулярно напрямку електричного струму.

Номер патенту: 98725

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Ракитянський Віктор Сергійович, Бакай Едуард Аполінарійович, Осауленко Микола Федорович, Богомаз Валерій Ігоревич

МПК: C30B 13/00, H05B 6/30, B01D 59/00 ...

Мітки: кремнію-28, ізотопно-чистого, пристрій, одержання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання ізотопно-чистого кремнію-28, який містить індукційну піч з джерелом енергії, блок вимірювання температури, який оптично з'єднаний з зоною плавлення матеріалу та електрично з'єднаний з блоком програмного керування, та блок програмного керування, який електрично з'єднаний з блоком вимірювання температури, з джерелом енергії та механізмом переміщення, який відрізняється тим, що він додатково містить блок опромінювання,...

Номер патенту: 70409

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Колибаєва Марія Іванівна, Безкровна Ольга Миколаївна, Косінова Анна Володимирівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Гайворонський Володимир Ярославович, Копиловський Максим Андрійович, Притула Ігор Михайлович

МПК: C30B 7/00, G02F 1/35

Мітки: спосіб, вирощування, легованих, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів KDP, легованих наночастинками ТіО2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм, які вводять у розчин KDP у вигляді суспензії в концентрації 10-4-10-5 мас. %, що включає підготовку кристалізатора, приготування розчину солі КН2РО4 та його фільтрацію, виготовлення та встановлення затравки, підготовку домішки, перегрівання розчину впродовж доби, заливку розчину у кристалізатор, додавання домішки у розчин, вирощування...

Номер патенту: 69805

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 15/06

Мітки: сапфіру, вирощування, вертикальною, спосіб, a-al2o3, монокристалів, напрямленою, кристалізацією

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала сапфіру (α-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що полягає у введенні в контакт з розплавом вихідної сировини, затравкового кристала, кристалографічний напрям осі якого зорієнтований відповідно заданому кристалографічному напрямку, який відрізняється тим, що кристалографічний напрям осі затравкового кристала при введенні в контакт з розплавом вихідної сировини, відхиляють від...

Номер патенту: 69781

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: монокристалів, a-al2o3, вертикальною, кристалізацією, напрямленою, розплаву, сапфіру, вирощування, тигля, підставка

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру  напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену, або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з...

Номер патенту: 98395

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Колосов Віталій Олексійович, Козьмін Юрій Семенович, Бережна Марина Анатоліївна, Суздаль Віктор Семенович, Дербунович Леонід Вікторович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: G06F 11/22, C30B 15/20, G06F 11/28 ...

Мітки: монокристалів, діагностування, пристрою, регулювання, росту, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для діагностування пристрою регулювання росту монокристалів (МК), виконаний у вигляді діагностичного ядра, що містить зв'язані між собою запам'ятовувальний пристрій і блок керування, сполучений через інтерфейсну магістраль із багатопроцесорною системою керування процесом вирощування МК, блок контролю керуючої програми, з'єднаний з останніми, блок обчислень діагностичних характеристик, регістр еталонних значень цих характеристик,...

Номер патенту: 98263

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: купрум, вирощування, спосіб, реакцій, допомогою, броміду-йодиду, хімічних, монокристалів, пентатіофосфату, cu6ps5(br0,5i0,5, транспортних, твердих, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 69181

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Паньков Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: хімічних, вирощування, 6ps5(cl1-xbrx, купрум, допомогою, твердих, хлориду-броміду, спосіб, монокристалів, транспортних, реакцій, пентатіофосфату, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 69101

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Каравайников Андрій Вікторович, Прокопов Анатолій Романович, Шапошников Олександр Миколайович

МПК: C30B 30/00

Мітки: магнітооптичного, одержання, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання магнітооптичного матеріалу, який включає осадження плівки вісмут-заміщеного ферит-гранату шляхом розпилення мішені на аморфну негранатову підкладку з немагнітного матеріалу, відпалювання одержаної аморфної плівки на повітрі при атмосферному тиску при температурі кристалізації ферит-гранату, який відрізняється тим, що на плівку кристалізованого вісмут-заміщеного ферит-гранату складу BixR3-xFezM5-zO12, де R - рідкісноземельні...

Номер патенту: 98161

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C01B 33/037, C01B 33/02, C01B 33/00 ...

Мітки: кремнію, установка, технічної, очищення, чистоти

Формула / Реферат:

1. Установка для очищення кремнію технічної чистоти у вакуумі або атмосфері інертного газу, яка містить камеру (1) для очищення кремнію, з герметично замкненими дверима, в якій розміщена піч опору (2) з електричними введеннями (3), що забезпечує нагрівання до 1200 °С, тигель (4) з розплавом легкоплавкого металу, введення для штоків для здійснення обертання і переміщення уздовж своїх осей, ємність (5) з множиною отворів для витягання...

Номер патенту: 69071

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Прокопов Анатолій Романович, Харченко Микола Федорович, Каравайников Андрій Вікторович, Шапошников Олександр Миколайович

МПК: C30B 30/00

Мітки: кристал, типу, магнітофотонний, мікрорезонаторного

Формула / Реферат:

Магнітофотонний кристал мікрорезонаторного типу, що включає шар вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого гранату загальної формули Bi:YIG з показником заломлення n, розташований між двома брегівськими дзеркалами, який відрізняється тим, що шар вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого гранату виконаний з матеріалу складу BizY3-zFe5O12, де z=0,5-3,0 ат./форм. од., брегівські дзеркала виконані з 3£N£10 пар шарів з показниками заломлення n1 і...

Номер патенту: 69070

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Шапошников Олександр Миколайович, Каравайников Андрій Вікторович, Прокопов Анатолій Романович

МПК: C30B 30/00

Мітки: матеріалу, одержання, спосіб, магнітооптичного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання магнітооптичного матеріалу, що включає осадження плівки фериту-гранату, що містить Ві, шляхом розпилення відповідної мішені на підкладку немагнітного гранату, відпалювання одержаної аморфної плівки на повітрі при атмосферному тиску при температурі кристалізації фериту-гранату, який відрізняється тим, що на плівку кристалізованого фериту-гранату, що містить Ві, складу BixR3-xFezM5-zO12, де R - рідкісноземельні елементи,...

Номер патенту: 97969

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Ріццуто Роберт А., Танікелла Брахманандам В., Ведантхам Рамануджам, Чіннакаруппан Паланіаппан, Черіан Ісаак К., Сімпсон Метью А.

МПК: C30B 29/20

Мітки: варіанти, основа, сапфірна

Формула / Реферат:

1. Сапфірна основа, яка містить в цілому плоску поверхню з кристалографічною орієнтацією, вибраною із групи, що складається із а-площинної, r-площинної, m-площинної і с-площинної орієнтацій, і величиною nTTV не більше, ніж приблизно 0,037 мкм/см2, де nTTV є загальною варіацією товщини, нормованою до площі поверхні зазначеної в цілому плоскої поверхні, де зазначена основа має діаметр не менше, ніж приблизно 9,0 см.2. Сапфірна основа за...

Номер патенту: 97932

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Будаковський Сергій Валентинович, Демченко Вячеслав Васильович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович, Козьмін Юрій Семенович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/20, C30B 35/00 ...

Мітки: пристрій, монокристалів, ампулі, процесом, розплаву, росту, управління

Формула / Реферат:

Пристрій управління процесом росту монокристалів з розплаву в ампулі, що містить вертикальну піч із нагрівачах у верхній і нижньої її зонах, ампулу із речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, термопари, установлені на зазначених нагрівачах, регулятори зворотного зв'язку по температурі нагрівачів верхньої й нижньої зони печі, підключені до відповідних термопар і самих нагрівачів, блок програмно-логічного управління й...

Номер патенту: 67803

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Лавринюк Зоряна Володимирівна, Марушко Лариса Петрівна, Романюк Ярослав Євгенович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, утворюються, основі, cu,cd,in, розчинів, взаємній, системі, cuins2, cdse, cuinse2, спосіб, g-твердих, модифікацій, отримання, високотемпературних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів γ-твердих розчинів на основі високотемпературних модифікацій CuInSe2, CuInS2 та CdS, CdSe, які утворюються у взаємній системі Cu,Cd,In||Se,S, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cu, In, Cd, Se, S, попередній синтез у тепловому потоці джерела тепла та вирощування монокристалів із розплаву, з подальшою кристалізацією, відпалом та охолодженням до кімнатної температури за модифікованим...

Номер патенту: 67792

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Савчук Андрій Йосипович

МПК: C30B 29/26, C30B 9/00, C30B 31/20 ...

Мітки: розчинів, fesexte1-x, fese, отримання, злитків, монокристалічних, процес, твердих

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...

Номер патенту: 67692

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 35/00

Мітки: печі, вирощування, злитків, завантаження, мультикристалічних, пристрій, кремнієвих

Формула / Реферат:

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який характеризується тим, що складається з накопичувального бункера, вібратора, подавальної труби та пристрою, контролюючого введення додаткової маси кремнієвої сировини.

Номер патенту: 67586

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C01B 33/021, C30B 35/00

Мітки: автоматизована, виробництва, індукційним, кремнію, мультикристалічного, система, методом

Формула / Реферат:

1. Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом в холодному тиглі, що включає ділянку підготовки сировини, засіб доставки сировини, понад одну установку отримання зливка мультикристалічного кремнію, зв'язану з диспетчерським центром керування, кожна з яких обладнана бункером подачі сировини, засобами утримування і переміщення зливка та засобами вилучення зливка, і засіб транспортування зливка в зону...

Номер патенту: 67457

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: отримання, процес, сурми

Формула / Реферат:

1. Процес отримання сурми гексагональної або ромбоедричної модифікацій, що складається з етапів загрузки наважки та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку сурми заданої модифікації.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у випадку сурми гексагональної...

Номер патенту: 97602

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Тавровський Ігор Ігорович, Суздаль Віктор Семенович, Тимошенко Микола Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Стрельніков Микола Іванович, Соболєв Олександр Вікторович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20, G01F 23/24 ...

Мітки: контролю, монокристалів, розплаву, пристрій, ростом, пристрої, положення, рівня, управління

Формула / Реферат:

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів, що містить механічно зв'язані між собою щуп з датчиком його переміщень і електродвигун із системою управління, яка включає блок обробки даних, контролер управління двигуном і схему визначення контакту щуп-розплав, перший вихід якої підключений до першого входу контролера, перший вхід/вихід блока обробки даних пов'язаний із системою управління ростом...

Номер патенту: 97591

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Богомаз Валерій Ігоревич, Ракитянський Віктор Сергійович, Бакай Едуард Аполінарійович, Осауленко Микола Федорович, Новоженюк Любомир Іванович, Севастьянов Володимир Валентинович

МПК: B01D 59/00, H05B 6/30, C30B 13/18 ...

Мітки: здійснення, пристрій, кремнію-28, ізотопно-чистого, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання ізотопно-чистого кремнію-28, який відрізняється тим, що при рафінуваннікремнію методом безтигельного зонного плавлення зону плавлення опромінюють, наприклад, нейтронами, при цьому задану потужність дози опромінювання підтримують постійною протягом всього процесу рафінування.2. Пристрій для одержання ізотопно-чистого кремнію-28, який містить індукційну піч з джерелом енергії, блок вимірювання температури, який...

Номер патенту: 97488

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Леблан Домінік, Буасвер Рене

МПК: C30B 29/06, C01B 33/037, C01B 33/02 ...

Мітки: розплав, газі, ньому, застосування, відхідні, одержані, кремнієвмісного, способом, твердий, цим, кремній, очищення, чистоти, спосіб, полікристалічний, печі, барабанної, низької, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення кремнієвмісного матеріалу низької чистоти, який включає етапи, на яких:(a) забезпечують плавильний пристрій, обладнаний кисневим пальником, і(b) в цьому плавильному пристрої плавлять кремнієвмісний матеріал низької чистоти з одержанням розплаву кремнієвмісного матеріалу більш високої чистоти.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що плавильний пристрій з етапу (а) включає в себе барабанну...

Номер патенту: 67361

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Андрієнко Віктор Богданович, Яцюк Сергій Анатолійович, Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тимур Вікторович, Лясковський Олександр Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/06

Мітки: виготовлення, установка, кристалізації, сонячних, зливків, направленої, елементів, методом, придатного, вирощування, кремнію

Формула / Реферат:

1. Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації, що включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з...

Номер патенту: 67188

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Стовбун Юрій Петрович, Лобода Петро Іванович

МПК: C30B 17/00, C01B 33/02

Мітки: металургійного, спосіб, очищення, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає з'єднання металургійного кремнію з розплавом металу-розчинника, нагрівання розплаву металу-розчинника, створення температурного градієнту в розплаві металу-розчинника, кристалізації кремнію на кристалічній затравці, який відрізняється тим, що метал-розчинник та металургійний кремній формують у вигляді порошкової заготовки, для кристалізації кремнію використовують кремнієву затравку,...

Номер патенту: 66536

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Лондар Тарас Олександрович, Рихлюк Сергій Вікторович, Половинко Ігор Іванович, Коман Володимир Богданович

МПК: C30B 7/00

Мітки: спосіб, монокристалів, k2coxni1-x(so4)2.6h2o, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів K2CoxNi1-x(SO4)2·6H2O, що включає випаровування вихідного розчину, який відрізняється тим, що вихідний розчин випаровують при кімнатній температурі упродовж 40-60 діб, причому складові розчину вибирають у такому співвідношенні компонентів (моль): K2SO4 - 1; СоСl2·6Н2О - 0-1; NiCl2·6H2O - 1-0.

Номер патенту: 66476

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Феш Роман Миколайович, Гешл Павел, Копач Олег Вадимович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: леткого, спосіб, ростовій, тиску, вимірювання, компоненту, ампулі

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій скляній ампулі при вирощуванні монокристалів методом Бріджмена, що включає завантаження ампули наважкою, розміщення ампули в ростовій печі та вирощування, який відрізняється тим, що ампулу поміщають під ковпак-компенсатор в ростову піч в область високотемпературного плато печі, нагрівають її до температури на 20-50 К вище температури плавлення сполуки, після цього змінюють ступінчасто...

Номер патенту: 66219

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Каравайников Андрій Вікторович, Шапошников Олександр Миколайович, Прокопов Анатолій Романович

МПК: C30B 30/00

Мітки: нанорозмірних, містить, спосіб, отримання, ферит-гранату, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанорозмірних плівок ферит-гранату, що містить Ві, який включає виготовлення мішені, що містить компоненти вісмутового ферит-гранату, розпилення компонентів мішені на підкладку, відпалювання отриманої плівки при температурі кристалізації ферит-гранату, який відрізняється тим, що підкладку з монокристалічного гадоліній-галієвого гранату обробляють пучком іонів аргону при прискорювальних напругах від 0,8 до 4,0 кВ і струмах...

Номер патенту: 96952

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Лочер Джон В., Пранаді Фері, Татартченко Віталі, Занелла Стівен А., Джонс Крістофер Д.

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Мітки: одержання, спосіб, пластина, пристрій, монокристалів, с-площині, монокристал, орієнтований, сапфіру, пластинка

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів сапфіру, орієнтованих в С-площині, який містить: джерело розплаву,перший нагрівач, сконструйований і розміщений таким чином, щоб нагрівати джерело розплаву,фільєру, суміжну з джерелом розплаву;першу зону, яка забезпечує перший температурний градієнт і яка розміщена суміжно з отвором фільєри, ідругу зону, яка забезпечує другий температурний градієнт і яка розміщена...

Номер патенту: 65674

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Туровська Лілія Вадимівна, Горічок Ігор Володимирович, Борик Віктор Васильович, Бойчук Володимира Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: термоелектричного, спосіб, n-pbte:bi, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного n-РbТе: Ві, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після цього ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Бойчук Володимира Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, pbte:co, провідності, спосіб, легованих, отримання, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 65585

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Гешл Павел, Фочук Петро Михайлович, Копач Олег Вадимович, Феш Роман Миколайович

МПК: C30B 13/14, H01L 21/18

Мітки: стехіометрії, відхиленням, контрольованим, монокристалів, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії, що включає двозонну ростову піч опору з розміщеною в ній запаяною скляною ампулою росту з наважками компонентів, який відрізняється тим, що пристрій містить герметичний автоклав з можливістю регулювання тиску газу, в якому розміщено піч, в нижній частині якої знаходиться п'єдестал з розміщеною на ньому ампулою росту та компенсаційний ковпак, нижньою...

Номер патенту: 65226

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Довгий Віктор Володимирович, Голота Віктор Іванович

МПК: C30B 31/00

Мітки: нестандартних, виготовлення, кремній-на-ізоляторі"-структур, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення нестандартних "кремній-на-ізоляторі"-структур, що включає маскування поверхні кремнієвої пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, витравлення в пластині в незамаскованих місцях вертикальних щілин заданої глибини, їх покриття нітридом кремнію та його селективне витравлювання на дні щілин, поглиблення щілин та формування бокових порожнин-тунелів витравлюванням кремнію під поверхнею...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: діапазону, матеріал, елементів, селеніду, цинку, лазерів, активних, основі, кристалічний, перестроюванням, частоти, середнього

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.