C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 32073

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Лукша Олег Васильович, Трапезнікова Людмила Віталієвна, Тюпа Олександр Іванович

МПК: G01B 3/00, C30B 29/10, C30B 7/00 ...

Мітки: швидкості, визначення, росту, тригліцинсульфату, монокристалу, спосіб, розчину

Формула / Реферат:

Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину, який включає вимір розмірів монокристалу по осях а, b, с, обчислення його об'єму і ваги та зміну їх значень за одиницю часу, проведення визначення розмірів монокристалу вздовж осей а, b, с безпосередньо під час технологічного процесу вирощування монокристала, обчислення його об'єму і ваги в кожний даний момент часу з використанням при цьому експериментально знайдених...

Номер патенту: 30878

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Кузнецов Валентин Анатолійович, Тавровський Ігор Ігоревич, Єпіфанов Юрій Михайлович, Горілецький Валентин Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Герасимчук Лариса Іванівна, Звягінцев Володимир Миколайович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, регулювання, монокристалів, росту

Текст:

...часових інтервалів, блок 13 порівняння інтервалів, блок 14 задання швидкості зміни рівня розплаву, блок 15 визначення фактичної швидкості зміни рівня розплаву, схему 16 порівняння, блок 17 корекції температури бічного нагрівача, електропривід 18 кристалотримача 9, блок 19 контролю величини дискретного переміщення кристалотримача. Крім того, на фігурі зображено вирощуваний монокристал 20 та затравку 21, закріплену в кристалотримачеві 9,...

Номер патенту: 30725

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Кузнецов Валентин Анатолійович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Криворучко Володимир Григорович

МПК: B24D 5/00, C30B 33/00

Мітки: пристрій, монокристалів, обробки

Формула / Реферат:

Пристрій для обробки монокристалів, що вміщує кристалотримач, рухому стійку з обертовими роликами, на які натягнена ріжуча нитка, резервуар з робочим розчином, приводи обертання та подачи нитки, блок керування, одним з виходів з'єднаний з приводом подачи нитки, та датчик натягу нитки, з'єднаний з входом блока керування, який відрізняється тим, що верхній ролик, який знаходиться на протилежному боці від кристалотримача, встановлен на рухливій...

Номер патенту: 31862

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Турок Іван Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, кристалів, направленою, пристрій, розплаву, кристалізацією

Текст:

...3 розміщена пробка 5 з каналом для відбору кристалічного зародку 4. Пробка 5 знаходиться трохи вище верхнього зрізу вкладки, поскільки вихідна речовина в полікристздіічному стані займає об'єм більший ніж в розплаві. Працює пристрій слідуючим чином. Перед процесом вирощування встановлююсь об'єм трубчатої вкладки (форма ціліндра) та каналу для відбору кристалічного зародку (заповнюють водою та визначають її об'єм). В порожнині конгейнеру 1...

Номер патенту: 31812

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 15/10

Мітки: отримання, pbte-snte, спосіб, твердого, розчину

Текст:

...параметрами. Найбільш близькими до запропонованого винаходу є спосіб отримання твердого розчину PbTe-SnTe, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в графітовому поршні і поміщають в двохзонну піч, температура першої" зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони € нижчою від температури плавлення вихідної речовини, поршень з вихідною речовиною перемішують з першої зони у...

Номер патенту: 31811

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 15/10

Мітки: sn-in-tе, твердого, отримання, спосіб, розчину

Текст:

...нижчою від температури плавлення вихідної речовини, поршень з вихідною речовиною переміщують з першої зони у другу з швидкістю біля 25 мм/хв і обертаючи його при цьому із швидкістю І з оо/хв до здійснення кристалізації, іщішиди LUL щм^щіГшшдну речовину Sn-In-Te вибирають з перерізом Встановлено, що при 2,8 ат. % In твердий розчин Бпо^Те-ІфТез має максимальні значення термоефективності а2а> що дає можливість за рахунок певного вмісту In...

Номер патенту: 31432

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Гасинець Степан Михайлович, Тулай Віталій Степанович, Кириленко Валерій Констянтинович, Борець Олександр Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Машкаринець Єва Карлівна

МПК: C01G 13/00, C01G 57/00, C30B 29/12 ...

Мітки: іч-діапазону, матеріал, акустооптичний

Текст:

...широким діапазоном пропускання світла та порівняно невисокими значеннями коефіцієнту акустооптичноі якості м2. Найбільш близьким по технічній суті та по результату, що досягається, є оптично ізотропний монокристал твердого розчину (ТШг2)хСПІ)і-х • відомий як KRS-5 ( область пропускання світла якого 0,5-50 мкм, а коефіцієнт акустооптичної якості М^ =П50 х10'15сякг-^ (2] для 0,63 мкм і не більшим 845*10' і^сЗ^-і для ю,6 мкм. Недоліком такого...

Номер патенту: 30026

Опубліковано: 15.11.2000

Автор: Лобода Петро Іванович

МПК: C30B 13/00, C30B 7/00

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, очистки, матеріалів, домішок, тугоплавких

Формула / Реферат:

Спосіб очистки від домішок та вирощування монокристалів тугоплавких матеріалів, що включає переміщення вузької зони розплаву через довгомірну, тверду, високооднорідну заготовку, якій відрізняється тим, що вирощування монокристалів проводять із пористих пресовок, сформованих із суміші порошків тугоплавкого матеріалу та розчинника домішок, з температурою плавлення більш низькою, ніж температура плавлення тугоплавкого матеріалу, а процес плавки...

Номер патенту: 29878

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Давиденко Микола Іванович, Трохименко Володимир Васильович

МПК: C30B 35/00

Мітки: спосіб, виробів, матеріалів, виготовлення, оптичних, сцинтиляційних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення виробів із оптичних та сцинтиляційних матеріалів, включаючий різання циліндричної заготовки аксіально її бокової поверхні на оболонки товщиною h, нагрівання оболонки для переведення її в область пластичності і розгортання у виріб, який відрізняється тим, що оболонку вирізають довжиною І, причому І<4pR, де R - радіус оболонки, а розгортають оболонку за допомогою розгортаючого пристрою при цьому перемішують...

Номер патенту: 28139

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Добровинська Олена Рувимівна, Литвинов Леонід Аркадійович, Піщік Валеріан Володимирович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/20

Мітки: спосіб, термообробки, монокристалів, корунду, виробів

Формула / Реферат:

Способ термообработки изделий из монокристаллов корунда, включающий нагрев изделий в герметической камере в вакууме с последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что изделия нагревают до температуры 1650 - 1700° С со скоростью 1800 - 2000 град/ч, после чего перемешивают их со скоростью 0,5 - 1,0 см/ч через тепловую зону, имеющую градиент снижения температуры 200 - 300 град/см.

Номер патенту: 29080

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Бондаренко Станіслав Костянтинович, Горілецький Валентин Іванович, Кузнецов Валентин Анатолійович, Герасимчук Лариса Іванівна, Суздаль Віктор Семенович, Гриньов Борис Вікторович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, пристрій, регулювання, росту

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів, вміщуючий електропривод кристалотримача, датчик рівня розплаву, зв'язаний з коригуючим регулятором та блоком керування підпитуванням, який з'єднано з підпитувачем та блоком задання часових інтервалів через блок їх порівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, підключений до коригуючого регулятора, обчислювальний блок, входи якого зв'язані з датчиком переміщення кристалотримача,...

Номер патенту: 29131

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Бондар Валерій Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Манько Владіслав Івановіч, Півень Леонід Олексійович, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 33/00

Мітки: свинцю, вольфрамату, відновлення, характеристик, спосіб, основі, сцинтиляторів, робочих

Формула / Реферат:

Спосіб відновлення робочих характеристик сцинтиляторів на основі вольфрамату свинцю, що включає опромінювання їх видимим світлом, який відрізняється тим, що опромінювання проводять на довжині хвилі 530-580 нм з енергетичною освітленістю 0,15-0,2 мВт/см2 на протязі 25-30 хвилин.

Номер патенту: 29130

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Горват Андрій Андрійович, Тюпа Олександр Іванович, Трапєзнікова Людмила Віталіївна

МПК: C30B 28/00

Мітки: спосіб, одержання, легованого, полікристалічного, тригліцинсульфату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату, який включає поступову подачу осаджувача в розчин, що містить осаджувані іони, який відрізняється тим, що як осаджувач використовують суміш твердих гліцину та аланіну, а як розчин з осаджувальними іонами - сірчану кислоту густиною 1,65...1,68 г/см3 в стехіометричному співвідношенні

Номер патенту: 28554

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Степаненко Олег Пилипович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Мітки: фазі, кадмію, очистки, нагрівачем, пристрій, парової, електропечі, зонним, здійснення, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ очистки теллурида кадмия через паровую фазу в электропечи с зонным нагревателем, включающим загрузку исходного материала, герметизацию, продувку инертным газом и направленную подачу газа-носителя в зоны испарения, отличающийся тем, что процесс ведут в течении 24-26 часа, направляя поток теза- носителя в ограниченный объем зоны испарения при расходе его 2,5-3,5 л/мин и температурном режиме в зоне испарения

Номер патенту: 28553

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: C30B 1/00

Мітки: герметичний, монокристалічних, пластин, hg1-xcdxte, n-типу, х=0,2...0,22, провідності, спосіб, одержання, ампулі

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллических пластин, , при х=0,20-0,22, n-типа проводимости в герметичной ампуле, включающий загрузку шихты в стехеометрическом соотношении компонентов, синтез и гомогенизацию раствора--расплава, выращивание слитка с монокристаллическими блоками из поликристаллической заготовки, полученной в результате синтеза, разрезания слитка на пластины и отжиг...

Номер патенту: 28492

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Панкевич Володимир Зіновієвич, Олексеюк Іван Дмитрович, Горгут Галина Петрівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, aggage3se8, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощувана монокристалів AgGaGe3Se8, який включає складання шихти з елементарних компоненів Ag,Ga,Ge,Se у відповідності із стехіометричним складом, синтез її і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез і ріст проводять в одному й тому ж ростовому контейнері який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при слідуючих параметрах: температура в зоні розплаву ...

Номер патенту: 28278

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Запорожцев Володимир Павлович, Зверев Микола Данилович, Будаковський Сергій Валентинович

МПК: C30B 28/00, C04B 35/00, G01T 1/20 ...

Мітки: паратерфенілу, основі, сцинтилятора, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтиллятора на основе паратерфенила, включающий изготовление заготовки из паратерфенила, активированного 1,4-дифенилбутадиеном-1,3, отжиг её в контакте с высокомолекулярным органосилоксановым каучуком, выдержку до остывания и удаление каучука, отличающийся тем, что заготовку изготавливают путём прессования дисперсного с размерами частиц 2-4 мм активированного паратерфенила в медной кольцевой обойме давлением 80-100 МПа...

Номер патенту: 28250

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Антонів Іван Петрович, Гарапин Ірина Володимирівна, Дідик Роман Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/12

Мітки: лужних, спосіб, пристрій, галогенідів, металів, одержання, реалізації, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів галогенідів лужних металів, який включає їх плавлення у вакуумі в присутності вуглецевого сорбенту в реакційній ампулі, розділення продуктів реакції та розплавленої солі в процесі транспортування розплаву з реакційної ампули а ростову та наступну направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що розділення продуктів реакції та солі проводять шляхом випаровування солі з реакційної ампули з наступною...

Номер патенту: 28555

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Степаненко Олег Пилипович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Мітки: парової, спосіб, фазі, телуриду, кадмію, здійснення, пристрій, синтезу

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза теллурида кадмия, из паровой фазы, включающий раздельную загрузку исходных компонентов, продувку инертньм газом, подачу газа-носителя и электропитания в зону испарения исходных компонентов, в зоны синтеза и кристаллизации, отличающийся тем, что процесс проводят в тепловом поле с градиентным профилем в зоне испарения для кадмия при 630-660°С и для теллура 760-800°С при расходе газо-носителя соответственно для кадмия 2,8...

Номер патенту: 28715

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Коваль Юрій Миколайович, Жилін Олександр Михайлович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: спосіб, виробів, варіанти, внутрішньою, профільованих, порожниною, вирощування, сапфірових

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування профільованих сапфірових виробів з внутрішньою порожниною, який включає плавлення сировини, затравлення і витягування з означеною швидкістю, який відрізняється тим, що після формування завданого діаметра виробу збільшують швидкість витягування на величину де

Номер патенту: 28852

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Бобонич Ерік Петрович, Кондрат Олександр Борисович, Бобонич Петро Петрович, Фекешгазі Іштван Вінцейович

МПК: C23C 14/28, C30B 31/00, H01L 21/326 ...

Мітки: комірка, об'єму, дифузійна, квазизамкнутого

Формула / Реферат:

Дифузійна комірка квазизамкнутого об'єму, яка складається з корпусу з отвором та засобу для закриття отвору, яка відрізняється тим, що корпус виконаний з електропровідного матеріалу у вигляді чотирьохгранника з вікном для вводу пластин та дифузанту, а засіб для закриття вікна є кришка у вигляді пластини, що виготовлена з того ж матеріалу.

Номер патенту: 15385

Опубліковано: 15.09.2000

Автор: Маслова Оксана Володимирівна

МПК: G01J 5/50, C30B 13/00, H01F 10/12 ...

Мітки: підвищеною, спосіб, прозорістю, одержання, магнітооптичних, плівок

Формула / Реферат:

Способ получения магнитооптических пленок с повышенной прозрачностью, включающий нанесение на подложку феррит-гранатовой пленки, отжиг, облучение и намагничивание, отличающийся тем, что намагничивание пленки производят в диапазоне 4 × 102 - 16 × 104А/м и подвергают ее воздействию ИК-излучения в диапазоне с длиной волны 10 - 1000мкм.

Номер патенту: 27013

Опубліковано: 28.02.2000

Автори: Панова Олександра Миколаївна, Корсунова Софія Петрівна, Ковальова Людмила Василівна, Горілецький Валентин Іванович, Проценко Володимир Григорович, Шахова Клавдія Вікторівна, Шпилінська Лариса Миколаївна, Віноград Едуард Львович, Кудін Олександр Михайлович, Мітічкін Анатолій Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00

Мітки: матеріал, сцинтиляційний, основі, одержання, цезію, спосіб, йодиду

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия, активированного таллием, и содержащий дополнительную примесь, отличающийся тем, что в качестве дополнительной примеси он содержитMex(CO2)y,где Me - катионная примесь;1≤X≤2;1≤Y≤5.2. Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия по п.1, отличающийся тем, что в спектре поглощения он имеет полосу валентных колебаний связанного...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00

Мітки: злитків, кремнію, обробки, монокристала, спосіб, вирощених

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: бездефектної, спосіб, зони, монокристала, визначення, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: росту, одержання, порушенні, спосіб, монокристалічного, монокристалів, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.

Номер патенту: 26696

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: ЮНКЕР Флемінг, ТЕЙСЕН Клаус Фрііс

МПК: A61K 38/27, C07K 1/14, C07K 14/00 ...

Мітки: кристалів, кристали, росту, гормону, катіонних, спосіб, препарат, одержання, фармацевтичний, людини

Формула / Реферат:

1. Способ получения катионных кристаллов гормона роста или производных гормона роста, отличающийся тем, что он включает следующие стадии:а) введение в раствор гормона роста или его производного катионов неорганической или органической природы при величине pH в пределах 5,0 - 6,8;б) выращивание кристаллов при температуре примерно от 0 до 30°C;в) выделение упомянутых катионных кристаллов известными методами.2....

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Носачов Борис Григорович, Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/00

Мітки: телуром, цинку, селеніду, одержання, кристалів, сировини, активованій, спосіб, термообробки

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Номер патенту: 25044

Опубліковано: 25.12.1998

Автори: Семиноженко Володимир Петрович, Осадчий Федір Антонович, Онопрієнко Петро Миколайович, Чернишов Олександр Антонович, Гордієнко Людмила Сергійовна, Ілюха Олександр Іванович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/02

Мітки: полікристалічних, сцинтиляційних, виготовлення, спосіб, матеріалів, пластин, оптичних, великогабаритних

Формула / Реферат:

Способ изготовления крупногабаритных поликристаллических пластин из оптических и сцинтилляционных материалов, включающий нагрев кристаллической заготовки до температуры 0,5Tпл < T < Tпл, где Tпл - температура плавления исходного материала, термомеханическое деформирование одноосным сжатием и последующее охлаждение, до комнатной температуры, отличающийся тем, что термомеханическое деформирование одноосным сжатием осуществляют с помощью...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Гурін Вячеслав Анатолійович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Март'янов Генадій Сергійович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 35/00

Мітки: летких, контейнер, напівпровідникових, термообробки, кристалів

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Номер патенту: 25786

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Байцар Роман Іванович, Белей Мирон Іванович, Шепетюк Володимир Андрійович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 29/46

Мітки: плівок, епітаксійних, отримання, спосіб, snте)х

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних плівок (SnTe)x(PbSe)1-x шляхом нагріву підкладки до температури Tп, випаровування вихідної речовини при Tв, нагріву стінок реактора до Tс, додаткового джерела халькогену до Tд, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а як вихідну речовину - суміш компонентів SnTe i PbSe при х = 0,7, причому підкладку нагрівають до Tп = 570 - 630К, суміш компонентів випаровують при Tв = 820К, стінки...

Номер патенту: 25785

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Буджак Ярослав Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Шепетюк Володимир Андрійович

МПК: C30B 29/46

Мітки: вирощування, snте)х, спосіб, шарів, епітаксійних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (SnTe)x(PbSe)1-x, що включає нагрів вихідної речовини до температури Tв, стінок реактора до Tс, підкладки до Tп, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а вихідною речовиною служить синтезований полікристалічний твердий розчин (SnTe)x(PbSe)1-x, для одержання шарів n-типу провідності його склад вибирають при x до 0,2, для одержання шарів p-типу провідності x = 0,2 - 1,0,...

Номер патенту: 24815

Опубліковано: 06.10.1998

Автори: Краснов Василь Олександрович, Попова Вікторія Євгенівна, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00

Мітки: галлію, нарощування, спосіб, шарів, епітаксійного, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію, включаючий приготування розчину-розплаву на основі вісмута та арсеніду галію, контактування підкладки і розчину-розплаву при температурі початку епітаксії та примусового охолодження, який відрізняється тим, що розплав вісмуту насичується миш'яком шляхом розчинювання шихти арсеніду галію та арсеніду індію в співвідношенні 0,03 £ xInAs/XGaAs £ 0,21, а процес епітаксійного...

Номер патенту: 24066

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Трохименко Володимир Васильович, Бугай Олена Абрамівна, Давиденко Микола Іванович

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00, C30B 33/02 ...

Мітки: кристалів, одержання, деталей, лужно-галоїдних, оптичних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения оптических деталей из щелочно-галоидных кристаллов, включающий резку цилиндрического кристалла на заготовки, их нагрев и выдержку при температуре 460~600°С с последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что резку осуществляют аксиально боковой поверхности кристалла до толщины заготовок h и длины не более 3,14 R, где R - радиус заготовки, нагрев ведут со скоростью 30-50°С/ч, выдержку осуществляют в...

Номер патенту: 24447

Опубліковано: 17.07.1998

Автори: Федонюк Анатолій Ананійович, Горгут Галина Петрівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, монокристалів, контейнер

Формула / Реферат:

Контейнер для вирощування монокристалів, виконаний у формі циліндричної ампули з конусоподібним днищем та розташованою у вершині конуса днища грушеподібною камерою, яка з'єднана порожнинною шийкою з вершиною конуса днища, який відрізняється тим, що тигель додатково оснащений другою грушеподібною камерою, яка розташована під першою грушеподібною камерою і з'єднана з нею порожнинною шийкою, а кут при вершині конуса конусоподібного днища...

Номер патенту: 24259

Опубліковано: 07.07.1998

Автори: Зверев Микола Данилович, Перунина Людмила Михайловна, Віноград Едуард Львович, Гриньов Борис Вікторович, Кудін Олександр Михайлович

МПК: C30B 17/00, C09K 11/06, C30B 29/12 ...

Мітки: керамічний, матеріал, літію, основі, фториду, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

Керамический сцинтилляционный материал на основе фторида лития, содержащий активирующие допанты - анионы кислорода и катионы, отличающийся тем, что он содержит в качестве активирующих катионов ионы урана и азота в количестве 0,01 - 0,05мас.% в пересчете на безводный нитрат урана.

Номер патенту: 21982

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Каніщєв Василь Миколайович, Катрич Микола Петрович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Будніков Олександр Тимофійович

МПК: C30B 29/20, C30B 11/00

Мітки: кристалізацією, тугоплавких, спосіб, оксидів, горизонтальною, пластин, варіанти, вирощування, складних, направленою, монокристалічних

Формула / Реферат:

1. Способ вуращивания монокристаллических пластин сложных тугоплавких оксидов гори-зонтальной направленной кристаллизацией, включающий плавление исходной шихту, затравление й последующее вуращивание прямоугольной части монокристаллической пластину перемещением тигля через градиентное тспловое поле со скоростью 1-2 мм/час, отличающийся тем, что переднюю треугольную часть монокристаллической пластину вуращивают перемещением тигля через...

Номер патенту: 21775

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Піщік Валеріан Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Добровинська Олена Рувимівна

МПК: C30B 13/00

Мітки: кристалів, профільованих, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство для вмращивания профилированных кристаллов, содержащее тигель, пучок капилляров й установленный на его верхнем торце капиллярнуй формообразователь, состоящий из двух злементов, отличающееся тем, что формооб­разователь выполнен из плоского злемента с капиллярным отверстием, на котором жестко закроплена резьбовая насадка, профиль резьбы которой в нижней части представляет собой резьбу с укороченной на (0,06-0,08) мм высотой зуба, а в...

Номер патенту: 19688

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Мізяк Анатолій Сергійович, Дмитрик Віталій Володимирович, Семиноженко Володимир Петрович, Момот Дмитро Іванович, Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Притула Сергій Іванович, Патон Борис Євгенович

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04, B23K 10/02 ...

Мітки: термостійке, покриття

Формула / Реферат:

1. Термостойкое покрытие на поверхности сопел, мундштуков, сварочных горелок или плазмотронов, выполненное из твердого углеродсодержащего материала, отличающееся тем* что покрытие выполнено в виде алмазоподобной пленки углерода толщиной > 1000 Å, содержащей области из гексагонального алмаза, имеющего форму близкую к эллипсоиду вращения с осями величиной 9-10 Å и 5-6 Å, а граничные участки между ними представляют собой...

Номер патенту: 18649

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Шевчук Юрій Васильович, Непорожній Вадим Вадимович, Шевчук Олеся Сергіївна, Конопальцева Людмила Іванівна, Іщенко Ельвіна Дмитрівна

МПК: C30B 29/50, C30B 25/00

Мітки: вирощування, хвилеводів, сполук, основі, пристрій, плоских

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания плоских волноводов на основе соединений A2B6 методом паровой эпитаксии, содержащее горизонтальную трубчатую кварцевую камеру, снабженную штуцерами для подачи и отвода инертного газа, внутри которой соосно расположены трубы, закрепленные на противоположных торцах камеры и имеющие раструбы в ее средней части, испарители исходных компонентов, размещенные внутри труб, и наружные нагреватели, образующие три зоны нагрева,...