C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 86105

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Дербунович Леонід Вікторович, Рижикова Марина Георгіївна, Герасимчук Лариса Іванівна, Бережна Марина Анатоліївна

МПК: C30B 15/20, G06F 11/28, G05D 27/00 ...

Мітки: регулювання, монокристалів, росту, нього, діагностування, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для регулювання росту монокристалів, який містить підживлювач із транспортною трубкою, вимірювач положення рівня розплаву, блок керування переміщенням кристалотримача, блоки корекції температури донного і бічного нагрівачів, обчислювальний блок, ростову піч, тигель з кільцевою порожниною, донний і бічний нагрівачі, при цьому виходи обчислювального блока з'єднані, відповідно, із блоком керування переміщенням кристалотримача,...

Номер патенту: 86104

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Нагорна Людмила Лаврентіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: монокристалів, вольфрамату, термообробки, сцинтиляційних, спосіб, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію, що включає нагрівання і витримку монокристалів з наступним їх охолодженням, який відрізняється тим, що монокристали нагрівають в відновній атмосфері при температурі 550-800 °С .

Номер патенту: 40276

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Цюцюра Дмитро Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Пігур Ольга Миколаївна, Лоцько Олександр Павлович, Британ Віктор Богданович, Попович Володимир Дмитрович, Вахняк Надія Дмитрівна, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C30B 23/00, C30B 11/00

Мітки: вирощування, cdznte, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та CdZnTe, що включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів і формування монокристала з подрібненої шихти шляхом нагрівання кварцевої ампули з шихтою в вертикальній двозонній печі, який відрізняється тим, що синтез і формування монокристала проводять в атмосфері водню, нагрівання кварцевої ампули з шихтою і формування монокристала проводять в першій зоні печі при температурі Т1 = 900-1050 °С,...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Задніпрянний Денис Львович, Берінгов Сергій Борисович, Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 15/10, C30B 15/20, C30B 15/00 ...

Мітки: розплаву, утриманням, спосіб, тиглі, кристалу, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Номер патенту: 39127

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Никируй Ростислав Іванович, Борик Віктор Васильович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: aivbvi, отримання, скляних, спосіб, підкладках, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалів AIVBVI на скляних підкладках методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують скляні підкладки, які розміщують у верхній частині камери при певній температурі.

Номер патенту: 39125

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Данилишин Мирослава Олегівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: p-типу, отримання, телуриду, термоелектричного, свинцю, сплаву, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного сплаву телуриду свинцю р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують свинець,...

Номер патенту: 39124

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Любов Дмитрівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: основі, отримання, термоелектричних, спосіб, сплавів, телуриду, германію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду германію, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та пресують, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 39123

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: покращеними, телуриду, термоелектричними, отримання, n-типу, параметрами, свинцю, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу із покращеними термоелектричними параметрами, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що завантаження вихідних речовин в...

Номер патенту: 39122

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Никируй Ростислав Іванович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, матеріалів, отримання, напівпровідникових, наноструктурних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері з температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник з наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують аморфну підкладку, на якій формуються розорієнтовані нанокристалічні структури.

Номер патенту: 85648

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 27/00, C30B 15/00, C30B 15/20 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, ліщука, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем електричного контакту ділянки кола кристал-розплав, який відрізняється тим, що у процесі зростання монокристала визначають часову залежність електричних параметрів згаданої ділянки кола, а про порушення монокристалічного зростання кристала судять по характерному відхиленню від аналогічної еталонної залежності.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що порушення...

Номер патенту: 38629

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Журба Олександр Михайлович, Яковенко Сергій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/02

Мітки: рідкої, арсеніду, графоепітаксії, галію, спосіб, фазі

Формула / Реферат:

Спосіб графоепітаксії арсеніду галію із рідкої фази, що включає формування орієнтуючого мікрорельєфу на робочій поверхні аморфної підкладки, приведення її в контакт з попередньо насиченим розчином-розплавом, розміщеним в зазорі між аморфною підкладкою, розташованою робочою поверхнею униз, та обмежувальною пластиною, вирощування графоепітаксійної плівки напівпровідника шляхом пересичування розчину-розплаву за рахунок його примусового...

Номер патенту: 38628

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Саріков Андрій Вікторович, Баганов Євген Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/02, C30B 19/00, C30B 29/00 ...

Мітки: напівпровідникових, шарів, багатокомпонентних, гетероепітаксійного, сполук, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук, що включає первісну хімічну підготовку підкладки, нанесення на планарну поверхню захисного маскуючого шару Si3N4 або SiO2, формування за допомогою фотолітографії і хімічного або плазмохімічного травлення вікон у захисному маскуючому шарі, який відрізняється тим, що після формування вікон у захисному шарі проводять формування поруватого шару у вікнах за...

Номер патенту: 38627

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Стогній Дмитро Васильович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Буряченко Володимир Іванович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/02, C30B 29/00, C30B 19/00 ...

Мітки: гетероепітаксійних, напівпровідникових, спосіб, шарів, сполук, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук, що включає формування мезаструктур на підкладці фотолітографією, травленням та гетероепітаксійне вирощування, який відрізняється тим, що мезаструктурам надають призматичної або пірамідальної форми, а гетероепітаксійне вирощування шару з відмінним значенням постійної ґратки виконують в один етап.

Номер патенту: 38483

Опубліковано: 12.01.2009

Автор: Волосянко Валентин Дмитрович

МПК: C03B 29/00, C30B 33/00

Мітки: зливка, терморозколювання, бруса, лазерного, пластини, спосіб, монокристалічного, розділення, методом

Формула / Реферат:

Спосіб розділення бруса монокристалічного зливка на пластини методом лазерного терморозколювання, який відрізняється тим, що включає вирізання з монокристалічного зливка бруса довжиною, кратною товщині пластин, попередньо перед розділенням проведення термічних процесів, нагрівання та швидкого охолодження бруса монокристалічного зливка (режим нагрівання та охолодження підбираються в залежності від матеріалу та розміру бруса), застосування...

Номер патенту: 38415

Опубліковано: 12.01.2009

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: основі, матеріалу, термоелектричного, отримання, bi-te-se-sb, процес

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що складається з етапів завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролюванням їх параметрів, який відрізняється тим, що не влаштовуючі по параметрах кінцеві частини злитка відрізають і повторно використовують замість надлишкового телуру для інших завантажень аналогічного складу...

Номер патенту: 85176

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Гринь Григорій Васильович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, монокристалів, вуглецю, одержання, необхідним, вмістом, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію з необхідним вмістом вуглецю, що включає визначення концентрації атомів вуглецю на нижньому торці кристала, відрізання від його нижнього торця частини з підвищеним вмістом вуглецю, повторне визначення концентрації атомів вуглецю на нижньому торці зливка, який відрізняється тим, що довжину частини монокристала з підвищеним вмістом вуглецю розраховують за формулою:

Номер патенту: 37223

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Клето Геннадій Іванович, Ткачук Вікторія Іллівна, Мельничук Тетяна Аркадієвна, Ткачук Петро Миколайович, Савчук Андрій Йосипович

МПК: C30B 11/00

Мітки: іонізуючого, однорідних, створення, одержання, основі, спосіб, детекторів, випромінювання, напівізолюючих, cdte:cl, монокристалів, спектрометрів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів іонізуючого випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтезований телурид кадмію, попередньо очищений від легколетких домішок, разом із добавкою CdCl2ּ(NCl=1018-1020 см-3) завантажують у подвійну неграфітизовану кварцову ампулу, ампулу...

Номер патенту: 84653

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Марончук Ігор Ігорович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович, Комар Фідель Леонідович

МПК: C01B 33/037, C01B 33/02, C01B 33/021 ...

Мітки: металургійного, кремнію, спосіб, очищення

Формула / Реферат:

Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає введення кремнію в розплав металу-розчинника, нагрівання цього розплаву, кристалізацію кремнію на кристалічній затравці, що опущена в розплав, масоперенос розчиненого кремнію до фронту кристалізації, який відрізняється тим, що введення металургійного кремнію в розплав металу-розчинника здійснюють шляхом безперервного подавання його при фіксованій температурі, величину якої обмежують...

Номер патенту: 36477

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Любов Дмитрівна, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02, C22C 1/02

Мітки: р-типу, спосіб, телуриду, термоелектричного, германію, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду германію р-типу, який полягає в тому, що вихідні компоненти - свинець, срібло, вісмут, германій, телур - розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, потім ампулу з вихідними компонентами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Номер патенту: 36476

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: телуриду, олова, термоелектричного, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду олова, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, вісмут, олово і телур, взяті у відповідних масових співвідношеннях, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування,...

Номер патенту: 36463

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Сапон Сергій Васильович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: C30B 31/00

Мітки: локальних, спосіб, структур, кремній-на-ізоляторі, виготовлення, тривимірних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур "кремній-на-ізоляторі", який включає маскування поверхні пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, створення в пластині проміжків, як між ділянками маскуючого покриття, так і на заданій глибині під поверхнею пластини для формування в цих місцях анодуванням пористого кремнію та його проокислення з формуванням ізолюючого окислу кремнію, який відрізняється тим, в...

Номер патенту: 36446

Опубліковано: 27.10.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: твердих, gete-cu2te, спосіб, розчинів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання твердих розчинів GeTe-Cu2Te, який полягає в тому, що вихідні речовини сплавляють у кварцових вакуумованих ампулах при температурі 1470 К протягом 5 годин з подальшим охолодженням на повітрі, після чого отриманий сплав піддають відпалу у атмосфері аргону при температурі 820 К протягом 600 год., який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав (GeTe)1-x(Cu2Te)x складу х = 0,028.

Номер патенту: 35809

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Соколов Олександр Миколайович, Шульженко Олександр Олександрович, Гонтар Олександр Григорович

МПК: C30B 29/04, C30B 31/00

Мітки: спосіб, алмазів, синтезу, надпровідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання надпровідних алмазів, що включає дію високим тиском при високій температурі на графіт і боровмісний розчинник вуглецю, який відрізняється тим, що дію високим тиском і температурою проводять при режимах, що відповідають області стабільності алмазу, а саме: тиску вище 6,5 ГПа і температурі вище 2000 К, при цьому використовують розчинник вуглецю, що як боровмісну складову містить не менше 0,1 мас.% бору і додатково принаймні...

Номер патенту: 35808

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Шульженко Олександр Олександрович, Соколов Олександр Миколайович, Гонтар Олександр Григорович

МПК: C30B 29/04, C30B 31/00

Мітки: синтезу, розчинник, алмазів, надпровідних

Формула / Реферат:

1. Розчинник для синтезу надпровідних алмазів з високою електропровідністю, що містить боровмісну складову, який відрізняється тим, що як боровмісну складову він містить не менше 0,1 мас.% бору і додатково принаймні один з металів наступного ряду: метали IVa групи, а також алюміній, при цьому компоненти ряду взяті у вигляді сполуки і/або сплаву.2. Розчинник за п. 1, який відрізняється тим, що він додатково містить принаймні один з...

Номер патенту: 35367

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович, Швець Євген Якович, Головко Юрій Вікторович, Пожуєв Володимир Іванович

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, вирощування, розплаву, монокристалів, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала, відрив монокристала від розплаву, охолодження монокристала, який відрізняється тим, що товщину розплаву під фронтом кристалізації монокристала підтримують рівною 0,3...0,5 радіусу...

Номер патенту: 35242

Опубліковано: 10.09.2008

Автор: Логунов Олександр Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: ідентифікації, маркування, виробів, автоматизованої, систем, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб маркування виробів, що включає пробивку матриці наскрізних отворів у матеріалі виробу, який відрізняється тим, що у склад маркера вводять базовий та орієнтувальні ряди отворів, а для кодування кожного десяткового розряду індивідуального номера виробу використовують один інформаційній ряд із двох отворів за допомогою коду "2 із 5", причому отвори базового ряду пробивають у першу чергу, а отвори орієнтувального ряду...

Номер патенту: 34225

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, олова, телуриду, основі, термоелектричних, спосіб, оптимізованих, сплавів, р-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду олова р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 83773

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Семиноженко Володимир Петрович, Толмачов Олександр Володимирович, Матвеєвська Неонила Анатоліївна, Єрмолаєва Юлія Володимирівна

МПК: C30B 28/00, B82B 3/00

Мітки: основі, наноструктур, спосіб, одержання, кремнію, нанотемплати, діоксиду

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктур на основі нанотемплат з діоксиду кремнію, який включає одержання нанотемплат з діоксиду кремнію в розчині, функціоналізацію поверхні нанотемплат біфункціональними молекулами триамінопропілтриетоксисилану, одержання нанокристалів в розчині і їх осадження шляхом перемішування одержаних розчинів з формуванням оболонки на нанотемплатах, який відрізняється тим, що функціоналізацію ведуть додаванням до розчину...

Номер патенту: 34160

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Пожуєв Володимир Іванович, Швець Євген Якович, Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович, Головко Юрій Вікторович

МПК: C30B 15/00

Мітки: розплаву, вирощування, кремнію, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського в середовищі інертного газу, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, щознаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра і вирощування циліндрової частини монокристала, який відрізняється тим, що при довжині...

Номер патенту: 83148

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Порєв Володимир Андрійович, Статкевич Ігор Іванович, Юрченко Микола Миколайович, Шевченко Петро Миколайович, Щегельський Микола Євдокимович, Заболотін Станіслав Павлович, Асніс Юхим Аркадійович, Перепеченко Борис Іванович, Патон Борис Євгенович

МПК: C30B 35/00, C30B 13/00, C30B 1/00 ...

Мітки: умовах, установка, мікрогравітації, вакууму, космосі, космічного, матеріалу, зонної, плавки, електронно-променевої

Формула / Реферат:

1. Установка для електронно-променевої зонної плавки матеріалу в космосі в умовах мікрогравітації і космічного вакууму, що складається з ростової вакуумної камери, яка має вакуумно-щільний корпус з циліндричними охолоджуваними стінками і кришкою,  електронно-променевого нагрівача, приводу переміщення електронно-променевого нагрівача, приводу вертикального переміщення електронно-променевого нагрівача, утримувачів зразка матеріалу, патрубка для...

Номер патенту: 32619

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Юрійчук Іван Миколайович, Грицюк Богдан Миколайович

МПК: C30B 29/10, C30B 13/00

Мітки: кристалів, затравлювання, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для затравлювання кристалів при вирощуванні методом Чохральського на основі циліндричного пустотілого патрона, який відрізняється тим, що патрон між зовнішньою і внутрішньою стінками конічних наконечників містить кристалотримач у вигляді перевернутого, зрізаного, пустотілого конуса, а в центральній частині конуса містить радіаційний тепловідвід.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що кристалотримач виготовлено...

Номер патенту: 32544

Опубліковано: 26.05.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: матеріалів, складу, спосіб, олова, термоелектричних, сплавів, основі, телуриду, покращеного, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних матеріалів на основі сплавів телуриду олова покращеного складу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщують у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки подрібнюють та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 32716

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Грицюк Богдан Миколайович, Раранський Микола Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: перекристалізації, процес, горизонтально, отримання, сполук, напівпровідникових, монокристалів, методом, зонної

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації, який складається з етапів попереднього синтезу вихідних матеріалів, подальшого перезавантаження разом з монокристалічною затравкою, затравлювання та зонного вирощування при прямому та зворотному русі зонного нагрівача, який відрізняється тим, що по закінченні кожного з проходів зонний нагрівач переміщують від кінця та початку завантаження...

Номер патенту: 31909

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Рубан Роман Володимирович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: галій-індій-сурма, вирощування, кристала, уздовж, розподілом, розчинів, твердих, галію, однорідним, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала, який полягає в тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок підживлення хімічної сполуки галію-сурми, що має площу поперечного перерізу від 2,5 до 50 % від площі поперечного перерізу кристала, вводять у розплав галій-індій-сурма зі швидкістю, що відрізняється...

Номер патенту: 31454

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Галенін Євген Петрович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: порошкоподібних, сипучих, матеріалів, живильник

Формула / Реферат:

Живильник порошкоподібних та сипучих продуктів, що містить бункер циліндричної форми, який відрізняється тим, що дно бункера жорстко з'єднано з приводом його обертання через підшипниковий вузол, який закріплено на напрямній полозків з можливістю зміни місця його кріплення на ній, ця напрямна закріплена на кронштейні з можливістю зміни кута її нахилу відносно горизонталі, а внутрішня бокова поверхня бункера обладнана двозахідними...

Номер патенту: 82180

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Гаршінскі Єжі, Дорадзінскі Роман, Двілінскі Роберт, Канбара Ясуо, Сешпутовскі Лешек П.

МПК: C30B 25/18, C30B 29/38, C30B 9/00 ...

Мітки: варіанти, епітаксії, галію, нітриду, об'ємний, монокристал, основа

Формула / Реферат:

1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...

Номер патенту: 30445

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Єгоров Сергій Геннадійович, Пожуєв Володимир Іванович, Гасик Михайло Іванович, Тутик Валерій Анатолійович, Червоний Іван Федорович, Воляр Роман Миколайович

МПК: C30B 15/00

Мітки: домішки, концентрацією, заданою, кисню, вирощування, монокристалів, спосіб, розплаву, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву із заданою концентрацією домішки кисню по методу Чохральського, що включає приготування початкової шихти і її розплавлення в кварцовому тиглі, вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, що знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування...

Номер патенту: 30049

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 29/20

Мітки: сапфіра, площин, спосіб, a-al2o3, монокристала, кристалографічних, визначення, об`ємного

Номер патенту: 81766

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Ільті Ален, Успєнскій Владімір

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00, C30B 29/12 ...

Мітки: елементів, броміду, спосіб, йодиду, рідкоземельних, хлориду, тиглі, приведення, контакт, містить, вуглець

Формула / Реферат:

1. Спосіб приведення у контакт композиції, яка містить щонайменше 80 мас. % галогеніду рідкісноземельного елемента формули AeLnfX(3f+e), в якій Ln означає один або декілька рідкісноземельних елементів, Х означає один або декілька атомів галогену, вибраних з Сl, Вr і I, і А означає один або декілька лужних металів, вибраних з К, Li, Na, Rb і Cs, е і f мають значення такі, що:- е може бути нулем, меншим або дорівнювати 2f,- f...

Номер патенту: 29747

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C01F 7/00, C30B 33/00

Мітки: виготовлення, спосіб, монокристалів, підкладок, a-al2o3, сапфіра

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалів сапфіра (α-Аl2О3), який включає визначення кристалографічних площин монокристала, виготовлення з нього циліндричних заготовок, основа яких є площиною епітаксії, виготовлення базової площини шляхом плоского шліфування, розділення циліндричних заготовок на пластини та подальше доведення їх до заданих товщини, діаметра і чистоти поверхні механічним шліфуванням та поліруванням, який...