C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 53469

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Буй Алєксандр Алєксандровіч, Кривоносов Євген Володимирович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Мітки: виробів, сапфіра, титаном, монокристалів, термообробки, тикора, спосіб

Формула / Реферат:

1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: спосіб, цинку, основі, n-типу, напівпровідникового, одержання, матеріалу, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: одержання, основі, активованого, цинку, телуром, спосіб, селеніду, сцинтилятора

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Номер патенту: 52196

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Стусь Наталія Вікторівна, Лісняк Владислав Владиславович, Слободяник Микола Семенович, Стратійчук Денис Анатолійович, Смірнова Тамара Іванівна

МПК: C01G 1/02, C01D 3/00, C01G 37/00 ...

Мітки: лужних, спосіб, змішаних, бронз, загального, отримання, молібден-вольфрамових, 0,1јxј0,4, складу, m10,1w1-xmoxo3, монокристалів, металів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів змішаних молібден-вольфрамових бронз лужних металів загального складу MI0,1W1-xMoxO3 (0.1х0.4), який передбачає змішування порошків йодиду лужного металу, вольфрам- і молібденвмісної складової, нагрівання суміші при високих температурах, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 51245

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Лісняк Владислав Владиславович, Стратійчук Денис Анатолійович, Слободяник Микола Семенович, Стусь Наталія Вікторівна

МПК: C30B 27/00

Мітки: монокристалів, металів, молібден-вольфрамових, отримання, лужних, спосіб, бронз, монофосфатних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів монофосфатних молібден-вольфрамових бронз лужних металів, який передбачає змішування вихідних порошкоподібних компонентів, які містять порошки карбонату лужного металу, дигідроортофосфату амонію, триоксиду вольфраму, триоксиду молібдену та металічного молібдену у мольному співвідношенні згідно з молекулярною формулою: , де MI = Li, Na, К, Rb,...

Номер патенту: 51435

Опубліковано: 15.11.2002

Автор: Кравченко Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00, C30B 15/00

Мітки: отримання, очищених, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання очищених кристалів, який включає витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що у витягуваному кристалі утворюють, принаймні одну розплавлену зону, яка не займає поперечний переріз кристала повністю.

Номер патенту: 51312

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Стусь Наталія Вікторівна, Стратійчук Денис Анатолійович, Слободяник Микола Семенович, Лісняк Владислав Владиславович

МПК: C30B 27/00

Мітки: бронз, фосфатних, спосіб, монокристалів, отримання, молібден-вольфрамових, змішаних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів змішаних фосфатних молібден-вольфрамових бронз, а саме представника Nа0,2Lі3,8(W0,7Мо0,3О3)8(РО2)4, який передбачає змішування порошків вихідних компонентів: карбонату лужного металу, дигідроортофосфату амонію, триоксиду вольфраму, триоксиду молібдену та металічного молібдену, їх нагрівання при високих температурах, який відрізняється тим, що як карбонат лужного металу використовують карбонат літію, у суміш...

Номер патенту: 51285

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Бойчук Володимира Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, спосіб, p-типу, отримання, pbте, легованих, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 50176

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Андрій Дмитрович, Довгий Олег Ярославович, Нижникевич Володимир Всеволодович

МПК: C30B 11/02

Мітки: плівок, отримання, легованих, спосіб, p-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих плівок PbSe n- і р-типу методом випаровування у вакуумі вихідної речовини при ТВ, нагріванням додаткового джерела свинцю до ТД, стінок камери - до ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів BaF2 - до ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані талієм, які випаровують при ТВ=970 К, температура додаткового джерела - ТД=900 К, температура стінок...

Номер патенту: 50130

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Довгий Олег Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Павлюк Любомир Ростиславович, Матеїк Галина Дмитрівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: халькогенідів, значенням, плівок, великим, аргону, тонких, спосіб, рушійної, термоелектричної, отримання, атмосфери, сили, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок халькогенідів свинцю із великим значенням термоелектричної рушійної сили в атмосфері аргону, який полягає в тому, що плівки вирощують методом квазізамкнутого об'єму шляхом використання наперед синтезованої сполуки РbТе у вигляді порошку, випаровуванням цієї сполуки з наступним осадженням на підігріту підкладку із слюди, який відрізняється тим, що вирощування плівок здійснюють в атмосфері аргону при тиску...

Номер патенту: 50129

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Фреїк Андрій Дмитрович, Павлюк Любомир Ростиславович, Довгий Олег Ярославович, Рувінський Борис Маркович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: телуриду, спосіб, великими, плівок, отримання, атмосфери, свинцю, рухливостями, водню

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок телуриду свинцю із великими рухливостями в атмосфері водню, який полягає в тому, що плівки вирощують методом квазізамкнутого об'єму шляхом випаровування наперед синтезованої речовини і осадження пари на нагріті підкладки із слюди, який відрізняється тим, що плівки РbТе вирощують в атмосфері водню при тиску P(H2)=10-2-10 Па, температура випаровування наважки складає Тв=700-1100К, температура осадження плівок -...

Номер патенту: 50128

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Довгий Олег Ярославович, Фреїк Андрій Дмитрович, Галущак Мар'ян Олексійович, Калитчук Іван Васильович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: тонких, значенням, термоелектричної, сили, плівок, великим, спосіб, рушійної, атмосфери, кисню, халькогенідів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок халькогенідів свинцю із великим значенням термоелектричної рушійної сили в атмосфері кисню, який полягає в тому, що плівки вирощують методом квазізамкнутого об'єму шляхом використання напередсинтезованої сполуки РbТе у вигляді порошку, випаровуванням цієї сполуки з наступним осадженням на підігріту підкладку із слюди, який відрізняється тим, що вирощування плівок здійснюють в атмосфері кисню при тиску...

Номер патенту: 50113

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Калитчук Іван Васильович, Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Шперун Всеволод Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, сплавів, термоелектричних, спосіб, pbte-crte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів РbТе - СrТе, який полягає у тому, що сплав синтезують у графітових тиглях при температурах, вищих за температури плавлення вихідних речовини у атмосфері гелію при певному тиску, для приведення у рівноважний стан здійснюють гомонізуючий відпал при температурах, нижчих за температуру плавлення сплаву, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сполуки РbТе і СrТе, синтезовані із...

Номер патенту: 50000

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Данько Олександр Якович, Каніщев Василь Миколайович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Адонкін Георгій Тимофійович

МПК: C01F 7/02, C30B 29/20

Мітки: одержання, вирощування, корунду, шихти, монокристалів, розплаву, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання шихти для вирощування монокристалів корунду із розплаву, який включає завантаження порошку глинозему у камеру печі, його нагрів зверху і плавлення в гарнісажі, роздрібнення продукту плавки, який відрізняється тим, що в порошок глинозему додають 0,4...0,6 ваг. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, порошок глинозему перед сплавленням прожарюють у газовому середовищі на основі монооксиду вуглецю при тиску...

Номер патенту: 50323

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна, Лопатинський Іван Євстахович, Ільчук Григорій Архипович, Будзан Богдан Борисович

МПК: C30B 25/08

Мітки: монокристалів, cdte, вирощування, реактор, замкнутому, об'ємі, парофазного

Формула / Реферат:

Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, який відрізняється тим, що один з кінців ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішнього боку приєднаний хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули тепловідвідний стержень з елементами фіксації.

Номер патенту: 50039

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Литвинов Леонід Аркадійович, Гриньов Борис Вікторович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C01B 31/06, C30B 29/04

Мітки: спосіб, синтезу, алмазу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу алмазу, який включає осадження атомів вуглецю із середовища, що містить вуглець, у розплаві металу-каталізатора, який відрізняється тим, що як метал - каталізатор використовують метали з анізотропією швидкості кристалізації, аналогічною анізотропії швидкості кристалізації алмазу, і не взаємодіючи з вуглецем, осадження ведуть в умовах градієнту температур на запалювальні кристали алмазу.

Номер патенту: 50048

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович, Калитчук Іван Васильович, Кланічка Володимир Михайлович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, спосіб, термоелектричних, сплавів, gd2te3

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів PbTe-Gd2Te3, який полягає у тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи Gd і Те (2:3) та сплав PbTe,...

Номер патенту: 49563

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Лісняк Владислав Владиславович, Слободяник Микола Семенович, Стратійчук Денис Анатолійович

МПК: C30B 1/00, C01G 41/00

Мітки: отримання, спосіб, бронз, вольфрамових, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів вольфрамових бронз, який передбачає змішування вихідних порошкоподібних компонентів, які містять порошки вищого оксиду вольфраму та металічного вольфраму, здійснення їх синтезу при високих температурах, який відрізняється тим, що в процесі синтезу при високих температурах як флюс використовують принаймні один з евтектичних хлоридних розплавів лужних металів LiCl - K(Rb)Cl в кількості не менше 10-15 % від...

Номер патенту: 49479

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Немчин Олександр Федорович, Оксанич Анатолій Петрович, Аніщенко Сергій Євгенович, Слюсаренко Оксана Олександрівна, Падалко Віктор Григорович, Притчин Сергій Емільович, Ларкін Сергій Юрійович, Третьяков Олег Вальтерович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, монокристала, здійснення, спосіб, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, що включає відбір відеокамерою зображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що з аналізу зазначеного відеозображення додатково одержують дані про діаметр злитка і параметри меніска, визначають дані про зміни температури розплаву, що обумовлюють зміни швидкості...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Бакалець Ігор Павлович, Шульга Юрій Григорович

МПК: B28D 5/00, C30B 33/00

Мітки: вуглецю, заданою, частини, спосіб, кремнію, концентрацією, зливка, вирощеного, домішки, монокристала, виділення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Номер патенту: 49341

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Кудрявцев Дмитро Петрович, Оселедчик Юрій Семенович, Світанько Микола Вікторович, Просвірнін Андрій Леонідович

МПК: C30B 17/00

Мітки: легованого, лантаноїдами, стронцію, sr4b14, кристалу, вирощування, борату, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалу борату стронцію Sr4B14O25, легованого лантаноїдами, який включає приготування шихти стехіометричного складу з SrO і В2О3, узятих в молярному відношенні 1:2, розплавлення її, наступне охолодження і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять легуючі домішки у вигляді окислу лантаноїду RЕ2О3 в кількості

Номер патенту: 49104

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Самохвалов Володимир Олександрович

МПК: C30B 15/20

Мітки: діаметра, вирощуваного, монокристала, контролю, спосіб, кремнію, розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву, що включає регулювання температурних і швидкісних параметрів процесу вирощування за допомогою системи автоматичного регулювання діаметра, що має у своєму складі оптичний датчик з чутливим елементом, за допомогою якого реєструють зміну напрямку випромінювання від меніска стовпчика розплаву в підкристальній області під час вирощування монокристала, і визначення моменту...

Номер патенту: 48542

Опубліковано: 15.08.2002

Автор: Турок Іван Іванович

МПК: C30B 15/32

Мітки: пристрій, кристалів, вирощування, розплаву, витягуванням

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалів витягуванням з розплаву, який включає затравкотримач, виконаний з можливістю вертикального переміщення і обертання навколо повздовжньої oсі з розміщеним в його нижній частині затравочним кристалом і гнучким пристосуванням для кріплення верхньої частини затравкотримача коаксіально до вузла, відповідального за обертання та переміщення, який відрізняється тим, що гнучке пристосування виконано в вигляді...

Номер патенту: 48790

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Дуднік Олена Федірівна, Коломоєць Ганна Генадіївна

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00

Мітки: отримання, кадмію, нітрату, безводного, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів нітрату кадмію безводного, що включає використання нітрату кадмію чотириводного Cd (NО3)2 4Н2О, який відрізняється тим, що як розчинник використовують концентровану азотну кислоту, за допомогою якої готують насичений розчин Cd (NО3)2 в азотній кислоті, а вирощування проводять з цього розчину методом спонтанної кристалізації при кімнатній температурі.

Номер патенту: 47988

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Оксанич Анатолій Петрович, Третьяков Олег Вальтерович, Петренко Василь Радиславович, Притчин Сергій Емільович, Слюсаренко Оксана Олександрівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: спосіб, монокристала, здійснення, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, у тому числі параметрами його меніска, що включає відбір відеокамерою відеозображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що сформовані відеокамерою відеосигнали перетворюють у цифрову форму з прив'язкою до показника яскравості, розподіляють по кольорах і...

Номер патенту: 47846

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Коваль Юрій Миколайович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: пристрій, профільованих, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів, що містить тигель із розміщеним у ньому пучком капілярів і розташованим на його торці формоутворювачем, який складається із зовнішнього і внутрішнього елементів із капілярним зазором між ними, який відрізняється тим, що зовнішній і внутрішній елементи формоутворювача виконані у вигляді циліндричних ступінчастих втулок, вставлених одна в другу з капілярним зазором, що має дві вертикальні...

Номер патенту: 47929

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Вишневський Віктор Георгійович, Недвига Олександр Степанович, Прокопов Анатолій Романович

МПК: C30B 19/00

Мітки: плівок, спосіб, методом, рідиннофазної, феритових, вирощування, епітаксії

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалічних феритових плівок методом рідиннофазної епітаксії, який включає підготовку шихти, гомогенізацію розчину-розплаву, нарощування на підкладку плівки, звільнення її від залишків розплаву, який відрізняється тим, що застосовується сушіння компонентів шихти в сушильній НВЧ-установці протягом 30-60 хв., а епітаксійний процес проводиться при торканні робочою поверхнею підкладки розчину-розплаву.

Номер патенту: 31415

Опубліковано: 17.06.2002

Автори: Смоляр Анатолій Сергійович, Архіпов Олександр Петрович, Малоштан Сергій Миколайович, Куц Віктор Олексійович, Развадовський Микола Альозійович, Гурін Володимир Григорович, Бархоленко Вячеслав Олександрович, Свято Василь Петрович, Климович Андрій Профирович

МПК: C30B 28/00, C01B 13/14, C30B 29/16 ...

Мітки: матеріалів, кристалічних, переважно, спосіб, оксидних, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу кристалічних матеріалів, переважно оксидних, згідно з яким вихідну шихту розміщують у газовому середовищі при надкритичних значеннях тиску і температури, який відрізняється тим, що використовують газове середовище з щільністю не менш 0,4 значення щільності цього середовища у рідкому стані.

Номер патенту: 46145

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Маковський Валерій Георгієвич, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Повстяний Володимир Григорович, Куликовський Едуард Володимирович, Клевець Сергій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: матеріалу, пристрій, повторного, тигель, завантаження

Формула / Реферат:

1. Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель, що включає резервуар, підтримуючі елементи, розташовані в нижньому торці резервуара, і вузол кріплення резервуара до механізму переміщення, який відрізняється тим, що додатково містить фіксуюче кільце, що розташовано зовні резервуара і жорстко зв'язано з ним, при цьому резервуар постачено днищем, що відчиняється, а вузол кріплення резервуара виконано у вигляді послідовно з'єднаних...

Номер патенту: 46282

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Матеїк Галина Дмитрівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: твердих, основі, отримання, розчинів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання твердих розчинів на основі SnTe, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, методом ступінчатого нагріву синтезують, витримують при максимальній температурі, після чого охолоджують до кімнатної, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи напівпровідникової чистоти, співвідношення яких відповідає твердому розчину...

Номер патенту: 46281

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Никируй Любомир Іванович, Межиловська Любов Йосипівна, Довгий Олег Ярославович, Іванишин Ірина Мирославівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: основі, отримання, сплавів, термоелектричних, спосіб, сполук

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі сполук АIVВIV, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи, співвідношення...

Номер патенту: 46202

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Кисіль Іван Іванович, Васецький Сергій Іванович, Ляхов Віктор Васильович, Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: розплаву, пристрій, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів із розплаву, що містить ростову камеру, розташовані в ній тигель для розплаву, обладнаний бічним і донним нагрівачами, встановлений над камерою росту бункер із вихідною сировиною, сполучений транспортною трубкою з рідкофазним живильником, який має тигель для розплаву, яким підживлюють, автономний нагрівач і зливальну трубку, введену крізь дно зазначеного тигля, шток кристалотримача, введений через кришку...

Номер патенту: 46429

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: C30B 11/00, C30B 11/08

Мітки: основі, розчину, матеріал, монокристалічного, оптичний, zn1-xmgxse, твердого

Формула / Реферат:

Оптичний матеріал на основі монокристалічного твердого розчину Zn1-XMgХSe, який відрізняється тим, що концентрація Mg у кристалі становить 0,10х0,13.

Номер патенту: 46236

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Швець Евген Якович, Оселедчик Юрій Семенович, Просвірнін Андрій Леонідович, Світанько Микола Вікторович, Кудрявцев Дмитро Петрович

МПК: C30B 17/00

Мітки: діапазону, випромінювання, тривалості, імпульсів, ультрафіолетового, вимірювання, ультракоротких, спосіб, спектрального, лазерного

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання тривалості ультракоротких імпульсів лазерного випромінювання ультрафіолетового спектрального діапазону, який включає вимірювання тривалості кореляційної функції інтенсивності генерації другої гармоніки імпульсів лазерного випромінювання в нелінійному кристалі, який відрізняється тим, що як нелінійний кристал використовують кристал тетраборату стронцію.

Номер патенту: 46475

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Звягінцев Володимир Миколайович, Тавровський Ігор Ігоревич, Герасимчук Лариса Іванівна, Артеменко Максим Петрович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20

Мітки: росту, регулювання, пристрій, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів, що містить у собі електропривід кристалотримача, датчик рівня розплаву, з'єднаний з корегувальним регулятором та блоком керування підживлення, який з'єднано з живильником і блоком задання часових інтервалів через блок порівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, підключений до корегувального регулятора, обчислювальний блок, входи якого зв'язані з датчиком переміщення...

Номер патенту: 46511

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Налівкін Михайло Олексійович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: вісмут-сурма, зливка, вирощування, сплавів, кристалів, уздовж, розподілом, неоднорідним, спосіб, компонентів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів сплавів вісмут-сурма з неоднорідним розподілом компонентів уздовж зливка, у якому живлення розплаву здійснюють шляхом введення у розплав зливка сурми, який відрізняється тим, що розплав підживлюють твердою сурмою із змінною швидкістю від 0,56 до 0,5 мм/хв., концентрацію сурми у розплаві змінюють від 0,1 до 6,62 ат. %, а температуру на фронті кристалізації підвищують від 272°С до 300°С.

Номер патенту: 46309

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Циганаш Віктор Євграфович, Косенко Анатолій Григорович, Рибалко Сергій Борисович, Ковалевський Сергій Вадимович

МПК: C30B 31/00, H01L 31/02

Мітки: пристрій, легування, електроіскрового

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить електромагнітний вібратор, випрямляч, ємнісний накопичувач, зв'язаний через транзистор з робочим проміжком, а в ланцюзі живлення котушки вібратора встановлений потенціометр, напруження з якого через елемент затримки подається на базу ключового транзистора накопичувача, який відрізняється тим, що в пристрій введені трансформатор струму, електронний ключ із затримкою на розмикання,...

Номер патенту: 45110

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Бондар Валерій Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 15/36

Мітки: монокристалів, ортосилікату, вирощування, гадолінію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію методом Чохральського в інертному середовищі з доданням кисню на запал, орієнтовану вздовж певного кристалографічного напряму, з подальшим охолоджуванням в умовах осьового температурного градієнта, що не перевищує 10 град/см, яким відрізняється тим, що використовують запал, орієнтовану вздовж кристалографічного напряму Х, а температурний градієнт забезпечують відкачкою ростової камери до...

Номер патенту: 43996

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 11/02

Мітки: телуриду, спосіб, gete-agsbte2, системі, твердих, германію, розчинів, основі, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання твердих розчинів на основі телуриду германію в системі GeTe-AgSbTe2, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і...

Номер патенту: 43995

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Шперун Всеволод Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович, Іванишин Ірина Мирославівна, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: розчинів(gete)1-x(agsbte2)x, отримання, спосіб, твердих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання твердих розчинів (GeTe)1-х(AgSbTe2)x, який полягає в тому, що вихідні речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до...