C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 116113

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Димшиц Ольга Сєргєєвна, Жилін Алєксандр Алєксандровіч

МПК: C30B 29/20, A44C 27/00, C03C 10/12 ...

Мітки: термостійкий, ювелірний, матеріал, синтетичний

Формула / Реферат:

1. Термостійкий синтетичний ювелірний матеріал, який містить:композиційний нанокристалічний матеріал, що має нанорозмірні оксидні та силікатні кристалічні фази, причому цей композиційний нанокристалічний матеріал містить:щонайменше одну кристалічну фазу, що вибрана з групи, яка складається з: шпінелі, кварцоподібних фаз, сапфірину, енстатиту, петалітоподібної фази, кордієриту, вілеміту, циркону, алюмотитанатів магнію, рутилу,...

Номер патенту: 122646

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Тинкевич Олена Олександрівна, Окрепка Галина Михайлівна, Халавка Юрій Богданович

МПК: C01G 11/00, C30B 7/00

Мітки: кадмію, колоїдного, нанокристалів, телуриду, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб колоїдного синтезу нанокристалів кадмію телуриду високої концентрації шляхом змішування прекурсорів кадмію та телуру в присутності стабілізуючого ліганду, який відрізняється тим, що як прекурсор телур використовують свіжоприготовлений розчин політелуридів, який отримують шляхом пропускання гідрогену телуриду через 1М водний розчин натрію гідроксиду, рН якого варіюється в межах 8-12, до зміни забарвлення розчину на фіолетове.

Номер патенту: 115873

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Цибуленко Вадим Володимирович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Боскін Олег Осипович

МПК: H01L 21/208, C30B 19/00, H01L 21/20 ...

Мітки: епітаксії, очищення, змочування, підкладки, фазі, спосіб, розчину-розплаву, рідинної

Формула / Реферат:

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази, що полягає у змочуванні підкладки розчином-розплавом, на який діє сила тяжіння, способом зміщення слайдера касети, який утримує підкладку, між комірками, що заповнені розчинами-розплавами, і очищенні підкладки від розчину-розплаву, який відрізняється тим, що при змочуванні на розчин-розплав додатково діють силою Ампера, яку викликають тим, що по...

Номер патенту: 122252

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Турко Борис Ігорович, Парандій Петро Петрович, Топоровська Лілія Романівна, Серкіз Роман Ярославович

МПК: C01B 33/00, C30B 29/06, B82B 3/00 ...

Мітки: спосіб, фотокаталізатора, отримання, композитного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання композитного фотокаталізатора, за яким з розчину реагентів вирощують наноструктури ZnO з n-типом електропровідності на шарі зародків ZnO з n-типом електропровідності, що міститься на поруватому кремнії з р-типом електропровідності, який відрізняється тим, що як наноструктури використовують наноквіти ZnO з розвиненою поверхнею.

Номер патенту: 115688

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Тіщенко Ігор Юрійович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/04

Мітки: виготовлення, кремнієвих, спосіб, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин, що включає розрізання з припуском квадратованого чи псевдоквадратованого зливка монокристалічного чи мультикристалічного кремнію на пластини з припуском та видалення припуску з торцевих поверхонь пластини шляхом обробки за допомогою високоенергетичного вузьконаправленого газового потоку, який відрізняється тим, що при видаленні припуску одночасно на торцевій поверхні формують фаску, при цьому...

Номер патенту: 121322

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Розанцев Георгій Михайлович, Радіо Сергій Вікторович, Марійчак Олександра Юріївна

МПК: C01G 41/00, C30B 29/32

Мітки: поліоксовольфраматів, одержання, спосіб, лантаноїд(ііі)-вмісних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалічних солей лантаноїд(III)-вмісних поліоксовольфраматів із аніоном зі структурою Пікока-Уіклі, що включає послідовне додавання розчинів натрію вольфрамату, нітратної кислоти й лантаноїду нітрату у стехіометричному відношенні, який відрізняється тим, що проводиться висолювання дією апротонного розчинника ацетону, витримування розчину з кристалами у щільно закритій хімічній склянці за 6 °C упродовж 48 годин,...

Номер патенту: 115607

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Андрєєв Євген Петрович, Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Олександр Євгенійович, Гайдук Андрій Ігоревич

МПК: B23K 28/00, C30B 35/00, C30B 15/34 ...

Мітки: кристалічних, спосіб, деталей, з'єднання

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання сапфірових деталей, що включає розташування деталей відносно один одного з капілярним зазором між контактними поверхнями, подачу розплаву в зону з'єднання та подальшу кристалізацію контактної зони, який відрізняється тим, що подача розплаву в зону з'єднання здійснюють з поверхні краплі розплаву, яку створюють в поглибленні на торці утримувача, форма і розмір якого збігаються з конфігурацією контактної зони, а об'єм краплі...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00, C30B 13/04 ...

Мітки: розчинів, cu1-xagx)7ges5i, кристалізації, складу, твердих, розплаву-розчину, методом, спосіб, вирощування, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Горбенко Віталій Іванович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Павлик Богдан Васильович, Возняк Тарас Іванович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Федоров Олександр Григорович, Сідлецький Олег Цезаревич, Гриньов Борис Вікторович, Зоренко Юрій Володимирович, Герасимов Ярослав Віталійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Архіпов Павло Васильович

МПК: G01T 1/20, C30B 29/00, C09K 11/00 ...

Мітки: сцинтилятор, іонізуючих, випромінювань, комбінований, реєстрації

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Романенко Андрій Олександрович, Танько Аліна Вікторівна

МПК: C30B 29/20, C30B 11/02, C30B 11/14 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, тугоплавких, спрямовано, горизонтально, пристрій, оксидів, методом, кристалізації

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: спосіб, кристалізації, вирощування, методом, розплаву-розчину, cu7ges5i, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 119994

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Агарков Костянтин Володимирович, Коптєв Михайло Михайлович

МПК: C30B 15/10

Мітки: тигель, речовин, об`ємного, від'ємним, розширення, кристалів, вирощування, коефіцієнтом, температурним

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від'ємним температурним коефіцієнтом об'ємного розширення, виконаний у вигляді циліндра, пласке дно якого з'єднане з циліндричною боковою поверхнею по сферичній поверхні, який відрізняється тим, що бокова поверхня тигля виконана у вигляді хвилястого профілю.

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 29/46, C30B 11/02, C30B 1/06 ...

Мітки: кристалізації, методом, спрямовано, розплаву-розчину, спосіб, ag7ges5i, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Гордєєв Сергій Олексійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Бурченя Андрій Віталійович, Каленчук Віталій Анатолійович

МПК: C30B 7/00

Мітки: температури, монокристалів, алмазу, вирощування, термодинамічно, тиску, пристрій, високого, затравці, стабільності, області

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Ткаченко Сергій Анатолійович, Архіпов Павло Васильович, Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Евгеній Петрович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: вирощування, тиглів, наплавлення, сировиною, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Номер патенту: 118819

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Павлюк Олексій Вікторович, Лук'янов Михайло Юрійович, Миськів Мар'ян Григорович, Сливка Юрій Іванович

МПК: C30B 7/12

Мітки: сполук, синтезу, монокристалів, іонних, спосіб, купрум(і)-олефінових, координаційних

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу іонних p-комплексів купруму(І), що включає проведення електрохімічного відновлення солей купруму(ΙΙ) на мідних електродах в присутності органічного ліганду в розчиннику з одночасним окисненням міді з мідних електродів до купруму(І), який відрізняється тим, що електрохімічне відновлення проводять у двофазній суміші, що містить водний або метанольний розчин солі купруму(ІІ) та ацетонітрильний або толуеновий розчин...

Номер патенту: 118459

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Маслюк Володимир Трохимович, Зімич Андрій Іванович, Хвищун Микола В'ячеславович, Луньов Сергій Валентинович

МПК: C30B 33/04, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: отримання, мікросенсора, спосіб, магніточутливого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора, що включає одержання напівпровідникового домішкового монокристалу, піддавання його ізотермічному відпалу та з'єднання після охолодження до кімнатної температури з двома парами контактів, який відрізняється тим, що домішковий монокристал виготовляють з речовини n-типу провідності, та додатково опромінюють його потоком високоенергетичних електронів, а ізотермічний відпал здійснюють після...

Номер патенту: 114804

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Козьмін Юрій Семенович, Тонкошкур Володимир Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Будаковський Сергій Валентинович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: вирощування, спосіб, розплаву, ампулі, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування органічних монокристалів з розплаву в ампулі, що включає кристалізацію речовини в ампулі при її безперервному опусканні униз у вертикальній площині двозонної печі, розділеної діафрагмою на дві камери, в якій нагрівання речовини здійснюють тепловим вузлом, що складається з верхнього та нижнього нагрівачів, причому в ампулі підтримують постійне положення фронту кристалізації шляхом корекції температури нагрівачів...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: bi2se3, феромагнітними, шаруватих, основі, напівпровідникових, bi2te3, спосіб, одержання, кімнатний, температури, матеріалів, властивостями, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: C30B 11/00, H01L 31/00

Мітки: характеристик, детекторів, основі, спосіб, рідкому, виготовлення, підвищення, переходом, рентгенівського, середовищі, імпульсами, багатократним, лазера, cdznte, опроміненням, гамма-випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/00, C30B 11/00

Мітки: лазера, напівпровідників, а2в6, деформаційними, елементами, поверхневого, середовищі, групи, легування, спосіб, твердофазного, ударними, шару, імпульсами, наносекундними, хвилями, рідкому, генерованими

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Номер патенту: 114692

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Юрченко Антон Миколайович, Воронов Олексій Петрович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/04, C30B 7/00 ...

Мітки: дигідрофосфату, орієнтованих, спосіб, монокристалів, літію, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату, що включає приготування вихідного водного розчину літію дигідрофосфату з ортофосфорною кислотою, підготування та встановлення в ростовій камері затравки, заповнення кристалізатора вихідним розчином, доведення вихідного розчину до стану насичення, вирощування монокристала при постійному відносному пересиченні, який відрізняється тим, що у готовому вихідному водному розчині...

Номер патенту: 117157

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Сімейко Костянтин Віталійович, Дмітрієв Валерій Максимович, Бондаренко Борис Іванович, Кожан Олексій Пантелеймонович

МПК: B01J 8/42, B01J 19/14, B01J 8/18 ...

Мітки: шарі, високотемпературних, реактор, псевдозрідженому, процесів

Формула / Реферат:

Реактор для високотемпературних процесів у псевдозрідженому шарі, що включає зовнішній циліндричний корпус з теплоізоляцією, в якому встановлено реакційну камеру з псевдозрідженим шаром, у верхній частині якої співвісно встановлений рухомий електрод, а у нижній - повітряна камера з газопровідними трубками та газорозподільними ковпачками, який відрізняється тим, що він оснащений нагрівальною камерою з нагрівним елементом, розміщеним всередині...

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Звєрєва Віра Сергіївна, Рибалка Ірина Анатоліївна

МПК: C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/46 ...

Мітки: спосіб, шихти, цинку, селеніду, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Мирончук Галина Леонідівна, Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович, Коровицький Андрій Михайлович, Махновець Ганна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: основі, кристалів, спосіб, фоторезисторів, tlinse2, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Горгут Галина Петрівна, Влох Ростислав Орестович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, 0,200, отримання, 0,167, x=0,333, agxgaxge1-xse2, монокристалів, 0,250

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Дяденчук Альона Федорівна, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00, C30B 29/06 ...

Мітки: отримання, нанорозмірного, кремнію, сонячних, елементів, поруватого, кремнії, спосіб, використанням, монокристалічному

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Номер патенту: 116463

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Оптасюк Сергій Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Борук Сергій Дмитрович, Тріщук Любомир Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Серпак Наталія Федорівна

МПК: C30B 29/46, C30B 7/00

Мітки: колоїдних, високочистих, нанокристалів, телуриду, синтезу, кадмію, спосіб, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду, який включає синтез нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, причому як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6.10-2-1,15.10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що до отриманого водного колоїдного розчину нанокристалів кадмію...

Номер патенту: 116091

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Жартовський Олександр Володимирович, Кривунь Валентина Степанівна

МПК: C30B 30/00

Мітки: продуктів, вихідних, спосіб, нових, речовин, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нових речовин з вихідних продуктів, що включає подачу інгредієнтів, нагрівання та осадження інгредієнтів з парової фази, який відрізняється тим, що на металеві поверхні, оброблені з шорсткістю 25…3,2 мкм, розташовані паралельно одна напроти одної, наносять суміш вихідних продуктів у вигляді пасти, поверхні зближують до дотику, пропускають імпульсний електричний струм, поверхні нагрівають до температури не вище температури...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgcl3, спосіб, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Номер патенту: 116034

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, матеріалу, отримання, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять індій та телур, синтез напівпровідникового матеріалу, вирощування кристалів з нього методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів вводять кадмій, у співвідношенні, яке визначають стехіометричним складом напівпровідникового матеріалу Cd3In2Те6,...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, tl3pbі5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тl3рbвr5, монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, тlpbi3, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115794

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Терзін Ігор Сергійович, Коваленко Назар Олегович, Капустник Олексій Костянтинович

МПК: C30B 11/00

Мітки: ізовалентною, елементів, легованого, розчину, основі, матеріал, активних, заліза, іч-лазерів, телуриду, монокристалічний, кадмію-марганцю, домішкою, твердого

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза, Cd1-xMnxTe:Fe2+, який відрізняється тим, що концентрація марганцю у твердому розчині складає 0,45<х<0,77.

Номер патенту: 115640

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Коваленко Назар Олегович, Долженкова Олена Федорівна, Костенюкова Олена Ігоревна, Безкровна Ольга Миколаївна, Притула Ігор Михайлович

МПК: C30B 7/00

Мітки: спосіб, калію, вирощування, кристалів, дигідрофосфату, допованих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію, який включає приготування розчину солі дигідрофосфату калію, додавання домішки амінокислоти L-аргінін у розчин, виготовлення та встановлення затравки, заливку розчину у кристалізатор, вирощування кристала при реверсивному перемішуванні розчину 60-80 об./хв, який відрізняється тим, що домішку додають у розчин в концентрації 0,3-1,4 мас. %, а вирощування кристала ведуть методом...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgbr3, спосіб, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 1/00

Мітки: монокристалу, одержання, спосіб, ga5,94ln3,96er0,1se15

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна, Данилюк Ірина Вікторівна, Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 1/00

Мітки: ga5,46ln4,47er0,07s15, одержання, спосіб, монокристалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Танько Аліна Вікторівна, Баранов В'ячеслав Валерійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 29/20, C30B 11/14, C30B 11/02 ...

Мітки: спрямовано, тугоплавких, оксидів, горизонтально, методом, вирощування, спосіб, кристалізації, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...