Патенти з міткою «кристалів»

Номер патенту: 15263

Опубліковано: 15.06.2006

Автор: Кравченко Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00, C22B 9/02

Мітки: кристалів, очищених, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання очищених кристалів, який включає формування кристала й створення в ньому принаймні однієї розплавленої зони, що не повністю займає його поперечний переріз, який відрізняється тим, що формування кристала ведуть шляхом дистиляції речовини з конденсацією в температурному градієнті.

Номер патенту: 12441

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Недвига Олександр Степанович, Шумілов Олексій Геніович, Прокопов Анатолій Романович, Дубінко Сергій Володимирович

МПК: C30B 29/28, C30B 33/00

Мітки: травлення, ферит-гранатових, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб травлення ферит-гранатових кристалів, що включає травлення бракованого ферит-гранатового шару до повного його видалення, який відрізняється тим, що підкладку з гадоліній-галієвого граната піддають травленню у відпрацьованому розчині-розплаві в який додають окисли ВаО і В2О3, при цьому  близько до 1 - при температурі 760-790°С і швидкості підбурення 0,4-0,6...

Номер патенту: 6610

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Луцький Денис Валерійович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/00

Мітки: сурма-вісмут, кристалів, розподілом, уздовж, кристала, розчинів, вісмуту, регульованим, неоднорідним, твердих, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів сурма-вісмут з регульованим неоднорідним розподілом вісмуту уздовж кристала, який полягає у тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок вісмуту вводять у розплав сурми зі швидкістю від 0,1 до 0,3 мм/хв, при цьому рівень розплаву в тиглі не змінюють, а температуру на фронті кристалізації в процесі росту зменшують від...

Номер патенту: 71914

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Матвіїв Мирон Васильович, Луців Роман Васильович

МПК: C30B 28/00, C30B 30/00, C30B 9/00 ...

Мітки: основі, спосіб, ртуті, кристалів, напівпровідникових, отримання, халькогенідів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті методом твердотільної рекристалізації, який містить відпал в кварцевій ампулі полікристалічної матриці, який відрізняється тим, що відпал проводять у присутності порошку матеріалу матриці і активованого вугілля, що заповнює весь вільний простір ампули.

Номер патенту: 71915

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Кревс Віктор Євгенович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: C30B 28/00, C30B 30/00

Мітки: реалізації, кристалів, отримання, спосіб, розплаву, напівпровідникових, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву, що включає компоновку кварцевої ампули, синтез і вирощування направленою кристалізацією, який відрізняється тим, що при компоновці ампули здійснюють завантаження твердих компонентів шихти роздільно від рідких компонентів, причому тверді компоненти завантажують у першу чергу, відкачування ампули проводять при розділених у просторі рідких і твердих компонентах, а після досягнення...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалів, контейнер, напівпровідникових, термообробки

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Номер патенту: 3531

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Островський Ігор Петрович, Лях Наталія Степанівна, Дружинін Анатолій Олександрович, Матвієнко Сергій Миколайович

МПК: G01N 25/00

Мітки: кристалів, коефіцієнта, спосіб, визначення, ниткоподібних, термо-е.р.с

Формула / Реферат:

Спосіб визначення коефіцієнта термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів, що включає виготовлення чотирьох точкових контактів до ниткоподібного кристала, створення градієнта температури між двома контактами пропусканням стабілізованого струму розігріву, вимірювання термо-е.р.с., визначення температури гарячого і холодного кінців ниткоподібного кристала та визначення коефіцієнта термо-е.р.с. як відношення термо-е.р.с. до градієнта температури, який...

Номер патенту: 3528

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Алешкевич Олег Володимирович, Мануковський Володимир Михайлович

МПК: B28D 5/00

Мітки: пристрій, кристалів, розпилювання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для розпилювання кристалів, що містить плиту, на якій шарнірно встановлена стріла з засобами для кріплення кристала або його фрагмента та механізм подання кристала до розпилювального диска у вигляді гвинтового механізму, встановленого між плитою і стрілою, а також шпиндель для кріплення розпилювального диска, кінематично з'єднаний з рушієм, який відрізняється тим, що механізм подання кристала до розпилювального диска доповнений...

Номер патенту: 68293

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Маслов Володимир Петрович, Кисельов Віталій Семенович, Авраменко Сергій Федорович, Саворовський Федір Григорович

МПК: H01L 21/205, H01L 21/36

Мітки: карбіду, кристалів, зливків, кремнію, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування зливків монокристалів карбіду кремнію, що включає завантаження в графітовий реактор порошку сировини карбіду кремнію, закріплення на графітовому тримачі затравочного кристала карбіду кремнію, вакуумування, напуск інертного газу, нагрівання вихідного матеріалу до температури сублімації карбіду кремнію 22502350°С, а затравочного кристала - до температури...

Номер патенту: 66832

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Грюненберг Альфонс, Валь Карл-Хайнц, Фогес Клаус-Петер

МПК: C07D 209/88

Мітки: стійка, спосіб, рематробану, композиція, модифікація, фармацевтична, раматробану, кристалів, стійкої, термодинамічно, форми, одержання, затравочних

Формула / Реферат:

1. Термодинамічно стійка модифікація І раматробану, яка відрізняється тим, що вибрана з групи,  що має: (а) температуру плавлення 151°С (ДСК, 2 К∙хвилину-1), (б) рентгенівську дифрактограму, що має відображення при 10.1, 12.0 і 19.8 (2 тета), (в) ІК-спектр, що має максимуми піків при 3338 см-1, 1708 см-1 і 1431 см-1, (г) 13С-ЯМР-спектр (твердий стан), що має максимуми піків при 107.9 м.д., 118.2 м.д. і 135.0...

Номер патенту: 65074

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: селеніду, цинку, кристалів, спосіб, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів селеніду цинку, що включає їх відпал у парі легуючої домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі Cd при температурі 550-650°С.

Номер патенту: 65010

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович, Демич Микола Васильович

МПК: H01L 21/477

Мітки: кристалів, обробки, поверхні, cd1-xznxte, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів Cd1-хZnxTe з , що включає механічне та хімічне полірування напівпровідникових підкладинок, який відрізняється тим, що підкладинку додатково відпалюють на повітрі при температурі 520±50°С протягом 10±2хв.

Номер патенту: 63945

Опубліковано: 16.02.2004

Автор: Акимов Сергій Васильович

МПК: C30B 29/16, C30B 15/00

Мітки: одержання, сполук, спосіб, оксидних, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів оксидних сполук, який включає нагрів вихідної шихти, уведення в отриманий при нагріві розплав орієнтованого затравочного кристала, обертання та витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що перед нагрівом вихідну шихту піддають гідротермічній обробці.2. Спосіб по п. 1, який відрізняється тим, що максимальна температура нагріву вихідної шихти не перевищує температуру плавлення...

Номер патенту: 64223

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Дроздовська Аліса Акимівна, Сухомлінов Юрій Олексійович, Фіалко Олександр Йосипович, Шевченко Микола Борисович

МПК: B01F 5/00, C01B 31/06

Мітки: метастабільних, спосіб, кристалів, вирощування, синтезу, алмазу

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу і вирощування метастабільних кристалів алмазу з вуглецевмісного газу при високій температурі з використанням періодичних імпульсів температури тривалістю від 10-5 до 1 с і проміжками між імпульсами тривалістю від 10-5 до 1 с, який відрізняється тим, що синтез і вирощування метастабільних кристалів алмазу відбувається у кавітаційно-флуктуаційному реакторі, до якого подається водний розчин під початковим тиском 100-1000 ат і...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: аiibvi, кристалів, вирощування, тигель

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Номер патенту: 62650

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Демич Микола Васильович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: cd1-xznxte, спосіб, кристалів, провідності, компенсації

Формула / Реферат:

Спосіб компенсації провідності кристалів Cd1-xZnxTe з 0 £ x £ 0,1, що включає легування з парової фази, який відрізняється тим, що кристал легують оловом з парової фази при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 61223

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Світанько Микола Вікторович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Просвірнін Андрій Леонідович, Оселедчик Юрій Семенович

МПК: C30B 17/00

Мітки: вирощування, стронцію, sr4b14o25, спосіб, кристалів, борату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів борату стронцію Sr4B14O25, який включає приготування шихти з SrO і В2O3, розплавлення її з наступним охолодженням і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять В2О3 у кількості 64 - 65 mol%.

Номер патенту: 42618

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Ременюк Петро Іванович, Сушко Володимир Георгійович, Новиков Микола Миколайович, Теселько Петро Олексійович

МПК: G01N 23/20

Мітки: структурної, кристалів, оцінки, спосіб, інтегральної, досконалості

Формула / Реферат:

Спосіб інтегральної оцінки структурної досконалості кристалів, що полягає в реєстрації рентгенівської дифрактограми та визначенні ступеня досконалості кристала з відношення інтенсивностей розсіяння променів, який відрізняється тим, що від поверхні досліджуваного кристала записують трикристальну рентгенівську дифрактограму по методу Брегга в області кута повороту зразка a, при якому роздільно спостерігають дифузний та головний максимуми...

Номер патенту: 59383

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Буш Френк Роберт, Аренсон Деніел Рей, Расаді Біджан, Хаусбергер Енжела Керол Гетлін

МПК: A61K 31/40, A61K 31/41, A61K 31/33 ...

Мітки: лікування, спосіб, одержання, композиція, кристалів, варіанти, психозів, зипразидону, великих

Формула / Реферат:

1. Композиція, яка містить частинки кристалічного зипразидону у вигляді вільної основи або кристалічного зипразидону гідрохлориду, що мають середній розмір частинок, який дорівнює або менший ніж 85 мкм, та фармацевтично прийнятний розріджувач або носій.2. Композиція згідно з п. 1, де згадана композиція містить моногідрат гідрохлориду зипразидону.3. Композиція згідно з п. 1, де згаданий середній розмір частинок дорівнює або...

Номер патенту: 58291

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Павлов Сергій Миколайович, Ярощук Олег Васильович, Добровольський Андрій Миколайович, Кравчук Руслан Миколайович, Гончаров Олексій Антонович, Проценко Іван Макарович

МПК: G02F 1/13

Мітки: однорідної, спосіб, рідких, орієнтації, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб однорідної орієнтації рідких кристалів (РК) шляхом опромінення орієнтуючого шару корпускулярним пучком, похилим до підкладки, який відрізняється тим, що опромінення проводять пучком плазми з параметрами, що лежать у межах: кут опромінення  = 20 - 85°, час опромінення  = 10 с - 5 хвил.,...

Номер патенту: 57432

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Пуга Павло Павлович, Турок Іван Іванович

МПК: C30B 15/00

Мітки: витягуванням, вирощування, кристалів, спосіб, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів витягуванням з розплаву на монокристалічну затравку, що включає розплавлення речовини в тиглі, видалення газових включень з розплаву, затравлення та формування власне кристалу, який відрізняється тим, що після розплавлення речовини перед затравленням проводять направлену кристалізацію розплаву від дна тигля до поверхні і повторно розплавляють.

Номер патенту: 56211

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Бобир Василь Іванович, Горілецький Валентин Іванович, Літічевський Маркс Ізраільович

МПК: B28D 5/04

Мітки: обробки, пристрій, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для обробки кристалів, що містить кристалотримач, рухому стійку з встановленими з можливістю обертання роликами, на які натягнута різальна нитка, блок управління, виходами зв'язаний з електроприводами обертання нитки і переміщення стійки, який відрізняється тим, що два ролики, що обгинають кристал, закріплені з можливістю обертання на кінцях штоків, що телескопічно вбудовані в горизонтальні ділянки стійки з можливістю одночасного...

Номер патенту: 53903

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/22

Мітки: виготовлення, кристалів, відокремлюючими, областями, приладів, кремнієвих, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими p+ областями, що включає створення в кремнієвій підкладці n-типу випрямних плоских р-n переходів дифузією, формування відокремлюючих p+ областей термоміграцією линійних зон на основі алюмінію, яка супроводжується дифузією алюмінію з пари в поверхню підкладки, створення інжектуючих р-n переходів, наступну однобічну пасивацію випрямних р-n переходів,...

Номер патенту: 51435

Опубліковано: 15.11.2002

Автор: Кравченко Олександр Іванович

МПК: C30B 15/00, C30B 13/00

Мітки: очищених, отримання, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання очищених кристалів, який включає витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що у витягуваному кристалі утворюють, принаймні одну розплавлену зону, яка не займає поперечний переріз кристала повністю.

Номер патенту: 51285

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Нижникевич Володимир Всеволодович, Бойчук Володимира Михайлівна, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Павлюк Любомир Ростиславович

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованих, кристалів, pbте, провідності, спосіб, отримання, p-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 48542

Опубліковано: 15.08.2002

Автор: Турок Іван Іванович

МПК: C30B 15/32

Мітки: витягуванням, розплаву, кристалів, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалів витягуванням з розплаву, який включає затравкотримач, виконаний з можливістю вертикального переміщення і обертання навколо повздовжньої oсі з розміщеним в його нижній частині затравочним кристалом і гнучким пристосуванням для кріплення верхньої частини затравкотримача коаксіально до вузла, відповідального за обертання та переміщення, який відрізняється тим, що гнучке пристосування виконано в вигляді...

Номер патенту: 46511

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Налівкін Михайло Олексійович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: сплавів, неоднорідним, розподілом, кристалів, зливка, уздовж, компонентів, вісмут-сурма, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів сплавів вісмут-сурма з неоднорідним розподілом компонентів уздовж зливка, у якому живлення розплаву здійснюють шляхом введення у розплав зливка сурми, який відрізняється тим, що розплав підживлюють твердою сурмою із змінною швидкістю від 0,56 до 0,5 мм/хв., концентрацію сурми у розплаві змінюють від 0,1 до 6,62 ат. %, а температуру на фронті кристалізації підвищують від 272°С до 300°С.

Номер патенту: 43506

Опубліковано: 17.12.2001

Автори: Паламарчук Володимир Володимирович, Галіновський Володимир Михайлович, Грудзина Володимир Адамович

МПК: B24B 9/06

Мітки: кристалів, верстат, обточки

Формула / Реферат:

Верстат для обточки кристалів, що складається з основи, передньої та задньої бабок, механізму переміщення та фіксації положення задньої бабки, який складається з зубчастої рейки і шестерні з рукояткою, механізму регулювання навантаження підтискання кристала, електроприводу з блоком регулювання частоти обертів, який відрізняється тим, що має як електропривід два електродвигуни, які розміщено та жорстко закріплено відповідно у передній та...

Номер патенту: 40269

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Островський Ігор Петрович, Варшава Славомир Степанович, Буджак Ярослав Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01N 25/18

Мітки: спосіб, параметрів, ниткоподібних, термоелектричних, кристалів, визначення

Формула / Реферат:

 Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів, що включає створення точкових контактів до ниткоподібного кристала, пропускання стабілізованого струму розігріву, вимірювання різниці потенціалів між контактами і визначення коефіцієнта термо-е.р.с., який відрізняється тим, що ниткоподібному кристалу надають форму хрестоподібного зростка з двох кристалів, до кінців якого і до середини зростка створюють контакти, а струм...

Номер патенту: 40268

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01R 31/00

Мітки: провідності, спосіб, кристалів, ниткоподібних, напівпровідникових, визначення, типу

Формула / Реферат:

Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...

Номер патенту: 944

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Мазур Юрій Михайлович, Данілов Олександр Михайлович, Мануковський Володимир Михайлович

МПК: B28D 5/00

Мітки: обточування, верстат, кристалів

Формула / Реферат:

   1. Верстат для обточування кристалів, що містить змонтовані на станині на одній осі передню бабку з електрошпинделем, оснащеним плаваючим патроном з оправкою, і задню бабку з електрошпинделем з оправкою, а також установлені між бабками по обидва боки від оправок ложемент з державкою і алмазом - різцем та шліфувальну головку з алмазним кругом, який відрізняється тим, що електрошпинделі виконані у вигляді керованих електроприводів, в яких...

Номер патенту: 38454

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Матвєєв Ігор Володимирович, Дрожжев Володимир Іванович, Гуров Валерій Петрович, Кравцов Анатолій Іванович, Степаніщева Діна Фатихівна, Сидоренко Сергій Андрійович, Шкурін Борис Миколайович, Завадовська Віра Миколаївна, Мішеньов Сергій Васильович

МПК: C01G 23/02

Мітки: трихлоридів, спосіб, змішаних, кристалів, одержання, титану, алюмінію

Текст:

...в тетрахлориді титану, яку направили на очистку технічного тетрахлориду ти тану від домішок. Реакційну здібність оцінювали за витратами змішаної солі на очистку технічного тетрахлориду титану від домішок, при цьому очищено 9000 кг технічного тетрахлориду. Витрата змішаної солі у перерахуванні на металевий алюміній склала 0,56 кг на 1 кг суми домішок у тетрахлориді титану. Коефіцієнт використання алюмінію складає 97,99%. Приклад 2. Змішану...

Номер патенту: 34468

Опубліковано: 15.03.2001

Автор: де Феліппіс Майкл Розаріо

МПК: A61K 38/28, A61K 38/16, A61K 33/30 ...

Мітки: парентерального, одержання, комплекс, кристалів, введення, інсуліну, комплексу, фармацевтична, варіанти, композиція, протаміну, спосіб, аналога, lysb28prob29-людського

Текст:

...приблизительно одинаковы. Однако, наиболее важно, что настоящая композиция повышает более быстро и остается стабильной в течение более длительного периода, чем инсулин-NPH. Это различие достаточно неожиданно с точки зрения быстродействующего профиля мономерного аналога. Особенно, предпочтительная композиция инсулиновый аналог-протамин, LysB28ProB29-человеческий инсулин-NPD, включает: LysB28ProB29человеческий инсулин, от 0,27 до 0,32 мг...

Номер патенту: 35091

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Турок Іван Іванович, Головей Вадим Михайлович

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, вирощування, склування, кристалів, схильних, речовин

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів речовин, схильних до склування, витягуваням з розплава, що включає відбір порції розплава шляхом занурення в нього нижньої частини кристалотримача, формування затравки і вирощування кристалічного буля, відрізняється тим, що затравку формують у склоподібному стані витягуванням на кристалотримач із переохолодженого розплава з послідуючим відривом; після чого підвищують температуру і піддають затравку...

Номер патенту: 32857

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Проц Лариса Анатолієвна, Коложварі Марія Василівна

МПК: C30B 15/30

Мітки: пристрій, розплаву, витягуванням, вирощування, кристалів

Текст:

...кристалу U~t , а його гори зонтальний переріз St , тигель з горизонтальним перерізом $І, , то для забезпечення постійності рівня розплаву по відношенню до нагріваючрго елементу необхідно тигель піднімати зі швидкістю Ол'—-fs—~ І . При перемінному перерізі тиглю відповідно повинна змінюватися і швид кість його піднімання. На початковій і кінцевій стадіях росту криста лу переріз його по висоті змінюється , що також вимагає зміни швидкості...

Номер патенту: 31862

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Турок Іван Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пристрій, вирощування, направленою, розплаву, кристалів, кристалізацією

Текст:

...3 розміщена пробка 5 з каналом для відбору кристалічного зародку 4. Пробка 5 знаходиться трохи вище верхнього зрізу вкладки, поскільки вихідна речовина в полікристздіічному стані займає об'єм більший ніж в розплаві. Працює пристрій слідуючим чином. Перед процесом вирощування встановлююсь об'єм трубчатої вкладки (форма ціліндра) та каналу для відбору кристалічного зародку (заповнюють водою та визначають її об'єм). В порожнині конгейнеру 1...

Номер патенту: 26696

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: ТЕЙСЕН Клаус Фрііс, ЮНКЕР Флемінг

МПК: C07K 14/00, A61K 38/27, C07K 1/14 ...

Мітки: катіонних, препарат, кристалів, фармацевтичний, спосіб, одержання, людини, росту, кристали, гормону

Формула / Реферат:

1. Способ получения катионных кристаллов гормона роста или производных гормона роста, отличающийся тем, что он включает следующие стадии:а) введение в раствор гормона роста или его производного катионов неорганической или органической природы при величине pH в пределах 5,0 - 6,8;б) выращивание кристаллов при температуре примерно от 0 до 30°C;в) выделение упомянутых катионных кристаллов известными методами.2....

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Галкін Сергій Миколайович, Носачов Борис Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: кристалів, сировини, спосіб, селеніду, телуром, термообробки, цинку, активованій, одержання

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Номер патенту: 25657

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Мельничук Олександр Володимирович, Пасічник Юрій Архипович, Венгер Євген Федорович

МПК: G01N 21/17

Мітки: спосіб, осі, кристалів, визначення, оптично-анізотропних, полярних, одновісних, оптично, напрямку, орієнтації

Формула / Реферат:

Спосіб визначення напрямку орієнтації оптичної осі оптично-анізотропних полярних одновісних кристалів, який полягає в тому, що на плоску поверхню монокристала направляють пучок лінійно-поляризованого інфрачервоного випромінювання, реєструють коефіцієнт відбивання відбитого від плоскої поверхні випромінювання, який відрізняється тим, що направляють пучок випромінювання з області залишкових променів оптично-анізотропного одновісного полярного...

Номер патенту: 25739

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Віноград Едуард Львович, Зверев Микола Данилович, Андрющенко Любов Андріївна, Гриньов Борис Вікторович, Райгородскій Ігорь Міхайловіч

МПК: G01T 1/202

Мітки: спосіб, кристалів, основі, паратерфенілу, виготовлення, сцинтилятора

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтиллятора на основе кристаллов паратерфенила, включающий шлифовку и полировку торцевых поверхностей сцинтиллятора, изотермический отжиг с нанесением на отполированные поверхности слоем полиорганосилоксанового каучука, который удаляют непосредственно перед упаковкой сцинтиллятора в корпус, отличающийся тем, что перед шлифовкой и полировкой сцинтиллятор соединяют с подложкой посредством полимерной водорастворимой...