Патенти з міткою «кристалів»

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна, Бойчук Володимира Михайлівна, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, провідності, кристалів, pbte:co, отримання, спосіб, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 62626

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович, Косоловський Василь Васильович

МПК: C30B 31/06

Мітки: легування, спосіб, кадмію, телуриду, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів телуриду кадмію, що включає їх відпал у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі легуючої домішки Mg при температурі 820-900 °С.

Номер патенту: 95515

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Коневський Павло Вячеславович, Андрєєв Євген Петрович

МПК: C30B 15/36, C30B 35/00, C30B 15/34 ...

Мітки: профільованих, пристрій, кристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування профільованих кристалів, що включає засіб захвата затравки, який виконано у вигляді тяг, нижня частина яких оснащена полками для розміщення затравки, а верхня частина закріплена на штоку витягувального механізму, при цьому центри ваги тяг зміщені до місця розташування осі тигля, який відрізняється тим, що тяги у верхній частині мають призматичні упори і установлені в пазах опорного диска, який закріплено на штоку...

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Фреїк Наталія Дмитрівна, Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Гургула Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: znse:in, кристалів, отримання, провідності, спосіб, p-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Номер патенту: 94232

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Маліто Джон Т., Каунтер Джеймз А.

МПК: C01F 7/14, C01F 7/02

Мітки: кристалізації, здійснення, алюмінію, композиція, способи, гідроксиду, модифікатора, одержання, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів гідроксиду алюмінію з насиченого технологічного розчину Байєра, який включає додавання модифікатора кристалізації до розчину, де модифікатор кристалізації містить С8-С10 жирну кислоту або її попередник, або сіль, або їх суміші, причому карбоновий ланцюг вказаної жирної кислоти не має функціональних груп.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що модифікатор додатково містить оливу, яка має температуру...

Номер патенту: 93456

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: G01N 1/32, G01N 27/00

Мітки: кристалів, фосфіду, індію, композиційної, дослідження, неоднорідності, спосіб, структури

Формула / Реферат:

1. Спосіб дослідження композиційної неоднорідності структури кристалів фосфіду індію, який відрізняється тим, що включає обробку поверхні монокристалічного фосфіду індію шляхом селективного електрохімічного травлення, яке проводять шляхом обробки монокристала фосфіду індію у розчині етилового спирту, води та HF у співвідношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 50 мА/см2.2. Спосіб за п. 1,...

Номер патенту: 92705

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Курцев Данііл Олександрович, Жуков Леонід Семенович, Бондар Валерій Григорійович, Волошина Олеся Василівна, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01T 1/202, C30B 15/02

Мітки: оксіортосилікатів, спосіб, вирощування, кристалів, одержання, розплаву, лютецію, гадолінію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію, допованих церієм, що включає змішування вихідних компонентів шихти: оксидів гадолінію, лютецію, кремнію та церію в стехіометричному співвідношенні, з наступним розплавленням шихти в іридієвому тиглі в інертному середовищі, який відрізняється тим, що після змішування вихідні компоненти шихти попередньо відпалюють на повітрі при 1650±10 °С, витримують...

Номер патенту: 51386

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Грабовець Ігор Володимирович, Гумінов Валентин Валерійович, Дмитрієв Дмитро Олексійович, Кузнєцов Юрій Миколайович, Якушко Ігор Сергійович

МПК: B23B 3/00, B28D 5/00

Мітки: кристалів, верстат, обточування

Формула / Реферат:

1. Верстат для обточування кристалів, що містить розташовані на його нерухомій основі бабки з приводом обертання кристала-виробу, супорт, розташований на платформі і оснащений окремими приводами переміщення кристала-різця, підключеними до розподільника частот струму, який відрізняється тим, що платформа розташована на двох і більше штангах з можливістю її коливання з різними амплітудами в різних напрямках, причому кінці штанг оснащені...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: процес, напівпровідникових, групи, основі, сполук, кристалів, створення, об'ємних, аiiвv, наноструктур, низькосиметричних, мікро-та

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...

Номер патенту: 90542

Опубліковано: 11.05.2010

Автор: Кисіль Іван Іванович

МПК: C30B 29/00, C01G 25/00, C30B 11/00 ...

Мітки: кристалів, одержання, кристалічних, великої, пластин, зокрема, спосіб, площі

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, її плавлення з утворенням розплаву в гарнісажі, подальшу направлену кристалізацію розплаву і охолоджування одержаного кристала, який відрізняється тим, що контейнер з сировиною розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини здійснюють омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/46, C01B 19/00 ...

Мітки: цинку, активованих, селеніду, кристалів, спосіб, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 43897

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Власенко Олександр Іванович, Криськов Цезарій Андрійович, Левицький Сергій Миколайович, Криськов Анатолій Андрійович

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00

Мітки: отримання, кристалів, легованих, спосіб, aivbvi, однорідної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих кристалів термоелектричного матеріалу АIVВVI, який включає завантаження в кварцову ампулу вихідних компонентів бінарної сполуки та легуючої домішки, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Старжинський Микола Григорович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Катрунов Костянтин Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: термообробки, активованих, кристалів, селеніду, цинку, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 87087

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Коротенко Антоніна Євгенівна, Андрєєв Євген Петрович, Литвинов Леонід Аркадійович, Гайдук Андрій Іванович

МПК: C30B 33/08, C30B 33/00, C30B 29/20 ...

Мітки: поверхні, сапфіра, кристалів, спосіб, видалення, нальоту, профільованих

Формула / Реферат:

Спосіб видалення нальоту з поверхні профільованих кристалів сапфіра шляхом хімічного травлення, який відрізняється тим, що як травник використовують ортофосфорну кислоту з концентрацією 80-85 %, а травлення ведуть протягом 0,15-0,25 години при температурі 60-80 °С, після чого механічно видаляють наліт в процесі промивання у воді кімнатної температури.

Номер патенту: 41486

Опубліковано: 25.05.2009

Автор: Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 29/00, C30B 15/00

Мітки: кристалів, розчинів, спосіб, твердих, вирощування, галій-індій-сурма

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма (GaxIn1-xSb), який полягає в тому, що витягування кристала із розплаву здійснюють шляхом використання затравочного монокристала заданого складу, який відрізняється тим, що застосовують затравочний монокристал GaxIn1-xSb зі складом, котрий може відрізнятись від складу вирощуваного кристала менше або більше на х=0,01.

Номер патенту: 84140

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Мейссонньє Жюльєн, Бон Марі Мадлен, Роз Фабріс

МПК: A61K 9/10, A61K 9/48, A61K 45/08 ...

Мітки: смаком, гранул, речовин, заповнені, кристалів, приготування, жувальні, капсули, вказаною, активних, замаскованим, дисперсією, дисперсія, спосіб, м'які

Формула / Реферат:

1. Дисперсія кристалів або гранул активної речовини в ліпофільному наповнювачі, в якій названий ліпофільний наповнювач має розчинювальну здатність відносно активної речовини менше 1,5-кратності концентрації активної речовини, для якої смак визначають у воді, і в якій вказані кристали або гранули покривають покриттям для маскування смаку.2. Дисперсія за п. 1, в якій ліпофільний наповнювач вибирають з групи, що складається з рослинних...

Номер патенту: 33016

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Величук Денис Дмитрович, Бучковський Іван Аполінарійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: B28D 5/00, H01L 35/32

Мітки: розчинів, обробки, твердих, кристалів, процес, bi-te-se-sb

Формула / Реферат:

Процес обробки кристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи розташування кристалів на станку, орієнтування за допомогою автоколіматора та наступного різання, який відрізняється тим, що етап орієнтування кристалів на автоколіматорі виконують безконтактним методом індуктивним кільцевим датчиком з розрізом, в якому розміщена вставка з діамагнітного високопровідного матеріалу, при цьому датчик жорстко зафіксований відносно площини...

Номер патенту: 32619

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Грицюк Богдан Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Юрійчук Іван Миколайович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/10

Мітки: пристрій, кристалів, затравлювання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для затравлювання кристалів при вирощуванні методом Чохральського на основі циліндричного пустотілого патрона, який відрізняється тим, що патрон між зовнішньою і внутрішньою стінками конічних наконечників містить кристалотримач у вигляді перевернутого, зрізаного, пустотілого конуса, а в центральній частині конуса містить радіаційний тепловідвід.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що кристалотримач виготовлено...

Номер патенту: 31909

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Рубан Роман Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: галій-індій-сурма, розподілом, кристала, спосіб, галію, однорідним, розчинів, вирощування, твердих, уздовж, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала, який полягає в тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок підживлення хімічної сполуки галію-сурми, що має площу поперечного перерізу від 2,5 до 50 % від площі поперечного перерізу кристала, вводять у розплав галій-індій-сурма зі швидкістю, що відрізняється...

Номер патенту: 31098

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Ющук Степан Іванович, Юр'єв Сергій Олексійович, Савкіна Рада Константинівна

МПК: G01N 29/04

Мітки: кристалів, частин, спосіб, напівпровідникових, дефектних, виявлення

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів, що включає нагрівання напівпровідникових кристалів та візуалізацію дефектів, який відрізняється тим, що нагрівання напівпровідникових кристалів до виявлення дефектів здійснюють ультразвуком, а візуалізацію дефектів проводять в інфрачервоному діапазоні довжин хвиль.

Номер патенту: 29700

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Сташко Назар Васильович, Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: p-znse, спосіб, кристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів p-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для здійснення їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe p-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т = (1420 ± 3) К і парціальному тиску...

Номер патенту: 29699

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: n-znse, спосіб, кристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів n-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe n-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т=(1420±3)К і парціальному тиску пари цинку...

Номер патенту: 26752

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: n-типу, кристалів, спосіб, отримання, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при...

Номер патенту: 26751

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Сташко Назар Васильович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, отримання, напівпровідникових, p-типу, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170

Номер патенту: 80507

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Андрющенко Любов Андріївна, Смирнов Микола Миколайович, Бояринцев Андрій Юрійович, Зеленська Ольга Віталіївна, Гребінник Ірина Миколаївна, Бобовніков Олександр Анатолійович

МПК: G01T 1/202, G01T 1/20

Мітки: активованих, йодиду, спосіб, монокристалів, виготовлення, зокрема, лужногалоїдних, кристалів, літію, сцинтиляторів, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сцинтиляторів на основі лужногалоїдних кристалів, зокрема активованих монокристалів йодиду літію, що включає шліфування торцевих поверхонь заготівки кристалу абразивним порошком у змочувальній рідині, видалення відходів шліфування шляхом промивання кристалів кремнієорганічною рідиною, обробку торцевої поверхні з боку вхідного вікна порошком з високою відбиваючою здатністю, з розміром зерна 63 мкм, оптичне зчленування...

Номер патенту: 79588

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Кубот Детлеф, Інгенховен Норберт, Пайст Андреас

МПК: C01F 7/02, C01F 7/14

Мітки: основі, композиція, спосіб, гідрат, кристалів, алюмінію, маткових, одержання, оксиду, каустичних, розчинів, містять

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів, що містять гідрат оксиду алюмінію, який відрізняється тим, що рідку фазу гідрату оксиду алюмінію вводять в контакт з фазою органічної допоміжної речовини, що містить сполуку загальної формули,в якійR являє собою С1-С9-алкіл,n приймає значення від 3 до 10, де зазначена сполука проявляє принаймні одну з...

Номер патенту: 24133

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: pbte:bi, отримання, кристалів, спосіб, провідності, легованих, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...

Номер патенту: 79015

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Андрющенко Любов Андріївна, Гриньов Борис Вікторович, Кудін Олександр Михайлович, Тарасов Володимир Олексійович, Кошель Володимир Іванович, Ковальчук Сергій Миколайович, Бояринцев Андрій Юрійович

МПК: G01T 1/202

Мітки: обробки, кристалів, спосіб, поверхні, лужно-галоїдних

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні лужно-галоїдних кристалів, що полягає у шліфуванні їх торцевих поверхонь складом, який містить абразивний матеріал та змочувальну рідину, видаленні відходів шліфування шляхом промивання тетраетоксисиланом, обробки промитої поверхні з боку вхідного вікна сухим абразивним матеріалом з високою відбивною здатністю, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину використовують суміш олігодиметилсилоксану ПМС-5 і...

Номер патенту: 22299

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Світанько Микола Вікторович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Просвірнін Андрій Леонідович, Оселедчик Юрій Семенович

МПК: C30B 17/00

Мітки: вирощування, ndb3o6, боратів, спосіб, неодиму, prb3о6, кристалів, празеодиму

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму РrВ3О6 та неодиму NdB3O6, що включає приготування шихти з SrO, В2О3 і Рr6O11, чи Nd2O3, здійснення попереднього твердофазного синтезу, розплавлення отриманих сполук з наступним охолодженням і вирощуванням монокристалів на платиновому стрижні, який відрізняється тим, що склад шихти відповідає області діаграми кристалізації борату празеодиму РrВ3О6 або борату неодиму NdB3O6 в потрійних фазових...

Номер патенту: 21585

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Клочай Оксана Іванівна, Сисюк Валентина Григорівна, КУЧМІЙ СТЕПАН ЯРОСЛАВОВИЧ, ГРАНЧАК ВАСИЛЬ МИХАЙЛОВИЧ

МПК: G03F 7/033, C09D 131/00

Мітки: гібридних, мікросхемах, кристалів, кріплення, фотоклей, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Фотоклей для кріплення напівпровідникових кристалів в гібридних мікросхемах, що включає полімеризаційноздатний компонент, поліефірізоціануратімідну смолу молекулярної маси 75280, фотоініціатор - метиловий ефір бензоїну та цільові домішки, який відрізняється тим, що з метою покращення фізико-механічних властивостей, водостійкості та хімічної стійкості при експлуатації гібридних мікросхем фотоклей як полімеризаційноздатний компонент містить...

Номер патенту: 19126

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Пашкова Валентина Леонідівна, Соболєв Валерій Вікторович, Чернай Володимир Анатолійович, Черняк Станіслав Олександрович

МПК: C09K 13/00, C04B 41/00

Мітки: кристалів, обробки, алмазу, поверхні, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів алмазу, що включає їх очищення у електроліті в процесі нагрівання, промивання дистильованою водою, обполіскування розчином на основі етилового спирту, сушіння, який відрізняється тим, що попередньо змочують кристали алмазу та формують на мікрорівні їх поверхні граничний шар мікросередовища із водяного сольового складу три- і тетраалкіламонію з рН5÷10, очищення проводять в електроліті з поступовим...

Номер патенту: 77499

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович, Попов Володимир Михайлович, Мошель Микола Васильович

МПК: G01R 3/00, H01L 21/66, G01N 13/00 ...

Мітки: приладів, напівпровідникових, схем, джерел, кристалів, локальних, зразках, тепловиділення, спосіб, інтегральних, виявленя

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних джерел тепловиділення в зразках кристалів  інтегральних схем та напівпровідникових приладів, за яким на контрольовану поверхню зразка кристала наносять тонку плівку холестеричного рідкого кристала, зразок закріплюється на нагріваному тримачі з терморегулятором і підключається до джерела електричного живлення, а локальні джерела тепловиділення виявляють за оптичними зображеннями в поляризаційному мікроскопі...

Номер патенту: 19588

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Михайлов Валерій Михайлович, Томашевська Раїса Яківна, Чуйко Андрій Миколайович, Гох Віталій Анатолійович, М'ячиков Олександр Васильович

МПК: A23L 1/237

Мітки: формування, допомогою, конструкції, спосіб, солі, кристалів, пірамідальної

Формула / Реферат:

Спосіб формування кристалів солі за допомогою пірамідальної конструкції, що включає випарювання сольового розчину, в який поміщена піраміда, виготовлена з немагнітного матеріалу чи діелектрика, у якій як співвідношення основних параметрів беруть: розмір половини боку основи бічної грані - 3 частини, розмір боку основи бічної грані - 6 частин, висоту - 4 частини, довжину діагоналі бічної грані - 5 частин, який відрізняється тим, що піраміду...

Номер патенту: 77223

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Теселько Петро Олексійович, Макара Володимир Арсенійович, Новиков Микола Миколайович

МПК: G01N 23/20

Мітки: досконалості, структурної, кристалів, спосіб, інтегральної, оцінки

Формула / Реферат:

Спосіб інтегральної оцінки структурної досконалості кристалів, що включає реєстрацію рентгенівської двокристальної дифрактограми, який відрізняється тим, що від поверхні досліджуваного кристала записують криву коливання в геометрії Брегга, реєструють максимальне значення її інтенсивності  та її ширину поблизу підніжжя на рівні

Номер патенту: 77308

Опубліковано: 15.11.2006

Автор: Кеснель Янік

МПК: C09B 61/00, C07C 403/00, C09B 67/00 ...

Мітки: кристалів, одержання, каротиноїдів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів каротиноїдів з рослинної екстракційної ефірної олії, що містить каротиноїди, який включає: (а) введення екстракційної ефірної олії в органічний розчинник, спирт і основу при температурі кипіння органічного розчинника з утворенням здатної омилюватися реакційної суміші; (b) витримування цієї здатної омилюватися реакційної суміші протягом часу, достатнього для завершення реакції омилення, одержуючи в...

Номер патенту: 18022

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Просвірнін Андрій Леонідович, Оселедчик Юрій Семенович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Світанько Микола Вікторович

МПК: C30B 17/00

Мітки: спосіб, кристалів, ndbo3, неодиму, вирощування, празеодиму, боратів, prbo3

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму РrВО3 та неодиму ΝdΒΟ3, що включає приготування шихти з SrO, В2O3 і Рr6O11 чи Nd2O3, здійснення попереднього твердофазного синтезу, розплавлення отриманих сполук з наступним охолодженням і вирощуванням монокристалів на платиновому стрижні, який відрізняється тим, що склад шихти відповідає області діаграми кристалізації борату празеодиму РrВО3 чи борату неодиму NdBO3 в потрійних...

Номер патенту: 16673

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Воляр Роман Миколайович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: вакуумної, спосіб, плавки, легування, процесі, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів в процесі вакуумної плавки, що здійснюють шляхом подачі з випарника через сопло паропроводу на розплав потоку легуючої речовини, який відрізняється тим, що потік легуючої речовини після виходу з сопла пропускають через отвір в екрані, встановленому паралельно поверхні розплаву.

Номер патенту: 16146

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Пактер Михайло Ілліч, Дехтеренко Андрій Володимирович

МПК: B01D 9/00, C30B 23/00, B01D 1/00 ...

Мітки: різних, кристалів, водних, солей, одержання, спосіб, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів різних солей з водних розчинів, при якому одержують водний розчин солі, поміщають водний розчин солі в ємність, очищають водний розчин солі, підігрівають очищений водний розчин солі до температури 20-100°С, переважно 60±5°С, одночасно з підігрівом водного розчину солі роблять підігрів повітря, що знаходиться над ємністю, до температури 20-80°С, переважно 50±5°С, доводять водний розчин солі, що знаходиться в...

Номер патенту: 71836

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорійович, Кривошеін Вадим Іванович, Бабійчук Інна Петрівна, Рижиков Володимир Діомидович, Козлов Сергій Миколайович, Нагорна Людмила Лаврентієвна

МПК: B24B 1/00, B28D 5/00

Мітки: сингонії, зокрема, обробки, кристалів, спосіб, анізотропних, механічної, моноклінної

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення полотна з штапельного волокна з гірських порід і містить вузол виготовлення первинних волокон, камеру згоряння та щілинне сопло роздуву з щілинним каналом. Вказане сопло виконане симетрично відносно устя сопла з кутом розкриття 12° ± 2°, а поперечний переріз сопла на вході, як і поперечний переріз камери згоряння на виході, відносяться до поперечного перерізу устя сопла не менше як 5:1, при цьому щілинний канал має...

Номер патенту: 16096

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Троян Олександр Васильович, Попельнюк Валентин Миколайович, Ветров Анатолій Григорович, Рублев Микола Дмитрович, Рогов Валентин Васильович

МПК: B23B 27/14

Мітки: кристалів, синтетичного, монокорунду, різальна, пластина

Формула / Реферат:

1. Різальна пластина із кристалів синтетичного монокорунду, що має радіус закруглення різальної кромки різальної частини 0,001-0,002 мм, яка відрізняється тим, що різальна кромка, утворена перетинанням площинної передньої і конічної задньої поверхонь, які мають шорсткість поверхні Ra≤0,003 мкм, виконана круговою, а передня поверхня розташована у площині, що складає кут 60±2° до оптичної осі L36 кристала.2. Різальна...