Патенти з міткою «кристалів»

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Гурін Вячеслав Анатолійович, Март'янов Генадій Сергійович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалів, термообробки, летких, контейнер, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Номер патенту: 24066

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Трохименко Володимир Васильович, Давиденко Микола Іванович, Бугай Олена Абрамівна

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02, C30B 33/00 ...

Мітки: одержання, лужно-галоїдних, деталей, кристалів, оптичних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения оптических деталей из щелочно-галоидных кристаллов, включающий резку цилиндрического кристалла на заготовки, их нагрев и выдержку при температуре 460~600°С с последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что резку осуществляют аксиально боковой поверхности кристалла до толщины заготовок h и длины не более 3,14 R, где R - радиус заготовки, нагрев ведут со скоростью 30-50°С/ч, выдержку осуществляют в...

Номер патенту: 23240

Опубліковано: 19.05.1998

Автори: Денисов Юрий Павлович, Смірнов Леонард Федорович

МПК: B01D 9/00

Мітки: сепаратор, кристалів, солей, суспензії, відділення

Формула / Реферат:

Сепаратор для отделения кристаллов солей из суспензии, содержащий устройство для ввода суспензии, цилиндрический корпус, набранный из барабанов фильтрующей и отжимной камер с размещенным в них шнеком и снабженных продольными щелями и жестко установленными между камерами скребками, а также сушильную камеру с газоотводами и устройство для вывода кристаллов солей с запорным конусом, отличающийся тем, что в качестве устройства для ввода суспензии...

Номер патенту: 21775

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Піщік Валеріан Володимирович, Добровинська Олена Рувимівна

МПК: C30B 13/00

Мітки: профільованих, пристрій, вирощування, кристалів

Формула / Реферат:

Устройство для вмращивания профилированных кристаллов, содержащее тигель, пучок капилляров й установленный на его верхнем торце капиллярнуй формообразователь, состоящий из двух злементов, отличающееся тем, что формооб­разователь выполнен из плоского злемента с капиллярным отверстием, на котором жестко закроплена резьбовая насадка, профиль резьбы которой в нижней части представляет собой резьбу с укороченной на (0,06-0,08) мм высотой зуба, а в...

Номер патенту: 18249

Опубліковано: 25.12.1997

Автор: Девід Тревор Коллін

МПК: C07D 403/06, A61K 31/415, A61P 1/08 ...

Мітки: кристалів, одержання, дигідрата, зменшеного, гідрохлориду, ондансетрона, розміру, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения кристаллов дигидрата гидрохлорида ондансетрона уменьшенного размера, полученного путем кристаллизации из смеси водных растворителей, отличающийся тем, что дигидрат гидрохлорида ондансетрона десольватируют с помощью сушки при температуре не ниже 40°C и при атмосферном или пониженном давлении, равном 200мм рт.ст, или менее, и затем регидратируют с получением кристаллического дигидрата гидрохлорида ондансетрона, в котором...

Номер патенту: 19919

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Качала Володимир Єфімович, Шлее Володимир Йосифович, Данько Олександр Яковлевич, Катрич Микола Петрович, Аверин Михайло Іванович, Мірошников Юрій Петрович, Шерафутдінова Людмила Григорівна

МПК: C30B 29/18, C30B 11/00

Мітки: кристалів, вирощування, спосіб, корунда

Формула / Реферат:

Формула изобретенияСПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА, включающий загрузку шихты в тигель, нагрев до плавления, выращивание полезной части кристалла горизонтальным перемещением тигля из зоны нагрева в зону отжига со скоростью 8 – 12 мм/ч и охлаждение, отличающейся тем, что, с целью снижения длительности процесса и увеличения выхода годного продукта, после выращивания полезной части кристалла скорость увеличивают до 1 + 104 – 2 + 104...

Номер патенту: 19979

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Сан Бум Квон, Дядюша Андрій Георгійович, Марусій Тетяна Яківна, Коломєйцев Олександр Олександрович, Рєзніков Юрій Олександрович, Ярощук Олег Васильович, Хіун Хо Шин, Хижняк Анатолій Іванович, Герус Ігор Іванович, Ву Санг Парк

МПК: G02F 1/13, G03F 7/004, C08F 18/00 ...

Мітки: орієнтуючий, фоточутливий, полівініл-транс-3-(4-фторфеніл)акрилат, кристалів, матеріал, рідких

Формула / Реферат:

Поливинил-транс-3-(4-фторфенил)акрилат общей формулы.где n = 90-120, в качестве фоточувствительного ориентирующего материала для жидких кристаллов.

Номер патенту: 16595

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Терейковська Ольга Федорівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Карпова Ангеліна Петрівна

МПК: H01L 21/28

Мітки: напівпровідних, шарів, індекс, а(верхній, оптичних, створення, типу, спосіб, b(верхній, контактних, поверхні, кристалів

Формула / Реферат:

Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа АIIВVI, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20-30 мин при...

Номер патенту: 16678

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Носачев Борис Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович, Лисецька Олена Костянтинівна, Кухтіна Ніна Миколаївна

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: спосіб, одержання, цинку, кристалів, селеніду

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную на­правленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кисло­той, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...

Номер патенту: 16736

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: оптично, кристалів, одержання, прозорих, спосіб, селеніду, цинку

Формула / Реферат:

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка, включающий их на­грев в печи, отличающийся тем, что, с целью сни­жения коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона, кристалл последова­тельно перемещают в рабочем объеме печи через зоны трех нагревателей с профилями градиента температур, изменяющимися по синусоиде, при­чем профили градиента температур двух боковых и центрального нагревателей в проекции на...

Номер патенту: 16716

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Кулик Валерій Миколайович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Мітки: кристалів, селеніду, цинку, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий загрузку в графитовый контейнер исходного материала, плавление его в компрессионной печи и кристаллизацию в услови­ях градиента температуры при избытке давления инертного газа, не превышающего кристаллизаци­онное давление, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 3,2- 10' см' на длине волны 10,6 мкм, предварительно...

Номер патенту: 16672

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Апілат Віталій Якович, Єфременко Галина Борисівна, Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/20

Мітки: розплаву, кристалів, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Устройство для выращивания кристаллов из расплава, включающее герметичную камеру со смотровым окном, выполненным из оптически прозрачного элемента, установленного с помощью уплотняющих прокладок в корпусе камеры, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и обеспечения очистки элемента в процессе роста, элемент установлен между уплотняющими прокладками с возможностью перемещения и имеет форму плоскопараллельной пластины, размер...

Номер патенту: 16668

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Лисовиченко Любов Дмитрівна, Мюлендорф Олег Сергійович, Даниленко Едуард Васильович, Апілат Віталій Якович, Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кристалів, пристрій, витягання, розплаву

Формула / Реферат:

1. Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее ростовую камеру, располо­женные в ней тигель для расплава, установленный в нем питатель, соединенный с ним через дозатор транспортной трубкой, введенной вертикально в дозатор, и выполненный в виде тіра, средство регу­лирования уровня расплава в тигле и нагреватели, размещенные под тиглем и коаксиально с внешней стороны тигля и питатеяя, отличающееся тем, что, с целью получения...

Номер патенту: 16728

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пищик Валер'ян Володимирович, Андрєєв Євген Павлович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: порожниною, кристалів, пристрій, профільованих, вирощування, внутрішньою

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания профилиро­ванных кристаллов с внутренней полостью, вклю­чающее тигель с размещенным в нем пучком капилляров, и расположенный на его верхнем тор­це формпобразователь в виде коаксиальных колец с капиллярным зазором между ними, отличающе­еся тем, что, с целью улучшения качества кристал­лов и повышения производительности процесса, формообразователь снабжен соосным перфориро­ванным кольцом, установленным с капиллярным...

Номер патенту: 16715

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Федько Віталій Федорович, Горілецький Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Радкевич Олексій Вікторович

МПК: B28D 5/00

Мітки: спосіб, розпилювання, кристалів

Формула / Реферат:

Способ распиловки кристаллов, включающий направленное растворение кристалла смоченной в воде вращающейся бесконечной нитью, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса распиловки и снижения потерь кристалла, нити дополнительно придают колебательное движение в плоскости распиловки с амплитудой 0,5-4 мм и частотой 0,5-4,5 Гц.

Номер патенту: 16711

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Пищик Валер'ян Володимирович

МПК: B01D 9/00

Мітки: профільованих, вирощування, пристрій, кристалів

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания профилиро­ванных кристаллов, включающее тигель с крыш­кой, установленный в ней формообразователь, содержащий формообразующий элемент с отвер­стием в центре для затравливания и капилляры для подачи расплава в процессе роста, и механизм для вытягивания, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы и возможности выращи­вания кристаллов различного профиля, капилля­ры выполнены в виде отдельных трубок,...

Номер патенту: 16739

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Файнер Михайло Шайович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Терейковська Ольга Федорівна

МПК: C03B 11/02, C30B 29/50

Мітки: спосіб, кристалів, аiiвvi, одержання, сполук

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов соединений АII ВIV .включающий рекристаллизацию исходного материала при нагреве и последующее выращивание путем направленной кристаллизации расплава в замкнутом объеме, отличающийся тем, что, с целью повышения объемной однородности электрических свойств кристаллов сульфида кадмия, рекристаллизацию исходного материала проводят при температуре 900-1100°С в течение 10-20 ч в атмосфере инертного газа.

Номер патенту: 16677

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Кулик Валерій Миколайович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Мітки: цинку, одержання, селеніду, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий сплавление исходных компонен­тов в графитовом тигле и выращивание кристаллов под давлением инертного газа в градиенте темпе­ратур, отличающийся тем, что, с целью улучше­ния оптических характеристик кристаллов за счет снижения в них содержания примесных элемен­тов, исходный селенид цинка предварительно очи­щают путем кристаллизации из раствора в расплаве хлорида калия и (или) натрия и...

Номер патенту: 16722

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Неменов Віктор Олександрович, Панова Олександра Миколаївна

МПК: C30B 29/12, C30B 11/02

Мітки: одержання, лужногалоідних, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Способ получения щелочно-галоидных кри­сталлов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной ка­мере до заданной температуры, заполнение каме­ры инертным газом, расплавление сырья и последующее выращивание кристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и удаления из камеры токсичных и агрессивных га­зов, заполнение камеры инертным газом ведут до давления 1-2атм, а перед выращиванием давление...

Номер патенту: 16721

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Любинський Вадим Рувимович, Горілецький Валентин Іванович, Радкевич Олексій Вікторович, Ейдельман Лев Георгійович, Проценко Володимир Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: витягування, пристрій, кристалів, розплаву

Формула / Реферат:

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее тигель и расположенную коаксиально верхней его части кольцевую емкость, имеющую общую с тиглем стенку с отверстием, питатель для подачи в емкость твердого измельченного материала, нагреватели тигля и емкости, отличающееcя тем, что, с целью повышения выхода годных монокристаллов, устройство снабжено экраном, установленным над кольцевой емкостью с возможностью осевого перемещения и...

Номер патенту: 17738

Опубліковано: 20.05.1997

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Спасов Володимир Григорович

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, кристалів, вольфрамату, одержання, свинцю

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов вольфрамата свинца, включающий их выращивание из расплава и последующую термообработку, отличающийся тем, что выращивание монокристаллов осуществляют в среде, содержащей кислород в количестве 0,02-0,3% объема, а термообработку проводят при содержании кислорода 0,001-0,03% объема.

Номер патенту: 13808

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Денисов Юрий Павлович, Смірнов Леонард Федорович

МПК: B01D 9/00

Мітки: солей, розсолу, суспензії, установка, спосіб, кристалів, поділу, здійснення

Формула / Реферат:

1. Способ разделения суспензии из кристаллов солей и рассола, включающий предварительное раз­деление за счет разности плотностей, с последующим отжимом кристаллов, а также сушку кристаллов вскипанием остаточного рассола при сбросе давле­ния, отличающийся тем, что фильтрат после отжи­ма кристаллов направляют на стадию предва­рительного разделения, а пар, образующийся при давлении вскипания рассола Рвск, сжимают до дав­ления конденсации Рконд =...

Номер патенту: 34

Опубліковано: 28.02.1997

Автор: Данілов Олександр Михайлович

МПК: B28D 5/00

Мітки: кристалів, верстат, обточування

Формула / Реферат:

Станок для обточки кристаллов, содер­жащий смонтированные на станке переднюю баб­ку со шпинделем, несущим плавающий патрон с оправкой, и заднюю бабку со шпинделем и оправ­кой, а также установленные на станине между баб­ками по обе стороны от оправок по вертикальной оси ложемент и шлифовальную головку с алмаз­ным кругом, отличающийся тем, что шпиндели выполнены в виде электрошпинделей на газо­статических подшипниках с синхронными...

Номер патенту: 11188

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Файнер Михайло Шаєвич, Іванов Микола Петрович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 29/50, C30B 11/02, C30B 29/48 ...

Мітки: кристалів, одержання, спосіб, халькогенідів, типу

Формула / Реферат:

(57) Способ получения кристаллов халькогенидов типа A||BVI, где A|| - металл, a BVI -халькоген, включающий термообработку исходного соединения в атмосфере дезоксидирующего газа и выращивание кристаллов направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что в качестве дезоксидирующего используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом при 850 - 950°С, а термообработку ведут при...

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Байцар Роман Іванович, Красножонов Євген Павлович, Островська Анастасія Степанівна, Островський Петро Іванович

МПК: C30B 29/00, C30B 29/06

Мітки: спосіб, кристалів, резонаторів, напівпровідникових, струнних, ниткоподібних, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...

Номер патенту: 10831

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: термообробки, кадмію, вольфрамату, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов вольфра­мата кадмия, включающий нагрев, выдержку и ох­лаждение, отличающийся тем, что нагрев проводят в кислородсодержащей атмосфере до тем­пературы 950-1230°С при выдержке 25-75 часов.

Номер патенту: 9802

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Літічевський Олександр Марксович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: B28D 5/00

Мітки: обробки, кристалів, пристрій

Формула / Реферат:

(57) Устройство для обработки кристаллов,включающее раму с кристаллодержателем, привод кристаллодержателя, гибкий замкнутый режущий орган с механизмом его натяжения, установленную на направляющих рамы каретку, содержащую направляющие, привод гибкого замкнутого режущего органа и поддерживающие ролики последнего, отличающееся тем, что рама снабжена дополнительной кареткой с идентичными направляющими и поддерживающими роликами, через которые...

Номер патенту: 9942

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Рижиков Володимир Діамидович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: спосіб, кристалів, термообробки, вісмуту, германату

Текст:

...что нагрев, выдержку и охлаждение кристаллов BGO в кислородсодержащей атмосфере с цепью улучшения сцинтилляционных параметров и увеличения выхода годных кристаллов осуществляют в следующих режимах; нагрев со скоростью 75-200 град/час до температуры 990 + 40°С, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2 часов с пропусканием через кристалл постоянного электрического тока 2 плотностью 0,05-0.25 мА/см , охлаждение со скоростью 50-100 град/час...

Номер патенту: 8356

Опубліковано: 29.03.1996

Автори: Масанорі Уєда, JР

МПК: B01D 37/00

Мітки: кристалів, спосіб, виділення, суспензії

Формула / Реферат:

(57) Способ выделения кристаллов из суспензии на роторном фильтре, включающий осаждение кристаллов на наружной стороне ротора фильтра, промывку кристаллов и отвод фильтра, отличающийся тем, что осаждение присутствующих в растворе на наружной стороне кристаллов проводят при разности давления между наружной и внутренней сторонами фильтра, при этом на наружной стороне фильтра поддерживают повышенное атмосферное давление, и равных температурах с...

Номер патенту: 6396

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Пишик Валер'ян Володимирович

МПК: C30B 15/34

Мітки: кристалів, профільованих, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

(57) Устройство для выращивания профилированных кристаллов, содержащее тигель для расплава, размещенный в нем формообразователь, установленный над тиглем затравкодержатель, выполненный в виде тяг, имеющих на концах полки для размещения затравки и шарнирно соединенных со штоком вытягивающего механизма, отличающееся тем, что устройство снабжено металлической пластиной, установленной на верхнем торце затравки через дистанционные шайбы из...

Номер патенту: 6392

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Кисіль Іван Іванович, Любинський Вадим Рувинович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, пристрій, кристалів

Формула / Реферат:

(57) Устройство для выращивания кристаллов, включающее ампулу с конусным дном, вертикально установленную в коаксиальном нагревателе на подставке, имеющей углубление, соответствующее углу конуса и снабженной средством для инициирования кристаллизации, и средство для направленной кристаллизации в цилиндрической части ампулы, соединенное с механизмом его вертикального перемещения, отличающееся тем, что средство для инициирования кристаллизации в...

Номер патенту: 4585

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Сумін Валентин Іванович, Чаркіна Тамара Олександрівна, Ковальова Людмила Василівна, Ейдельман Лев Георгійович, Угланова Валентина Володимирівна

МПК: C30B 29/12, C30B 15/00

Мітки: лужногалоїдних, одержання, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ получения щелочногалоидных кристаллов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной камере, заполнение камеры инертным газом до давления 1-2 атм, рас плавление при этом давлении сырья и выращивание кристалла при давлении газа 0,01-0,2 атм, отличающийся тем, что после расплавления сырья камеру вакуумируют, напускают инертный газ до давления 1,0-1,2 атм, выдерживают 0,5-1,5 часа, вакуумируют...

Номер патенту: 5190

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: спосіб, кристалів, германату, термообробки, вісмуту

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов гepманата висмута, включающий нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/час, выдержку и последующее охлаждение в кислородсодержащей атмосфере сначала со скоростью 50-100 град/час до температуры 900-960°С, а затем со скоростью 100-200 град/час, отличающийся тем, что кислородсодержащую атмосферу создают путем ведения процесса в замкнутом объеме в присутствии пятиокиси сурьмы в количестве 0,2-2,0 г/м3, а...

Номер патенту: 3055

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Руденко Ольга Василівна, Макара Володимир Арсентійович, Весна Галина Володимирівна

МПК: C30B 33/04, C30B 29/12, C30B 33/00 ...

Мітки: типу, кристалів, спосіб, обробки, лужногалоїдних

Формула / Реферат:

Способ обработки щелочно-галоидных кристаллов типа NaCl, включающий нанесение на поверхность кристалла тонкой царапины, химическую полировку до получения единичных винтовых дислокационных петель диаметром  воздействие на винтовые участки петель постоянным электрическим полем, разращивание винтовых дислокационных петель внешним механическим напряжением и повторную химическую...

Номер патенту: 1775

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Гуменяк Михайло Васильович, Маскович Степан Михайлович, Когут Ігор Тимофійович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, зворотної, схем, металізації, стороні, інтегральних, кристалів

Формула / Реферат:

Способ металлизации обратной стороны кристалла интегральных схем, включающий формирование кремниевой структуры с активными и пассивными элементами на кристалле, формирование на его нерабочей стороне соединительного слоя из полицида, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью теплоэлектропроводного клея или эвтектики, отличающийся тем, что соединительный слой на обратной стороне формируют...