Патенти з міткою «структур»

Номер патенту: 51554

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Момот Наталя Володимирівна, Шпак Світлана Олександрівна, Шаталов Олександр Дмитрійович, Танасичук Володимир Сергійович, Пацкань Ігор Іванович, Соловйова Євгенія Михайлівна

МПК: A61B 6/00

Мітки: кт-дослідження, анатомічних, структур, спосіб, печінки, новоутворень

Формула / Реферат:

Спосіб КТ-дослідження новоутворень та анатомічних структур печінки, котре включає болюсне контрастування і перфузію, який відрізняється тим, що забезпечують збільшення часу насичення досліджуваних структур контрастною речовиною саме до моменту початку сканування за рахунок того, що спочатку вводять 20 % від загального обсягу контрастної речовини зі швидкістю 3 мл/сек., потім 60 % від загального обсягу контрастної речовини вводять зі...

Номер патенту: 51544

Опубліковано: 26.07.2010

Автор: Чесноков Олексій Вікторович

МПК: C04B 35/83

Мітки: вертикальних, пристрій, структур, армуючих, встановлення, стержнів, просторових, складанні

Формула / Реферат:

Пристрій для встановлення вертикальних стержнів при складанні просторових армуючих структур, що містить основу з двома плитами та суміщеними отворами для стержнів, що завантажуються у бункер, під основою розташовано плиту, що обмежує рух стержнів, стержні переміщуються в отвори плит під впливом віброзбуджувача, який відрізняється тим, що як віброзбуджувач застосовано ексцентриковий вібропривід з заданням коливань у горизонтальній...

Номер патенту: 90571

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович, Ходаковський Микола Іванович, Золот Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: формуванням, пристрій, керування, наноелектронних, структур

Формула / Реферат:

Пристрій керування формуванням наноелектронних структур, який містить блок керування параметрами пристрою, вхід якого є входом пристрою, а вихід з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, другий вихід блока керування параметрами пристрою з'єднаний з входом блока сканування вістрям структури, вихід блока сканування вістрям структури з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вихід блока керування тунельним струмом...

Номер патенту: 48733

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Абдуллаєв Різван Ягуб-огли, Спузяк Михайло Іванович, Тахар Марієм, Коломійченко Юрій Анатолійович, Григорук Максим Антонович, Солошенко Ігор Володимирович

МПК: A61B 8/00

Мітки: першого, спосіб, спинного, розвитку, новонароджених, хребта, обстеження, життя, пошкодженнями, року, цих, травматичними, дітей, структур, мозку, патологією

Формула / Реферат:

Спосіб обстеження хребта та спинного мозку у новонароджених та дітей першого року життя з патологією розвитку та травматичними пошкодженнями цих структур, що здійснюють шляхом проведення ультразвукового дослідження та визначення стану атланто-окципітального з'єднання, який відрізняється тим, що визначення стану атланто-окципітального з'єднання здійснюють через передньошийний доступ, розміщуючи датчик в сагітальній площині, додатково дитину...

Номер патенту: 47325

Опубліковано: 25.01.2010

Автор: Плюто Ігор Володимирович

МПК: A61B 3/00

Мітки: оболонок, реєстрації, ока, візуалізації, структур, спосіб, внутрішніх

Формула / Реферат:

Спосіб візуалізації та реєстрації внутрішніх оболонок та структур ока, що включає транссклеральне освітлення очного дна крізь шкіру повік та склеру випромінюванням в діапазоні довжин хвиль 400-1200 нм, візуалізацію, цифрову реєстрацію та обробку зображень оболонок та структур ока в режимі реального часу, який відрізняється тим, що послідовно проводять освітлення в діапазоні випромінювання 400-1200 нм, використовуючи випромінювачі з...

Номер патенту: 89395

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Нанніні Роберто, Діні Енріко, Кіаруджі Морено

МПК: B29C 67/24, B28B 7/40, B29C 67/00 ...

Мітки: автоматичної, структур, пристрій, конгломерованих, спосіб, будівництва

Формула / Реферат:

1. Спосіб для автоматизованої побудови конгломератних конструкцій, який відрізняється тим, що включає етапи:-моделювання конструкції будівлі, зокрема, з використанням функції САПР площинного моделювання або об'ємного моделювання, отримання комп'ютерного файла структурної моделі;-секціонування зазначеної комп'ютерної файлової структурної моделі горизонтальними паралельними площинами, зокрема площинами, котрі знаходяться на...

Номер патенту: 89224

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Неворет Даміен, Свей Гво, Занолі Ален

МПК: B24D 7/00, B24D 11/00, B24D 5/00 ...

Мітки: виріб, абразивних, фігурний, структур, покриттям, містить, підкладку, абразивний, набір

Формула / Реферат:

1. Абразивний виріб з покриттям, що містить:підкладку; іфігурний набір абразивних структур, причому кожна абразивна структура фігурного набору абразивних структур має конструйовану площину спайності, що проходить вздовж абразивної структури.2. Абразивний виріб з покриттям за п. 1, у якому абразивна структура фігурного набору абразивних структур містить конструйовану внутрішню структуровану пору.3. Абразивний виріб...

Номер патенту: 46776

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Ігнашкін Іван Сергійович, Васильєва Кристина Вадимівна, Рожко Віктор Федорович, Нечитайло Микола Петрович

МПК: B08B 7/02, B08B 9/02

Мітки: трубопроводів, спосіб, структур, осадових, поверхонь, видалення, внутрішніх

Формула / Реферат:

Спосіб видалення осадових структур із внутрішніх поверхонь трубопроводів шляхом їх руйнування, який відрізняється тим, що руйнування осадового шару здійснюють за допомогою пари рідкого азоту, яку подають у рециркуляційному режимі до оброблюваної поверхні через внутрішню порожнину кожуха трубопровода, при цьому рециркуляцію пари рідкого азоту забезпечують за допомогою вентилятора, вхід і вихід якого з'єднані з кожухом.

Номер патенту: 46030

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Чав'як Іван Ігорович, Ліщинський Ігор Мирославович, Никируй Ростислав Іванович, Бачук Василь Васильович

МПК: H01F 41/00, B82B 1/00

Мітки: свинцю, телуриду, спосіб, отримання, структур, квантово-розмірних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки AIVBVI при температурі випаровування наважки ТВ, осаджують на підкладки при температурі ТП протягом певного часу t, який відрізняється тим, що як підкладку вибирають попередньо окислені монокристали кремнію SiО2-Si.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 44964

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Бойко Михайло Іванович, Петракова Олена Олександрівна, Куліш Аліна Дмитрівна, Загнітко Юлія Петрівна

МПК: C12N 9/00, C12N 1/14

Мітки: ферменту, продуцент, соматичних, irpex, тромболітичної, структур, штам, lacteus, макроміцету, дії

Формула / Реферат:

Штам соматичних структур макроміцету Irpex lacteus Fr. B-02 (зберігається в колекції кафедри фізіології рослин Донецького національного університету) - продуцент ферменту тромболітичної дії.

Номер патенту: 87393

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Індутний Іван Захарович, Шепелявий Петро Євгенович, Минько Віктор Іванович

МПК: G03H 1/26, G03G 5/082, G03F 7/00 ...

Мітки: періодичних, спосіб, запису, структур, рельєфно-фазових

Формула / Реферат:

1. Спосіб запису рельєфно-фазових періодичних структур, що включає нанесення на підкладинку шляхом термічного осадження у вакуумі шару фоторезисту з неорганічної халькогенідної сполуки, експонування на фоторезист інтерференційного поля, сформованого двома когерентними світловими пучками в оптичному середовищі рефракційного елемента з показником заломлення n більше 1, і наступне селективне травлення фоторезисту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 42678

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Сидоренко Руслан Валеріанович, Марковський Володимир Дмитрович, Наумова Ольга Володимирівна

МПК: A61B 10/00

Мітки: визначення, спосіб, структур, анатомічних, об'єму

Формула / Реферат:

Спосіб визначення об'єму анатомічної структури, який включає вимір виплеснутої цією структурою води із градуйованої посудини, який відрізняється тим, що порожнину анатомічного органа попередньо заливають нагрітою до 70 °С сумішшю парафіну з воском у співвідношенні 1:1, дають їй охолонути та затвердіти, структуру із зліпком фіксують формаліном, одержаний зліпок видаляють та занурюють в мірну колбу з водою.

Номер патенту: 42200

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Дьяк Віталій Пилипович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 31/18

Мітки: високотемпературних, спосіб, отримання, n-p+-типу, епітаксійних, сенсорів, структур, діодних, температури, фосфіду, галію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що включає послідовні операції епітаксійного нарощування з рідкої фази на леговану телуром підкладку n+-GaP епітаксійних шарів бази n-GaP й емітера p+-GaP, який відрізняється тим, що шар бази n-GaP формують зонною перекристалізацією в градієнті температур 0,5÷1,5 К/мм при температурі підкладки 80÷850 °С, а в...

Номер патенту: 42155

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Никифорчин Григорій Миколайович, Кирилів Володимир Іванович

МПК: B24B 39/00

Мітки: інструмент, структур, тертям, високошвидкісним, нанокристалічних, отримання

Формула / Реферат:

Інструмент для отримання нанокристалічних структур високошвидкісним тертям на поверхні деталей машин, що складається із корпусу і робочого диска, виконаного із титанового сплаву або нержавіючої сталі із радіальними отворами, в яких розташовані пальці із повернутими всередину диска буртами, що контактують із корпусом, який відрізняється тим, що, з метою збільшення глибини та мікротвердості зміцненого шару за рахунок підвищення дисперсності...

Номер патенту: 42154

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Никифорчин Григорій Миколайович, Кирилів Володимир Іванович

МПК: B24B 39/00

Мітки: поверхні, отримання, спосіб, нанокристалічних, деталей, машин, структур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалічних структур на поверхні деталей машин за рахунок високошвидкісного тертя, який полягає у тому, що нанокристалічні структури отримують шляхом нагрівання приповерхневого шару до температур 1100-1300 К і термопластичного деформування поверхні деталі тертям спеціальним металевим інструментом, що обертається зі швидкістю 65-80 м/с, притискається до оброблюваної деталі з питомим тиском 1,0-1,6 ГПа, а деталь...

Номер патенту: 41256

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Чесноков Олексій Вікторович, Потапов Олександр Михайлович

МПК: C04B 35/83

Мітки: армуючих, спосіб, виготовлення, структур, просторових

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення просторових армуючих структур, що полягає у отриманні стрижнів пултрузією, просочуючи їх волокна, і складанні з отриманих стержнів заданої армуючої структури, який відрізняється тим, що волокна просочують розчином вуглеводу, який після складання структури видаляють на паровій бані, потім армуючу структуру висушують, зберігаючи прямолінійність і рівномірність розташування волокон.

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: H01L 21/04

Мітки: бар'єрних, аiiвvi, пружною, сполук, електричних, легування, елементами, створенні, спосіб, приповерхневого, напівпровідникових, групи, хвилею, структур, аiii

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...

Номер патенту: 40001

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Пуд Олександр Аркадієвич, Дімітрієв Олег Петрович, Осипьонок Микола Михайлович, Смертенко Петро Семенович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/28, H01C 1/00 ...

Мітки: гнучкого, полікристалічного, контакту, нанесення, основі, структур, омічного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення омічного контакту до структур на основі полікристалічного CdS, що включає нанесення на підкладинку водної суспензії порошкоподібного CdS з домішкою CdCl2 в кількості 10 мас. %, з подальшим спіканням цього шару в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що як омічний контакт до полікристалічного шару CdS використане вуглецеве волокно, яке попередньо відпалюють в атмосфері інертного газу при температурі...

Номер патенту: 39552

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Золот Анатолій Іванович, Ходаковський Микола Іванович, Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: виготовлення, атомно-силової, мікроскопі, основі, електростатичних, пристрій, структур, сіль, еталонних

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення еталонних структур на основі атомно-силової мікроскопії електростатичних сил, що містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід зв'язаний з входом блока прецизійного контролю форми верхівки вістря зонда, другий вихід блока керування параметрами зв'язаний з входом блока сканування вістряної структури, вихід блока сканування вістряної структури з'єднаний з входом блока прецизійного контролю...

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: детекторів, спосіб, діапазону, епітаксійних, отримання, рентгенівського, структур, арсеніду, галію, фотовольтаїчних, випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Номер патенту: 37790

Опубліковано: 10.12.2008

Автори: Савчук Тетяна Андріївна, Федів Володимир Іванович, Давиденко Ігор Святославович, Федів Олександр Іванович, Савчук Андрій Йосипович

МПК: A61B 5/04, G01N 29/06, G01N 21/76 ...

Мітки: наночастинок, дерева, спосіб, методом, візуалізації, плаценти, напівпровідника, використанням, люмінесцентним, хоріального, структур, напівмагнітного

Формула / Реферат:

Спосіб візуалізації структур хоріального дерева плаценти люмінесцентним методом шляхом реєстрації люмінесцентного сигналу біосенсорів у тканині, який відрізняється тим, що як біосенсор використовують синтезовані біосенсорні системи - наночастинки напівмагнітного напівпровідника Cd1-xMrixS - меркаптоетанол, які наносять на досліджувані зрізи тканини, після чого реєструють люмінесцентний сигнал адсорбованого біосенсора при опроміненні в...

Номер патенту: 37413

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Каплуненко Володимир Георгійович, Косінов Микола Васильович

МПК: B22F 9/00, B01J 2/02, A61K 9/50 ...

Мітки: нанокластерів, матеріалів, отримання, нанотехнологія, структур, спосіб, нанокластерних, електропровідних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокластерів електропровідних матеріалів, що включає абляцію поверхні електропровідних матеріалів шляхом швидкого випаровування речовини з поверхні за рахунок локалізованого руйнування гранул електропровідних матеріалів імпульсами електричного струму, утворення плазми, дію на речовину, що аблює, плазмою для її розпаду і іонізації, конденсацію перенасиченої пари в наночастинки при швидкому охолоджуванні в діелектричній...

Номер патенту: 36893

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Кравців Роман Йосипович, Тибінка Андрій Михайлович, Зайцев Олександр Олександрович

МПК: G01N 33/48

Мітки: спосіб, кишечнику, синім, зафарбованих, метиленовим, нервових, структур, птиці, тварин, фіксації

Формула / Реферат:

1. Спосіб фіксації препаратів нервових структур кишечнику тварин і птиці, зафарбованих метиленовим синім, який включає обробку відібраного матеріалу кишечнику і фарбування його розчином метиленового синього при t=38 °C під контролем ступеня поглинання фарби нервовими структурами кишечнику за допомогою лупи МБС-10 та фіксування препаратів, що досягли контрастності, зануренням у ємність з 50-100 кратним об'ємом фіксуючого розчину, промивання...

Номер патенту: 36855

Опубліковано: 10.11.2008

Автор: Когут Ігор Тимофійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: структур, спосіб, виготовлення, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур "кремній-на-ізоляторі", який включає послідовне формування на кремнієвій пластині шару ізолятора, відкриття в ньому вікон для контактів-зародків полікремнію із пластиною, нанесення шару полікремнію, капсулюючого і просвітлюючого покрить у вигляді смужок із нітриду кремнію та наступну лазерну перекристалізацію шару полікремнію шляхом сканування лазерним променем, який відрізняється тим, що шар ізолятора...

Номер патенту: 36791

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Ніколаєнко Юрій Єгорович, Михащук Юрій Сергійович, Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 21/208

Мітки: поршнева, багатошарових, графітова, структур, касета, отримання

Формула / Реферат:

Графітова поршнева касета для отримання багатошарових структур, що складається з корпусу, всередині якого знаходиться тримач підкладки з кришкою, в котрому виконано вхідний та зливний отвори, рухомого поршня, який щільно контактує зі стінкою тримача підкладки, зверху касета містить рухомий контейнер з комірками для розчинів-розплавів, а знизу розміщений зливний контейнер, яка відрізняється тим, що в нижній частині тримача підкладки виконано...

Номер патенту: 36463

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Сапон Сергій Васильович, Голота Віктор Іванович

МПК: C30B 31/00

Мітки: тривимірних, локальних, кремній-на-ізоляторі, виготовлення, структур, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур "кремній-на-ізоляторі", який включає маскування поверхні пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, створення в пластині проміжків, як між ділянками маскуючого покриття, так і на заданій глибині під поверхнею пластини для формування в цих місцях анодуванням пористого кремнію та його проокислення з формуванням ізолюючого окислу кремнію, який відрізняється тим, в...

Номер патенту: 36456

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Бережанський Володимир Михайлович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H05K 13/00

Мітки: к-мон, вісь, спосіб, структур, порогових, юстування, напруг, технологією, радіаційною

Формула / Реферат:

1. Спосіб юстування порогових напруг структур К-МОН ВІС радіаційною технологією, що включає в себе всі операції формування субмікронних структур, який відрізняється тим, що юстування порогових напруг проводиться за допомогою радіаційної технології в два етапи: попереднє - після формування підзатворного діелектрика багатозарядною імплантацією домішки в приповерхневі затворні області і концентрацією 1014-1015 см-3 на глибину...

Номер патенту: 35043

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Кацан Сергій Володимирович, Шпак Анатолій Петрович, Плюто Ігор Володимирович, Пасєчнікова Наталія Володимирівна, Пасєчніков Антон Сергійович, Задорожний Олег Сергійович, Науменко Володимир Олександрович, Король Андрій Ростиславович

МПК: A61B 3/10, A61F 9/00

Мітки: дітей, очного, дна, відеореєстрації, фото, пристрій, структур

Формула / Реферат:

Пристрій для фото- і відеореєстрації структур очного дна у дітей, який характеризується тим, що містить освітлювач (2) у вигляді світлового діода інфрачервоного діапазону з довжиною хвилі до 1000 нм, який з'єднаний з блоком (3) живлення і керування пристроєм, що з'єднаний з блоком (1) у вигляді відеокамери для відеозйомки в інфрачервоному діапазоні, яка додатково обладнана системою фокусування і діафрагмування та комплектом розроблених...

Номер патенту: 34736

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/02

Мітки: епітаксійних, отримання, структур, інфрачервоного, галію, випромінювання, світлодіодів, діапазону, спосіб, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання р-n структур арсеніду галію для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання з рідкої фази, при якому епітаксійне вирощування проводять на підкладці арсеніду галію шляхом примусового охолодження з обмеженого об'єму насиченого розчину арсеніду галію, легованого амфотерною домішкою кремнію, який відрізняється тим, що до розплаву галію добавляють ізовалентний компонент вісмуту в кількості 5-15 ат. %, а вміст кремнію в...

Номер патенту: 32511

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Страфун Сергій Семенович, Рой Ірина Володимирівна, Сергієнко Руслан Олексійович, Перфілова Лідія Володимирівна

МПК: A61H 1/00

Мітки: структур, електропунктурної, ушкоджень, суглоба, періартикулярних, спосіб, плечового, захворювань, діагностики

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики захворювань та ушкоджень періартикулярних структур плечового суглоба, який передбачає вимірювання показників величини електропровідності біологічно активних точок (БАТ) за Р. Фоллем та їх інтерпретацію, який відрізняється тим, що здійснюють вимірювання електропровідності БАТ каналів: нервової дегенерації, а саме - загальна точка виміру (ЗТВ), контрольна точка виміру (КТВ), шийний та грудний відділи спинного мозку, судини...

Номер патенту: 30796

Опубліковано: 11.03.2008

Автори: Криштофорова Беса Владиславівна, Корабльова Тетяна Рафаїлівна

МПК: A61B 5/107

Мітки: імунокомпетентних, визначення, дванадцятипалої, оболонки, критеріїв, інформативності, стану, кишки, слизової, спосіб, структур, телят, морфофункціонального

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення критеріїв інформативності морфофункціонального стану імунокомпетентних структур слизової оболонки дванадцятипалої кишки телят, що включає візуальні морфологічні дослідження (додатково гістологічні), який відрізняється тим, що після загибелі (або вимушеного забою) дванадцятипалу кишку відокремлюють з черевної порожнини, розтинають її по малій кривині, видаляють вміст, промивають водою та видаляють залишок вологи, після...

Номер патенту: 29830

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Худобін Володимир Юр'євич, Прудніков Юрій Вікторович, Оксимець Віталій Михайлович, Володкін Володимир Леонідович, Лобанов Григорій Вікторович

МПК: A61B 17/58

Мітки: остеосинтезу, тазового, задніх, кільця, пристрій, ушкоджень, структур, кісткових

Формула / Реферат:

Пристрій для остеосинтезу ушкоджень задніх кісткових структур тазового кільця, який містить стрижні, що утворюють каркас, шайби та гайки під стрижень, який відрізняється тим, що додатково містить еластичну моделюючу пластину з розташованими уздовж неї отворами, один з яких насаджений на стрижень в його середній частині, а через другий отвір гвинтом закріплюють та переміщують кісткові відламки.

Номер патенту: 28980

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Кривецька Інна Іванівна, Кривецький Віктор Васильович

МПК: A61B 10/00, A61B 8/00

Мітки: стовпа, онтогенезу, дослідження, пренатальному, спосіб, хребетного, періоди, комплексного, людини, ділянки, структур

Формула / Реферат:

1. Спосіб комплексного дослідження структур ділянки хребетного стовпа в пренатальному періоді онтогенезу шляхом виготовлення та дослідження макро- та мікропрепаратів зрізів ділянки хребетного стовпа, який відрізняється тим, що додатково проводять виготовлення топографо-анатомічних зрізів, графічних та пластичних реконструктивних моделей, ін'єкцію судин та стереофотографування, комп'ютерну томографію, магнітно-резонансну томографію, цифрову...

Номер патенту: 28395

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Салдан Юлія Йосипівна, Салдан Йосип Романович, Асачева Ольга Сергіївна

МПК: A61B 3/00

Мітки: продукції, діагностики, спосіб, рідини, патологічних, переднього, структур, сльозної, змін, порушення, відділу, ока

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики патологічних змін структур переднього відділу ока та порушення продукції сльозної рідини, що передбачає забарвлення переднього відділу ока флюоресцеїном, який відрізняється тим, що в кон'юнктивальну порожнину ока, яке досліджується, на 5 хвилин занурюють зігнутий край стрічки з фільтрувального паперу, ширина якої 5мм і довжина 40мм, попередньо змочений флюоресцеїном і висушений, а сама стрічка запакована в паперовий пакет і...

Номер патенту: 26966

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Кривецька Інна Іванівна, Кривецький Віктор Васильович

МПК: G09B 23/28

Мітки: ділянки, мікроскопічних, людини, моделювання, хребетного, стовпа, спосіб, періоди, пренатальному, структур, онтогенезу

Формула / Реферат:

1. Спосіб 3D моделювання мікроскопічних структур ділянки хребта людини у пренатальному періоді онтогенезу людини шляхом отримання зображення послідовних гістологічних зрізів та їх співставлення, який відрізняється тим, що зображення послідовних гістологічних зрізів хребта отримують за допомогою цифрового фотоапарата, зберігають їх на цифрових носіях, калібрують та обробляють за допомогою комп'ютерних програм, а співставлення зображення...

Номер патенту: 27034

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Кривецька Інна Іванівна, Кривецький Віктор Васильович

МПК: G01N 1/00

Мітки: хребетного, періоди, ділянки, людини, спосіб, вимірювання, пренатальному, онтогенезу, структур, мікроскопічних, стовпа

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання мікроскопічних структур ділянки хребетного стовпа людини в пренатальному періоді онтогенезу шляхом вимірювання зображень групи гістологічних препаратів, який відрізняється тим, що зображення групи гістологічних препаратів отримують за допомогою цифрового фотоапарата, зберігають їх на цифрових носіях, калібрують та обробляють за допомогою комп'ютерних програм, а вимірювання мікроскопічних структур проводять із...

Номер патенту: 22539

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Ніконова Аліна Олександрівна, Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Акім Віталійович, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: H01L 21/70

Мітки: формування, кремнію, структур, діелектрику, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування структур кремнію на діелектрику, який включає окислення пластин кремнію, осадження плівок нітриду кремнію, проведення процесів фотолітографії, локальне травлення плівок нітриду, окислу кремнію та кремнію, локальне окислення кремнію, який відрізняється тим, що після окислення пластин кремнію осаджують плівки Si3N4 товщиною 0,1-2,0 мкм, проводять одночасно поверхнево-анізотропне травлення і селективне травлення кремнію в...

Номер патенту: 21587

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Полівєнок Ігор Вікторович, Бучнєва Ольга Володимирівна, Авдосьєв Юрій Володимирович, Прасол Віталій Олександрович, Бойко Валерій Володимирович

МПК: A61B 17/00

Мітки: серця, інтраопераційної, пошкодження, діагностики, внутрішньосерцевих, процес, пораненні, структур

Формула / Реферат:

Процес інтраопераційної діагностики пошкодження внутрішньосерцевих структур при пораненні серця, що включає торако- та перікардіотомію, знаходження проникної рани серця, введення в її отвір катетер Фоллєя та роздування манжети, зупинку кровотечі з рани серця та накладення на стінку серця гемостатичних швів, який відрізняється тим, що додатково після зупинки кровотечі за допомогою катетера Фоллєя вводять контрастну рідину та одночасно...

Номер патенту: 19435

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Андрєєва Катерина Вікторівна, Сизов Федір Федорович, Лисюк Ігор Олександрович, Гузенко Генадій Олексійович

МПК: G01R 1/00

Мітки: напівпровідникових, характеристик, зондова, електрофізичних, установка, вимірювання, структур

Формула / Реферат:

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що складається з станини, П-подібного кронштейна з закріпленим на ньому мікроскопом, координатного столика, розташованого під мікроскопом, двох приводів горизонтального переміщення і приводу вертикального переміщення координатного столика і зондів, що забезпечують електричні контакти з елементами, що тестуються, яка відрізняється тим, що установка...

Номер патенту: 19647

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Хмара Тетяна Володимирівна, Козуб Микола Миколайович

МПК: G09B 23/28

Мітки: виготовлення, органів, спосіб, статевої, людини, структур, системі, чоловічої, моделей, онтогенезу, періоди, гіпсових, пренатальному

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гіпсових моделей органів і структур чоловічої статевої системи в пренатальному періоді онтогенезу людини шляхом заливання гіпсу в негативній реконструкції, який відрізняється тим, що заливання гіпсу проводять пошарове із товщиною секцій 2-4 см та додатково вводять в порожнину негативної реконструкції нитки із довжиною, більшою за довжину всієї реконструкції.