Патенти з міткою «структур»

Сторінка 2

Функціонально-інвазійний пристрій для вимірювання розмірів біологічних структур з відліковим механізмом годинникового типу

Завантаження...

Номер патенту: 104930

Опубліковано: 25.02.2016

Автор: Коптюх Валерій Васильович

МПК: G01B 5/00

Мітки: пристрій, вимірювання, годинникового, структур, біологічних, розмірів, відліковим, типу, механізмом, функціонально-інвазійний

Формула / Реферат:

Функціонально-інвазійний пристрій для вимірювання розмірів біологічних структур з відліковим механізмом годинникового типу, що складається із штанги з напрямною зубчатою рейкою та нанесеною основною шкалою, рамки з відліковим механізмом годинникового типу, рухомої та нерухомої губок, який відрізняється тим, що нерухома губка виконана у вигляді знімної загостреної тонкостінної зігнутої трубки та містить фіксуючу кліпсу з гвинтом.

Функціонально-інвазійний пристрій для вимірювання розмірів біологічних структур з ноніусом

Завантаження...

Номер патенту: 104929

Опубліковано: 25.02.2016

Автор: Коптюх Валерій Васильович

МПК: G01D 13/10

Мітки: біологічних, пристрій, структур, вимірювання, функціонально-інвазійний, розмірів, ноніусом

Формула / Реферат:

Функціонально-інвазійний пристрій для вимірювання розмірів біологічних структур з ноніусом, що складається із штанги з напрямною зубчатою рейкою та нанесеною основною шкалою, рамки з ноніусом, рухомої та нерухомої губок, який відрізняється тим, що нерухома губка виконана у вигляді з’ємної загостреної тонкостінної зігнутої трубки та містить фіксуючі клеми з гвинтом.

Спосіб тестування фоточутливих багатошарових структур

Завантаження...

Номер патенту: 110075

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Манілов Антон Ігорович, Литвиненко Сергій Васильович, Скришевський Валерій Антонович

МПК: H01L 31/18, H02S 50/10, G01N 21/27 ...

Мітки: фоточутлівих, тестування, структур, спосіб, багатошарових

Формула / Реферат:

Спосіб тестування фоточутливих багатошарових структур з визначенням вольт-амперних характеристик окремих шарів, що включає операції їх опромінення модульованим світлом, реєстрацію та обробку наведеного фотоелектричного сигналу, який відрізняється тим, що багатошарову структуру підключають до керованого потенціостата, за допомогою якого задають електричний струм та забезпечують гальваностатичний режим вимірювань; при цьому застосовують...

Штам соматичних структур дереворуйнівного базидіоміцету fistulina hepatica (schaeff.) sibth. fh-18 – продуцент позаклітинних каротиноїдів

Завантаження...

Номер патенту: 101911

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Федотов Олег Валерійович, Велигодська Анастасія Костянтинівна

МПК: C12N 1/14, A01G 1/04

Мітки: продуцент, schaeff, каротиноїдів, fh-18, sibth, hepatica, fistulina, соматичних, базидіоміцету, дереворуйнівного, структур, штам, позаклітинних

Формула / Реферат:

Штам соматичних структур дереворуйнівного базидіоміцету Fistulina hepatica (Schaeff.) Sibth. Fh-18 - продуцент позаклітинних каротиноїдів.

Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах позитивних халькогенідних резистів

Завантаження...

Номер патенту: 100965

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Луканюк Марія Василівна, Шепелявий Петро Євгенович, Минько Віктор Іванович, Данько Віктор Андрійович, Індутний Іван Захарович

МПК: G03F 7/26, G03G 5/10, G03F 1/56 ...

Мітки: періодичних, шарах, спосіб, структур, халькогенідних, масок, позитивних, резистів, формування, літографічних, рельєфно-фазових

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних резистів, який включає нанесення на підкладинку шару резисту з неорганічної халькогенідної сполуки, відпал резисту протягом 1-3 годин при температурі від Tg-5 до Tg-15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду, експонування резисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду,...

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 100132

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: H01L 29/861, H01L 31/00, H01L 21/04 ...

Мітки: фотовольтаїчних, структур, основі, отримання, спосіб, сенсорних, кремнію, поруватого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію в розчині C2H5OH:HF:H2O=1:1:1 при густині струму 10-60 мА/см2 упродовж 10-30 хвилин і на отриманий поруватий шар кремнію електрохімічно осаджують пасивуючий шар полімеру, який відрізняється тим, що як полімер використовують полі-3,4-етилендіокситіофен, а пасивуючий шар отримують...

Спосіб отримання наногетерогенних твердотільних люмінесцентних плівкових структур на основі нанокристалів кадмій телуриду

Завантаження...

Номер патенту: 99205

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Томашик Василь Миколайович, Єрмаков Валерій Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Зинюк Олександр Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Курик Андрій Онуфрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00

Мітки: плівкових, основі, люмінесцентних, телуриду, кадмій, нанокристалів, структур, спосіб, твердотільних, отримання, наногетерогенних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наногетерогенних твердотільних люмінесцентних плівкових структур на основі нанокристалів кадмій телуриду (CdTe), який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії відповідних прекурсорів в деіонізованій воді в реакторі періодичної дії, змішування отриманого розчину нанокристалів CdTe із водним розчином полімеру, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на...

Пристрій івазійний для вимірювання розмірів біологічних структур з відліковим механізмом годинникового типу

Завантаження...

Номер патенту: 99072

Опубліковано: 12.05.2015

Автор: Коптюх Валерій Васильович

МПК: A61B 17/322

Мітки: годинникового, вимірювання, відліковим, пристрій, івазійний, розмірів, біологічних, механізмом, структур, типу

Формула / Реферат:

Пристрій івазійний для вимірювання розмірів біологічних структур з відліковим механізмом годинникового типу, що містить штангу з напрямною зубчатою рейкою та нанесеною основною шкалою, рамку з відліковим механізмом годинникового типу, рухому та нерухому губки, виготовлений з поліаміду та скловолокна, який відрізняється тим, що рухому та нерухому губки виконано у вигляді знімних голок та фіксуючих кліпс з гвинтами, пристрій виготовлений з...

Спосіб синтезу нанокомпозиційних структур титан (iv) оксид/кадмію (іі) сульфід

Завантаження...

Номер патенту: 98762

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Астрелін Ігор Михайлович, Донцова Тетяна Анатоліївна, Іваненко Ірина Миколаївна

МПК: C01B 13/14, B82B 1/00

Мітки: синтезу, сульфід, іі, нанокомпозиційних, спосіб, титан, структур

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокомпозиційних структур титан (IV) оксид/кадмію (II) сульфід, що включає змішування розчинів нітрату кадмію і тіосульфату натрію, додавання цетилтриметиламонію броміду (СТАВ), додавання титану (IV) хлориду в водний розчин ізобутилового спирту, перемішування розчинів, центрифугування і відмивання до негативної реакції на хлорид-іони, висушування при температурі 110 °С протягом 1 години, який відрізняється тим, що...

Івазійний пристрій для вимірювання розмірів біологічних структур з електронним відліковим цифровим механізмом

Завантаження...

Номер патенту: 98508

Опубліковано: 27.04.2015

Автор: Коптюх Валерій Васильович

МПК: A61B 17/322

Мітки: електронним, вимірювання, структур, механізмом, біологічних, пристрій, цифровим, розмірів, відліковим, івазійний

Формула / Реферат:

Івазійний пристрій для вимірювання розмірів біологічних структур з електронним відліковим цифровим механізмом, що містить штангу з напрямною зубчатою рейкою та нанесеною основною шкалою, рамку з електронним відліковим цифровим механізмом, рухому та нерухому губки, виготовлені з поліаміду та скловолокна, який відрізняється тим, що нерухома губка виконана у вигляді знімної голки, фіксуючої клеми з гвинтом, пристрій виготовлений з металу.

Інвазійний пристрій для вимірювання розмірів біологічних структур з ноніусом

Завантаження...

Номер патенту: 98080

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Коптюх Валерій Васильович, Коптюх Володимир Володимирович

МПК: A61B 17/322

Мітки: розмірів, вимірювання, структур, ноніусом, інвазійний, пристрій, біологічних

Формула / Реферат:

Інвазійний пристрій для вимірювання розмірів біологічних структур, що містить штангу з напрямною зубчатою рейкою та нанесеною основною шкалою, рамку з ноніусом, рухому та нерухому губки, який відрізняється тим, що пристрій має фіксуючу клему з гвинтом та виготовлений з металу, а нерухома губка виконана у вигляді знімної голки.

Івазійний пристрій для вимірювання розмірів біологічних структур з відліковим механізмом годинникового типу

Завантаження...

Номер патенту: 98074

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Дуве Дарія Максимівна, Волков Роман Костянтинович, Коптюх Валерій Васильович

МПК: A61B 17/322

Мітки: івазійний, пристрій, розмірів, вимірювання, відліковим, типу, механізмом, годинникового, структур, біологічних

Формула / Реферат:

Інвазійний пристрій для вимірювання розмірів біологічних структур з відліковим механізмом годинникового типу, що складається зі штанги з напрямною зубчатою рейкою та нанесеною основною шкалою, рамки з відліковим механізмом годинникового типу, рухомої та нерухомої губок, який відрізняється тим, що нерухома губка виконана у вигляді знімної голки та фіксуючої клеми з гвинтом, пристрій виготовлений з металу.

Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур snte:bi p-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: покращеною, напівпровідникових, спосіб, структур, snte:bi, провідності, тонкоплівкових, термоелектричною, отримання, потужністю, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Спосіб отримання напівпровідникових структур p-snte:bi на ситалових підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: підкладках, напівпровідникових, отримання, структур, ситалових, p-snte:bi, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Спосіб комплексного дослідження структур ділянки кульшового суглоба в пренатальному періоді онтогенезу людини

Завантаження...

Номер патенту: 97077

Опубліковано: 25.02.2015

Автори: Кривецька Інна Іванівна, Кривецький Віктор Васильович, Якимюк Дмитро Іванович

МПК: A61B 17/56

Мітки: онтогенезу, людини, структур, комплексного, спосіб, пренатальному, суглоба, дослідження, періоди, ділянки, кульшового

Формула / Реферат:

Спосіб комплексного дослідження структур ділянки кульшового суглоба в пренатальному періоді онтогенезу шляхом виготовлення та дослідження макро- та мікропрепаратів зрізів ділянки кульшового суглоба, який відрізняється тим, що додатково проводять: виготовлення гістологічних зрізів структур ділянки кульшового суглоба; виготовлення графічних та пластичних реконструктивних моделей; виготовлення топографо-анатомічних зрізів; ін'єкцію кровоносних...

Спосіб діагностики рефлекторної діяльності сегментарних структур спинного мозку у хворих із шийною мієлопатією

Завантаження...

Номер патенту: 94914

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Чеботарьова Лідія Львівна, Третьякова Альбіна Ігорівна

МПК: A61B 5/0488

Мітки: сегментарних, мієлопатією, структур, діагностики, хворих, спинного, шийною, рефлекторної, діяльності, спосіб, мозку

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики рефлекторної діяльності сегментарних структур спинного мозку у хворих із шийною мієлопатією, що є методом електродіагностики, який відрізняється тим, що обстеження проводиться на комп'ютерному електроміографі до та після курсу лікування, аналізується поріг виникнення, початкова латенція, тривалість періоду мовчання, амплітуда рефлекторних відповідей, за наявності значущих порівняно з нормою змін, діагностують функціональні...

Спосіб ультразвукової діагностики щільності оболонок і структур серця

Завантаження...

Номер патенту: 94212

Опубліковано: 10.11.2014

Автори: Андрейченко Ігор Іванович, Порохня Наталія Григорівна, Кондратьєв Вячеслав Олександрович, Кунак Олена Віталіївна

МПК: A61B 8/00

Мітки: структур, оболонок, щільності, діагностики, спосіб, серця, ультразвукової

Формула / Реферат:

Спосіб ультразвукової діагностики щільності оболонок і структур серця, що включає сканування ділянок серця у чотирикамерних позиціях, ехокардіографування, градуювання яскравостей зображень ехокардіограми, в діапазоні градацій 0-1, визначення сігмальних відхилень яскравості просканованих ділянок від норми, як показників виразності патологічних змін, та ступенів збільшення ультразвукової щільності, з використанням математичної моделі...

Пристрій для нвч-контролю електрофізичних параметрів твердотільних структур

Завантаження...

Номер патенту: 93890

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: G01R 27/00, G01R 17/00

Мітки: твердотільних, електрофізичних, пристрій, параметрів, структур, нвч-контролю

Формула / Реферат:

1. Пристрій для НВЧ-контролю електрофізичних параметрів твердотільних структур, що містить НВЧ-генератор, резонаторний зонд, керований за допомогою комп'ютера предметний столик, генератор модульованої частоти F, з'єднаний з пов'язаними зі спрямованим відгалужувачем двома синхронними детекторами, вихід першого з яких, що працює на частоті F, пов'язано з комп'ютером та НВЧ-генератором, а вихід другого, що працює на частоті 2F, з'єднано з...

Штам соматичних структур базидіоміцету irpex lacteus (fr.) fr. k- 1 – продуцент дереворуйнівних ферментних систем

Завантаження...

Номер патенту: 89940

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Древаль Костянтин Григорович, Бойко Михайло Іванович

МПК: C12N 9/42, C12R 1/645

Мітки: дереворуйнівних, штам, fr, irpex, базидіоміцету, lacteus, ферментних, соматичних, продуцент, структур, систем

Формула / Реферат:

Штам соматичних структур базидіоміцету Irpex lacteus (Fr.) Fr. K-1 - продуцент дереворуйнівних ферментних систем.

Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур

Завантаження...

Номер патенту: 105248

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Аксіментьєва Олена Ігорівна, Морозов Леонід Михайлович, Соколовський Богдан Степанович, Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович

МПК: H01L 29/861, H01L 21/04, H01L 31/00 ...

Мітки: фотовольтаїчних, структур, кремнієвих, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур, за яким електрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію, створюють р-n перехід та виготовляють електричні контакти, який відрізняється тим, що як зразок використовують монокристалічний кремній орієнтації (100), n - типу провідності, товщиною 400 мкм, з питомим опором 4.5 Ом*см, на тильну поверхню якого термовакуумно напилюють плівку срібла товщиною 1 мкм, анодують у розчині...

Оптичний спосіб визначення розподілу температури у функціональних елементах приладних ііі-n структур в робочих режимах

Завантаження...

Номер патенту: 88721

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Коломис Олександр Федорович, Авраменко Катерина Андріївна, Бойко Микола Іванович, Романюк Артем Сергійович, Насєка Юрій Миколайович, Насєка Віктор Миколайович, Стрельчук Віктор Васильович, Ніколенко Андрій Сергійович

МПК: G01K 11/32

Мітки: приладних, структур, елементах, оптичний, визначення, розподілу, функціональних, ііі-n, режимах, температури, робочих, спосіб

Формула / Реферат:

Оптичний спосіб визначення розподілу температури у функціональних елементах приладних III-N структур в робочих режимах, який відрізняється тим, що досліджуваний зразок з під'єднаними контактами розміщується на моторизованому столику мікроскопа, який оснащено USB-камерою та підводкою контактних проводів, через об'єктив мікроскопа проводиться відбір ділянки для дослідження, програмно визначаються її межі та проводиться збудження коливних смуг...

Спосіб тривимірного комп’ютерного реконструювання мікроскопічних анатомічних структур

Завантаження...

Номер патенту: 85504

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Кашперук-Карпюк Інна Сергіївна, Бойчук Тарас Миколайович, Цигикало Олександр Віталійович, Антонюк Ольга Петрівна

МПК: A61B 5/00

Мітки: комп'ютерного, анатомічних, мікроскопічних, структур, реконструювання, спосіб, тривимірного

Формула / Реферат:

Спосіб тривимірного комп'ютерного реконструювання мікроскопічних анатомічних структур шляхом виготовлення серії мікротомних зрізів, який відрізняється тим, що проводять послідовні серії цифрових зображень мікроскопічних анатомічних структур з поверхні парафінового блока із залитим препаратом і виконують тривимірну комп'ютерну модель анатомічного об'єкта.

Термомеханічний агрегат видалення осадових структур із внутрішніх поверхонь трубопроводів

Завантаження...

Номер патенту: 85482

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Дзюба Анатолій Петрович, Ігнашкін Іван Сергійович, Сафронова Інга Анатоліївна, Лисицина Олена Анатоліївна

МПК: B08B 7/02

Мітки: термомеханічній, трубопроводів, поверхонь, видалення, осадових, агрегат, структур, внутрішніх

Формула / Реферат:

Термомеханічний агрегат видалення осадових структур із внутрішніх поверхонь трубопроводів, що містить корпус, ударний вузол динамічного навантаження з хвилеводами для передачі механічного навантаження моноліту осадового шару через стінку трубопроводу, механізми кріплення і переміщення ударного вузла вздовж трубопроводу, який відрізняється тим, що ударний вузол виконано у вигляді як мінімум двох електродинамічних вібраторів, встановлених...

Спосіб діагностики та характеризації світлодіодних gan структур по електролюмінесценції мікроплазм

Завантаження...

Номер патенту: 85050

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Власенко Зоя Костянтинівна, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Ляшенко Олег Всеволодович, Борщ Володимир Васильович, Велещук Віталій Петрович, Босий Віталій Ісаєвич

МПК: G01R 31/26

Мітки: діагностики, структур, характеризації, світлодіодних, спосіб, мікроплазм, електролюмінесценції

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики та характеризації світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікоплазм, який відрізняється тим, що величину зворотної напруги збільшують до максимально можливого неруйнівного значення і вимірюють спектр електролюмінесценції всіх мікоплазм, і за величиною інтенсивності електролюмінесценції та величиною відношення інтенсивностей максимумів синьої...

Штам соматичних структур макроміцету irpex lacteus (fr.) fr. а-дон-02 – продуцент целюлаз

Завантаження...

Номер патенту: 84836

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Кузнєцова Ірина Анатоліївна, Древаль Костянтин Григорович, Бойко Михайло Іванович

МПК: C12N 9/42, C12R 1/645

Мітки: соматичних, а-дон-02, целюлаз, продуцент, fr, штам, структур, lacteus, макроміцету, irpex

Формула / Реферат:

Штам соматичних структур макроміцету Irpex lacteus (Fr.) Fr. А-Дон-02 - продуцент целюлаз.

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах

Завантаження...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: G01R 1/00

Мітки: різних, електрофізичних, пристрій, структур, характеристик, напівпровідникових, температурах, вимірювання, зондовий

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Спосіб отримання напівпровідникових структур n-pbte:bi із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 84497

Опубліковано: 25.10.2013

Автор: Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, потужністю, напівпровідникових, структур, термоелектричною, спосіб, покращеною, n-pbte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв=(970±10)К, на підкладку ситалу при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві з вмістом легуючої домішки 0,05...

Спосіб отримання легованих термоелектричних структур на основі n-pbte:bi

Завантаження...

Номер патенту: 84495

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Криницький Олександр Степанович, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: n-pbte:bi, основі, спосіб, отримання, структур, легованих, термоелектричних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих термоелектричних структур на основі n-РbТе:Ві, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) К на підкладки ситалу при температурі Тп=(470±10) К, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві із вмістом легуючої домішки...

Установка для вирощування наногетероепітаксійних структур з квантовими точками з рідкої фази

Завантаження...

Номер патенту: 103253

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кононов Алєксандр, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Кушнір Костянтин Вадимович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208

Мітки: квантовими, рідкої, вирощування, фазі, структур, установка, точками, наногетероепітаксійних

Формула / Реферат:

Установка для вирощування наногетероепітаксійних структур з квантовими точками з рідкої фази, що складається з вакуумно-газорозподільної системи, комп'ютеризованої системи автоматики, управління та контролю параметрів процесу, систем електроживлення, технологічної системи, яка включає корпус, піч опору, в якій розміщений кварцовий реактор з металевими кришками, що мають отвори для штоків, технологічне оснащення, яке містить касету для...

Штам соматичних структур дереворуйнівного базидіоміцету laetiporus sulphureus (bull.) murrill ls-08 – продуцент каротиноїдів

Завантаження...

Номер патенту: 83041

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Велигодська Анастасія Костянтинівна, Федотов Олег Валерійович

МПК: A01G 1/04, C12N 1/14

Мітки: laetiporus, базидіоміцету, дереворуйнівного, murrill, штам, соматичних, продуцент, булл, ls-08, sulphureus, каротиноїдів, структур

Формула / Реферат:

Штам соматичних структур дереворуйнiвного базидіоміцету Laetiporus sulphureus (Bull.) Murrill Ls-08 - продуцент каротиноїдів.

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H04N 5/257

Мітки: параметрів, напівпровідникових, електрофізичних, мікроскоп, структур, скануючий, контролю, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Штам соматичних структур базидіоміцету irpex lacteus (fr.) fr. д-1 – продуцент ензимів целюлозолігнолітичного комплексу

Завантаження...

Номер патенту: 82341

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Древаль Костянтин Григорович, Бойко Михайло Іванович

МПК: C12R 1/645, C12N 9/42

Мітки: соматичних, структур, штам, ензимів, lacteus, базидіоміцету, продуцент, fr, целюлозолігнолітичного, комплексу, irpex

Формула / Реферат:

Штам соматичних структур базидіоміцету Irpex lacteus (Fr.) Fr. Д-l - продуцент ензимів целюлозолігнолітичного комплексу.

Штам соматичних структур дереворуйнівного базидіоміцета trametes hirsuta (wulfen) lloyd th-11- продуцент екзопродуктів перекисного окиснення ліпідів

Завантаження...

Номер патенту: 82088

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Федотов Олег Валерійович, Чайка Олександр Володимирович

МПК: A01G 1/04

Мітки: дереворуйнівного, wulfen, lloyd, базидіоміцета, trametes, структур, ліпідів, th-11, штам, екзопродуктів, соматичних, перекисного, продуцент, hirsuta, окиснення

Формула / Реферат:

Штам соматичних структур дереворуйнівного базидіоміцета Trametes hirsuta (Wulfen) Lloyd Th-11 - продуцент екзогенних продуктів перекисного окиснення ліпідів.

Спосіб отримання періодичних структур por-inp/mono-inp шляхом електрохімічного травлення

Завантаження...

Номер патенту: 81521

Опубліковано: 10.07.2013

Автор: Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C23F 1/00

Мітки: структур, отримання, травлення, періодичних, спосіб, шляхом, електрохімічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання періодичної структури por-InP/mono-InP методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять обробкою монокристала у розчині кислоти при пульсуючій напрузі: 5-20 В протягом 1-5 хвилин, травлення за відсутності напруги (протягом 2-7 хвилин).2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кислота є плавиковою кислотою.3. Спосіб за п. 2, який відрізняється тим, що концентрація кислоти...

Спосіб отримання нанорозмірних структур in/inp по типу квантових точок

Завантаження...

Номер патенту: 81520

Опубліковано: 10.07.2013

Автор: Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C30B 30/00

Мітки: структур, квантових, нанорозмірних, точок, отримання, спосіб, типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання нанорозмірних структур Іn/ІnР по типу квантових точок Іn/ІnР на поверхні монокристалічного фосфіду індію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять обробкою монокристалу ІnР у розчині кислот у відношенні HF:H2O:HNO3= 5:5:1 при постійній напрузі від 3 до 15 В протягом часу від 3 хв. до 1 години.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять при впливі...

Штам соматичних структур дереворуйнівного базидіоміцета daedalеa quercina (l.) pers. dq-08 – продуцент екзопродуктів перекисного окиснення ліпідів

Завантаження...

Номер патенту: 79323

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Чайка Олександр Володимирович, Федотов Олег Валерійович

МПК: A01G 1/04

Мітки: дереворуйнівного, екзопродуктів, daedalеa, структур, ліпідів, продуцент, dq-08, перекисного, pers, штам, базидіоміцета, окиснення, соматичних, quercina

Формула / Реферат:

Штам соматичних структур дереворуйнівного базидіоміцета Daedalea quercina (L.) Pers. Dq-08 - продуцент екзогенних продуктів перекисного окиснення ліпідів.

Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 101707

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Шиян Олександр Васильович, Широков Борис Михайлович, Журавльов Олександр Юрійович, Шеремет Володимир Іванович

МПК: C23C 14/00, H01L 21/00

Мітки: вакуумного, структур, основі, атомів, джерело, напівпровідникових, кремнію, осадження

Формула / Реферат:

1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...

Спосіб визначення часу формування структур носової порожнини та суміжних утворень

Завантаження...

Номер патенту: 79170

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Кузняк Наталія Богданівна, Бамбуляк Андрій Васильович, Дячук Ілларіон Іванович, Бойчук Олег Михайлович

МПК: A61B 10/00

Мітки: суміжних, утворень, спосіб, часу, носової, визначення, формування, структур, порожнини

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу формування структур носової порожнини та суміжних утворень шляхом використання морфометрії, який відрізняється тим, що використовують гістологічне та морфологічне дослідження зародків, передплодів та плодів людини.

Пристрій для фотопружної мікроскопії твердих тіл та їх структур

Завантаження...

Номер патенту: 78510

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Олійник Остап Олегович, Сердега Борис Кирилович, Циганок Борис Архипович

МПК: G01N 1/28, G01J 4/00, G01N 21/21 ...

Мітки: мікроскопі, твердих, фотопружної, тіл, пристрій, структур

Формула / Реферат:

Пристрій для фотопружної мікроскопії твердих тіл та їх структур, який містить джерело поляризованого випромінювання, чвертьхвильову фазову пластину, мікрооб'єктив, фотопружний модулятор, аналізатор, фотодетектор, який відрізняється тим, що додатково містить поляризатор, оптоволокно, зонд з попередньо заданим квазілінійним розподілом оптичної анізотропії; синхронно-фазовий детектор, опорний вхід котрого підключений до блока живлення...