Патенти з міткою «напівпровідникових»

Номер патенту: 59948

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Котлярчук Богдан Костянтинович, Попович Дмитро Іванович, Середницький Андрій Степанович

МПК: C30B 19/00

Мітки: напівпровідникових, спосіб, одержання, матеріалів, шарів, нітридних, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких шарів напівпровідникових нітридних матеріалів лазерно-магнетронним напиленням, який відрізняється тим, що імпульсне лазерне випаровування металічної мішені та конденсацію парів на підкладці здійснюють у високовакуумній магнетронній установці в схрещених магнітному і електричному полях у спеціальному квазізамкненому хімічно-активному об’ємі в атмосфері азоту (аміаку).

Номер патенту: 55342

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Болгов Сергій Семенович, Яблонівській Євгеній Іванович

МПК: H01L 21/66

Мітки: складних, контролю, спосіб, складу, з'єднань, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Способ контроля состава сложных полупроводниковых соединений, включающий возбуждение люминесценции в полупроводниковой пластине, регистрацию люминесценции, измерение температуры пластины и определение состава, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля для узкозонных соединений при упрощении способа, возбуждение полупроводниковой пластины производят путем помещения ее в скрещенные электрическое и магнитное поля, вектора...

Номер патенту: 54007

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Мартинюк Роман Валентинович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/223

Мітки: виготовлення, спосіб, напівпровідникових, структур

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникових структур, що полягає в нанесенні плівок дифузанту на монокристалічні напівпровідникові пластини і проведенні твердофазного дифузійного легування, який відрізняється тим, що дифузію легуючої домішки проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-57°С.

Номер патенту: 53903

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/22

Мітки: кремнієвих, приладів, відокремлюючими, спосіб, кристалів, напівпровідникових, виготовлення, областями

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими p+ областями, що включає створення в кремнієвій підкладці n-типу випрямних плоских р-n переходів дифузією, формування відокремлюючих p+ областей термоміграцією линійних зон на основі алюмінію, яка супроводжується дифузією алюмінію з пари в поверхню підкладки, створення інжектуючих р-n переходів, наступну однобічну пасивацію випрямних р-n переходів,...

Номер патенту: 52083

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович

МПК: C01B 13/32, G02B 1/10

Мітки: здійснення, окислення, кінетики, напівпровідникових, спосіб, елементів, процесу, вивчення, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб вивчення кінетики окислення напівпровідникових елементів, який включає відпал елементів у повітряній атмосфері при одночасному опроміненні їх протилежних поверхонь УФ-випромінюванням і вивчення кінетики окислення, який відрізняється тим, що вивчення кінетики окислення здійснюють шляхом пропускання крізь досліджуваний елемент когерентного випромінювання і безперервного контролю залежностей від часу величин оптичного пропускання і...

Номер патенту: 50972

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Жарких Юрій Серафимович, Лисоченко Сергій Васильович, Третяк Олег Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: структур, ефективних, транзисторних, визначення, струмопровідних, спосіб, напівпровідникових, мас, тонких, каналах

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ефективних мас носіїв заряду в тонких струмопровідних каналах транзисторних напівпровідникових структур, який включає одночасну дію на матеріал направлених взаємно перпендикулярно магнітного і електричного полів і наступне дослідження наслідків одночасного їх впливу на рух вільних носіїв заряду, який відрізняється тим, що постійне магнітне поле направляють перпендикулярно поверхні зразка, електричне поле є постійним і його...

Номер патенту: 49270

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Сечин Сергій Іванович, Овсянікер Дмитро Юхимович

МПК: H05K 7/20

Мітки: спосіб, встановлення, напівпровідникових, приладів, радіаторів, охолодження

Формула / Реферат:

1. Спосіб встановлення радіаторів для охолодження напівпровідникових приладів, що включає встановлення радіаторів так, що вони утворюють єдину систему охолодження, підсилюючу охолодження, який відрізняється тим, що два радіатори встановлюють на одній площині, паралельно один одному і ребрами охолодження зустрічно один одному, причому відстань між радіаторами L визначають...

Номер патенту: 48649

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Бурлей Валерій Дмитрович, Мариненко Володимир Іванович, Терех Олександр Михайлович, Рогачов Валерій Андрійович, Письменний Євген Миколайович

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Мітки: приладів, поверхня, охолодження, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Поверхня для охолодження напівпровідникових приладів, що містить плоску основу, на якій закріплено сітчаcто- дротяне оребрення, яка відрізняється тим, що оребрення виконано з єдиного сітчаcто-дротяного полотна.

Номер патенту: 46974

Опубліковано: 17.06.2002

Автори: Лабковський Віктор Соломонович, Шинднес Юрій Львович, Бару Олександр Юрійович

МПК: H05K 7/20, H01L 23/34

Мітки: напівпровідникових, охолодження, радіатор, силових, пристроїв

Формула / Реферат:

1. Радіатор для охолоджування силових напівпровідникових приладів, що містить основу і ребра у вигляді пластин, кожна з яких має кореневу ділянку, тепловіддавальну ділянку і з'єднувальну ділянку між ними, при цьому тепловіддавальні ділянки сусідніх пластин розташовані із зазором між ними, який відрізняється тим, що пластини згруповані попарно так, що з'єднувальні ділянки в кожній парі пластин орієнтовані протилежно, кореневі ділянки кожної...

Номер патенту: 42223

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Сорочак Олег Зіновійович, Величко Лев Дмитрович

МПК: H01L 21/68

Мітки: пристрій, пластин, базовим, напівпровідникових, орієнтації, зрізом

Формула / Реферат:

Пристрій для орієнтації напівпровідникових пластин за базовим зрізом, що містить лоток, який відрізняється тим, що додатково містить анізотропну ворсову підкладку з нахилом ворсу в сторону транспортування, встановлену на робочій поверхні лотка, а лоток виконаний вібраційним з можливістю здійснення поздовжніх гармонійних коливань.

Номер патенту: 40268

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01R 31/00

Мітки: кристалів, провідності, напівпровідникових, ниткоподібних, визначення, типу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...

Номер патенту: 31782

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Доценко Юрій Павлович, Венгер Євген Федорович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: G01L 3/00, G01L 1/06

Мітки: механічних, спосіб, залишкових, кристалах, напружень, визначення, напівпровідникових, багатодолинних

Текст:

...простого, більш точного та більш досконалого, в порівнянні з існуючими аналогами, способу визначення залишкових механічних напружень в кристалах багатодолинних напівпровідників, що виникають в процесі їх вирощування, змін в результаті проведення різного роду технологічних відпалів або в результаті іншого впливу на напівпровідниковий матеріал Вирішення цієї задачі здійснюється шляхом проведення вимірів зміни поздовжнього опору пари зразків...

Номер патенту: 31120

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Рибчак Володимир Костянтинович, Плюта Ігор Васильович, Сташук Вадим Данилович

МПК: G01K 7/01

Мітки: напівпровідникових, застосуванням, спосіб, температури, мають, вимірювання, датчиків, переході

Текст:

.../2 . При цьому на р-п - переході формується імпульсна напруга, амплітуда якої дорівнює Vm = К, - V2 > яка згідно з (2) пропорційна температурі Т. Отже, для калібрування датчика достатньо виміряти амплітуду напруги на р-п - переході при одному опорному значенні температури Го , наприклад, взятому посередині діапазону вимірюваних температур,, щоб визначити коефіцієнт пропорційності між амплітудою вихідної напруги датчика і вимірюваною...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гурін Вячеслав Анатолійович, Март'янов Генадій Сергійович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 35/00

Мітки: летких, термообробки, кристалів, контейнер, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Номер патенту: 24073

Опубліковано: 31.08.1998

Автор: Жолкевич Герман Олексійович

МПК: H05B 33/10

Мітки: інжектуючий, інжектуючих, елементів, приладів, одержання, напівпровідникових, елемент, спосіб

Формула / Реферат:

1. Инжектирующий элемент для полупроводниковых приборов, содержащий сформированную на подложке структуру с областями из полупроводниковых широкозонных материалов типа А2В6, способную инжектировать носители заряда при приложении напряжения, отличающийся тем, что области структуры представляют собой элементы кристаллической текстуры или эпитаксиальные слои и выполнены из изотипного, одинакового полупроводникового материала толщиной от долей...

Номер патенту: 18427

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Кубишкін Іван Васильович, Лабковський Віктор Соломонович, Добров Олександр Михайлович, Кушнарьов Борис Семенович

МПК: H01B 1/02

Мітки: паста, напівпровідникових, силових, з'єднання, елементів, перетворювачів, схем

Формула / Реферат:

Паста для соединения элементов силовых схем полупроводниковых преобразователей, содержащая окись цинка, аэросил и полиметилсилоксановую жидкость, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит порошок медный электролитический из частиц дендритной формы (1) при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Номер патенту: 16578

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 21/28

Мітки: типу, сполук, індекс, напівпровідникових, виготовлення, а(нижній, контактів, діодних, омічних, спосіб, в(нижній, структур, основі

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления омических контактов к диодным структурам на основе полупроводниковых соединений типа А3В5 с p-n-переходом, включающий подготовку поверхности структуры, химическое осаждение металла на структуру, вжигание его и осаждение слоя никеля, отличающийся  тем, что, с целью упрощения способа, проводят диффузию цинка на глубину 1-3 мкм, сошлифовывают диффузионный слой со стороны n-типа, в качестве химически осаждаемого металла...

Номер патенту: 15332

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Мельничук Олександр Володимирович, Мельничук Людмила Юріївна, Венгер Євген Федорович, Пасічник Юрій Архипович

МПК: G01N 21/00, G01N 21/35

Мітки: матеріалах, рухливості, концентрації, полярних, напівпровідникових, зарядів, носіїв, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

Способ определения концентрации и подвижности носителей заряда в полярных полупроводниковых материалах, включающий измерение коэффициента отражения облученной электромагнитным излучением ПК диапазона поверхности полупроводникового материала и сравнение его со значением градуировочной кривой, отличающийся тем, что производят измерение коэффициента отражения поверхности полупроводникового материала, облученной на двух частотах из области...

Номер патенту: 14410

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Савченко Станіслав Павлович, Наконечний Володимир Федорович, Гвоздьов Валерій Павлович

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Мітки: приладів, силових, охолоджувач, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Охладитель для силовых полупроводнико­вых приборов, содержащий корпус с установочной площадкой и ребрами, выполненный из двух час­тей, и турбулизирующие вставки, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности ох­лаждения путем улучшения условий теплопереда­чи, части корпуса соединены установленными с натягом между его ребрами турбулизирующими вставками,, которые выполнены в виде располо­женной вдоль ребер корпуса пластины с...

Номер патенту: 14407

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Наконечний Володимир Федорович, Гохман Єфім Наумович

МПК: H01L 23/34

Мітки: охолоджувач, охолоджування, напівпровідникових, приладів, переважно

Формула / Реферат:

Охладитель, преимущественно для охлажде­ния полупроводниковых приборов, содержащий кор­пус, снабженный подводящим и отводящим каналами и расположенным между ними распреде­лительным элементом, выполненным в виде взаимно пересекающихся каналов, и две распределительные камеры, образованные внутренней поверхностью корпуса, прилежащей к подводящему и отводящему каналам, и поверхностью распределительного эле­мента, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патенту: 13252

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Живов Михайло Давидович, Репік Валерій Петрович, Богданов Євген Іванович

МПК: H01L 21/304

Мітки: пластин, відмивання, пристрій, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Устройство для отмывки полупроводниковых пластин, содержащее держатель пластины с вертикальной осью вращения, цилиндрический рабочий инструмент, установленный с возможностью вращения относительно оси, параллельной плоскости держателя, и средства подачи жидкости в зону обработки, отличающееся тем, что рабочий инструмент выполнен в виде трубок из упругого пористого полирующего материала, расположенных по образующим цилиндра.

Номер патенту: 13397

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Буненко Андрій Іванович, Скляревич Владислав Юхимович, Шевелев Михайло Володимирович, Гурошев Вячеслав Іванович

МПК: H01L 21/268

Мітки: обробки, спосіб, напівпровідникових, матеріалів

Формула / Реферат:

1. Способ обработки полупроводниковых ма­териалов, состоящий в том, что на поверхности или в объеме этого материала создают атомы (ионы) примеси, а затем облучают указанные материалы электромагнитным излучением, отличающийся тем, что облучение осуществляют электроманитным излучением с частотой, равной резонансной частоте собственных колебаний атомов (ионов) примеси в материале полупроводника в диапазоне частот 30-150 Ггц, причем...

Номер патенту: 11659

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Єргаков Валерій Костянтинович, Баранський Петро Іванович, Лукинський Юрій Леонідович, Мисливець Ксенія Артурівна, Оліх Ярослав Михайлович, Сальков Євген Андрійович, Любченко Олексій Вікторович, Курбанов Курбан Рамазанович, Карачевцева Людмила Анатольєвна

МПК: H01L 21/26, H01L 21/463

Мітки: керування, сполук, типу, спосіб, електрофізичними, параметрами, напівпровідникових, а11в1

Формула / Реферат:

1. Способ управления электрофизическими параметрами полупроводниковых соединений типа АІ ВVI, включающий ультразвуковое воздействие интенсивностью 102 - 2-103 Вт/ч2 на образец соединения и последующее химическое удаление приповерхностного нарушенного слоя на глубину 5-10 мкм, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности управления концентраций, подвижностью и временем жизни носителей заряда в соединениях Cdxtg1-k Te состава...

Номер патенту: 11467

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Водолагін В'ячеслав Юрійович, Прошкін Микола Миколайович, Пєсков Віктор Андріанович

МПК: B23K 1/20

Мітки: лудіння, підготовки, напівпровідникових, спосіб, матеріалів, поверхні

Номер патенту: 11449

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Прошкін Микола Миколайович, Пєсков Віктор Андріанович

МПК: C30B 29/46, C30B 33/10

Мітки: термоелементів, напівпровідникових, травлення, поверхні, контактного, розчин, хімічного, алюмінієм

Формула / Реферат:

Раствор для химического и контактного с алюминием травления поверхности полупровод­никовых термоэлементов из халькогенидов висму­та и сурьмы, содержащий водный раствор щелочи, отличающийся тем, что, с целью упрощения про­цесса травления и повышения качества поверхности термоэлементов, травитель дополнительно содер­жит трехзамещенный лимоннокислый натрий, а в качестве щелочи содержит гидрат окиси калия при следующем соотношении компонентов,...

Номер патенту: 11383

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бідник Дмитро Ілліч, Ірінархов Сергій Михайлович, Школьний Арнольд Костянтинович, Леваднюк Едуард Нікодимович, Терентьєв Борис Михайлович, Вікулін Олександр Олександрович

МПК: G21H 5/00

Мітки: регулювання, альфа-установка, радіаційного, структур, параметрів, напівпровідникових, електрофізичних

Формула / Реферат:

I. Альфа-установка для радиационного регу­лирования электрофизических параметров полу­проводниковых структур, состоящая из камеры облучения с облучателсм на основе радионуклидных источников альфа-излучения, держателя объ­ектов облучения, расположенного над облучателем, и системы перемещения объектов об­лучения, отличающаяся тем, что, с целью повы­шения эффективности радиационного воздействия на объекты облучения и радиационной безопасно­сти...

Номер патенту: 11375

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Плескач Олександр Петрович, Атаманчук Ярослав Дмитрович, Бідник Дмитро Ілліч

МПК: B23K 11/06

Мітки: герметизації, приладів, напівпровідникових, схем, інтегральних, автомат

Формула / Реферат:

1. Автомат для герметизации полупроводни­ковых приборов и интегральных схем контактной шовной сваркой, включающий смонтированные на основании питатель крышек, автооператор подачи крышек, устройство ориентации крышек, свароч­ные головки поперечных и продольных швов, сва­рочный трансформатор, устройство наблюдения за качеством сварки и транспортное устройство для передачи заготовок и приборов с одной позиции на другую, отличающийся тем, что, с...

Номер патенту: 11373

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Баранов Ігор Ліверійович, Казінов Володимир Олександрович, Лазарук Сергій Костянтинович, Бідник Дмитро Ілліч, Лабунов Володимир Архипович, Ілюк Ігор Євгенович, Гуменюк Степан Дмитрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: мікросхем, приладів, металізації, спосіб, виготовлення, інтегральних, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Способ изготовления металлизации полу­проводниковых приборов и интегральных микро­схем, включающий осаждение на полупро­водниковую пластину пленки алюминия, нанесе­ние слоя фоторезиста и формирование в нем кон­фигурации дорожек межсоединений шириной до 4·10-5 м и контактных площадок, создание разде­лительного окисла пористым анодным окислением слоя алюминия, формирование пассивирующего окисла, удаление фоторезиста с контактных пло­щадок,...

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Красножонов Євген Павлович, Островська Анастасія Степанівна, Байцар Роман Іванович, Островський Петро Іванович

МПК: C30B 29/00, C30B 29/06

Мітки: резонаторів, спосіб, струнних, ниткоподібних, напівпровідникових, кристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...

Номер патенту: 9308

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Тетерьвов Валерій Іванович, Бротіковський Олег Йосифивович, Самойленко Лідія Олександрівна, Воскресеньский Валерій Михайлович

МПК: B01F 13/00

Мітки: установка, напівпровідникових, склоподібного, матеріалу, одержання, гідроокисного, розчину, захисту, переважно, багатокомпонентного, приборів

Формула / Реферат:

1. Установка для получения стекловидного гидроокисного материала из многокомпонентного раствора, преимущественно для защиты полупро­водниковых приборов, содержащая сосуды с ме­шалками для приготовления водных растворов азотнокислых солей стеклообразующих элемен­тов, спиртового раствора тетраэтоксисилана, ем­кость для их смешения, емкость для приготовления водного раствора аммиака, бак-сборник с мешал­кой и термокамеру, отличающаяся тем, что,...

Номер патенту: 9307

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Самойленко Лідія Олександрівна, Нехамкін Михайло Юхимович, Гармаш Ян Яковлевич, Тетерьвов Валерій Іванович

МПК: H05K 3/06

Мітки: напівпровідникових, обробки, переважно, лінія, пластин, виробів, плоских, рідинної, хімічної

Формула / Реферат:

1. Линия для жидкостной химической обра­ботки плоских изделий, преимущественно полу­проводниковых пластин, содержащая каркас, последовательно установленные рабочие ванны, поворотные носители изделий с вертикальным размещением посадочных гнезд для изделий, средства перемещения носителей и средства их вращения в виде валков, горизонтально установленных под носителями в ваннах, приводы валков, отличаю­щаяся тем, что, с целью повышения качества...

Номер патенту: 9312

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Касьян Георгій Михайлович, Курощепов Євген Романович, Астапов Леонід Арсенійович, Нейман Олександр Юхимович

МПК: H02H 7/10

Мітки: захисту, керованих, зустрічно-паралельно, напівпровідникових, перенапруги, двох, імпульсної, включених, пристрій, вентилів

Формула / Реферат:

Устройство для защиты импульсных пере­напряжении двух встречно-параллельно включен­ных управляемых полупроводниковых вентилей, содержащее демпфирующую цепочку, включаю­щую резистор и конденсатор и предназначенную для подключения параллельно вентилям, к управляю­щим электродам которых предназначены для под­ключения одни выводы пороговых элементов, отличающееся тем, что, с целью повышения надеж­ности, демпфирующая цепочка снабжена...

Номер патенту: 8567

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Михайлов Віктор Іванович, Щербін Володимир Миколайович, Ключников Олександр Олександрович

МПК: H01L 21/02, H01L 31/04

Мітки: іонізуючого, домішкової, компенсації, пристрій, напівпровідникових, випромінювання, детекторів, провідності

Формула / Реферат:

Устройство для компенсации примесной про­водимости полупроводниковых детекторов иони­зирующих излучений, состоящее из термостата, двух плоских потенциальных контактов и источ­ника питания, отличающееся тем, что, с целью повышения его производительности путем умень­шения времени компенсации, в него введены дополнительные потенциальные контакты, коллиматор и источник ионизирующего излуче­ния, причем каждый контакт соединен с другим контактом...

Номер патенту: 9014

Опубліковано: 30.09.1996

Автор: Федоров Роман Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: пристрій, матеріалів, напівпровідникових, очищення

Формула / Реферат:

Устройство для очистки полупроводниковых материалов, содержащее кольцевые зонные нагреватели, окружающие контейнер с исходным мате­риалом и снабженные неподвижными фоновыми нагревателями сопротивления, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет исключения холостого хода зонных нагре­вателей, они выполнены в виде лент, намотанных с одинаковым шагом и совмещенных по шагу на две трубы, установленные коаксиально с...

Номер патенту: 5310

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Яшнік Владілен Макарович, Коваленко Леонід Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович, Цвірко Юрій Антонович

МПК: H01L 21/18

Мітки: елементів, основі, напівпровідникових, контакт, ііі, сполучень

Формула / Реферат:

Контакт к полупроводниковым элементам на основе соединений АIIIВV, содержащий кон­тактный слой, внешний токопроводящий слой и расположенный между ними барьерный слой, отличающийся тем, что, с целью повы­шения надежности и улучшения электриче­ских параметров контакта, барьерный слой выполнен из электропроводящих соединений на основе фаз внедрения переходных метал­лов ІІІ-VІ групп.

Номер патенту: 5301

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Скрипник Юрій Олексійович, Соловйов Іван Іванович, Коваленко Олег Васильович

МПК: G01R 31/26, H01H 1/00

Мітки: напівпровідникових, відбракування, спосіб, приладів

Формула / Реферат:

Способ отбраковки полупроводниковых приборов, включающий воздействие на контролируемый прибор тренирующими электропотенциалами и импульсом греющей мощности величиной не менее 1,5 максимально допустимой рассеиваемой мощности, определение изменения параметров контролируемого прибора и сравнение этого изменения с эталонным значением, отличающийся тем, что после воздействия на контролируемый прибор импульсом греющей мощности и в процессе...

Номер патенту: 3793

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Терень Марія Іванівна, Марченко Антоніна Володимирівна, Піщіков Дмітрій Івановіч, Куса Світлана Давидівна, Леховіцер Світлана Борисівна, Антохін Ніколай Алєксандровіч, Раухман Алєксандр Марковіч, Губа Галина Яківна, Бескровна Ірина Іванівна, Артьомов Алєксандр Сєрафімович, Кітін Дмітрій Вячеславовіч, Чуйко Олексій Олексійович

МПК: H01L 21/302, C09G 1/00

Мітки: хіміко-механічного, напівпровідникових, матеріалів, полірування, суміш

Формула / Реферат:

Состав для химико-механического полирования полупроводниковых материалов, содержащий абразивный компонент, гидроксид натрия или калия, 30%-ный раствор перекиси водорода и воду, отличающийся тем, что в качестве абразивного компонента он содержит аминоэтоксиаэросил и дополнительно - глицерин при следующем соотношении компонентов, мас. %: , Аминоэтокси аэросил 6,0-8,0 Гидроксид натрия или...

Номер патенту: 3179

Опубліковано: 26.12.1994

Автор: Левченко Володимир Васильович

МПК: H01L 21/68

Мітки: пластин, термообробки, напівпровідникових, пристрій, переважно, установках, фіксації

Формула / Реферат:

Устройство для фиксации, преимущественно полупроводниковых пластин в установках для термообработки, содержащее корпус с каналом для соединения с вакуумной системой и с кольцевой проточкой, в которой размещен кольцеобразный элемент с полостью для соединения с системой подачи теплоносителя, отличающееся тем, что оно снабжено теплоизолирующей прокладкой, установленной в кольцевой проточке корпуса между наружной поверхностью кольцеобразного...

Номер патенту: 3031

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Журавська Ірина Миколаївна, Пусєв Олександр Миколаєвич, Євстаф'єв Олексій Сергійович, Мирошніченко Людмила Миколаївна, Турти Марина Валентиновна

МПК: H01L 23/34

Мітки: пристрій, напівпровідникових, приладів, охолодження

Формула / Реферат:

1. Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащее радиатор с ребрами, на поверхности которого выполнены отверстия для крепления приборов, и вентилятор, установленный в выемке, выполненной на наружной поверхности ребер радиатора, отличающееся тем, что выемка для размещения вентилятора выполнена в виде соединенных между собой цилиндрических полостей, габаритные размеры одной из которых соответствуют габаритным размерам...

Номер патенту: 1774

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Бабій Ігор Євгенович, Ілюк Ігор Євгенович, Сьома Богдан Дмитрович, Александров Євген Веніамінович, Молчанов Костянтин Вікторович

МПК: H01L 21/306

Мітки: напівпровідникових, шарів, спосіб, поверхневих, обробки, пластин

Формула / Реферат:

Способ обработки поверхностных слоев полупроводниковых пластин, включающий установку рабочих полупроводниковых пластин на одинаковом расстоянии одна от другой в кассету, установку перед первой и после последней рабочими пластинами балластных пластин на том же расстоянии и последующую обработку, отличающийся тем. что в качестве балластных используют пластины, на поверхность которых нанесен обрабатываемый слой в едином цикле с рабочими...