Патенти з міткою «напівпровідникових»

Номер патенту: 53585

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Ластівка Галина Іванівна, Хандожко Олександр Григорович, Верига Андрій Дмитрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: реєстрації, спосіб, геліконового, матеріалах, напівпровідникових, резонансу

Формула / Реферат:

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах, що включає сканування магнітного поля в області умов геліконового резонансу, збудження в досліджуваній пластинці геліконових хвиль та реєстрацію частоти генерованих коливань, який відрізняється тим, що пластину геліконового резонатора розміщують в коливальному контурі автодинного давача, який одночасно є індукуючим та збуджуючим пристроєм, вимірюють зміну частоти...

Номер патенту: 51634

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Карускевич Ольга Віталіївна, Якуша Володимир Вікторович, Шаповалов Віктор Олександрович, Гніздило Олександр Миколайович, Колєсніченко Володимир Іванович

МПК: B01D 9/00, C30B 11/10, C30B 13/00 ...

Мітки: також, певною, матеріалів, отримання, монокристалічною, полікристалічною, напівпровідникових, енергетики, пристрій, зливків, сонячної, мультикристалічних, структурою

Формула / Реферат:

1. Пристрій для отримання зливків з монокристалічною, полікристалічною та певною структурою напівпровідникових матеріалів, а також для отримання мультикристалічних зливків для сонячної енергетики, що включає герметичну камеру кристалізації зливка, вакуумну систему, пристрій подачі шихти, камеру плавлення шихти, джерело для розплавлення шихти та нагріву розплаву, механізм витягування зливка, системи струмо- та водопостачання, який...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: низькосиметричних, основі, процес, кристалів, мікро-та, створення, об'ємних, аiiвv, групи, наноструктур, напівпровідникових, сполук

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...

Номер патенту: 49632

Опубліковано: 11.05.2010

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: pbте, твердих, а4в6, розчинів, сублімуючих, pbsnte, вирощування, pbgete, сполук, напівпровідникових, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сублімуючих твердих розчинів напівпровідникових сполук A4B6 (РbТе, PbSnTe, PbGeTe), який включає етапи синтезу, охолодження, пересублімації, який відрізняється тим, що зародження монокристала відбувається на синтезованому злитку з наступним його розростанням до дна ампули і заповненням всього її внутрішнього перерізу.

Номер патенту: 90412

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Афонін Ігор Леонідович, Канакі Микола Григорович

МПК: G03B 21/00, H04N 5/74

Мітки: лазерів, напівпровідникових, самоскануюча, матриця

Формула / Реферат:

1. Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів, яка містить у собі напівпровідникові лазери, попередньо підготовані до випромінення та засвітлювані почергово, один за одним, яка відрізняється тим, що пристрій виконано у вигляді складеної, наприклад, у лінійку, зазначеної кількості двопроменевих напівпровідникових лазерів, кожний з яких у потрібний час випромінює два жмути світла - лазерні промені, які збігаються у часі, але не збігаються...

Номер патенту: 47386

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: G01R 19/28, G01R 27/04, G01R 31/26 ...

Мітки: апаратура, лавинопрольотних, надійності, надпотужних, лпд, діодів, діагностики, імпульсних, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...

Номер патенту: 46274

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Кравчина Акім Віталійович, Гомольський Дмитро Михайлович, Швець Євген Якович, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: H01L 21/306, H01L 21/225

Мітки: напівпровідникових, дифузійним, спосіб, кільцем, приладів, виготовлення, силових, охоронним

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем, що включає підготовку шліфованих пластин, проведення процесів дифузії легуючих домішок р- та n-типу провідності, локальне травлення, локальну дифузію, формування легованого бором та алюмінієм глибокого р+-р-шару, окислення, формування шару з охоронним дифузійним кільцем, вилучення окислу, формування ізоляції, формування фаски за допомогою механічної та...

Номер патенту: 43898

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Криськов Анатолій Андрійович, Левицький Сергій Миколайович, Криськов Цезарій Андрійович, Власенко Олександр Іванович

МПК: C30B 15/10, C30B 13/00

Мітки: халькогенідних, напівпровідникових, матеріалів, aivbvi, отримання, спосіб, високооднорідних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання халькогенідних напівпровідникових кристалів AІVBVI, який включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів, які завантажують в кварцову ампулу, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження ампули...

Номер патенту: 41790

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Кравченко Сергій Юрійович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Каракулова Аліна Іванівна

МПК: H01L 21/02

Мітки: напівпровідникових, плазмохімічного, травлення, пластин, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб плазмохімічного травлення напівпровідникових пластин, який полягає у тому, що травлення проводять у плазмі, яку утворюють електричним розрядом у вакуумній камері при постійному напусканні і відкачуванні робочого газу, а контроль моменту закінчення процесу плазмохімічного травлення проводять за допомогою двох електричних зондів, які вводять в зону розряду, перший з яких розташовують біля напівпровідникової пластини зі сторони...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович

МПК: H01L 21/04

Мітки: створенні, бар'єрних, хвилею, аiii, аiiвvi, елементами, легування, групи, сполук, напівпровідникових, спосіб, структур, приповерхневого, електричних, пружною

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...

Номер патенту: 39122

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Борик Віктор Васильович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Ростислав Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: наноструктурних, отримання, спосіб, матеріалів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері з температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник з наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують аморфну підкладку, на якій формуються розорієнтовані нанокристалічні структури.

Номер патенту: 38628

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Баганов Євген Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Саріков Андрій Вікторович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/00, H01L 21/02 ...

Мітки: сполук, багатокомпонентних, напівпровідникових, гетероепітаксійного, спосіб, шарів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук, що включає первісну хімічну підготовку підкладки, нанесення на планарну поверхню захисного маскуючого шару Si3N4 або SiO2, формування за допомогою фотолітографії і хімічного або плазмохімічного травлення вікон у захисному маскуючому шарі, який відрізняється тим, що після формування вікон у захисному шарі проводять формування поруватого шару у вікнах за...

Номер патенту: 38627

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Буряченко Володимир Іванович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Стогній Дмитро Васильович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/00, H01L 21/02 ...

Мітки: спосіб, гетероепітаксійних, сполук, отримання, шарів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук, що включає формування мезаструктур на підкладці фотолітографією, травленням та гетероепітаксійне вирощування, який відрізняється тим, що мезаструктурам надають призматичної або пірамідальної форми, а гетероепітаксійне вирощування шару з відмінним значенням постійної ґратки виконують в один етап.

Номер патенту: 36288

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Шаповалов Валентин Дмитрійович, Бігвава Віталій Антонович

МПК: H01L 23/34

Мітки: спосіб, напівпровідникових, охолодження, силової, електроніки, приладів

Формула / Реферат:

Спосіб охолодження напівпровідникових приладів силової електроніки, що включає  охолодження рідиною, яка відбирає від них тепло, який відрізняється тим, що як охолоджуючу рідину використовують ту ж саму рідину, яка є робочим тілом нагрівального апарата, що керується цими напівпровідниковими приладами силової електроніки і підігрівається цим же нагрівальним апаратом.

Номер патенту: 33539

Опубліковано: 25.06.2008

Автор: Бернацький Віктор Антонович

МПК: C23C 14/35

Мітки: спосіб, отримування, плівок, напівпровідникових, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб отримування тонких напівпровідникових плівок, який полягає в реактивному магнетронному розпиленні (РМР) металічної мішені в газовій суміші активного та інертного газів, який відрізняється тим, що в центральній частині мішені, яка не піддається магнетронному розпиленню, розміщують рідкий галій (Ga) з активатором і проводять термічне випаровування активаторів з нижчою температурою випаровування, ніж у Ga.

Номер патенту: 32573

Опубліковано: 26.05.2008

Автор: Нічий Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: вимірювання, спосіб, напівпровідникових, холла, коефіцієнта, матеріалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання коефіцієнта Холла напівпровідникових матеріалів при включеному та виключеному магнітному полі, який відрізняється тим, що через зразок пропускають лінійнозмінний струм, включають магнітне поле, вимірюють приріст напруги  між вимірювальними зондами і приріст струму () за один і той...

Номер патенту: 32572

Опубліковано: 26.05.2008

Автор: Нічий Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: провідності, однорідних, вимірювання, матеріалів, напівпровідникових, спосіб, питомої

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання питомої провідності однорідних напівпровідникових матеріалів на зразках правильної геометричної форми двозондовим методом, який відрізняється тим, що через зразок пропускають лінійнозмінний струм і значення питомої провідності визначають як величину, яка пропорційна відношенню приросту струму до приросту напруги між вимірювальними зондами на лінійній ділянці лінійнозмінного струму, за один і той же проміжок...

Номер патенту: 32716

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Раранський Микола Дмитрович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Грицюк Богдан Миколайович

МПК: C30B 13/00

Мітки: монокристалів, процес, сполук, зонної, перекристалізації, напівпровідникових, отримання, методом, горизонтально

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації, який складається з етапів попереднього синтезу вихідних матеріалів, подальшого перезавантаження разом з монокристалічною затравкою, затравлювання та зонного вирощування при прямому та зворотному русі зонного нагрівача, який відрізняється тим, що по закінченні кожного з проходів зонний нагрівач переміщують від кінця та початку завантаження...

Номер патенту: 31098

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Ющук Степан Іванович, Савкіна Рада Константинівна, Юр'єв Сергій Олексійович, Смірнов Олексій Борисович

МПК: G01N 29/04

Мітки: частин, дефектних, спосіб, кристалів, виявлення, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів, що включає нагрівання напівпровідникових кристалів та візуалізацію дефектів, який відрізняється тим, що нагрівання напівпровідникових кристалів до виявлення дефектів здійснюють ультразвуком, а візуалізацію дефектів проводять в інфрачервоному діапазоні довжин хвиль.

Номер патенту: 29224

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Бахнов Леонід Євгеньович, Кубишкін Іван Васильович, Кіяшко Борис Олександрович, Лабковський Віктор Соломонович

МПК: H01L 23/34

Мітки: силових, рідинний, охолоджувач, напівпровідникових, приладів

Формула / Реферат:

1. Рідинний охолоджувач для силових напівпровідникових приладів, що містить корпус у вигляді пластини з високотеплопровідного металу, що обмежена верхньою і нижньою площинами, а також передньою, тильною і двома бічними торцевими гранями, в якій виконані два некрізних розташованих під кутом один до одного прямолінійних канали з вхідними отворами на передній торцевій грані пластини, причому осі каналів розташовані під кутом одна до одної в...

Номер патенту: 26752

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, отримання, кристалів, напівпровідникових, n-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при...

Номер патенту: 26751

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Сташко Назар Васильович, Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: p-типу, спосіб, кристалів, отримання, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170

Номер патенту: 26470

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Тутик Валерій Анатолійович, Червоний Іван Федорович, Гасик Михайло Іванович, Пожуєв Володимир Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: зонної, плавки, матеріалів, напівпровідникових, пристрій, безтигельної, стержнів

Формула / Реферат:

Пристрій для безтигельної зонної плавки стержнів із напівпровідникових матеріалів з нагрівачем у вигляді електронної гармати, що містить порожнистий корпус, в якому концентрично розміщені кільцевий катод з увігнутою емісійною поверхнею, кільцевий анод з щілинним отвором для проходження електронного пучка і встановлені на торцевих стінках корпусу на однаковій відстані від площини симетрії кільцеві магнітні котушки, який відрізняється тим, що в...

Номер патенту: 25174

Опубліковано: 25.07.2007

Автори: Бакунцев Олександр Васильович, Діденко Юрій Вікторович

МПК: G01N 17/00

Мітки: спосіб, оцінки, впливу, стійкість, металізації, виробів, полімерних, корозійного, матеріалів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб оцінки корозійного впливу полімерних матеріалів на стійкість металізації напівпровідникових виробів, який полягає в тому, що до електродів прикладають електричну напругу та піддають термообробці, який відрізняється тим, що як електроди використовують вільні виводи корпусу напівпровідникового виробу, герметизованого полімерним матеріалом, термообробку проводять при температурі затвердіння матеріалу корпусу, а корозійний вплив оцінюють...

Номер патенту: 67034

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Бровкін Юрій Миколайович, Плаксін Сергій Вікторович

МПК: G01R 29/12

Мітки: структурах, поля, електричного, визначення, пристрій, напівпровідникових, напруженості, розподілу

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення розподілу напруженості електричного поля в напівпровідникових структурах, що містить генератор прямокутних імпульсів, до вихідних клем якого підключена досліджувана напівпровідникова структура, розташована на координатному столику, ємнісний зонд, підсилювач перетворених сигналів зонда і двокоординатний реєстратор, який відрізняється тим, що в нього додатково введені блок диференціювання, вхід якого з'єднаний з ємнісним...

Номер патенту: 21585

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: КУЧМІЙ СТЕПАН ЯРОСЛАВОВИЧ, Клочай Оксана Іванівна, ГРАНЧАК ВАСИЛЬ МИХАЙЛОВИЧ, Сисюк Валентина Григорівна

МПК: G03F 7/033, C09D 131/00

Мітки: гібридних, фотоклей, напівпровідникових, кріплення, мікросхемах, кристалів

Формула / Реферат:

Фотоклей для кріплення напівпровідникових кристалів в гібридних мікросхемах, що включає полімеризаційноздатний компонент, поліефірізоціануратімідну смолу молекулярної маси 75280, фотоініціатор - метиловий ефір бензоїну та цільові домішки, який відрізняється тим, що з метою покращення фізико-механічних властивостей, водостійкості та хімічної стійкості при експлуатації гібридних мікросхем фотоклей як полімеризаційноздатний компонент містить...

Номер патенту: 19435

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Андрєєва Катерина Вікторівна, Лисюк Ігор Олександрович, Гузенко Генадій Олексійович, Сизов Федір Федорович

МПК: G01R 1/00

Мітки: вимірювання, структур, напівпровідникових, характеристик, зондова, електрофізичних, установка

Формула / Реферат:

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що складається з станини, П-подібного кронштейна з закріпленим на ньому мікроскопом, координатного столика, розташованого під мікроскопом, двох приводів горизонтального переміщення і приводу вертикального переміщення координатного столика і зондів, що забезпечують електричні контакти з елементами, що тестуються, яка відрізняється тим, що установка...

Номер патенту: 77499

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович, Мошель Микола Васильович

МПК: G01R 3/00, G01N 13/00, H01L 21/66 ...

Мітки: локальних, інтегральних, приладів, зразках, тепловиділення, напівпровідникових, джерел, кристалів, спосіб, виявленя, схем

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних джерел тепловиділення в зразках кристалів  інтегральних схем та напівпровідникових приладів, за яким на контрольовану поверхню зразка кристала наносять тонку плівку холестеричного рідкого кристала, зразок закріплюється на нагріваному тримачі з терморегулятором і підключається до джерела електричного живлення, а локальні джерела тепловиділення виявляють за оптичними зображеннями в поляризаційному мікроскопі...

Номер патенту: 16279

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 15/00

Мітки: напівпровідникових, спосіб, нанесення, сполук, покриттів

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення покриттів із напівпровідникових сполук, які складаються із рідкофазного компонента і компонента, що не має рідкої фази, таких як карбід кремнію, карбід бору, нітрид кремнію, що включає випаровування рідкофазного компонента у вакуумі при нагріванні його в замкнутому об’ємі синтезатора, який виготовлений із компонента, що не має рідкої фази, в якому має місце синтез напівпровідникової сполуки біля внутрішньої поверхні...

Номер патенту: 15920

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Маслов Володимир Петрович, Циркунов Юрій Якимович, Саворовський Федір Григорович

МПК: H05G 1/00, G03B 42/02

Мітки: маска, систем, напівпровідникових, приймачів, цифрових, скануючих, рентгенографічних, лінійка, випромінювання

Формула / Реферат:

Лінійка напівпровідникових приймачів випромінювання для скануючих цифрових рентгенографічних систем, що складається з лінійки напівпровідникових фотодіодів, підсилюючого екрана та відсіюючого растра, яка відрізняється тим, що підсилюючий екран виконаний з комірок, аналогічних по формі та розмірах напівпровідникових комірок, кожна з яких відділена одна від одної перетинкою з оптично- та рентгенонепрозорого матеріалу.

Номер патенту: 8622

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Жавжаров Євген Леонідович, Полєха Дмитро Олександрович

МПК: C23C 14/18, C23C 14/58

Мітки: поліпшення, плівок, спосіб, металевих, напівпровідникових, прошарків, адгезії, діелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб поліпшення адгезії металевих плівок до напівпровідникових та діелектричних прошарків, який включає нанесення металевої плівки на прошарок і подальше оброблення плівки, який відрізняється тим, що оброблення пластин з плівкою виконують одностадійно в атмосфері електрично нейтрального атомарного водню у вакуумній установці при температурі прошарку 20-70°С.

Номер патенту: 50972

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Лисоченко Сергій Васильович, Жарких Юрій Серафимович, Третяк Олег Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: мас, визначення, тонких, каналах, напівпровідникових, структур, носіїв, спосіб, транзисторних, ефективних, заряду, струмопровідних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ефективних мас носіїв заряду в тонких струмопровідних каналах транзисторних напівпровідникових структур, який включає одночасну дію на матеріал направлених взаємно перпендикулярно магнітного і електричного полів і наступне дослідження наслідків одночасного їх впливу на рух вільних носіїв заряду, який відрізняється тим, що постійне магнітне поле направляють перпендикулярно поверхні зразка, електричне поле є постійним і його...

Номер патенту: 71914

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Матвіїв Мирон Васильович, Луців Роман Васильович

МПК: C30B 9/00, C30B 30/00, C30B 28/00 ...

Мітки: основі, кристалів, спосіб, халькогенідів, напівпровідникових, отримання, ртуті

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті методом твердотільної рекристалізації, який містить відпал в кварцевій ампулі полікристалічної матриці, який відрізняється тим, що відпал проводять у присутності порошку матеріалу матриці і активованого вугілля, що заповнює весь вільний простір ампули.

Номер патенту: 71915

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Кревс Віктор Євгенович

МПК: C30B 30/00, C30B 28/00

Мітки: спосіб, отримання, розплаву, реалізації, пристрій, напівпровідникових, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву, що включає компоновку кварцевої ампули, синтез і вирощування направленою кристалізацією, який відрізняється тим, що при компоновці ампули здійснюють завантаження твердих компонентів шихти роздільно від рідких компонентів, причому тверді компоненти завантажують у першу чергу, відкачування ампули проводять при розділених у просторі рідких і твердих компонентах, а після досягнення...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалів, контейнер, напівпровідникових, термообробки

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Номер патенту: 46974

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Лабковський Віктор Соломонович, Шинднес Юрій Львович, Бару Олександр Юрійович

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Мітки: силових, радіатор, напівпровідникових, приладів, охолодження

Формула / Реферат:

1. Радіатор для охолоджування силових напівпровідникових приладів, що містить основу і ребра у вигляді пластин, кожна з яких має кореневу ділянку, тепловіддавальну ділянку і з'єднувальну ділянку між ними, при цьому тепловіддавальні ділянки сусідніх пластин розташовані із зазором між ними, який відрізняється тим, що пластини згруповані попарно так, що з'єднувальні ділянки в кожній парі пластин орієнтовані протилежно, кореневі ділянки кожної...

Номер патенту: 2901

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Кучеров Олександр Павлович, Осінський Володимир Іванович, Сукач Георгій Олексійович, Ходаковський Микола Іванович, Мержвинський Павло Анатолійович, Шкляр Михайло Петрович, Вербицький Володимир Григорович, Олексенко Павло Феофанович

МПК: H01L 21/70

Мітки: контролю, напівпровідникових, багатошарових, пристрій, структур

Формула / Реферат:

Пристрій контролю багатошарових напівпровідникових структур, що містить блок керування технологічними приладами, джерело світла, оптично зв'язане з оптичною фокусуючою системою, оптичний вихід якої через зразок, розміщений на блоці позиціювання зразка, з'єднаний з оптичним входом монохроматора, вихід якого з'єднаний із входом фотореєструючого блока, вихід якого з'єднаний з входом аналого-цифрового перетворювача, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 67914

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/22

Мітки: спосіб, виготовлення, багатошарових, структур, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення багатошарових напівпровідникових структур, який включає створення на пластині кремнію випрямних p-n переходів необхідного концентраційного профілю дифузією акцепторної домішки з наступним створенням окисної маски термічним окисленням, фотолітографічну обробку, локальну дифузію донорної домішки і подальше формування структури приладу, який відрізняється тим, що перед окисленням на місці майбутньої дифузії донорної...

Номер патенту: 39430

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Панікарська Ольга Іванівна, Немчин Олександр Федорович, Савченко Ян Олексійович, Малєв Валерій Іванович, Сергеєв Сергій Олегович, Корнієнко Ірина Борисівна, Яценко Олег Володимирович

МПК: C30B 23/02, C30B 25/06

Мітки: напівпровідникових, сполук, спосіб, покриттів, нанесення

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення покриттів із напівпровідникових сполук шляхом розмі­щення випаровуваного компонента і виробу, що покривається, у вакуумній камері, їх нагрівання в умовах вакууму і наступного підвищення тиску, який відрізняється тим, що випаровуваний компонент напівпровідникової сполуки, який має рід­ку фазу, нагрівають в присутності компонента напівпровідникової сполуки, який має тверду фазу, при тискові 10-4 – 10-6 мм Hg до...

Номер патенту: 67198

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Золкіна Людмила Вікторівна, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: H01L 21/20

Мітки: напівпровідникових, вирощування, епітаксією, рідкофазною, шарів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією, у якому вирощування проводять з розчину, поміщеного в графітовий тигель, на монокристалічну пластину в циліндричній кварцовій ампулі шляхом лінійного охолодження зі швидкістю 0,5 К/хв, який відрізняється тим, що в розчин вводять ультразвукові хвилі з частотою від 0,3 до 5 МГц у напрямку, перпендикулярному поверхні пластини, а процес кристалізації здійснюють зі швидкістю від...